JPH0469822B2 - - Google Patents
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- JPH0469822B2 JPH0469822B2 JP62048880A JP4888087A JPH0469822B2 JP H0469822 B2 JPH0469822 B2 JP H0469822B2 JP 62048880 A JP62048880 A JP 62048880A JP 4888087 A JP4888087 A JP 4888087A JP H0469822 B2 JPH0469822 B2 JP H0469822B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- resin
- lead
- lead frame
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関するもので、特にダイ
パツドを排除した特定の形状のリードフレーム
と、これに固定し半導体ペレツトを搭載するため
の特定の構造のダイパツドテープを用いた半導体
装置に関するものである。
パツドを排除した特定の形状のリードフレーム
と、これに固定し半導体ペレツトを搭載するため
の特定の構造のダイパツドテープを用いた半導体
装置に関するものである。
従来の半導体装置は第１図および第２図に示す
ようなダイパツド１、リード２およびサポートバ
ー３から構成されるリードフレームのダイパツド
の上に第２図に示すようにダイボンデイング接着
層５を介して半導体ペレツト４を載置し、該ペレ
ツト上に形成された電極７とリードとを接続した
ボンデイングワイヤー６と共に封止樹脂８により
一体化した構成を有する。
ようなダイパツド１、リード２およびサポートバ
ー３から構成されるリードフレームのダイパツド
の上に第２図に示すようにダイボンデイング接着
層５を介して半導体ペレツト４を載置し、該ペレ
ツト上に形成された電極７とリードとを接続した
ボンデイングワイヤー６と共に封止樹脂８により
一体化した構成を有する。
この場合、リードフレームを構成するダイパツ
ドは、多種多様をきわめる半導体ペレツトの大き
さ、形状に対応すべくその寸法、形状を変更する
必要があり、これに付随してリードの寸法、形状
にも変更を余儀なくされる。このように多種多様
の半導体ペレツトに合わせてリードフレームの設
計変更をすることは、リードフレームの金型を何
種類も作製しなければならず金型の費用、ひいて
はリードフレームの費用が高価となつて問題が多
い。
ドは、多種多様をきわめる半導体ペレツトの大き
さ、形状に対応すべくその寸法、形状を変更する
必要があり、これに付随してリードの寸法、形状
にも変更を余儀なくされる。このように多種多様
の半導体ペレツトに合わせてリードフレームの設
計変更をすることは、リードフレームの金型を何
種類も作製しなければならず金型の費用、ひいて
はリードフレームの費用が高価となつて問題が多
い。
又、ダイパツドの背面は封止樹脂との接着封止
性が悪いために、リードと封止樹脂との界面から
侵入した外部からの水分が溜まり易く、半導体装
置をサーキツト板に面実装する際のハンダ付け工
程の加熱処理の際これがもとで水分の急激な膨張
により封止樹脂にクラツクを生じ易く、さらに
又、半導体ペレツトとダイパツドとの間の熱膨張
率の差が大きく、両者の熱膨張率の差によつて生
ずる応力により半導体ペレツトにクラツクが生ず
るなどの問題を有する。
性が悪いために、リードと封止樹脂との界面から
侵入した外部からの水分が溜まり易く、半導体装
置をサーキツト板に面実装する際のハンダ付け工
程の加熱処理の際これがもとで水分の急激な膨張
により封止樹脂にクラツクを生じ易く、さらに
又、半導体ペレツトとダイパツドとの間の熱膨張
率の差が大きく、両者の熱膨張率の差によつて生
ずる応力により半導体ペレツトにクラツクが生ず
るなどの問題を有する。
本発明は上記の実情に鑑みてなされたものであ
り、同一リード数へ半導体装置のリードフレーム
の統一化をはかり、各種の大きさ、形状を有する
半導体ペレツトに対応すべく半導体装置を組立て
る際の煩雑さを解消すると同時に信頼性に優れた
半導体装置を提供することを目的とするものであ
る。
り、同一リード数へ半導体装置のリードフレーム
の統一化をはかり、各種の大きさ、形状を有する
半導体ペレツトに対応すべく半導体装置を組立て
る際の煩雑さを解消すると同時に信頼性に優れた
半導体装置を提供することを目的とするものであ
る。
本発明の概要はダイパツドの排除されたリード
フレームおよび該リードフレームのリード先端を
含んで覆う大きさのダイパツドテープに半導体ペ
レツトをダイボンデイング接着剤を介して搭載
し、封止してなる半導体装置であつて、前記リー
ドフレームを構成するリードのうち、所望の本数
のリードがダイパツド空隙部に向かつて突出し、
リードの先端部が他のリードに比べて広い面積に
て構成され、かつ前記ダイパツドテープがポリイ
ミド樹脂フイルムからなる耐熱性支持体と該支持
体をリードに固定するためのエポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂
から選ばれた少なくとも一種の樹脂からなる接着
層とからなる半導体装置を第１の発明とし、前記
したダイパツドテープに改良を加えダイパツドテ
ープの支持体に対しダイボンデイング接着剤側に
熱硬化樹脂等の樹脂層を設けたものとした半導体
装置を第２の発明とし、ダイパツドテープの支持
体に対しダイボンデイング接着剤側にコロナ放電
加工または凹凸加工処理を施した表面処理層を設
けたものとした半導体装置を第３の発明とする。
フレームおよび該リードフレームのリード先端を
含んで覆う大きさのダイパツドテープに半導体ペ
レツトをダイボンデイング接着剤を介して搭載
し、封止してなる半導体装置であつて、前記リー
ドフレームを構成するリードのうち、所望の本数
のリードがダイパツド空隙部に向かつて突出し、
リードの先端部が他のリードに比べて広い面積に
て構成され、かつ前記ダイパツドテープがポリイ
ミド樹脂フイルムからなる耐熱性支持体と該支持
体をリードに固定するためのエポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂
から選ばれた少なくとも一種の樹脂からなる接着
層とからなる半導体装置を第１の発明とし、前記
したダイパツドテープに改良を加えダイパツドテ
ープの支持体に対しダイボンデイング接着剤側に
熱硬化樹脂等の樹脂層を設けたものとした半導体
装置を第２の発明とし、ダイパツドテープの支持
体に対しダイボンデイング接着剤側にコロナ放電
加工または凹凸加工処理を施した表面処理層を設
けたものとした半導体装置を第３の発明とする。
次に本発明を図面により説明する。
本発明の半導体装置の一例は第３図イ，ロに示
す断面図のとおりで、ダイパツドテープとしては
第５図イのように支持体１０の下面に支持体をリ
ードに固定するための接着層１２を設けたものを
用いた場合を第３図イに、又、第５図ロのように
支持体の上部側に樹脂層１１−１を設けたもの、
又は同図ハのように支持体の上部側に表面処理層
１１−２を設けた場合は第３図ロに示してある。
（第３図ロで１１は前記１１−１および１１−２
を総合した表示である。） 第３図イは第１の発明に関し、ダイパツドテー
プの支持体１０の下面の接着層１２はリードフレ
ームのリード２の上に接着され、その表面側では
ダイボンデイング接着剤５により半導体ペレツト
４が固着され、電極７とリード２とを接続したボ
ンデイングワイヤー６と共に封止樹脂８により一
体化した構成をなしている。なお本発明の半導体
装置は樹脂による封止に限定されるものではな
く、例えばサーデイツプタイプあるいはサーパツ
クタイプによる封止であつてもよい。第３図ロは
第２の発明および第３の発明に関し、第３図イと
同一部分には同一符号を付してある。ここでは既
に述べべたようにダイパツドテープが第３図イと
異なるものを用い上部側に熱硬化性樹脂層を設け
る（第２の発明）か表面処理層を設ける（第３の
発明）ことにより前記第３図イよりも一層ダイパ
ツドテープの支持体と半導体ペレツト４との接合
力を高め、半導体装置の組立構造を安定化するこ
とにより信頼性を高めるものである。
す断面図のとおりで、ダイパツドテープとしては
第５図イのように支持体１０の下面に支持体をリ
ードに固定するための接着層１２を設けたものを
用いた場合を第３図イに、又、第５図ロのように
支持体の上部側に樹脂層１１−１を設けたもの、
又は同図ハのように支持体の上部側に表面処理層
１１−２を設けた場合は第３図ロに示してある。
（第３図ロで１１は前記１１−１および１１−２
を総合した表示である。） 第３図イは第１の発明に関し、ダイパツドテー
プの支持体１０の下面の接着層１２はリードフレ
ームのリード２の上に接着され、その表面側では
ダイボンデイング接着剤５により半導体ペレツト
４が固着され、電極７とリード２とを接続したボ
ンデイングワイヤー６と共に封止樹脂８により一
体化した構成をなしている。なお本発明の半導体
装置は樹脂による封止に限定されるものではな
く、例えばサーデイツプタイプあるいはサーパツ
クタイプによる封止であつてもよい。第３図ロは
第２の発明および第３の発明に関し、第３図イと
同一部分には同一符号を付してある。ここでは既
に述べべたようにダイパツドテープが第３図イと
異なるものを用い上部側に熱硬化性樹脂層を設け
る（第２の発明）か表面処理層を設ける（第３の
発明）ことにより前記第３図イよりも一層ダイパ
ツドテープの支持体と半導体ペレツト４との接合
力を高め、半導体装置の組立構造を安定化するこ
とにより信頼性を高めるものである。
なお本発明でいうダイパツドフイルムは第４図
イ〜ニに示す如く、従来のダイパツドを排除した
構成を有するリードフレームに適用するもので、
その空隙部９の位置においてリード２の上に半導
体ペレツトの形状、大きさに合わせて任意の寸法
に作成されて接着載置されるものである。この場
合ダイパツドテープの寸法はリードフレームのリ
ード１３およびリード２の先端すべてを覆う大き
さにて設定される。すなわち本発明でいうダイパ
ツドテープは第４図イ〜ニにおける突出したリー
ド１３およびその先端部１４のみを覆うのではな
く、他のリード２の先端部全てを覆うように延出
して固着される。このようにダイパツドテープを
各リード先端にまで延出し接着することにより、
半導体ペレツトの電極とリードとをワイヤボンデ
イングする際に、リードが上下にばらついたり、
左右に位置ずれしたり、またはねじれたりせず的
確に安定したワヤボンデイングをすることができ
る。
イ〜ニに示す如く、従来のダイパツドを排除した
構成を有するリードフレームに適用するもので、
その空隙部９の位置においてリード２の上に半導
体ペレツトの形状、大きさに合わせて任意の寸法
に作成されて接着載置されるものである。この場
合ダイパツドテープの寸法はリードフレームのリ
ード１３およびリード２の先端すべてを覆う大き
さにて設定される。すなわち本発明でいうダイパ
ツドテープは第４図イ〜ニにおける突出したリー
ド１３およびその先端部１４のみを覆うのではな
く、他のリード２の先端部全てを覆うように延出
して固着される。このようにダイパツドテープを
各リード先端にまで延出し接着することにより、
半導体ペレツトの電極とリードとをワイヤボンデ
イングする際に、リードが上下にばらついたり、
左右に位置ずれしたり、またはねじれたりせず的
確に安定したワヤボンデイングをすることができ
る。
次に本発明において用いられるダイパツドフイ
ルムを構成する材料について述べる。
ルムを構成する材料について述べる。
支持体は例えば厚さ10〜150μm、好ましくは25
〜75μmのポリイミド、が本発明において使用さ
れる。
〜75μmのポリイミド、が本発明において使用さ
れる。
本発明を構成するダイボンデイング接着剤５
は、ダイパツドテープを構成する支持体に十分接
着力のあるものを選択使用することが望ましく、
この接着剤を適当に選択することにより第１の発
明すなわちダイパツドテープに樹脂層もしくは表
面処理層を設けることなく目的とする半導体装置
を得られるが、更にダイパツドテープの支持体と
ダイボンデイング接着剤との接着性を保証するに
はダイパツドテープ表面が改良されていなければ
ならないことを見出した。即ち、この接着性向上
を達成のためにポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、
ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂もしくは約
300℃以上の融点を有する熱可塑性樹脂からなる
樹脂層１１−１を設けたのが第２の発明であり、
通常１〜10μmとなるように塗布し、熱硬化され
る。
は、ダイパツドテープを構成する支持体に十分接
着力のあるものを選択使用することが望ましく、
この接着剤を適当に選択することにより第１の発
明すなわちダイパツドテープに樹脂層もしくは表
面処理層を設けることなく目的とする半導体装置
を得られるが、更にダイパツドテープの支持体と
ダイボンデイング接着剤との接着性を保証するに
はダイパツドテープ表面が改良されていなければ
ならないことを見出した。即ち、この接着性向上
を達成のためにポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、
ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂もしくは約
300℃以上の融点を有する熱可塑性樹脂からなる
樹脂層１１−１を設けたのが第２の発明であり、
通常１〜10μmとなるように塗布し、熱硬化され
る。
樹脂の種類は前記のダイボンデイング接着剤５
と親和性のあるものを選択することにより極めて
容易にかつ強力に接着し半導体ペレツトの信頼性
を高めることができる。又、更に、この樹脂層１
１−１に代えて砂目立てによるマツト加工、コロ
ナ放電処理、エンボス加工、マツト艶消し加工等
の表面処理１１−２により、微細な凹凸、極性の
付与、酸化皮膜の破壊脆化等により接着性を向上
することができる（第３の発明）。これによれば
厚みや重量を増大させることなく、強固な接着を
実現した半導体装置を提供し得るものである。
と親和性のあるものを選択することにより極めて
容易にかつ強力に接着し半導体ペレツトの信頼性
を高めることができる。又、更に、この樹脂層１
１−１に代えて砂目立てによるマツト加工、コロ
ナ放電処理、エンボス加工、マツト艶消し加工等
の表面処理１１−２により、微細な凹凸、極性の
付与、酸化皮膜の破壊脆化等により接着性を向上
することができる（第３の発明）。これによれば
厚みや重量を増大させることなく、強固な接着を
実現した半導体装置を提供し得るものである。
リードフレームのリードの表面に半導体ペレツ
トを載置したダイパツドテープの下面の接着層に
は耐熱性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウ
レタン樹脂、ポリアミド樹脂から選ばれた少なく
とも一種の樹脂を５〜50μm、好ましくは20〜
30μmの塗布厚となるように半硬化の状態で塗布
して形成される。
トを載置したダイパツドテープの下面の接着層に
は耐熱性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウ
レタン樹脂、ポリアミド樹脂から選ばれた少なく
とも一種の樹脂を５〜50μm、好ましくは20〜
30μmの塗布厚となるように半硬化の状態で塗布
して形成される。
このような層構成および材料よりなるダイパツ
ドテープは通常例えば原反を幅３〜10mm、長さ
200〜300mのテープ状に加工され、リールに巻回
されて供給することができ、その場合半導体ペレ
ツトの寸法に合わせて裁断した上で所定のリード
フレームに適用され接着される。このようにして
得られたダイパツドテープ／リードフレーム積層
体は前記第３図に示した構成に組み込まれ、本発
明の半導体装置を得ることができる。
ドテープは通常例えば原反を幅３〜10mm、長さ
200〜300mのテープ状に加工され、リールに巻回
されて供給することができ、その場合半導体ペレ
ツトの寸法に合わせて裁断した上で所定のリード
フレームに適用され接着される。このようにして
得られたダイパツドテープ／リードフレーム積層
体は前記第３図に示した構成に組み込まれ、本発
明の半導体装置を得ることができる。
本発明で用いられるリードフレームの形状は例
えば第４図イ，ロ，ハおよびニに示すようにダイ
パツド空隙部９に向つて延在する複数のリードの
うちダイパツドテープを裏面から保持するのに必
要な本数のリード１３が他のリード２に比べて突
出し、かつ突出したリードの先端１４が広い面積
を有することを特徴とする。この際突出するリー
ドはなるべく隣り合せにならないよう、例えば１
本おきとか、２本おき等に配置することが半導体
ペレツトを搭載したダイパツドテープのバランス
をとる上で好ましい。
えば第４図イ，ロ，ハおよびニに示すようにダイ
パツド空隙部９に向つて延在する複数のリードの
うちダイパツドテープを裏面から保持するのに必
要な本数のリード１３が他のリード２に比べて突
出し、かつ突出したリードの先端１４が広い面積
を有することを特徴とする。この際突出するリー
ドはなるべく隣り合せにならないよう、例えば１
本おきとか、２本おき等に配置することが半導体
ペレツトを搭載したダイパツドテープのバランス
をとる上で好ましい。
このような特定の形状のリードフレームを使用
することによりダイパツドテープを載せるための
良好な平坦性が得られ、かつテープのたるみを防
止することができる。
することによりダイパツドテープを載せるための
良好な平坦性が得られ、かつテープのたるみを防
止することができる。
実施例 １
厚さ50μmのポリイミド樹脂フイルム（「ユーピ
レツクス｛Ｓ」宇部興産社製）からなる支持体の
片面に接着層として超耐熱性ポリイミド樹脂
（「（LARC−TPI」三井東圧化学社製）のＮ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド20重量％溶液を半硬化
（Ｂステージ）になるように、かつ150℃３分間の
加熱条件で乾燥後の塗布厚が25μmとなるように
塗布し、ダイパツドテープを作成した。
レツクス｛Ｓ」宇部興産社製）からなる支持体の
片面に接着層として超耐熱性ポリイミド樹脂
（「（LARC−TPI」三井東圧化学社製）のＮ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド20重量％溶液を半硬化
（Ｂステージ）になるように、かつ150℃３分間の
加熱条件で乾燥後の塗布厚が25μmとなるように
塗布し、ダイパツドテープを作成した。
得られたダイパツドテープを所望の大きさに切
断して第４図イに示す形状の、鉄系の金属板例え
ばコバール板を打抜き加工してなるリードフレー
ムの突出したリードおよびその先端部と、その他
のリードの先端部全てを覆うように接着層により
加熱接着した後、第３図イに示すような半導体装
置を組立てた。
断して第４図イに示す形状の、鉄系の金属板例え
ばコバール板を打抜き加工してなるリードフレー
ムの突出したリードおよびその先端部と、その他
のリードの先端部全てを覆うように接着層により
加熱接着した後、第３図イに示すような半導体装
置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による
信頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見
られず、安定した接着性が確認された。又、ワイ
ヤーボンダビリテイーも良好で樹脂封止したとき
ワイヤー流れもなく信頼性のあ半導体装置を構成
することができ、又85℃、85％RHの雰囲気にて
24時間放置後260℃のはんだ浴に３秒間浸漬した
のちプレツシヤークツカーテスター（PCT）に
て250時間試験したが全く異常がなかつた。
信頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見
られず、安定した接着性が確認された。又、ワイ
ヤーボンダビリテイーも良好で樹脂封止したとき
ワイヤー流れもなく信頼性のあ半導体装置を構成
することができ、又85℃、85％RHの雰囲気にて
24時間放置後260℃のはんだ浴に３秒間浸漬した
