JPH0470778B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0470778B2 JPH0470778B2 JP59152894A JP15289484A JPH0470778B2 JP H0470778 B2 JPH0470778 B2 JP H0470778B2 JP 59152894 A JP59152894 A JP 59152894A JP 15289484 A JP15289484 A JP 15289484A JP H0470778 B2 JPH0470778 B2 JP H0470778B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tab
- lead
- resin
- semiconductor device
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
レジンモールド型半導体装置の組立には金属製
のリードフレームが用いられている。このリード
フレームは薄い金属板をプレスで打ち抜いたり、
エツチングによつて形成し、その形状は、第1図
で示すように、半導体素子1を取り付ける矩形の
タブ2をその内端で支持するタブリード3と、タ
ブ2の周縁に内端を臨ませる複数のリード4と、
これらリード4およびタブリード3の外端を支持
する矩形枠からなる枠部5と、枠部5、各リード
4、タブリード3を繋ぎレジンモールド時に溶け
たレジンの流出を防止するダム片6とからなつて
いる。また、枠部5の両側縁に沿つて定間隔にガ
イド孔7が設けられ、リードフレームを用いての
組立、搬送にはこのガイド孔7が位置決め孔や引
掛移送孔として用いられる。四方からリードを取
り出すリードフレームは特願昭53−80969号に開
示されている。
のリードフレームが用いられている。このリード
フレームは薄い金属板をプレスで打ち抜いたり、
エツチングによつて形成し、その形状は、第1図
で示すように、半導体素子1を取り付ける矩形の
タブ2をその内端で支持するタブリード3と、タ
ブ2の周縁に内端を臨ませる複数のリード4と、
これらリード4およびタブリード3の外端を支持
する矩形枠からなる枠部5と、枠部5、各リード
4、タブリード3を繋ぎレジンモールド時に溶け
たレジンの流出を防止するダム片6とからなつて
いる。また、枠部5の両側縁に沿つて定間隔にガ
イド孔7が設けられ、リードフレームを用いての
組立、搬送にはこのガイド孔7が位置決め孔や引
掛移送孔として用いられる。四方からリードを取
り出すリードフレームは特願昭53−80969号に開
示されている。
このようなリードフレームを用いて半導体装置
を組み立てるには、まずタブ2上に半導体素子1
を取り付けた後、半導体素子1の各電極とこれに
対応するリード4の内端をワイヤ8で接続し、そ
の後、矩形枠随に配列されたダム片6の内側領域
をレジンでモールドし、モールド部9で半導体素
子1等を被う。ついで、ダム片6および枠部5を
切断除去しフラツトリードの半導体装置を得る。
また、インライン形の半導体装置を得るには、モ
ールド部9から突出するリード4を途中で折り曲
げる。
を組み立てるには、まずタブ2上に半導体素子1
を取り付けた後、半導体素子1の各電極とこれに
対応するリード4の内端をワイヤ8で接続し、そ
の後、矩形枠随に配列されたダム片6の内側領域
をレジンでモールドし、モールド部9で半導体素
子1等を被う。ついで、ダム片6および枠部5を
切断除去しフラツトリードの半導体装置を得る。
また、インライン形の半導体装置を得るには、モ
ールド部9から突出するリード4を途中で折り曲
げる。
ところで、タブはその両側を細いダブリードで
支持される構造であることから、強度的には弱
い。特に、最近のようにリード数が増加しかつ小
型化を維持するためにはリード(タブリード)の
幅も狭くならざるを得ない。また、リードの幅を
狭くする(たとえば0.3mm幅)ためには打抜加工
上の問題からリードフレームを作る素材は従来に
較べてより薄くなる(たとえば0.15mm)。この結
果、タブはリードと同様に小さい外力でも簡単に
傾いたり、浮き上がつたりして組立に支障を来た
してしまう。たとえば、半導体素子の取付時には
タブが揺れ動くことから接合が不完全となり、ワ
イヤボンデイング時には接合の不完全性とともに
ワイヤが切れたりする。また、レジンモールド時
には流れるレジンによつてタブが傾いて動き、ワ
イヤが破断したり、タブが傾くことによる渦の発
生によつて気泡がモールド内部や表面に残留して
耐湿性が低下したりあるいは窪みができて外観が
悪くなつてしまう。
支持される構造であることから、強度的には弱
い。特に、最近のようにリード数が増加しかつ小
型化を維持するためにはリード(タブリード)の
幅も狭くならざるを得ない。また、リードの幅を
狭くする(たとえば0.3mm幅)ためには打抜加工
上の問題からリードフレームを作る素材は従来に
較べてより薄くなる(たとえば0.15mm)。この結
果、タブはリードと同様に小さい外力でも簡単に
傾いたり、浮き上がつたりして組立に支障を来た
してしまう。たとえば、半導体素子の取付時には
タブが揺れ動くことから接合が不完全となり、ワ
イヤボンデイング時には接合の不完全性とともに
ワイヤが切れたりする。また、レジンモールド時
には流れるレジンによつてタブが傾いて動き、ワ
