JPH0473544B2 - - Google Patents
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- JPH0473544B2 JPH0473544B2 JP60065781A JP6578185A JPH0473544B2 JP H0473544 B2 JPH0473544 B2 JP H0473544B2 JP 60065781 A JP60065781 A JP 60065781A JP 6578185 A JP6578185 A JP 6578185A JP H0473544 B2 JPH0473544 B2 JP H0473544B2
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- metal
- sno
- mol
- aqueous solution
- pdcl
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Hydrogen, Water And Hydrids (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
この発明は水素ガス検出素子及びその製法に関
する。 ［従来技術］ 金属酸化物を使用した水素ガス検出素子とし
て、感ガス素子上に水素分子選択透過性膜例えば
燃焼非活性の薄膜を形成してなる水素選択性セン
サが知られている。このようなセンサでは、水素
ガスは薄膜のフイルタを透過しなければならず、
金属酸化物に吸着するまでに時間を要し、応答が
遅れる。また、このセンサはガス検出を比較的高
温で行なうため、金属酸化物中にPdなどの触媒
を含む素子では触媒が早く劣化し機能を失う。 ［発明が解決しようとする問題点］ 従つて、より低温度および／またはより応答時
間の短い水素検出素子の出現が要望される。 ［問題点を解決するための手段］ 従来、諸種の装置から排出される排ガス中の一
酸化炭素ガスを選択的に検出するための一酸化炭
素ガス検出装置及びその製法は例えば特開昭59−
119249号公報から既知である。この特開昭公報記
載の方法では酸化第２スズと酸化第２スズに対し
て２〜10モル％の白金含有塩化白金酸水溶液との
混合物を凍結乾燥したものに酸化第２スズに対し
て２〜８モル％のオキシ塩化アンチモンを添加し
た混合物を有機溶剤に添加してペーストとし、こ
のペーストを電極付き絶縁体に塗布して空気中で
焼成することによつて、素子を加熱することなく
室温で一酸化炭素を検出できる一酸化炭素ガス検
出装置を製造している。 ところが、この一酸化炭素ガス検出素子を希薄
なシラン系ガス含有雰囲気中で処理すると、水素
を選択的に300℃台の温度で高いSN比で検知でき
る素子が得られることが判明した。しかしこの素
子の場合には水素に対する応答時間は200℃〜400
℃の素子動作温度で100〜150秒であつたが、この
素子に塩化パラジウムをも添加することにより、
水素ガスの選択性が高く、且つ応答時間が50秒以
内に短縮できる素子が得られることが判明した。 従つて、この発明はPd／Sn＝0.1〜８モル％、
Pt／Sn‐0.5〜８モル％、Sb／Sn比が０〜８モル
％の金属Pdおよび金属Ptまたは金属Pdと金属Pt
およびSb酸化物がSnO2上に分散してなる素子を
500〜5000ppmのシラン系ガス雰囲気中で処理し
て該素子上にSi酸化物を分散させてなる水素ガス
検出素子に関するものである。 さらに、この発明は塩化パラジウム（PdCl2）
水溶液を造り、また、塩化白金酸（H2PtCl6）水
溶液を造り、酸化第２スズにPd／Snが0.1〜８モ
ル％、Pt／Snが0.5〜８モル％となる量の前記塩
化パラジウム水溶液および塩化白金酸水溶液を任
意の順序で添加し、得られた混合液中のSnO2を
好適には超音波で良く分散させた後、乾燥し、乾
燥物にSb／Sn比が０〜８モル％となる量の
SbOClを添加し乳鉢等で充分よく混合、例えば約
30分程度混合した後、これを有機溶剤例えばイソ
プロピルアルコール中のペーストとなして電極を
備えたアルミナ磁器管に塗布し乾燥し、表面に
SnO2とPdCl2およびH2PtCl6またはSnO2と
PdCl2、H2PtCl6およびSbOCl含有層を備えてな
る素子を大気雰囲気中またはアンチモン酸化ガス
雰囲気中で600℃〜850℃で焼成して金属Pdおよ
び金属Ptまたは金属Pd、金属PtおよびSb酸化物
をSnO2上に析出させ、焼成した素子にヒータを
取付け、ヒータで300℃±50℃に加熱して所定時
間空気中でエージングし、得られた素子を300〜
350℃に加熱してシラン系ガスの濃度が500〜
5000ppmの雰囲気中で処理して素子上にさらに
SiO2を分散させることから成る、水素ガス検出
素子の製法にも関する。 ［作用］ PdCl2は水には溶解しにくいから、PdCl2水溶
液を造るには0.2％の塩酸を使用する。塩酸濃度
は単にPdCl2を溶解させる濃度であればよい。塩
化白金酸は純水に溶解する。Pd／SnまたはPt／
Snの量がそれぞれ0.1モル％未満または0.5モル％
未満、あるいはPd／SnまたはPt／Snの量がそれ
ぞれ８モル％より多いと水素検出能が低下するの
で好ましくない。こうして得られたPdCl2と
PtCl6混合液中のSnO2を超音波等により良く分散
させた後、真空凍結乾燥器で−40℃以下で急速凍
結乾燥することにより製品の歩留りが向上する。
真空凍結急速乾燥しなくても素子を製造できる。
この場合は製品の歩留りが低下する。乾燥物とオ
キシ塩化アンチモンとの混合物をペーストとする
ための有機溶剤はイソプロピルアルコールの他に
β−ターピネオール25重量％、ブチルカルビトー
ルアセテート72重量％、エチルセルロース３重量
％の混合溶剤などの有機溶剤を使用でき、ペース
トを塗布するペーストとしては磁器管の他に焼成
に耐えうる管または板状の絶縁体を用いてもよ
い。ペーストの乾燥は数分程度の自然乾燥でも、
恒温槽などで行つてもよい。 アンチモン酸化ガス雰囲気はSbOClまたは
Sb2O30.5〜7.5mg、Sb2O3モル数に換算して２×
10-9〜３×10-8モル／cm3を600〜850℃で５〜30分
程度焼成して作成する。SbOClを7.5mgより多く
使用するとPdおよびPtで被覆されてPdおよびPt
の活性が低下する。大気またはアンチモン酸化ガ
スの雰囲気中での素子の焼成は600〜850℃の温度
で５〜60分間焼成する。600℃未満の温度および
５分未満の時間ではアンチモンをドープできな
い。850℃を超える温度ではPdおよびPtの活性が
低くなり水素を選択的に検出できない。 素子のエージングは素子に取付けたヒータで素
子300±50℃に加熱して空気雰囲気中で12時間以
上加熱することにより行ない、それによつて半導
体層を安定化する。素子のシラン系ガス含有空気
雰囲気中での処理は500〜5000ppmの濃度のジク
ロルシラン（SiH2Cl2）ガス含有空気雰囲気中ま
たはモノシラン（SiH4）ガス含有空気雰囲気中
で素子をヒータにより300〜350℃に５〜45分間加
熱することにより行なう。このシラン系ガス濃度
及び処理時間範囲外では水素検出の感度が低下す
る。さらに素子を300±50℃に空気中で12時間以
上加熱することによつて製品とする。シラン系ガ
ス含有空気雰囲気での処理及びその後の空気中で
の加熱処理を同じ手順で再処理することにより水
素ガスに対する選択性をより高めることができ
る。 この発明では素子を僅少量のシラン系ガスで処
理することにより素子の表面上にSiが分散され
る。また、後記する実施例から明らかなように動
作温度は300℃台で、応答速度は50秒以内である。 以下に実施例を掲げてこの発明を一層詳細に説
