JPH0471896B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0471896B2 JPH0471896B2 JP26399587A JP26399587A JPH0471896B2 JP H0471896 B2 JPH0471896 B2 JP H0471896B2 JP 26399587 A JP26399587 A JP 26399587A JP 26399587 A JP26399587 A JP 26399587A JP H0471896 B2 JPH0471896 B2 JP H0471896B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tertiary
- para
- butoxystyrene
- reaction
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
イ） 発明の目的
（産業上の利用分野）
本発明は、医農薬の中間体として使用されるフ
エノール化合物の前駆体として有用な、また、レ
ジスト材料やエポキシ硬化触媒として使用される
ポリーパラ−ヒドロキシスチレンを得るための原
料モノマーとして有用なパラ−第三級−ブトキシ
スチレンの新規な合成法に関する。
エノール化合物の前駆体として有用な、また、レ
ジスト材料やエポキシ硬化触媒として使用される
ポリーパラ−ヒドロキシスチレンを得るための原
料モノマーとして有用なパラ−第三級−ブトキシ
スチレンの新規な合成法に関する。
本発明の目的化合物であるパラ−第三級−ブト
キシスチレンは単独重合や共重合によりポリ−パ
ラ−第三級−ブトキシスチレンに、また、パラ−
第三級−ブトキシスチレンのビニル基に種々の反
応剤を作用させて誘導体にそれぞれ導くことがで
きる。そして、これらの化合物は酸触媒により特
異的に第三級−ブチル基が脱離するため、前記の
ポリ−パラ−ヒドロキシスチレンやフエノール類
に容易に変換できる。
キシスチレンは単独重合や共重合によりポリ−パ
ラ−第三級−ブトキシスチレンに、また、パラ−
第三級−ブトキシスチレンのビニル基に種々の反
応剤を作用させて誘導体にそれぞれ導くことがで
きる。そして、これらの化合物は酸触媒により特
異的に第三級−ブチル基が脱離するため、前記の
ポリ−パラ−ヒドロキシスチレンやフエノール類
に容易に変換できる。
（従来の技術）
本発明の目的化合物であるパラ−第三級−ブト
キシスチレンは既知である。そして、この化合物
の従来の合成法は、米国特許第4603101号明細書
及び特開昭59−199705号公報において、パラ−ブ
ロモスチレンあるいはパラ−クロロスチレンのグ
リニヤール試薬に過安息香酸−第三級−ブチルエ
ステルを反応させて行われる。しかし、これらの
公報に記載の方法によれば、パラ−第三級−ブト
キシスチレンの収率は20％と極めて低い（米国特
許第4603101号明細書）。
キシスチレンは既知である。そして、この化合物
の従来の合成法は、米国特許第4603101号明細書
及び特開昭59−199705号公報において、パラ−ブ
ロモスチレンあるいはパラ−クロロスチレンのグ
リニヤール試薬に過安息香酸−第三級−ブチルエ
ステルを反応させて行われる。しかし、これらの
公報に記載の方法によれば、パラ−第三級−ブト
キシスチレンの収率は20％と極めて低い（米国特
許第4603101号明細書）。
また、本発明の目的化合物の異性体であるパラ
−ｎ−ブトキシスチレンは、パラ−ｎ−ブトキシ
フエネチルアルコールをアルカリ条件下で脱水反
応させれば得られる。しかし、このパラ−ｎ−ブ
トキシスチレンの脱ｎ−ブチル基反応は、きわめ
て困難をともなうため、これからポリ−パラ−ヒ
ドロキシスチレンやフエノール類を得られない。
−ｎ−ブトキシスチレンは、パラ−ｎ−ブトキシ
フエネチルアルコールをアルカリ条件下で脱水反
応させれば得られる。しかし、このパラ−ｎ−ブ
トキシスチレンの脱ｎ−ブチル基反応は、きわめ
て困難をともなうため、これからポリ−パラ−ヒ
ドロキシスチレンやフエノール類を得られない。
（発明が解決しようとする問題点）
従来のパラ−第三級−ブトキシスチレンの合成
法は、原料の一つとして、入手が困難で、かつ高
価であり、しかも操作上の安全性でも問題のある
過安息香酸−第三級−ブチルエステルを第三級−