イヤが破断したり、タブが傾くことによる渦の発
生によつて気泡がモールド内部や表面に残留して
耐湿性が低下したりあるいは窪みができて外観が
悪くなつてしまう。
本発明の要旨は、半導体素子を固定するための
タブと、前記タブの近くから前記タブの遠い方へ
延びるリード群と、前記タブから導出されたタブ
吊りリードとを有し、前記タブ吊りリードがレジ
ン封止体の角部近傍へ延在するように構成された
半導体装置の製造方法であつて、前記レジン封止
体の前記角部となるべき部分からレジン封止用型
へレジンを注入することを特徴とする半導体装置
の製造方法にある。
タブと、前記タブの近くから前記タブの遠い方へ
延びるリード群と、前記タブから導出されたタブ
吊りリードとを有し、前記タブ吊りリードがレジ
ン封止体の角部近傍へ延在するように構成された
半導体装置の製造方法であつて、前記レジン封止
体の前記角部となるべき部分からレジン封止用型
へレジンを注入することを特徴とする半導体装置
の製造方法にある。
第2図は本発明に関連するリードフレームを示
す図であり、第3図は第2図で示すリードフレー
ムを用いて組立てた半導体装置の平面図、第4図
a,bは同じくその組立の一作業工程時の状態を
示す平面図および一部拡大図である。まず、リー
ドフレームの形状について説明すると、このリー
ドフレームは0.15の厚さの金属板を打抜加工やエ
ツチング加工によつて作られる。そして、その形
状は部分的には幅の異なる箇所はあるが全体とし
て矩形枠を形作る枠部10の中央に半導体素子
(ペレツト)11を取り付ける矩形のタブ12を
有する形状となつている。そして、このタブ12
はその4隅を外端を枠部10の隅部にそれぞれ連
結する細いタブリード13の内端で支持されてい
る。また、4方向からこのタブ12に向かつて複
数のリード14が延び、その先端(内端)はタブ
12の周縁近傍に臨んでいる。また、4方向に延
びるリード14の後端はそそれぞれ枠部10の内
側に連結されている。また、レジンモールド時に
溶けたレジンの流出を阻止すべく各リード間およ
びリードと枠部10間に延びるダム片15がタブ
12を取り囲むように配設されている。また、枠
部10には従来と同様にガイド孔16が穿たれて
いる。
す図であり、第3図は第2図で示すリードフレー
ムを用いて組立てた半導体装置の平面図、第4図
a,bは同じくその組立の一作業工程時の状態を
示す平面図および一部拡大図である。まず、リー
ドフレームの形状について説明すると、このリー
ドフレームは0.15の厚さの金属板を打抜加工やエ
ツチング加工によつて作られる。そして、その形
状は部分的には幅の異なる箇所はあるが全体とし
て矩形枠を形作る枠部10の中央に半導体素子
(ペレツト)11を取り付ける矩形のタブ12を
有する形状となつている。そして、このタブ12
はその4隅を外端を枠部10の隅部にそれぞれ連
結する細いタブリード13の内端で支持されてい
る。また、4方向からこのタブ12に向かつて複
数のリード14が延び、その先端(内端)はタブ
12の周縁近傍に臨んでいる。また、4方向に延
びるリード14の後端はそそれぞれ枠部10の内
側に連結されている。また、レジンモールド時に
溶けたレジンの流出を阻止すべく各リード間およ
びリードと枠部10間に延びるダム片15がタブ
12を取り囲むように配設されている。また、枠
部10には従来と同様にガイド孔16が穿たれて
いる。
このようなリードフレームを用いて半導体装置
を組み立てる場合には、第2図で示すように、タ
ブ12上に半導体素子11を固定し、この半導体
素子11の電極とリード14の内端とをワイヤ
(第3図に示されている。)で接続し、その後、第
4図aで示すように、ダム片15の内側をレジン
でモールドし、レジンからなるモールド部17で
半導体素子11等を被う。この際、第4図bで示
すように、タブリード13と交差するモールド部
17の角部(隅部)はタブリード13と直交する
ように切り欠いた面18を有する面取状態にモー
ルドする。これは、その後モールド部の付け根で
タブリードを切断する際、モールド部の角部が切
断時に欠けたりしないようにするために配慮され
た結果である。つぎに、タブリード13をモール
ド部17の付け根部分で切断するとともに不要と
なるダム片15および枠部10を切断除去し、フ
ラツトリードの半導体装置を得る。また、必要な
らば、モールド部17から長く突出するリード1
4をその途中から折り曲げてインライン形の半導
体装置を作る。
を組み立てる場合には、第2図で示すように、タ
ブ12上に半導体素子11を固定し、この半導体
素子11の電極とリード14の内端とをワイヤ
(第3図に示されている。)で接続し、その後、第
4図aで示すように、ダム片15の内側をレジン
でモールドし、レジンからなるモールド部17で
半導体素子11等を被う。この際、第4図bで示
すように、タブリード13と交差するモールド部
17の角部(隅部)はタブリード13と直交する
ように切り欠いた面18を有する面取状態にモー
ルドする。これは、その後モールド部の付け根で
タブリードを切断する際、モールド部の角部が切
断時に欠けたりしないようにするために配慮され
た結果である。つぎに、タブリード13をモール
ド部17の付け根部分で切断するとともに不要と
なるダム片15および枠部10を切断除去し、フ
ラツトリードの半導体装置を得る。また、必要な
らば、モールド部17から長く突出するリード1
4をその途中から折り曲げてインライン形の半導
