JPH0469596B2 - - Google Patents
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- JPH0469596B2 JPH0469596B2 JP12136387A JP12136387A JPH0469596B2 JP H0469596 B2 JPH0469596 B2 JP H0469596B2 JP 12136387 A JP12136387 A JP 12136387A JP 12136387 A JP12136387 A JP 12136387A JP H0469596 B2 JPH0469596 B2 JP H0469596B2
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- glaze
- glaze layer
- layer
- cement
- thermal expansion
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- Expired
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5022—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with vitreous materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Aftertreatments Of Artificial And Natural Stones (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はセラミツクコーテイングセメント製
品の一種として知られている施釉セメント製品の
製造方法に関する。
品の一種として知られている施釉セメント製品の
製造方法に関する。
（従来技術）
従来、施釉セメント製品は型枠等を用いて所定
の形状に形成されたセメント基材層上に釉薬を塗
布し、その後650℃〜900℃で焼成して製造されて
いる。
の形状に形成されたセメント基材層上に釉薬を塗
布し、その後650℃〜900℃で焼成して製造されて
いる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、施釉セメント製品は上記のよう
に650℃〜900℃の低温で焼成されるものであるた
め、焼成後の釉薬層の表面に光沢が出る。
に650℃〜900℃の低温で焼成されるものであるた
め、焼成後の釉薬層の表面に光沢が出る。
周知のように、施釉セメント製品は建築物の外
壁のような人の目に触れる構造材としての用途を
有しており、この用途に利用された場合には光沢
が有ると自動車のライトを反射したりして眩しい
ため、一般の陶磁器にみられるような約1300℃以
上の高温焼成で得られる光沢が少なくスリガラス
状の所謂マツト釉のような外観を有する施釉セメ
ント製品が要望されていた。
壁のような人の目に触れる構造材としての用途を
有しており、この用途に利用された場合には光沢
が有ると自動車のライトを反射したりして眩しい
ため、一般の陶磁器にみられるような約1300℃以
上の高温焼成で得られる光沢が少なくスリガラス
状の所謂マツト釉のような外観を有する施釉セメ
ント製品が要望されていた。
（問題点を解決するための手段）
上記従来技術の欠点に鑑み、本発明はマツト釉
のように光沢の少ない外観の釉薬層を備えた施釉
セメント製品の製造方法の提供を目的とするする
もので、この目的は焼成後の釉薬層の表面をサン
ドブラスト処理することにより達成される。
のように光沢の少ない外観の釉薬層を備えた施釉
セメント製品の製造方法の提供を目的とするする
もので、この目的は焼成後の釉薬層の表面をサン
ドブラスト処理することにより達成される。
（作用）
本発明は釉薬層の表面をサンドブラスト処理す
るものであるから、釉薬層の表面に微細な凹凸が
出来、このため釉薬層の表面に当つた光が乱反射
することとなる。
るものであるから、釉薬層の表面に微細な凹凸が
出来、このため釉薬層の表面に当つた光が乱反射
することとなる。
（実施例）
次にこの発明の一実施例を施釉セメント製品の
製造工程に従い、添付の図面を参照しつつ説明す
る。
製造工程に従い、添付の図面を参照しつつ説明す
る。
Ａ セメント基材層の準備
下記組成の混合物を混練後1m×1m×４mmの型
枠に流し込み24時間室中放置後脱型し、乾燥して
平板状のセメント基材層１を得た。
枠に流し込み24時間室中放置後脱型し、乾燥して
平板状のセメント基材層１を得た。
（第１図参照）
（重量部）
セメント 100
骨材シヤモツト
珪砂 200
100
ステンレス鋼フアイバー 20
水 50
尚、このようにして得られたセメント基材層１
の熱膨張率は6.8×10-6／℃であつた。
の熱膨張率は6.8×10-6／℃であつた。
Ｂ 釉薬の塗布
上記セメント基材層１の上面に熱膨張率6.3×
10-6／℃の釉薬を0.3mm厚に塗布した。
10-6／℃の釉薬を0.3mm厚に塗布した。
Ｃ 焼成
上記釉薬塗布後のセメント基材層１を860℃で
焼成した。これにより表面を光沢を有する釉薬層
２を得た。（第２図参照） Ｄ 再水和 焼成後の製品に湿度100％、温度60℃の蒸気を
吹きかけて蒸気養生を行なつた。
焼成した。これにより表面を光沢を有する釉薬層
２を得た。（第２図参照） Ｄ 再水和 焼成後の製品に湿度100％、温度60℃の蒸気を
吹きかけて蒸気養生を行なつた。
Ｅ サンドブラスト処理
再水和終了後釉薬層２の表面２ａに投射材とし
てアランダム（＃180）を用いて２Kgｆ／cm2の圧
力で全面にサンドブラストを行ない、光沢の少な
い表面２ａを得た。（第３図参照） （実施例の作用） 上記実施例において、釉薬層の熱膨張率（6.3
×10-6／℃）はセメント基材層１の熱膨張率
（6.8×10-6／℃）よりも0.5×10-6／℃だけ小さく
設定されているので焼成後に釉薬層２に圧縮応力
が加わつた状態となる。このため、良好な表面状
態の釉薬層２が得られる。
てアランダム（＃180）を用いて２Kgｆ／cm2の圧
力で全面にサンドブラストを行ない、光沢の少な
い表面２ａを得た。（第３図参照） （実施例の作用） 上記実施例において、釉薬層の熱膨張率（6.3
×10-6／℃）はセメント基材層１の熱膨張率
（6.8×10-6／℃）よりも0.5×10-6／℃だけ小さく
設定されているので焼成後に釉薬層２に圧縮応力
が加わつた状態となる。このため、良好な表面状
態の釉薬層２が得られる。
このような熱膨張率の差は0.1〜1.0×10-6／℃
の範囲で選択され、熱膨張率の差が1.0×10-6／
℃よりも大きいと、釉薬層２が盛り上がつて基材