ブトキシ化剤として使用するため、工業規模の合
成法としては好ましくない。したがつて、本発明
は、このような問題点がなく、工業的規模での合
成に適したパラ−第三級−ブトキシスチレンの新
規な合成法を提供することを目的とするものであ
る。
法は、原料の一つとして、入手が困難で、かつ高
価であり、しかも操作上の安全性でも問題のある
過安息香酸−第三級−ブチルエステルを第三級−
ブトキシ化剤として使用するため、工業規模の合
成法としては好ましくない。したがつて、本発明
は、このような問題点がなく、工業的規模での合
成に適したパラ−第三級−ブトキシスチレンの新
規な合成法を提供することを目的とするものであ
る。
ロ） 発明の構成
（問題を解決するための手段）
本発明者らは、かかる問題点を解決するために
種々の合成法について鋭意検討を重ねた。その結
果、下記の知見を得て極めて有用なパラ−第三級
−ブトキシスチレンの新規な合成法を発明するに
至つた。すなわち、パラ−第三級−ブトキシフエ
ニルハライドを金属マグネシウムと反応させてパ
ラ−第三級−ブトキシフエニルマグネシウムハラ
イドとし、これをニツケルホスフイン錯体触媒の
存在下に、ビニルハライドを作用させることによ
り、パラ−第三級−ブトキシスチレンを高純度、
高収率で得る合成法を完成した。
種々の合成法について鋭意検討を重ねた。その結
果、下記の知見を得て極めて有用なパラ−第三級
−ブトキシスチレンの新規な合成法を発明するに
至つた。すなわち、パラ−第三級−ブトキシフエ
ニルハライドを金属マグネシウムと反応させてパ
ラ−第三級−ブトキシフエニルマグネシウムハラ
イドとし、これをニツケルホスフイン錯体触媒の
存在下に、ビニルハライドを作用させることによ
り、パラ−第三級−ブトキシスチレンを高純度、
高収率で得る合成法を完成した。
本発明におけるパラ−第三級−ブトキシスチレ
ンの合成方法を反応式で示せば、次のとおりであ
る。
ンの合成方法を反応式で示せば、次のとおりであ
る。
（式中、X1、X2は同一または異なるハロゲン
原子を示す） 本発明のパラ−第三級−ブトキシスチレン
（）は、パラ−ハロゲノフエノールのヒドロキ
シル基を第三級−ブチル基で保護したパラ−第三
級−ブトキシフエニルハライド（）を金属マグ
ネシウムと反応させ、グリニヤール試薬であるパ
ラ−第三級−ブトキシマグネシウムハライド
（）とし、これにニツケルホスフイン錯体触媒
の存在下で塩化ビニル、臭化ビニルなどのビニル
ハライドとのクロスカツプリング反応により目的
とするパラ−第三級−ブトキシスチレンを合成で
きる。
原子を示す） 本発明のパラ−第三級−ブトキシスチレン
（）は、パラ−ハロゲノフエノールのヒドロキ
シル基を第三級−ブチル基で保護したパラ−第三
級−ブトキシフエニルハライド（）を金属マグ
ネシウムと反応させ、グリニヤール試薬であるパ
ラ−第三級−ブトキシマグネシウムハライド
（）とし、これにニツケルホスフイン錯体触媒
の存在下で塩化ビニル、臭化ビニルなどのビニル
ハライドとのクロスカツプリング反応により目的
とするパラ−第三級−ブトキシスチレンを合成で
きる。
以下、本発明の合成法をさらに詳細に説明す
る。
る。
ａ） パラ−第三級−ブトキシフエニルマグネシ
ウムハライドの合成法［一般式（）の化合
物］ 一般式（）の化合物は、次の方法により容易
に合成しうる。すなわち、活性化した金属マグネ
シウムを無水テトラヒドロフラン中でかきまぜつ
つ、一般式（）の化合物を20℃ないし溶媒の還
流温度で滴下し、さらに、１〜８時間撹拌するこ
とによつて得られる。
ウムハライドの合成法［一般式（）の化合
物］ 一般式（）の化合物は、次の方法により容易
に合成しうる。すなわち、活性化した金属マグネ
シウムを無水テトラヒドロフラン中でかきまぜつ
つ、一般式（）の化合物を20℃ないし溶媒の還
流温度で滴下し、さらに、１〜８時間撹拌するこ
とによつて得られる。
反応に使用する金属マグネシウムは、市販のテ
ープ状あるいは削り状物を一般式（）の化合物
に対して１〜３倍モル程度を使用する。
ープ状あるいは削り状物を一般式（）の化合物
に対して１〜３倍モル程度を使用する。
この反応の開始に先立つて金属マグネシウムを
活性化させるために、窒素雰囲気あるいは減圧条
件で加熱してかきまぜたり、微量のヨウ素あるい
はヨウ化メチル、臭化エチル、ジブロモエタンな
どを添加することは、グリニヤール反応を円滑に