体装置を作る。
このような実施例においては、タブ12はその
4隅をタブリード13で支持されているため動き
にくく剛性が優れている。このため、各組立作業
時においても傾いたり、作業テーブルから浮き上
がつたりしない。したがつて、ペレツトボンデイ
ングやワイヤボンデイング時には確実な接続(ボ
ンデイング)ができる。また、レジンモールド時
においては流入するレジンによつてタブが傾くこ
ともないので、流れの陰による渦も発生しないの
で、気泡が生じない。また、タブが傾くこともな
いのでワイヤに強い力が働いてワイヤが破断する
こともない。
4隅をタブリード13で支持されているため動き
にくく剛性が優れている。このため、各組立作業
時においても傾いたり、作業テーブルから浮き上
がつたりしない。したがつて、ペレツトボンデイ
ングやワイヤボンデイング時には確実な接続(ボ
ンデイング)ができる。また、レジンモールド時
においては流入するレジンによつてタブが傾くこ
ともないので、流れの陰による渦も発生しないの
で、気泡が生じない。また、タブが傾くこともな
いのでワイヤに強い力が働いてワイヤが破断する
こともない。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。た
とえば、タブリードにはモールド部との境界とな
る位置にモールド部周縁に沿うようなV字溝を設
け、タブリード切断時に簡単にタブリードがV字
溝から分断するようにしてもよい。
とえば、タブリードにはモールド部との境界とな
る位置にモールド部周縁に沿うようなV字溝を設
け、タブリード切断時に簡単にタブリードがV字
溝から分断するようにしてもよい。
また、複数のタブリードの1乃至数本をリード
として用いてもよい。
として用いてもよい。
また、モールド部の角部を面取りしない構造の
場合には、第5図および第6図で示すように、枠
部10の隅部に延びるタブリード13をふたまた
にして分離リード19となし、この分離リード1
9の途中をモールド部の外周面と交差させ、タブ
リードの切断時モールド部の隅部が破損しないよ
うにしてもよい。第6図aで示す一点鎖線部分で
分離リード19を切断する。また、この切断箇所
にも第6図aで示すように分断し易いようにV字
溝20を設けてもよい。
場合には、第5図および第6図で示すように、枠
部10の隅部に延びるタブリード13をふたまた
にして分離リード19となし、この分離リード1
9の途中をモールド部の外周面と交差させ、タブ
リードの切断時モールド部の隅部が破損しないよ
うにしてもよい。第6図aで示す一点鎖線部分で
分離リード19を切断する。また、この切断箇所
にも第6図aで示すように分断し易いようにV字
溝20を設けてもよい。
また、第7図aに示すように、Y字形に延びる
2本の分離リード19と枠部10(ダム片15)
とによつて形成される空間部を枠部側に広げて大
きくし、レジンモールド時のレジン注入用ゲート
21とすれば、第7図bで示すように、ランナ2
2に段差が付き、モールド部とランナとの分離時
にこの段差部に応力集中が働いて、この段差部で
分離する(分離は第7図bで示す鎖線部分とな
る。)。このため、モールド品におけるランナ分離
部の形状が一定し、分離部が不整となる弊害が防
止できる。
2本の分離リード19と枠部10(ダム片15)
とによつて形成される空間部を枠部側に広げて大
きくし、レジンモールド時のレジン注入用ゲート
21とすれば、第7図bで示すように、ランナ2
2に段差が付き、モールド部とランナとの分離時
にこの段差部に応力集中が働いて、この段差部で
分離する(分離は第7図bで示す鎖線部分とな
る。)。このため、モールド品におけるランナ分離
部の形状が一定し、分離部が不整となる弊害が防
止できる。
さらに、このリードフレームはタブ部分を一段
と低くした構造にしても、強度(鋼性)は大き
い。
と低くした構造にしても、強度(鋼性)は大き
い。
本発明によれば、レジン注入をレジン封止体の
角部となるべき部分において行うので、半導体装
置の多ビン化が容易となる。
角部となるべき部分において行うので、半導体装
置の多ビン化が容易となる。
第1図は従来のリードフレームを示す平面図、
第2図は本発明に関連するリードフレームの一例
を示す平面図、第3図は本発明に関連するリード
フレームを用いた半導体装置の一例を示す平面
図、第4図a,bは本発明に関連するリードフレ
ームを用いた半導体装置を製造する際の一作業工
程における半完成品の平面図および部分拡大図、
第5図は本発明に関連するリードフレームの他の
例による平面図、第6図a,bは同じくモールド
状態の説明図およびタブリードの部分拡大斜視
図、第7図a,bはリードフレームのレジン注入
用ゲート部の拡大平面図およびモールド時の状態
を示す説明図である。 1…半導体素子、2…タブ、3…タブリード、
4…リード、5…枠部、6…ダム片、7…ガイド
孔、8…ワイヤ、9…モールド部、10…枠部、
11…半導体素子、12…タブ、13…タブリー
ド、14…リード、15…ダム片、16…ガイド
孔、17…モールド部、18…切り欠いた面、1
9…分離リード、20…V字溝、21…レジン注
入用ゲート、22…ランナ。
第2図は本発明に関連するリードフレームの一例
を示す平面図、第3図は本発明に関連するリード
フレームを用いた半導体装置の一例を示す平面
図、第4図a,bは本発明に関連するリードフレ
ームを用いた半導体装置を製造する際の一作業工