層１より剥離する、所謂釉とびが発生し、また熱
膨張率の差が1.0×10-6／℃よりも小さいと釉薬
層２のひび割れ、所謂釉貫入が発生し、サンドブ
ラスト処理した場合には貫入部にブラスト効果が
大きく出てしまう不具合が有る。
の範囲で選択され、熱膨張率の差が1.0×10-6／
℃よりも大きいと、釉薬層２が盛り上がつて基材
層１より剥離する、所謂釉とびが発生し、また熱
膨張率の差が1.0×10-6／℃よりも小さいと釉薬
層２のひび割れ、所謂釉貫入が発生し、サンドブ
ラスト処理した場合には貫入部にブラスト効果が
大きく出てしまう不具合が有る。
釉薬層の表面２ａはサンドブラスト処理するこ
とにより、微細な凹凸が出来、これにより光を乱
反射して、マツト釉の外観を呈することとなる。
とにより、微細な凹凸が出来、これにより光を乱
反射して、マツト釉の外観を呈することとなる。
尚、以上の実施例において、釉薬層２の熱膨張
率とセメント基材層１の熱膨張率は0.5×10-6／
℃としたが、このような熱膨張率の差はセメント
基材層１中の骨材の量や種類或いは釉薬層２を形
成する釉薬のアルカリ金属成分含量を変化させる
ことにより設定できる。
率とセメント基材層１の熱膨張率は0.5×10-6／
℃としたが、このような熱膨張率の差はセメント
基材層１中の骨材の量や種類或いは釉薬層２を形
成する釉薬のアルカリ金属成分含量を変化させる
ことにより設定できる。
又、サンドブラスト処理に用いられる投射材は
アランダムに限らず、珪砂、コランダム、カーボ
ランダム等任意のものが利用でき、さらに投射圧
力は１〜５Kgｆ／cm2の圧力が利用可能である。
アランダムに限らず、珪砂、コランダム、カーボ
ランダム等任意のものが利用でき、さらに投射圧
力は１〜５Kgｆ／cm2の圧力が利用可能である。
さらに上記実施例において、サンドブラスト処
理は釉薬層２の表面２ａの全面に行なうものとし
たが、表面を部分的にマスキングしてサンドブラ
スト処理を行なうことにより釉薬層２の表面２ａ
に模様付けすることも可能である。
理は釉薬層２の表面２ａの全面に行なうものとし
たが、表面を部分的にマスキングしてサンドブラ
スト処理を行なうことにより釉薬層２の表面２ａ
に模様付けすることも可能である。
（発明の効果）
本発明の釉薬層の表面をサンドブラスト処理す
るものであるため、釉薬層表面の光沢が減少して
反射光の眩しさが防止できるので、建築物の外壁
のような人の目に触れる構造材として最適な施釉
セメント製品が得られる利点を有する。又、特に
釉薬層の表面を部分的にマスキングしてサンドブ
ラスト処理することにより釉薬層の表面に模様付
けをすることができるので、意匠性が良好となる
利点を有する。
るものであるため、釉薬層表面の光沢が減少して
反射光の眩しさが防止できるので、建築物の外壁
のような人の目に触れる構造材として最適な施釉
セメント製品が得られる利点を有する。又、特に
釉薬層の表面を部分的にマスキングしてサンドブ
ラスト処理することにより釉薬層の表面に模様付
けをすることができるので、意匠性が良好となる
利点を有する。
図は本発明の一実施例による施釉セメント製品
の製造方法を示すもので、第１図は施釉セメント
製品のセメント基材層の正面図、第２図はセメン
ト基材層上に釉薬層を形成した状態を示す正面
図、第３図は釉薬層の表面をサンドブラストした
状態を示す斜視図である。 １……セメント基材層、２……釉薬層、２ａ…
…表面。
の製造方法を示すもので、第１図は施釉セメント
製品のセメント基材層の正面図、第２図はセメン
ト基材層上に釉薬層を形成した状態を示す正面
図、第３図は釉薬層の表面をサンドブラストした
状態を示す斜視図である。 １……セメント基材層、２……釉薬層、２ａ…
…表面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セメント基材層と釉薬層とからなる施釉セメ
ント製品の製造方法であつて、焼成後の前記釉薬
層の表面をサンドブラスト処理することを特徴と
する施釉セメント製品の製造方法。 ２ 前記サンドブラスト処理は前記釉薬層を再水
和させた後に行なうことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の施釉セメント製品の製造方法。 ３ 前記セメント基材層の熱膨張率と前記釉薬層
の熱膨張率とを異ならせたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の施釉セメント製品の製造
方法。 ４ 前記釉薬層の熱膨張率は前記セメント基材層
の熱膨張率よりも0.1〜1.0×10-6／℃の範囲で小
さく設定することを特徴とする特許請求の範囲第
３項記載の施釉セメント製品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12136387A JPS63288981A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 施釉セメント製品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12136387A JPS63288981A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 施釉セメント製品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63288981A JPS63288981A (ja) | 1988-11-25 |
| JPH0469596B2 true JPH0469596B2 (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=14809394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12136387A Granted JPS63288981A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 施釉セメント製品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63288981A (ja) |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP12136387A patent/JPS63288981A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63288981A (ja) | 1988-11-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |