JPH0471259B2 - - Google Patents
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- JPH0471259B2 JPH0471259B2 JP1653484A JP1653484A JPH0471259B2 JP H0471259 B2 JPH0471259 B2 JP H0471259B2 JP 1653484 A JP1653484 A JP 1653484A JP 1653484 A JP1653484 A JP 1653484A JP H0471259 B2 JPH0471259 B2 JP H0471259B2
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- reflective film
- digital signal
- disk
- signal recording
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/02—Pretreatment of the material to be coated, e.g. for coating on selected surface areas
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0064—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture mediums or carriers characterised by the selection of the material
- G11B23/0078—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture mediums or carriers characterised by the selection of the material information structure layers using metallic or dielectric coatings
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/50—Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges
- G11B23/505—Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges of disk carriers
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ビデオデイスク、デイジタルオーデ
イオデイスク（例えばコンパクトデイスク）、静
止画、文書フアイルなどのデイジタル信号記録再
生デイスクの製造方法に関するものである。
イオデイスク（例えばコンパクトデイスク）、静
止画、文書フアイルなどのデイジタル信号記録再
生デイスクの製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
この種のデイジタル信号記録再生デイスクは、
その情報密度が極めて大きいことや、Ｓ／Ｎ、ダ
イナミツクレンジが大きいことなど情報媒体とし
て有望視され、ビデオデイスクやデイジタルオー
デイオデイスクとして商品化されている。
その情報密度が極めて大きいことや、Ｓ／Ｎ、ダ
イナミツクレンジが大きいことなど情報媒体とし
て有望視され、ビデオデイスクやデイジタルオー
デイオデイスクとして商品化されている。
第１図に一般的なデイジタルオーデイオデイス
クであるコンパクトデイスクの概要を示す。これ
はPCM変換されたデイジタル信号が樹脂基板に
ピツト列状に記録され、半導体レーザにより再生
されるものである。第１図において１はデイスク
全体、２は樹脂基板、３は樹脂基板２の表面に形
成されたピツト列状のデイジタル信号、４はその
表面に形成された反射膜、５は反射膜上にコーテ
イングされた保護膜、６はデイスク読取面からの
再生用の半導体レーザである。
クであるコンパクトデイスクの概要を示す。これ
はPCM変換されたデイジタル信号が樹脂基板に
ピツト列状に記録され、半導体レーザにより再生
されるものである。第１図において１はデイスク
全体、２は樹脂基板、３は樹脂基板２の表面に形
成されたピツト列状のデイジタル信号、４はその
表面に形成された反射膜、５は反射膜上にコーテ
イングされた保護膜、６はデイスク読取面からの
再生用の半導体レーザである。
ここで、反射膜４はデイジタル信号３を半導体
レーザ６により再生する場合に照射光を反射させ
るために必要なものである。
レーザ６により再生する場合に照射光を反射させ
るために必要なものである。
第２図に真空蒸着法を用いた従来の反射膜作成
方法を示す。
方法を示す。
真空容器７の中に樹脂基板２を第２図ｂに示す
トレイ８の上に並べ、フイラメント９を加熱する
ことにより、Alなどの金属を樹脂基板２の表面
に蒸着することにより反射膜４を作成する。
トレイ８の上に並べ、フイラメント９を加熱する
ことにより、Alなどの金属を樹脂基板２の表面