のちプレツシヤークツカーテスター（PCT）に
て250時間試験したが全く異常がなかつた。
実施例 ２
厚さ50μmのポリイミド樹脂フイルム「カプト
ン200V」東レデユポン社製）からなる支持体の
片面に、接着層としてポリウレタン系樹脂（「チ
ツソレツクス372」チツソ社製）のジメチルホル
ムアミド／メチルエチルケトン＝２／１の43％溶
液70重量部とフエノール・ノボラツク・エポキシ
樹脂（「EPPN−201」、日本化薬社製）のメチル
エチルケトン20％溶液30重量部との混合液を半硬
化の状態になるよう120℃５分間の加熱条件で乾
燥後の塗布厚が40μmとなるように塗布し、ダイ
パツドテープを作成した。
ン200V」東レデユポン社製）からなる支持体の
片面に、接着層としてポリウレタン系樹脂（「チ
ツソレツクス372」チツソ社製）のジメチルホル
ムアミド／メチルエチルケトン＝２／１の43％溶
液70重量部とフエノール・ノボラツク・エポキシ
樹脂（「EPPN−201」、日本化薬社製）のメチル
エチルケトン20％溶液30重量部との混合液を半硬
化の状態になるよう120℃５分間の加熱条件で乾
燥後の塗布厚が40μmとなるように塗布し、ダイ
パツドテープを作成した。
得られたダイパツドテープを所望の大きさに切
断後第４図ロに示すリードフレームの突出したリ
ードおよびその先端部と、その他のリードの先端
部全てを覆うように接着層により加熱接着した
後、第３図イに示す半導体装置を組立てた。
断後第４図ロに示すリードフレームの突出したリ
ードおよびその先端部と、その他のリードの先端
部全てを覆うように接着層により加熱接着した
後、第３図イに示す半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による
信頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見
られず、安定した接着性が確認された。又、ワイ
ヤーボンダビリテイーも良好で信頼性のある半導
体装置を構成することができた。又85℃、85％
RHの雰囲気にて24時間放置後260℃のはんだ浴
に３秒間浸漬したのちPCTにて250時間試験した
が全く異常がなかつた。
信頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見
られず、安定した接着性が確認された。又、ワイ
ヤーボンダビリテイーも良好で信頼性のある半導
体装置を構成することができた。又85℃、85％
RHの雰囲気にて24時間放置後260℃のはんだ浴
に３秒間浸漬したのちPCTにて250時間試験した
が全く異常がなかつた。
実施例 ３
実施例２における接着層としてポリアミドとエ
ポキシ樹脂との混合組成物（「OX−035」東レハ
イソール社製）のトリクレン／メタノール＝１／
２の30重量％溶液を使用した以外は実施例２と同
様にして本発明の半導体装置を作成した。
ポキシ樹脂との混合組成物（「OX−035」東レハ
イソール社製）のトリクレン／メタノール＝１／
２の30重量％溶液を使用した以外は実施例２と同
様にして本発明の半導体装置を作成した。
得られた半導体装置について実装試験による信
頼性を見たところ、接着層の電流リークは見られ
ず、安定した接着が確認された。又、ワイヤーボ
ンダビリテイーも良好で信頼性のある半導体装置
を構成することができた。又85、85％RHの雰囲
気にて24時間放置後260℃のはんだ浴に３秒間浸
漬したのちPCTにて250時間試験したが、全く異
常がなかつた。
頼性を見たところ、接着層の電流リークは見られ
ず、安定した接着が確認された。又、ワイヤーボ
ンダビリテイーも良好で信頼性のある半導体装置
を構成することができた。又85、85％RHの雰囲
気にて24時間放置後260℃のはんだ浴に３秒間浸
漬したのちPCTにて250時間試験したが、全く異
常がなかつた。
実施例 ４
厚さ50μmポリイミド樹脂フイルム（「ユーピレ
ツクスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面
に下記配合の熱硬化性樹脂層を設けた。
ツクスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面
に下記配合の熱硬化性樹脂層を設けた。
エポキシ樹脂（「エピコート1001」油化シエル
エポキシ社製） 80％メチルエチルケトン溶液 100重量部 反応性アクリルニトリル共重合体
（「NIPOL1072」日本ゼオン社製） 20％メチルエチルケトン溶液 40重量部 硬化剤DICY／２−エチル４−メチルイミダゾ
ール（５／１） 12重量部 溶剤（メチルエチルケトン） 80重量部 この際塗布厚は3μmで、150℃３分間の乾燥の
後250℃、５分間の条件で完全硬化した。
エポキシ社製） 80％メチルエチルケトン溶液 100重量部 反応性アクリルニトリル共重合体
（「NIPOL1072」日本ゼオン社製） 20％メチルエチルケトン溶液 40重量部 硬化剤DICY／２−エチル４−メチルイミダゾ
ール（５／１） 12重量部 溶剤（メチルエチルケトン） 80重量部 この際塗布厚は3μmで、150℃３分間の乾燥の
