JPH0472749A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0472749A JPH0472749A JP2186283A JP18628390A JPH0472749A JP H0472749 A JPH0472749 A JP H0472749A JP 2186283 A JP2186283 A JP 2186283A JP 18628390 A JP18628390 A JP 18628390A JP H0472749 A JPH0472749 A JP H0472749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- insulating film
- organic insulating
- alloy
- wiring circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
二の発明は、樹脂封止型マルチチップパッケージ（以下
は単にマルチチンプパッケージと言う）用のリードフレ
ームに関するものである。
は単にマルチチンプパッケージと言う）用のリードフレ
ームに関するものである。
従来のマルチチップパッケージ内のグイパッド部の構造
は、大別して５種類ある。その断面構造を第２図乃至第
６図に示す。
は、大別して５種類ある。その断面構造を第２図乃至第
６図に示す。
第２図は、リードフレーム１のダイパッド２上に接着剤
３′を用いてプリント配線基板４を貼り、その基板４上
に素子５を搭載して基板上の配線回路６と素子５及び配
線回路６とリードフレームのリード部をボンディングワ
イヤ７で接続してある。
３′を用いてプリント配線基板４を貼り、その基板４上
に素子５を搭載して基板上の配線回路６と素子５及び配
線回路６とリードフレームのリード部をボンディングワ
イヤ７で接続してある。
第３図は、第２図のプリント配線基板４に代えてダイパ
ッド上に厚膜セラミック基板８を接着したもの、第４図
はダイパッドを用いずに両面実装厚膜セラミック基板８
′を採用したもの（図中９はスルーホール）、第５図は
リードフレームの一部を配線回路６として使用するもの
、第６図はダイパッド２上にセラミック１１１１０を形
成してその上に配線回路６を形成し、素子５を搭載する
ものである。
ッド上に厚膜セラミック基板８を接着したもの、第４図
はダイパッドを用いずに両面実装厚膜セラミック基板８
′を採用したもの（図中９はスルーホール）、第５図は
リードフレームの一部を配線回路６として使用するもの
、第６図はダイパッド２上にセラミック１１１１０を形
成してその上に配線回路６を形成し、素子５を搭載する
ものである。
マルチチップパッケージ用リードフレーム（特にそのグ
イバンド部）は、下記の特性を満たすことが要求される
。
イバンド部）は、下記の特性を満たすことが要求される
。
１）形状・・・・・・最終封止側である樹脂との間に生
しる応力を極力緩和するために肉厚が 薄い。
しる応力を極力緩和するために肉厚が 薄い。
２）耐熱性・・・・・・素子搭載、ワイヤーボンディン
グ等のプロセスに耐える耐熱性を持つ。
グ等のプロセスに耐える耐熱性を持つ。
３）熱放散性・・・・・・素子に生じた熱を効率良く逃
がすために良好な熱放散性を持つ。
がすために良好な熱放散性を持つ。
４）高密度配線・・・・・・小型化の面で高密度配線が
可能。
可能。
５）広範囲グランド・・・・・・ノイズに対する安定性
確保のために広範囲にグランドがとれ る。
確保のために広範囲にグランドがとれ る。
６）適性コスト。
この要求に対し、従来技術では要求の全てを満たし得て
いない。
いない。
即ち、第２図の構造は、ダイパッド部に接着剤を使用し
ているため、耐熱性に劣る。また、接着剤層が絶縁層の
層厚を増加させるので熱放散性も悪い、加えて接着剤の
不純物による悪影響があるなど信頼性に問題がある。
ているため、耐熱性に劣る。また、接着剤層が絶縁層の
層厚を増加させるので熱放散性も悪い、加えて接着剤の
不純物による悪影響があるなど信頼性に問題がある。
第３図の構造も、第２図と同様の欠点が見られる。また
、この構造は、素子搭載部が非常に厚くなる。
、この構造は、素子搭載部が非常に厚くなる。
その他の構造は接着剤層が存在しないが、第４図の構造
は、素子搭載部が非常に厚く、熱放散性も悪い。
は、素子搭載部が非常に厚く、熱放散性も悪い。
また、第５図の構造はリードフレームの一部を配線に利
用しているので配線の幅、間隔を縮小できず、高密度実
装、配線設計に制約がある。
用しているので配線の幅、間隔を縮小できず、高密度実
装、配線設計に制約がある。
さらに、第６図の構造は、薄膜セラミンク層を気相プロ
セスで形成するのでコスト高となる。
セスで形成するのでコスト高となる。
この発明は、従来のリードフレームに見られる前述の問
題点を無くして高信鯨、低コストのマルチチップパッケ
ージ用リードフレームを実現することをａｔ１５１とし
ている。
題点を無くして高信鯨、低コストのマルチチップパッケ
ージ用リードフレームを実現することをａｔ１５１とし