進める上で有効である。
活性化させるために、窒素雰囲気あるいは減圧条
件で加熱してかきまぜたり、微量のヨウ素あるい
はヨウ化メチル、臭化エチル、ジブロモエタンな
どを添加することは、グリニヤール反応を円滑に
進める上で有効である。
この反応で使用しうる化合物（）のハロゲン
化合物としては、塩化物あるいは臭化物の使用が
望ましい。
化合物としては、塩化物あるいは臭化物の使用が
望ましい。
一般式（）の化合物の合成時の溶媒は、テト
ラヒドロフランやジエチルエーテルなどの単独系
のほか、これらと不活性な溶媒、例えば、ベンゼ
ンやトルエンなどとの混合溶媒の系であつても同
様に有効に使用でき、特に、一般式（）のハラ
イドが臭化物の場合は、ジエチルエーテル溶媒中
でも容易にグリニヤール試薬を得ることができ
る。
ラヒドロフランやジエチルエーテルなどの単独系
のほか、これらと不活性な溶媒、例えば、ベンゼ
ンやトルエンなどとの混合溶媒の系であつても同
様に有効に使用でき、特に、一般式（）のハラ
イドが臭化物の場合は、ジエチルエーテル溶媒中
でも容易にグリニヤール試薬を得ることができ
る。
なお、一般式（）においてX1が塩素である
パラ−第三級−ブトキシフエニルマグネシウムク
ロリドは新規化合物である。
パラ−第三級−ブトキシフエニルマグネシウムク
ロリドは新規化合物である。
ｂ） パラ−第三級−ブトキシスチレンの合成法
［一般式（）の化合物］ 一般式（）の化合物は、グリニヤール試薬
（）にニツケルホスフイン錯体触媒の存在下で、
ビニルハライド、例えば、塩化ビニルや臭化ビニ
ルとのクロスカツプリング反応により得られる。
［一般式（）の化合物］ 一般式（）の化合物は、グリニヤール試薬
（）にニツケルホスフイン錯体触媒の存在下で、
ビニルハライド、例えば、塩化ビニルや臭化ビニ
ルとのクロスカツプリング反応により得られる。
このクロスカツプリング反応の触媒として用い
られるニツケルホスフイン錯体は、二座配位ホス
フイン錯体、例えば、ジクロロ｛１，２−ビス
（ジフエニルホスフイノ）エタン｝ニツケル、ジ
クロロ｛１，３−ビス（ジフエニルホスフイノ）
プロパン｝ニツケル等が有効である。
られるニツケルホスフイン錯体は、二座配位ホス
フイン錯体、例えば、ジクロロ｛１，２−ビス
（ジフエニルホスフイノ）エタン｝ニツケル、ジ
クロロ｛１，３−ビス（ジフエニルホスフイノ）
プロパン｝ニツケル等が有効である。
触媒の使用量は、グリニヤール試薬（）に対
して10-4〜10-2倍モル、好ましくは５×10-4〜５
×10-3倍モル程度の使用が望ましい。
して10-4〜10-2倍モル、好ましくは５×10-4〜５
×10-3倍モル程度の使用が望ましい。
クロスカツプリング反応を行うには、上記方法
により合成したグリニヤール試薬（）の温度を
０℃〜70℃、好ましくは30〜40℃に保ち、これに
ビニルハライドを吹込むか、これを溶媒に溶解し
て滴下して、さらに、１〜５時間の撹拌を続け
る。
により合成したグリニヤール試薬（）の温度を
０℃〜70℃、好ましくは30〜40℃に保ち、これに
ビニルハライドを吹込むか、これを溶媒に溶解し
て滴下して、さらに、１〜５時間の撹拌を続け
る。
反応終了後は、反応液に塩化アンモニウム水溶
液を加えて生成した塩を溶解し、有機層を分離し
て水洗後、芒硝で脱水する。次に、溶媒を蒸留し
て、これに第三級−ブチルカテコール等の重合防
止剤を添加して減圧蒸留することにより、目的と
するパラ−第三級−ブトキシスチレン（）を得
る。
液を加えて生成した塩を溶解し、有機層を分離し
て水洗後、芒硝で脱水する。次に、溶媒を蒸留し
て、これに第三級−ブチルカテコール等の重合防
止剤を添加して減圧蒸留することにより、目的と
するパラ−第三級−ブトキシスチレン（）を得
る。
次に実施例を示して本発明をさらに具体的に説
明する。
明する。
実施例 １
パラ−第三級−ブトキシスチレンの合成（パラ
−第三級−ブトキシクロロベンゼンから） 窒素雰囲気で置換した１容量の４径フラスコ
に金属マグネシウム片29.2ｇ（1.2モル）と、溶
媒としてテトラヒドロフラン30mlを入れ、臭化メ
チル１mlを加えた。金属マグネシウム表面での発
泡と反応の開始を確認した後、パラ−第三級−ブ
トキシクロロベンゼン184.7ｇ（1.0モル）をテト
ラヒドロフラン370mlに溶かした溶液を還流温度
（86℃）で約２時間を要して滴下した。さらに、
