JPH0468566U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0468566U JPH0468566U JP11240490U JP11240490U JPH0468566U JP H0468566 U JPH0468566 U JP H0468566U JP 11240490 U JP11240490 U JP 11240490U JP 11240490 U JP11240490 U JP 11240490U JP H0468566 U JPH0468566 U JP H0468566U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- relay terminal
- relay
- output terminals
- mosfet
- terminal located
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000003491 array Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す半導体リレー
の内部平面配置図、第２図は第１図に示す半導体
リレーの回路図、第３図は従来の一例を示す半導
体リレーの内部平面配置図、第４図は第３図に示
す半導体リレーの回路図である。 １……半導体リレー、２Ａ，２Ｂ……入力端子
、３Ａ，３Ｂ……出力端子、４……中継端子、５
……発光ダイオード、６……フオトダイオードア
レー、７……駆動素子、８……ＭＯＳＦＥＴ素子
、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ……リードフレームアイラン
ド部、１０……ドレイン電極、１１……ゲート電
極、１２……ソース電極、１３……アノード電極
、１４……カソード電極、１５……ワイヤー配線
、１６……インピーダンス素子、１７……ボデイ
電極。
の内部平面配置図、第２図は第１図に示す半導体
リレーの回路図、第３図は従来の一例を示す半導
体リレーの内部平面配置図、第４図は第３図に示
す半導体リレーの回路図である。 １……半導体リレー、２Ａ，２Ｂ……入力端子
、３Ａ，３Ｂ……出力端子、４……中継端子、５
……発光ダイオード、６……フオトダイオードア
レー、７……駆動素子、８……ＭＯＳＦＥＴ素子
、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ……リードフレームアイラン
ド部、１０……ドレイン電極、１１……ゲート電
極、１２……ソース電極、１３……アノード電極
、１４……カソード電極、１５……ワイヤー配線
、１６……インピーダンス素子、１７……ボデイ
電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 裏面がボデイ電極で表面にドレイン電極およ
びソース電極を形成し且つ２つの出力端子の先端
に形成したアイランド部に搭載される二つのＭＯ
ＳＦＥＴ素子と、前記二つの出力端子間に位置す
る中継端子のアイランド部に独立して配置した２
組のフオトダイオードアレーを有する前記ＭＯＳ
ＦＥＴを駆動する駆動素子とを備えることを特徴
とする半導体リレー。 ２ 請求項１記載の駆動素子は１チツプ化される
ことを特徴とする半導体リレー。 ３ 入力端子からの信号により発光する発光ダイ
オードと、前記発光ダイオードからの光により、
電圧・電流を発生する２つのフオトダイオードア
レーと、前記電圧・電流によりゲート入力を充電
するＮチヤンネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥ
Ｔと、裏面がソース電極となる前記ＭＯＳＦＥＴ
をマウントするアイランド部に連続したリードフ
レームの一部を外部に突出させた２つの出力端子
と、前記２つの出力端子の間に位置する中継端子
とを有し、前記中継端子のアイランド部と前記Ｍ
ＯＳＦＥＴの表面部に配置されたドレイン電極と
をそれぞれワイヤー配線により接続して共通電位
とし、前記ＭＯＳＦＥＴを駆動するための独立し
た前記２つのフオトダイオードアレーを有する駆
動素子を前記中継端子のアイランド部にマウント
し、前記ＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間をオ
ン状態にして前記出力端子および中継端子間を閉
成させることを特徴とする半導体リレー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11240490U JPH0468566U (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11240490U JPH0468566U (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0468566U true JPH0468566U (ja) | 1992-06-17 |
Family
ID=31859910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11240490U Pending JPH0468566U (ja) | 1990-10-25 | 1990-10-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0468566U (ja) |
-
1990
- 1990-10-25 JP JP11240490U patent/JPH0468566U/ja active Pending
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