ている。
上記の課題を解決するため、この発明においては、第１
図に示すように、グイバンド２上に有機絶縁膜３を接着
剤を用いずに直接形成し、その上に物理的気相成膜法Ｃ
Ｐ Ｖ Ｄ法）による配線回路６を形成する。
図に示すように、グイバンド２上に有機絶縁膜３を接着
剤を用いずに直接形成し、その上に物理的気相成膜法Ｃ
Ｐ Ｖ Ｄ法）による配線回路６を形成する。
このリードフレームのフレーム材質は、Ｃｕ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金が好ましい。
−Ｎｉ合金、又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金が好ましい。
また、有機絶縁膜はポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ
フェニレンサルファイド、ポリスルホン、ポリパラバン
酸もしくはこれ等に無機物フィラーを混合したものなど
がよい。
リエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ
フェニレンサルファイド、ポリスルホン、ポリパラバン
酸もしくはこれ等に無機物フィラーを混合したものなど
がよい。
１さらに、配線回路の構成金属はＡｎ、Ｃｕのいずれか
が良い。
が良い。
ｌ）有機絶縁膜は１〜１００μの厚さであり、接着剤層
も存在しないので、ダイパッド部の全体厚みを薄くし得
る。
も存在しないので、ダイパッド部の全体厚みを薄くし得
る。
２） 接着剤層が無いので、フレーム全体の耐熱性が有
機絶縁膜３の耐熱性で決まる。従って、この有機絶縁膜
を耐熱性に優れる前述のポリイミド樹脂等で形成すれば
、エポキシ系接着剤を用いている他のリードフレームに
比して耐熱性が向上する。
機絶縁膜３の耐熱性で決まる。従って、この有機絶縁膜
を耐熱性に優れる前述のポリイミド樹脂等で形成すれば
、エポキシ系接着剤を用いている他のリードフレームに
比して耐熱性が向上する。
これは表１の熱変形温度を見るとよく判る。
表１
３）第７図に示すような回転対称のモデルを用いて有機
絶縁膜をポリイミド樹脂のみで形成した場合（ｔ−５（
ｌａｗ）と、ポリイミド樹脂フィルム＋エポキシ系接着
剤で形成した場合（ｔ ＝ １５０ａｍ）の有機絶縁膜
の熱抵抗を表２に示す。
絶縁膜をポリイミド樹脂のみで形成した場合（ｔ−５（
ｌａｗ）と、ポリイミド樹脂フィルム＋エポキシ系接着
剤で形成した場合（ｔ ＝ １５０ａｍ）の有機絶縁膜
の熱抵抗を表２に示す。
表２
この表から、有機絶縁膜の厚さによって熱放散性が左右
されることが判るが、本発明では接着剤が無く、有機絶
縁膜を薄くし得るため、熱放散性が向上する。
されることが判るが、本発明では接着剤が無く、有機絶
縁膜を薄くし得るため、熱放散性が向上する。
４） マスクを用いてＰＶＤ法で配線回路を形成するの
で、低コストでの高密度配線が可能。
で、低コストでの高密度配線が可能。
５） ダイパッド部をグランドとして利用できるので、
グランドを広範囲にとることが可能。
グランドを広範囲にとることが可能。
６） 有機絶縁膜は気相プロセスによる必要がないので
、コストアンプを招かない。
、コストアンプを招かない。
Ｃｕ合金リードフレームのダイパッド上に、ポリイミド
前駆体をスクリーン印刷法で塗布し、Ｎ！雰囲気下で焼
きつけてＬｏｗ厚のポリイミド絶縁膜を形成した。
前駆体をスクリーン印刷法で塗布し、Ｎ！雰囲気下で焼
きつけてＬｏｗ厚のポリイミド絶縁膜を形成した。
次に、溶融／ｌを寥着源として電子銃による電子線加熱
でイオンブレーティングを行い、薄膜ポリイミド絶縁膜
上にＡＮ配線回路を形成した。そして、このようにして
得られた第１図の構造の本発明のリードフレームと、ダ
イパッド上にポリイミドプリント配線基板を接着剤で貼
った第２図の構造の従来品の耐熱性を比較した。その結
果を表３に示す。
でイオンブレーティングを行い、薄膜ポリイミド絶縁膜
上にＡＮ配線回路を形成した。そして、このようにして
得られた第１図の構造の本発明のリードフレームと、ダ
イパッド上にポリイミドプリント配線基板を接着剤で貼
った第２図の構造の従来品の耐熱性を比較した。その結
果を表３に示す。
表３
〔効果〕
以上説明したように、この発明のリードフレームは、形
状（厚さ）、耐熱性、熱放散性、高密度配線、広範囲グ
ランド、コストのいずれについても優れており、従って
、これ等の特性をもれ無く満すことが望まれるマルチチ
ップパッケージに利用すると、当該パッケージの品質及
び信頼性の向上に寄与できる。
状（厚さ）、耐熱性、熱放散性、高密度配線、広範囲グ
ランド、コストのいずれについても優れており、従って
、これ等の特性をもれ無く満すことが望まれるマルチチ
ップパッケージに利用すると、当該パッケージの品質及
び信頼性の向上に寄与できる。
第１図はこの発明のリードフレームの要部を使用状態に
して示す断面図、第２図乃至第６図は従来のリードフレ
ームの使用状態におけるダイパ・ノド部の断面図、第７