後250℃、５分間の条件で完全硬化した。
次ぎに前記樹脂層の反対側の支持体面に接着剤
として超耐熱ポリイミド樹脂（「LARC−TPI」、
三井東圧化学社製）のＮ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド20重量％溶液を半硬化（Ｂステージ）になる
よう、かつ150℃、３分間の加熱条件で乾燥後の
塗布厚が25μmとなるように塗布し本発明のダイ
パツドテープを作成した。得られたダイパツドテ
ープを第４図ロに示したリードフレームの突出し
たリードおよびその先端部と、その他のリードの
先端部全てを覆うように接着層により加熱接着し
た後、第３図ロに示す半導体装置を作成した。
として超耐熱ポリイミド樹脂（「LARC−TPI」、
三井東圧化学社製）のＮ，Ｎ−ジメチルアセトア
ミド20重量％溶液を半硬化（Ｂステージ）になる
よう、かつ150℃、３分間の加熱条件で乾燥後の
塗布厚が25μmとなるように塗布し本発明のダイ
パツドテープを作成した。得られたダイパツドテ
ープを第４図ロに示したリードフレームの突出し
たリードおよびその先端部と、その他のリードの
先端部全てを覆うように接着層により加熱接着し
た後、第３図ロに示す半導体装置を作成した。
得られた半導体装置について、実装試験による
信頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見
られず、安定した接着が確認された。又、ワイヤ
ーボンダビリテイーも良好で信頼性のある半導体
装置を構成することができた。
信頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見
られず、安定した接着が確認された。又、ワイヤ
ーボンダビリテイーも良好で信頼性のある半導体
装置を構成することができた。
実施例 ５
実施例４の支持体の片面に下記配合の熱硬化性
樹脂層を設けた。この際の塗布厚は5μmで、150
℃、２分間の乾燥後、250℃、５分間の条件で完
全に硬化した。しかる後反対側面に実施例４に使
用した接着層を設けて本発明のダイパツドテープ
を作成した。
樹脂層を設けた。この際の塗布厚は5μmで、150
℃、２分間の乾燥後、250℃、５分間の条件で完
全に硬化した。しかる後反対側面に実施例４に使
用した接着層を設けて本発明のダイパツドテープ
を作成した。
ポリエステル樹脂（「バイロン200」東洋紡社
製）20％メチルエチルケトン溶液 100重量部 イソシアネート（「コロネートＬ」日本ポリウ
レタン社製） ２重量部 溶剤 トルエン 20重量部 得られたダイパツドテープを第４図ロに示した
リードフレームの突出したリードおよびその先端
部と、その他のリードの先端部全てを覆うように
接着層により加熱接着した後第３図ロに示す半導
体装置を作成した。
製）20％メチルエチルケトン溶液 100重量部 イソシアネート（「コロネートＬ」日本ポリウ
レタン社製） ２重量部 溶剤 トルエン 20重量部 得られたダイパツドテープを第４図ロに示した
リードフレームの突出したリードおよびその先端
部と、その他のリードの先端部全てを覆うように
接着層により加熱接着した後第３図ロに示す半導
体装置を作成した。
得られた半導体装置について、実装試験による
信頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見
当らず、安定した接着が確認された。又、ワイヤ
ーボンダビリテイーも良好で信頼性のある半導体
装置を構成することができた。
信頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見
当らず、安定した接着が確認された。又、ワイヤ
ーボンダビリテイーも良好で信頼性のある半導体
装置を構成することができた。
実施例 ６
実施例４の支持体に表面粗さRaが0.2〜0.3μm、
Rmaxが１〜2μmとなるようにマツト処理を施
し、表面処理層を設けてダイパツドテープを作成
し得られたダイパツドテープを第４図ロに示した
リードフレームの突出したリードおよびその先端
部と、その他のリードの先端部全てを覆うように
接着層により加熱接着した後、第３図ロに示す半
導体装置を作成した。
Rmaxが１〜2μmとなるようにマツト処理を施
し、表面処理層を設けてダイパツドテープを作成
し得られたダイパツドテープを第４図ロに示した
リードフレームの突出したリードおよびその先端
部と、その他のリードの先端部全てを覆うように
接着層により加熱接着した後、第３図ロに示す半
導体装置を作成した。
得られた半導体装置について実装実験による信
頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見ら
れず、安定した接着が確認された。又ワイヤーボ
ンダビリテイーも良好で信頼性のある半導体装置
を構成することができた。
頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見ら
れず、安定した接着が確認された。又ワイヤーボ
ンダビリテイーも良好で信頼性のある半導体装置