４時間還流（86℃）を続け、グリニヤール試薬を
得た。この反応におけるグリニヤール試薬への転
換率は99.8％であつた。
−第三級−ブトキシクロロベンゼンから） 窒素雰囲気で置換した１容量の４径フラスコ
に金属マグネシウム片29.2ｇ（1.2モル）と、溶
媒としてテトラヒドロフラン30mlを入れ、臭化メ
チル１mlを加えた。金属マグネシウム表面での発
泡と反応の開始を確認した後、パラ−第三級−ブ
トキシクロロベンゼン184.7ｇ（1.0モル）をテト
ラヒドロフラン370mlに溶かした溶液を還流温度
（86℃）で約２時間を要して滴下した。さらに、
４時間還流（86℃）を続け、グリニヤール試薬を
得た。この反応におけるグリニヤール試薬への転
換率は99.8％であつた。
上記の操作によつて得られたグリニヤール試薬
の上澄液を窒素雰囲気下で１容量の４径フラス
コに移して、触媒としてジクロロ｛１，３−ビス
（ジフエニルホスフイノ）プロパン｝ニツケル2.7
ｇ（0.005モル）を入れ、冷却して30〜40℃を保
ちながらビニルクロライド93.8ｇ（1.5モル）を
約1.5時間を要して吹込んだ。そして、さらに、
同温度で１時間撹拌を続けた。
の上澄液を窒素雰囲気下で１容量の４径フラス
コに移して、触媒としてジクロロ｛１，３−ビス
（ジフエニルホスフイノ）プロパン｝ニツケル2.7
ｇ（0.005モル）を入れ、冷却して30〜40℃を保
ちながらビニルクロライド93.8ｇ（1.5モル）を
約1.5時間を要して吹込んだ。そして、さらに、
同温度で１時間撹拌を続けた。
反応終了後は、反応液に塩化アンモニウム水溶
液を加えて生成した塩を溶解し、有機層を分離し
て水洗後、無水芒硝で脱水した。
液を加えて生成した塩を溶解し、有機層を分離し
て水洗後、無水芒硝で脱水した。
さらに、溶媒を留去し、これに第三級−ブチル
カテコール等の重合防止剤を添加し、減圧条件で
蒸留して、沸点63℃／２mmHgの留分を163.7ｇ
（収率93.0％）を得た。これを以下に示す方法で
分析し、同定した結果、パラ−第三級−ブトキシ
スチレンであることを確かめた。
カテコール等の重合防止剤を添加し、減圧条件で
蒸留して、沸点63℃／２mmHgの留分を163.7ｇ
（収率93.0％）を得た。これを以下に示す方法で
分析し、同定した結果、パラ−第三級−ブトキシ
スチレンであることを確かめた。
分析値および物性値は以下のとおりであつた。
(1) ガスクロマトグラフイーによる分析純度は
100％であつた。
100％であつた。
(2) 元素分析値
Ｃ Ｈ
計算値 81.8％ 9.1％
実測値 81.9％ 9.1％
(3) NMRスペクトル
δ1.32（9H，ｓ，Ha）
δ5.12（1H，ｑ，Hf）
δ5.60（1H，ｑ，Hd）
δ6.64（1H，ｑ，He）
δ6.90（2H，ｄ，Hb）
δ7.28（2H，ｄ，Hc）
(4) 赤外吸収スペクトル
1620cm-1 Ｃ＝Ｃ 伸縮
実施例 ２
パラ−第三級−ブトキシスチレンの合成（パラ
−第三級−ブトキシブロモベンゼンから） 窒素雰囲気で置換した１容量の４径フラスコ
に金属マグネシウム片29.2ｇ（1.2モル）と溶媒
として無水ジエチルエーテル30mlを入れ、臭化エ
チル２mlを加えた。金属マグネシウム表面での発
泡と反応の開始を確認した後、パラ−第三級−ブ
トキシブロモベンゼン229.1ｇ（1.0モル）をジエ
チルエーテル600mlに溶かした溶液を還流温度で
約２時間を要して滴下した。さらに、熟成を２時
間続け、グリニヤール試薬を得た。この反応にお
けるグリニヤール試薬への転換率は99.8％であつ
た。
−第三級−ブトキシブロモベンゼンから） 窒素雰囲気で置換した１容量の４径フラスコ
に金属マグネシウム片29.2ｇ（1.2モル）と溶媒
として無水ジエチルエーテル30mlを入れ、臭化エ
チル２mlを加えた。金属マグネシウム表面での発
泡と反応の開始を確認した後、パラ−第三級−ブ
トキシブロモベンゼン229.1ｇ（1.0モル）をジエ
チルエーテル600mlに溶かした溶液を還流温度で
約２時間を要して滴下した。さらに、熟成を２時
間続け、グリニヤール試薬を得た。この反応にお
けるグリニヤール試薬への転換率は99.8％であつ
た。
上記の操作によつて得られたグリニヤール試薬
を窒素雰囲気下で１容量の４径フラスコに移し
て、触媒としてジクロロ｛１，２−ビス（ジフエ