に蒸着することにより反射膜４を作成する。
この場合、一般的には樹脂基板の表面には静電
気によるホコリの付着や、水分の付着などにより
ピンホールが発生したり、除湿が完全でない場合
にはAlが酸化して反射率の低下が生じ、膜質が
悪化し高温多湿の環境下（例えば40℃、95％な
ど）において膜質が劣化し反射膜としての機能を
果たさないなどの問題点を有していた。
気によるホコリの付着や、水分の付着などにより
ピンホールが発生したり、除湿が完全でない場合
にはAlが酸化して反射率の低下が生じ、膜質が
悪化し高温多湿の環境下（例えば40℃、95％な
ど）において膜質が劣化し反射膜としての機能を
果たさないなどの問題点を有していた。
発明の目的
本発明はこれらの問題点を解消するものであ
り、樹脂基板の表面に付着した静電気によるホコ
リや、水分を除去し、ピンホールの無い膜質の優
れた反射膜を作成することのできるデイジタル信
号記録再生デイスクの製造方法を提供するもので
ある。
り、樹脂基板の表面に付着した静電気によるホコ
リや、水分を除去し、ピンホールの無い膜質の優
れた反射膜を作成することのできるデイジタル信
号記録再生デイスクの製造方法を提供するもので
ある。
発明の構成
本発明は、静電除去、ガスブロー、乾燥の３つ
の機能を有する装置を設け、上記装置内を順次工
程にしたがつて、または同時工程により複数枚の
デイスクを収納した容器を通過させたのちに反射
膜を作成することにより、デイジタル信号記録再
生デイスクを製造するものである。
の機能を有する装置を設け、上記装置内を順次工
程にしたがつて、または同時工程により複数枚の
デイスクを収納した容器を通過させたのちに反射
膜を作成することにより、デイジタル信号記録再
生デイスクを製造するものである。
実施例の説明
第３図に本発明のデイスク信号記録再生デイス
クの製造方法の一実施例を示す。装置を説明する
ために第３図ａには装置全体の断面図、第３図ｂ
には樹脂基板２を収納する容器１０に置いた場合
の平面図を示す。
クの製造方法の一実施例を示す。装置を説明する
ために第３図ａには装置全体の断面図、第３図ｂ
には樹脂基板２を収納する容器１０に置いた場合
の平面図を示す。
本発明の製造方法に用いる装置１１には、コロ
ナ放電によるイオン発生により樹脂基板２に付着
した静電気を除去する装置１２を有する静電除去
室１３と、樹脂基板２に付着したほこりを除去す
るためのガス噴出装置１４を有するガスフロー室
１５と、樹脂基板２の表面に付着した水分を除去
するための赤外線乾燥装置１６を有する乾燥室１
７とを備え、これらの３つの工程を複数枚の樹脂
基板２を収納した容器１０が、上記装置１１を通
過したのちにスパツタリング法などにより反射膜
が作成される。
ナ放電によるイオン発生により樹脂基板２に付着
した静電気を除去する装置１２を有する静電除去
室１３と、樹脂基板２に付着したほこりを除去す
るためのガス噴出装置１４を有するガスフロー室
１５と、樹脂基板２の表面に付着した水分を除去
するための赤外線乾燥装置１６を有する乾燥室１
７とを備え、これらの３つの工程を複数枚の樹脂
基板２を収納した容器１０が、上記装置１１を通
過したのちにスパツタリング法などにより反射膜
が作成される。
第４図は本発明の他の実施例を示し、装置の機
構を説明するため第４図ａにはその断面図、第４
図ｂにはその側面図を示す。
構を説明するため第４図ａにはその断面図、第４
図ｂにはその側面図を示す。
複数の樹脂基板２を収納した容器１８に対し、
イオンを発生させて樹脂基板２に付着した静電気
を除去する装置１９と、樹脂基板２に付着したホ
コリを除去するためのガス噴出装置２０と、樹脂
基板の表面に付着した水分を除去するための赤外
線ヒーターによる乾燥装置２１とを１つの容器２
２内に設け、この容器２２を通過したのちにスパ
ツタリング法などにより反射膜が作成されデイジ
タル信号記録再生デイスクが製造される。
イオンを発生させて樹脂基板２に付着した静電気
を除去する装置１９と、樹脂基板２に付着したホ
コリを除去するためのガス噴出装置２０と、樹脂
基板の表面に付着した水分を除去するための赤外
線ヒーターによる乾燥装置２１とを１つの容器２
２内に設け、この容器２２を通過したのちにスパ
ツタリング法などにより反射膜が作成されデイジ
タル信号記録再生デイスクが製造される。
反射膜作成方法としては、真空蒸着、スパツタ
リング、電子ビーム蒸着、イオンプレーテイング
などの物理蒸着が適している。
リング、電子ビーム蒸着、イオンプレーテイング
などの物理蒸着が適している。
発明の効果
以上のように本発明は、静電除去、ガスブロ
ー、乾燥の３つの工程を有する装置を設け、上記
装置内を順次工程にしたがつて、または同時に、
複数枚のデイスクを収納した容器を通過したのち
に反射膜を作成するものであるから、デイスク表
面にホコリの付着が無いためピンホールの少ない
膜が得られ、しかもデイスクの表面に付着した水
分を除去することにより酸化物の少ない膜質の優
れた反射膜を作成することができる。
ー、乾燥の３つの工程を有する装置を設け、上記
装置内を順次工程にしたがつて、または同時に、
複数枚のデイスクを収納した容器を通過したのち
に反射膜を作成するものであるから、デイスク表