明する。以下、特記しない限り実施例を単に例と
記載する。 例１〜例13 第１表に示す量のPdCl2−0.2％塩酸溶液および
純水中H2PtCl6の水溶液をSnO2に順次に添加し、
この混合液中のSnO2を超音波でよく分散させ、
この分散液を−40℃で急速凍結乾燥させた後、真
空凍結乾燥器にセツトして乾燥させる。次にこの
乾燥物にSbOClを表示のSb／Snモル％となる量
を混合して乳鉢で約30分間混合し、この混合物に
イソプロピルアルコールを加えてペースト状とし
たものを電極が取付けられたアルミナ磁器管に塗
布して自然乾燥させる。次にこの素子を2.5mgの
SbOClを焼成して作成したアンチモン酸化ガス雰
囲気の石英管中で700℃で15分間焼成した。焼成
した素子にヒータを取付けた後、このヒータに通
電して300℃に素子を加熱し、そのまま空気中で
12時間エージングし、次いで素子を；例１（比較
例）以外は325℃に加熱してジクロルシラン
100ppm含有空気雰囲気中で10分間１回処理し、
その後300℃に加熱したまま空気中で12時間エー
ジングした。得られた素子を325℃±10℃の温度
で各供試ガス濃度100ppm（常温）含有空気中で測
定したときの電気抵抗値（ｋΩ）およびSN比
（清浄空気中での素子の抵抗値／供試ガス中での
素子の抵抗値）および応答時間（秒）を第１表に
示す。表中、例１はシラン処理しないときの素子
を示す比較例で、例２ないし例13は実施例であ
る。各例２〜例13とも応答時間は30秒以内で、例
２はPdおよびPtの添加量が下限であることを示
し、例13はPd、Pt、Sbの添加量が上限であるこ
とを示す。第１表に示すデータは各例ごとに造つ
たサンプル８個全部のデータの平均値である。 なお、例６のグループのうち１つの素子の各試
料ガスに対する応答特性を第１図に示す。
する。 ［従来技術］ 金属酸化物を使用した水素ガス検出素子とし
て、感ガス素子上に水素分子選択透過性膜例えば
燃焼非活性の薄膜を形成してなる水素選択性セン
サが知られている。このようなセンサでは、水素
ガスは薄膜のフイルタを透過しなければならず、
金属酸化物に吸着するまでに時間を要し、応答が
遅れる。また、このセンサはガス検出を比較的高
温で行なうため、金属酸化物中にPdなどの触媒
を含む素子では触媒が早く劣化し機能を失う。 ［発明が解決しようとする問題点］ 従つて、より低温度および／またはより応答時
間の短い水素検出素子の出現が要望される。 ［問題点を解決するための手段］ 従来、諸種の装置から排出される排ガス中の一
酸化炭素ガスを選択的に検出するための一酸化炭
素ガス検出装置及びその製法は例えば特開昭59−
119249号公報から既知である。この特開昭公報記
載の方法では酸化第２スズと酸化第２スズに対し
て２〜10モル％の白金含有塩化白金酸水溶液との
混合物を凍結乾燥したものに酸化第２スズに対し
て２〜８モル％のオキシ塩化アンチモンを添加し
た混合物を有機溶剤に添加してペーストとし、こ
のペーストを電極付き絶縁体に塗布して空気中で
焼成することによつて、素子を加熱することなく
室温で一酸化炭素を検出できる一酸化炭素ガス検
出装置を製造している。 ところが、この一酸化炭素ガス検出素子を希薄
なシラン系ガス含有雰囲気中で処理すると、水素
を選択的に300℃台の温度で高いSN比で検知でき
る素子が得られることが判明した。しかしこの素
子の場合には水素に対する応答時間は200℃〜400
℃の素子動作温度で100〜150秒であつたが、この
素子に塩化パラジウムをも添加することにより、
水素ガスの選択性が高く、且つ応答時間が50秒以
内に短縮できる素子が得られることが判明した。 従つて、この発明はPd／Sn＝0.1〜８モル％、
Pt／Sn‐0.5〜８モル％、Sb／Sn比が０〜８モル
％の金属Pdおよび金属Ptまたは金属Pdと金属Pt
およびSb酸化物がSnO2上に分散してなる素子を