ニルホスフイノ）エタン｝ニツケル2.6ｇ（0.005
モル）を入れ、30〜40℃を保つため、冷却しつつ
ビニルブロマイド138.2ｇ（1.3モル）を約1.5時間
を要して吹き込み、さらに、同温度で１時間の撹
拌を続けた。
を窒素雰囲気下で１容量の４径フラスコに移し
て、触媒としてジクロロ｛１，２−ビス（ジフエ
ニルホスフイノ）エタン｝ニツケル2.6ｇ（0.005
モル）を入れ、30〜40℃を保つため、冷却しつつ
ビニルブロマイド138.2ｇ（1.3モル）を約1.5時間
を要して吹き込み、さらに、同温度で１時間の撹
拌を続けた。
反応終了後は、反応液に塩化アンモニウム水溶
液を加えて生成した塩を溶解し、有機層を分離し
て水洗後、無水芒硝で脱水した。さらに、溶媒を
留去して第三級−ブチルカテコール等の重合防止
剤を添加し、減圧条件で蒸留して、沸点63℃／２
mmHgの留分を167.2ｇ（収率95.0％）を得た。こ
れを実施例１と同様の方法で分析し、同定した結
果、パラ−第三級−ブトキシスチレンであること
を確認した。
液を加えて生成した塩を溶解し、有機層を分離し
て水洗後、無水芒硝で脱水した。さらに、溶媒を
留去して第三級−ブチルカテコール等の重合防止
剤を添加し、減圧条件で蒸留して、沸点63℃／２
mmHgの留分を167.2ｇ（収率95.0％）を得た。こ
れを実施例１と同様の方法で分析し、同定した結
果、パラ−第三級−ブトキシスチレンであること
を確認した。
分析値及び物性値は実施例１と同じであつた。
ガスクロマトグラフイーによる分析純度は99.9％
であつた。
ガスクロマトグラフイーによる分析純度は99.9％
であつた。
ハ） 発明の効果
パラ−第三級−ブトキシスチレンの合成法にお
いて、本発明の合成法は従来の合成法に比べ、次
の点ですぐれた効果がもたらされる。
いて、本発明の合成法は従来の合成法に比べ、次
の点ですぐれた効果がもたらされる。
すなわち、本発明の合成法は、従来の合成法で
は、高価であり、原料の一つとして入手困難であ
り、しかも操作上の安全性でも問題のある過安息
香酸−第三級−ブチルエステルを使用するのに対
し、使用する原料が安価であり、容易な操作で目
的物を高純度、高収率で得ることができる。
は、高価であり、原料の一つとして入手困難であ
り、しかも操作上の安全性でも問題のある過安息
香酸−第三級−ブチルエステルを使用するのに対
し、使用する原料が安価であり、容易な操作で目
的物を高純度、高収率で得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 （X1はハロゲン原子を示す）で表わされるパ
ラ−第三級−ブトキシフエニルハライドを金属マ
グネシウムと反応させ、 一般式 で表わされるパラ−第三級−ブトキシフエニルマ
グネシウムハライドとし、これをニツケルホスフ
イン錯体触媒の存在下に、 一般式 CH2＝CHX2 （X2はハロゲン原子を示す）で表わされるビ
ニルハライドを作用させることを特徴とする、 で表わされるパラ−第三級−ブトキシスチレンの
合成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26399587A JPH01106835A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | パラー第三級−ブトキシスチレンの合成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26399587A JPH01106835A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | パラー第三級−ブトキシスチレンの合成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106835A JPH01106835A (ja) | 1989-04-24 |