を構成することができた。
実施例 ７
実施例１の支持体の表面にコロナ放電処理機
（「ピラーコロナトリーター12」、東洋ピラー社製）
を用いて電圧320Volt，速度50m／minの条件に
てコロナ放電加工を施し表面処理層を設けてダイ
パツドテープを作成した。
（「ピラーコロナトリーター12」、東洋ピラー社製）
を用いて電圧320Volt，速度50m／minの条件に
てコロナ放電加工を施し表面処理層を設けてダイ
パツドテープを作成した。
得られたダイパツトテープを第４図ロに示した
リードフレームの突出したリードおよびその先端
部と、その他のリードの先端部全てを覆うように
接着層により加熱接着した後、第３図ロに示す半
導体装置を作成した。得られた半導体装置につい
て、実装試験による信頼性を見たところ、接着層
の電流のリークは見当たらず、安定した接着が確
認された。又、ワイヤーボンダビリテイーも良好
で信頼性のある半導体装置を構成することができ
た。
リードフレームの突出したリードおよびその先端
部と、その他のリードの先端部全てを覆うように
接着層により加熱接着した後、第３図ロに示す半
導体装置を作成した。得られた半導体装置につい
て、実装試験による信頼性を見たところ、接着層
の電流のリークは見当たらず、安定した接着が確
認された。又、ワイヤーボンダビリテイーも良好
で信頼性のある半導体装置を構成することができ
た。
本発明は上記の構成よりなるのでダイパツドテ
ープを半導体ペレツトの形状、寸法に合わせて任
意に裁断してリードフレームの半導体ペレツト搭
載部に供給することができ、リードフレームの設
計製作上効率化とコストダウンに有効である。
又、ダイパツドテープを構成する接着層と封止樹
脂との接着性が良好なので、水分の急激な膨張に
より封止樹脂にクラツクが発生する心配もなく、
かつ半導体ペレツトとダイパツドテープ間の熱膨
張率の差が小さいので半導体ペレツトのクラツク
の発生もなく、さらに又、従来のリードフレーム
にあるようなリードの先端とダイパツドとの間の
隙間に相当するものがないので、モールド加工時
にボンデイングワイヤーが流れたり、切れたりす
ることがない効果も期待でき極めて信頼性の高い
半導体装置を得ることができる。特に第２、第３
の発明では支持体の表面側に熱硬化性樹脂等の樹
脂層又は表面処理層を設けているので、ダイボン
デイング接着剤に特殊なものを用いなくても充分
強固な接着を達成することができるし、第３の発
明では第２の発明に比べ層厚が薄くて済むので半
導体素子の軽量小型化に有効である。
ープを半導体ペレツトの形状、寸法に合わせて任
意に裁断してリードフレームの半導体ペレツト搭
載部に供給することができ、リードフレームの設
計製作上効率化とコストダウンに有効である。
又、ダイパツドテープを構成する接着層と封止樹
脂との接着性が良好なので、水分の急激な膨張に
より封止樹脂にクラツクが発生する心配もなく、
かつ半導体ペレツトとダイパツドテープ間の熱膨
張率の差が小さいので半導体ペレツトのクラツク
の発生もなく、さらに又、従来のリードフレーム
にあるようなリードの先端とダイパツドとの間の
隙間に相当するものがないので、モールド加工時
にボンデイングワイヤーが流れたり、切れたりす
ることがない効果も期待でき極めて信頼性の高い
半導体装置を得ることができる。特に第２、第３
の発明では支持体の表面側に熱硬化性樹脂等の樹
脂層又は表面処理層を設けているので、ダイボン
デイング接着剤に特殊なものを用いなくても充分
強固な接着を達成することができるし、第３の発
明では第２の発明に比べ層厚が薄くて済むので半
導体素子の軽量小型化に有効である。
第１図は従来の技術によるリードフレームの斜
視図、第２図は従来の半導体装置の断面図、第３
図は本発明の半導体装置の断面図、第４図イ〜ニ
は本発明を構成するリードフレームの平面図、第
５図イ，ロ，ハは本発明を構成するダイパツドテ
ープの層構成を示す断面図である。 ２……リード、４……半導体ペレツト、５……
ダイボンデイング接着剤、６……ボンデイングワ
イヤー、７……電極、８……封止樹脂、９……空
隙部、１０……支持体、１１−１……樹脂層、１
１−２……表面処理層、１２……接着層。
視図、第２図は従来の半導体装置の断面図、第３
図は本発明の半導体装置の断面図、第４図イ〜ニ
は本発明を構成するリードフレームの平面図、第
５図イ，ロ，ハは本発明を構成するダイパツドテ
ープの層構成を示す断面図である。 ２……リード、４……半導体ペレツト、５……
ダイボンデイング接着剤、６……ボンデイングワ
イヤー、７……電極、８……封止樹脂、９……空
隙部、１０……支持体、１１−１……樹脂層、１
１−２……表面処理層、１２……接着層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ダイパツドが排除されたリードフレームおよ
び該リードフレームのリード先端を含んで覆う大
きさを有するダイパツドテープにダイボンデイン
グ接着剤を介して搭載された半導体ペレツトを封
止してなる半導体装置であつて、前記リードフレ
ームを構成するリードのうち所望の本数のリード
がダイパツド空隙部に向かつて突出し、又突出し