500〜5000ppmのシラン系ガス雰囲気中で処理し
て該素子上にSi酸化物を分散させてなる水素ガス
検出素子に関するものである。 さらに、この発明は塩化パラジウム（PdCl2）
水溶液を造り、また、塩化白金酸（H2PtCl6）水
溶液を造り、酸化第２スズにPd／Snが0.1〜８モ
ル％、Pt／Snが0.5〜８モル％となる量の前記塩
化パラジウム水溶液および塩化白金酸水溶液を任
意の順序で添加し、得られた混合液中のSnO2を
好適には超音波で良く分散させた後、乾燥し、乾
燥物にSb／Sn比が０〜８モル％となる量の
SbOClを添加し乳鉢等で充分よく混合、例えば約
30分程度混合した後、これを有機溶剤例えばイソ
プロピルアルコール中のペーストとなして電極を
備えたアルミナ磁器管に塗布し乾燥し、表面に
SnO2とPdCl2およびH2PtCl6またはSnO2と
PdCl2、H2PtCl6およびSbOCl含有層を備えてな
る素子を大気雰囲気中またはアンチモン酸化ガス
雰囲気中で600℃〜850℃で焼成して金属Pdおよ
び金属Ptまたは金属Pd、金属PtおよびSb酸化物
をSnO2上に析出させ、焼成した素子にヒータを
取付け、ヒータで300℃±50℃に加熱して所定時
間空気中でエージングし、得られた素子を300〜
350℃に加熱してシラン系ガスの濃度が500〜
5000ppmの雰囲気中で処理して素子上にさらに
SiO2を分散させることから成る、水素ガス検出
素子の製法にも関する。 ［作用］ PdCl2は水には溶解しにくいから、PdCl2水溶
液を造るには0.2％の塩酸を使用する。塩酸濃度
は単にPdCl2を溶解させる濃度であればよい。塩
化白金酸は純水に溶解する。Pd／SnまたはPt／
Snの量がそれぞれ0.1モル％未満または0.5モル％
未満、あるいはPd／SnまたはPt／Snの量がそれ
ぞれ８モル％より多いと水素検出能が低下するの
で好ましくない。こうして得られたPdCl2と
PtCl6混合液中のSnO2を超音波等により良く分散
させた後、真空凍結乾燥器で−40℃以下で急速凍
結乾燥することにより製品の歩留りが向上する。
真空凍結急速乾燥しなくても素子を製造できる。
この場合は製品の歩留りが低下する。乾燥物とオ
キシ塩化アンチモンとの混合物をペーストとする
ための有機溶剤はイソプロピルアルコールの他に
β−ターピネオール25重量％、ブチルカルビトー
ルアセテート72重量％、エチルセルロース３重量
％の混合溶剤などの有機溶剤を使用でき、ペース
トを塗布するペーストとしては磁器管の他に焼成
に耐えうる管または板状の絶縁体を用いてもよ
い。ペーストの乾燥は数分程度の自然乾燥でも、
恒温槽などで行つてもよい。 アンチモン酸化ガス雰囲気はSbOClまたは
Sb2O30.5〜7.5mg、Sb2O3モル数に換算して２×
10-9〜３×10-8モル／cm3を600〜850℃で５〜30分
程度焼成して作成する。SbOClを7.5mgより多く
使用するとPdおよびPtで被覆されてPdおよびPt
の活性が低下する。大気またはアンチモン酸化ガ
スの雰囲気中での素子の焼成は600〜850℃の温度
で５〜60分間焼成する。600℃未満の温度および
５分未満の時間ではアンチモンをドープできな
い。850℃を超える温度ではPdおよびPtの活性が
低くなり水素を選択的に検出できない。 素子のエージングは素子に取付けたヒータで素
子300±50℃に加熱して空気雰囲気中で12時間以
上加熱することにより行ない、それによつて半導
体層を安定化する。素子のシラン系ガス含有空気
雰囲気中での処理は500〜5000ppmの濃度のジク
ロルシラン（SiH2Cl2）ガス含有空気雰囲気中ま
たはモノシラン（SiH4）ガス含有空気雰囲気中
で素子をヒータにより300〜350℃に５〜45分間加
熱することにより行なう。このシラン系ガス濃度
及び処理時間範囲外では水素検出の感度が低下す