程における半完成品の平面図および部分拡大図、
第5図は本発明に関連するリードフレームの他の
例による平面図、第6図a,bは同じくモールド
状態の説明図およびタブリードの部分拡大斜視
図、第7図a,bはリードフレームのレジン注入
用ゲート部の拡大平面図およびモールド時の状態
を示す説明図である。 1…半導体素子、2…タブ、3…タブリード、
4…リード、5…枠部、6…ダム片、7…ガイド
孔、8…ワイヤ、9…モールド部、10…枠部、
11…半導体素子、12…タブ、13…タブリー
ド、14…リード、15…ダム片、16…ガイド
孔、17…モールド部、18…切り欠いた面、1
9…分離リード、20…V字溝、21…レジン注
入用ゲート、22…ランナ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体素子を固定するためのタブと、前記タ
ブの近くから前記タブの遠い方へ延びるリード群
と、前記タブから導出されたタブ吊りリードとを
有し、前記タブ吊りリードがレジン封止体の角部
近傍へ延在するように構成された半導体装置の製
造方法であつて、前記レジン封止体の前記角部と
なるべき部分からレジン封止用型へレジンを注入
することを特徴とする半導体装置の製造方法。 2 前記タブ吊りリードを前記レジン封止体の角
部の近くに延在させ、かつ、前記タブ吊りリード
の端部は前記レジン封止体の外周面で終端させて
なることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の半導体装置の製造方法。 3 前記タブ吊りリードを前記レジン封止体の角
部の近くに延在させ、かつ、前記タブ吊りリード
は前記角部近くで枝分かれし、枝分かれした前記
タブ吊りリードの端部は前記レジン封止体の外周
面で終端させて成ることを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の半導体装置の製造方法。 4 前記レジン封止体の角部は面取りされるよう
に形成され、前記タブ吊りリードは前記面取りさ
れた部分へ延在し、かつ、前記タブ吊りリードの
端部は前記レジン封止体の前記面取りされた面で
終端させて成ることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の半導体装置の製造方法。 5 前記タブ吊りリードは前記レジン封止体の外
周面近傍において溝が設けられていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項、第2項、第3項ま
たは第4項記載の半導体装置の製造方法。 6 前記リード群および前記タブ吊りリードは予
め一体に形成されたリードフレームを切断するこ
とにより形成されたものであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項
または第5項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59152894A JPS60121749A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59152894A JPS60121749A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | リ−ドフレ−ム |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9360778A Division JPS5521128A (en) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121749A JPS60121749A (ja) | 1985-06-29 |
| JPH0470778B2 true JPH0470778B2 (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=15550451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59152894A Granted JPS60121749A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60121749A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100312A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 光半導体装置および測距モジュール |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5521128A (en) * | 1978-08-02 | 1980-02-15 | Hitachi Ltd | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP59152894A patent/JPS60121749A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60121749A (ja) | 1985-06-29 |
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