たリードの先端部が他のリードに比べて広い面積
にて構成され、かつ前記ダイパツドテープがポリ
イミド樹脂フイルムからなる耐熱性支持体と該支
持体をリードに固定するためのエポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹
脂から選ばれた少なくとも一種の樹脂からなる接
着層とからなり、前記ダイパツドテープが前記他
のリードの先端部にまで延出して固着されている
ことを特徴とする半導体装置。 ２ ダイパツドが排除されたリードフレームおよ
び該リードフレームのリード先端を含んで覆う大
きさを有するダイパツドテープにダイボンデイン
グ接着剤を介して搭載された半導体ペレツトを封
止してなる半導体装置であつて、前記リードフレ
ームを構成するリードのうち所望の本数のリード
がダイパツド空隙部に向かつて突出し、又突出し
たリードの先端部が他のリードに比べて広い面積
にて構成され、かつ前記ダイパツドテープがポリ
イミド樹脂フイルムからなる耐熱性支持体と該支
持体をリードに固定するためのエポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹
脂から選ばれた少なくとも一種の樹脂からなる接
着層とダイボンデイング接着剤側の樹脂層とから
なり、前記ダイパツドテープが前記他のリードの
先端部にまで延出して固着されていることを特徴
とする半導体装置。 ３ ダイパツドが排除されたリードフレームおよ
び該リードフレームのリード先端を含んで覆う大
きさを有するダイパツドテープにダイボンデイン
グ接着剤を介して搭載された半導体ペレツトを封
止してなる半導体装置であつて、前記リードフレ
ームを構成するリードのうち所望の本数のリード
がダイパツド空隙部に向かつて突出し、又突出し
たリードの先端部が他のリードに比べて広い面積
にて構成され、かつ前記ダイパツドテープがポリ
イミド樹脂フイルムからなる耐熱性支持体と該支
持体をリードに固定するためのエポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹
脂から選ばれた少なくとも一種の樹脂からなる接
着層とダイボンデイング接着剤側のコロナ放電加
工または凹凸加工処理を施した表面処理層とから
なり、前記ダイパツドテープが前記他のリードの
先端部にまで延出して固着されていることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62048880A JPS63216365A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62048880A JPS63216365A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63216365A JPS63216365A (ja) | 1988-09-08 |
| JPH0469822B2 true JPH0469822B2 (ja) | 1992-11-09 |
Family
ID=12815599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62048880A Granted JPS63216365A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63216365A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920020687A (ko) * | 1991-04-16 | 1992-11-21 | 김광호 | 반도체 패키지 |
| JP3281994B2 (ja) * | 1993-06-10 | 2002-05-13 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| EP0642160A1 (en) * | 1993-09-07 | 1995-03-08 | Motorola, Inc. | Semiconductor device with improved support means |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5453363U (ja) * | 1977-09-22 | 1979-04-13 | ||
| JPS6068639A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-04-19 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1987
- 1987-03-05 JP JP62048880A patent/JPS63216365A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63216365A (ja) | 1988-09-08 |
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