る。さらに素子を300±50℃に空気中で12時間以
上加熱することによつて製品とする。シラン系ガ
ス含有空気雰囲気での処理及びその後の空気中で
の加熱処理を同じ手順で再処理することにより水
素ガスに対する選択性をより高めることができ
る。 この発明では素子を僅少量のシラン系ガスで処
理することにより素子の表面上にSiが分散され
る。また、後記する実施例から明らかなように動
作温度は300℃台で、応答速度は50秒以内である。 以下に実施例を掲げてこの発明を一層詳細に説
明する。以下、特記しない限り実施例を単に例と
記載する。 例１〜例13 第１表に示す量のPdCl2−0.2％塩酸溶液および
純水中H2PtCl6の水溶液をSnO2に順次に添加し、
この混合液中のSnO2を超音波でよく分散させ、
この分散液を−40℃で急速凍結乾燥させた後、真
空凍結乾燥器にセツトして乾燥させる。次にこの
乾燥物にSbOClを表示のSb／Snモル％となる量
を混合して乳鉢で約30分間混合し、この混合物に
イソプロピルアルコールを加えてペースト状とし
たものを電極が取付けられたアルミナ磁器管に塗
布して自然乾燥させる。次にこの素子を2.5mgの
SbOClを焼成して作成したアンチモン酸化ガス雰
囲気の石英管中で700℃で15分間焼成した。焼成
した素子にヒータを取付けた後、このヒータに通
電して300℃に素子を加熱し、そのまま空気中で
12時間エージングし、次いで素子を；例１（比較
例）以外は325℃に加熱してジクロルシラン
100ppm含有空気雰囲気中で10分間１回処理し、
その後300℃に加熱したまま空気中で12時間エー
ジングした。得られた素子を325℃±10℃の温度
で各供試ガス濃度100ppm（常温）含有空気中で測
定したときの電気抵抗値（ｋΩ）およびSN比
（清浄空気中での素子の抵抗値／供試ガス中での
素子の抵抗値）および応答時間（秒）を第１表に
示す。表中、例１はシラン処理しないときの素子
を示す比較例で、例２ないし例13は実施例であ
る。各例２〜例13とも応答時間は30秒以内で、例
２はPdおよびPtの添加量が下限であることを示
し、例13はPd、Pt、Sbの添加量が上限であるこ
とを示す。第１表に示すデータは各例ごとに造つ
たサンプル８個全部のデータの平均値である。 なお、例６のグループのうち１つの素子の各試
料ガスに対する応答特性を第１図に示す。
【表】
【表】
例 14
SiH2Cl2での処理を第１回目に1000ppmで10分
間行ない、第２回目に1000ppmで10分間行なつた
以外は例２〜例13と同様に操作した。後記第２表
に得られた素子の性能を例１および例３の素子と
対比して示す。第２表において、例３に比べ例４
では水素ガスのSN比が大巾に向上としているの
に対し、他のガスのSN比は低下しており、水素
選択性が顕著に向上したことを示す。測定時の素
子温度は325℃±10℃である。 例 15 例15はオキシ塩化アンチモンを添加せず、また
オキシ塩化アンチモン酸化雰囲気中での処理をし
ない以外は例２〜例13と同様に操作した素子の製
造例を示す。例15の素子の応答時間は37秒と例２
〜例13の素子よりやや遅いが、なおPt単独添加
の場合より遥かに迅速であり、また、水素選択性
も良好である。例14および例15の素子の製造条件
および性能を第２表に示す。
間行ない、第２回目に1000ppmで10分間行なつた
以外は例２〜例13と同様に操作した。後記第２表
に得られた素子の性能を例１および例３の素子と
対比して示す。第２表において、例３に比べ例４
では水素ガスのSN比が大巾に向上としているの
に対し、他のガスのSN比は低下しており、水素
選択性が顕著に向上したことを示す。測定時の素
子温度は325℃±10℃である。 例 15 例15はオキシ塩化アンチモンを添加せず、また
オキシ塩化アンチモン酸化雰囲気中での処理をし
ない以外は例２〜例13と同様に操作した素子の製