| JPH0471896B2 true JPH0471896B2 (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=17397082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26399587A Granted JPH01106835A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | パラー第三級−ブトキシスチレンの合成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01106835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4546050A1 (en) | 2023-10-23 | 2025-04-30 | Valstybinis Moksliniu Tyrimu Institutas Fiziniu Ir Technologijos Mokslu Centras | Method for patterning graphene layers through photolithography for a scalable fabrication of graphene devices |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3585277B2 (ja) * | 1994-12-05 | 2004-11-04 | 本州化学工業株式会社 | スチレン誘導体の製造方法 |
| US6472567B2 (en) | 1998-01-30 | 2002-10-29 | Tosoh Corporation | Process for the production of styrene compound, and styrene compound free from biphenyl |
| US6479709B1 (en) * | 1998-01-30 | 2002-11-12 | Tosoh Corporation | Process for the production of styrene derivative |
| US6433118B1 (en) | 1998-10-15 | 2002-08-13 | Mitsui Chemicals, Inc. | Copolymer, a manufacturing process therefor and a solution containing thereof |
| JP4238405B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2009-03-18 | 東ソー株式会社 | 置換スチレン誘導体又は置換ビアリール誘導体の製造方法 |
| JP2003055285A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-26 | Hokko Chem Ind Co Ltd | ４−ｔｅｒｔ−ブトキシ−４’−ハロゲノビフェニルおよびその製法、並びに４−ハロゲノ−４’−ヒドロキシビフェニルの製法 |
| JP2007084563A (ja) * | 2006-11-06 | 2007-04-05 | Tosoh Corp | オキシスチレン誘導体の蒸留方法 |
| JP7509573B2 (ja) * | 2019-08-27 | 2024-07-02 | 東ソー・ファインケム株式会社 | 多置換エーテル性置換基を有するオキシスチレン化合物の製造方法 |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP26399587A patent/JPH01106835A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4546050A1 (en) | 2023-10-23 | 2025-04-30 | Valstybinis Moksliniu Tyrimu Institutas Fiziniu Ir Technologijos Mokslu Centras | Method for patterning graphene layers through photolithography for a scalable fabrication of graphene devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01106835A (ja) | 1989-04-24 |
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