図は熱抵抗の計重に用いたモデルの断面図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・ダイパ
ッド、３・・・・・・有機絶縁膜、 ５・・・・・・
素子、６・・・・・・配線回路、 ７・・・・・・ボンディングワイヤ。 特許出願人 住友電気工業株式会社 同 代理人 鎌 田 文 ほか２名 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 軸対称モデル
して示す断面図、第２図乃至第６図は従来のリードフレ
ームの使用状態におけるダイパ・ノド部の断面図、第７
図は熱抵抗の計重に用いたモデルの断面図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・ダイパ
ッド、３・・・・・・有機絶縁膜、 ５・・・・・・
素子、６・・・・・・配線回路、 ７・・・・・・ボンディングワイヤ。 特許出願人 住友電気工業株式会社 同 代理人 鎌 田 文 ほか２名 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 軸対称モデル
Claims (4)
- （１）ダイパッド上に有機絶縁膜を直接形成し、その上
に物理的気相成膜法による配線回路を形成してあるリー
ドフレーム。 - （２）フレーム材質がＣｕ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、又は
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金である請求項（１）記載のリード
フレーム。 - （３）有機絶縁膜がポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ
フェニレンサルファイド、ポリスルホン、ポリパラバン
酸もしくはこれ等に無機物フィラーを混合したものであ
る請求項（１）又は（２）に記載のリードフレーム。 - （４）配線回路の構成金属がＡｌ又はＣｕである請求項
（１）、（２）又は（３）に記載のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186283A JPH0472749A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186283A JPH0472749A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472749A true JPH0472749A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16185597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2186283A Pending JPH0472749A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472749A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5483740A (en) * | 1994-05-26 | 1996-01-16 | Ak Technology, Inc. | Method of making homogeneous thermoplastic semi-conductor chip carrier package |
| KR100229222B1 (ko) * | 1996-06-19 | 1999-11-01 | 유무성 | 엘오씨 패키지 |
| US6876910B2 (en) | 1998-09-30 | 2005-04-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electric power steering system |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2186283A patent/JPH0472749A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5483740A (en) * | 1994-05-26 | 1996-01-16 | Ak Technology, Inc. | Method of making homogeneous thermoplastic semi-conductor chip carrier package |
| KR100229222B1 (ko) * | 1996-06-19 | 1999-11-01 | 유무성 | 엘오씨 패키지 |
| US6876910B2 (en) | 1998-09-30 | 2005-04-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electric power steering system |
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