面にホコリの付着が無いためピンホールの少ない
膜が得られ、しかもデイスクの表面に付着した水
分を除去することにより酸化物の少ない膜質の優
れた反射膜を作成することができる。
また、本発明によれば複数のデイスクを同時に
処理することができ、反射膜作成装置の直前の工
程であるため自動化や量産化が図れる。このため
信頼性の高い良質の反射膜を有するデイジタル信
号記録再生デイスクを安価に量産することができ
るという効果がある。
処理することができ、反射膜作成装置の直前の工
程であるため自動化や量産化が図れる。このため
信頼性の高い良質の反射膜を有するデイジタル信
号記録再生デイスクを安価に量産することができ
るという効果がある。
第１図ａ，ｂ，ｃは一般的なデイジタル信号記
録再生デイスクの平面図、断面図および要部拡大
図、第２図ａ，ｂは従来のデイジタル信号記録再
生デイスクの反射膜作成装置の断面図および樹脂
基板の取付けの状態を示す平面図、第３図ａ，ｂ
は本発明の一実施例を示す断面図および樹脂基板
の取付け状態を示す平面図、第４図ａ，ｂは本発
明の他の実施例を示す断面図および側面図であ
る。 １……デイスク、２……樹脂基板、３……デイ
ジタル信号、４……反射膜、５……保護膜、６…
…半導体レーザ、１０，１８……樹脂基板収納容
器、１１……装置全体、１２，１９……静電除去
装置、１３……静電除去室、１４，２０……ガス
噴出装置、１５……ガスブロー室、１６，２１…
…乾燥装置、１７……乾燥室。
録再生デイスクの平面図、断面図および要部拡大
図、第２図ａ，ｂは従来のデイジタル信号記録再
生デイスクの反射膜作成装置の断面図および樹脂
基板の取付けの状態を示す平面図、第３図ａ，ｂ
は本発明の一実施例を示す断面図および樹脂基板
の取付け状態を示す平面図、第４図ａ，ｂは本発
明の他の実施例を示す断面図および側面図であ
る。 １……デイスク、２……樹脂基板、３……デイ
ジタル信号、４……反射膜、５……保護膜、６…
…半導体レーザ、１０，１８……樹脂基板収納容
器、１１……装置全体、１２，１９……静電除去
装置、１３……静電除去室、１４，２０……ガス
噴出装置、１５……ガスブロー室、１６，２１…
…乾燥装置、１７……乾燥室。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 除電、ガスプロー、乾燥の３つの独立した工
程を有する装置を設け、上記装置内を順次工程に
したがつて、複数枚のデイスクを収納した容器が
通過したのちに反射膜を作成することを特徴とす
るデイジタル信号記録再生デイスクの製造方法。 ２ 除電、ガスプロー、乾燥の３つの工程が同時
に組み合わされた装置を設け、上記装置内をデイ
スクが通過したのちに反射膜を設けることを特徴
とするデイジタル信号記録再生デイスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59016534A JPS60160039A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | デイジタル信号記録再生デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59016534A JPS60160039A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | デイジタル信号記録再生デイスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60160039A JPS60160039A (ja) | 1985-08-21 |
| JPH0471259B2 true JPH0471259B2 (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=11918928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59016534A Granted JPS60160039A (ja) | 1984-01-31 | 1984-01-31 | デイジタル信号記録再生デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60160039A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19850832C5 (de) * | 1998-11-04 | 2005-10-06 | Singulus Technologies Ag | Verfahren zum Verbinden von Substrathälften optischer Datenträger |
-
1984
- 1984-01-31 JP JP59016534A patent/JPS60160039A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60160039A (ja) | 1985-08-21 |
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