造例を示す。例15の素子の応答時間は37秒と例２
〜例13の素子よりやや遅いが、なおPt単独添加
の場合より遥かに迅速であり、また、水素選択性
も良好である。例14および例15の素子の製造条件
および性能を第２表に示す。
【表】
なお、例４のグループの素子についてSiの分散
量を計算したところ0.5重量％と推定される。 また、例14のグループのうち１つの素子につい
て素子表面のPtとPdとSiの分散状態について、
エレクトロン・プローブ・マイクロアナライザー
によつて3000倍で測定した。その結果、SnO2上
にPtとPdが分散され（PtはSnに対し0.5モル％と
微量であるため分散は僅かであつた）ており、Si
はPdとPtの分散状態とほとんど対応するような
形で分散されていることが確認された。従つて、
Siのかなりの部分は第２図のモデル図に示すよう
にPdとPtの表面に分散されているものと推測さ
れる。この結果、水素以外のガスと素子表面との
電子の授受が非常に行なわれ難くなつてSN比が
低下し、逆に水素ガスは素子表面への吸着ならび
に電子の授受がスムーズに行なわれるのでSN比
が向上しかつ応答が早いものと思考される。
量を計算したところ0.5重量％と推定される。 また、例14のグループのうち１つの素子につい
て素子表面のPtとPdとSiの分散状態について、
エレクトロン・プローブ・マイクロアナライザー
によつて3000倍で測定した。その結果、SnO2上
にPtとPdが分散され（PtはSnに対し0.5モル％と
微量であるため分散は僅かであつた）ており、Si
はPdとPtの分散状態とほとんど対応するような
形で分散されていることが確認された。従つて、
Siのかなりの部分は第２図のモデル図に示すよう
にPdとPtの表面に分散されているものと推測さ
れる。この結果、水素以外のガスと素子表面との
電子の授受が非常に行なわれ難くなつてSN比が
低下し、逆に水素ガスは素子表面への吸着ならび
に電子の授受がスムーズに行なわれるのでSN比
が向上しかつ応答が早いものと思考される。
第１図はこの発明による水素ガス検知素子の１
実施例の応答特性図、第２図はSiの分散状態を示
すモデル図である。
実施例の応答特性図、第２図はSiの分散状態を示
すモデル図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 原料化合物比でPd／Sn＝0.1〜８モル％、
Pt／Sn＝0.5〜８モル％、Sb／Sn＝０〜８モル％
の量の金属Ptおよび金属Pdまたは金属Pt、金属
Pd及びSb酸化物がSnO2上に分散してなる素子を
500〜5000ppmのシラン系ガス雰囲気中で処理し
てなる該素子上にさらにSi酸化物を分散させてな
る水素ガス検出素子。 ２ 塩化パラジウム（PdCl2）水溶液と塩化白金
酸（H2PtCl6）水溶液とをそれぞれ造り、酸化第
２スズ（SnO2）にPd／Snが0.1〜８モル％、
Pt／Snが0.5〜８モル％となる量の前記塩化パラ
ジウム水溶液および塩化白金酸水溶液を任意の順
序で添加し、得られた混合液中のSnO2を良く分
散させた後乾燥し、乾燥物にSb／Snが０〜８モ
ル％となる量のオキシ塩化アンチモン（SbOCl）
を添加混合した後、これを有機溶媒中のペースト
となして電極を備えたアルミナ磁器管に塗布して
乾燥し、表面にSnO2とPdCl2とH2PtCl6または
SnO2とPdCl2とH2PtCl6およびSbOCl含有層を備
えてなる素子を大気雰囲気中またはアンチモン酸
化ガス雰囲気中で焼成してSnO2上に金属Pdと金
属Ptまたは金属Pdと金属PtおよびSb酸化物とを
析出させ、焼成した素子にヒータを取付け、ヒー
タで300℃±50℃に加熱して所定時間空気中でエ
ージングし、得られた素子を300〜350℃に加熱し
てシラン系ガスの濃度が500〜5000ppmの雰囲気
中で処理して素子上にさらにSi酸化物を分散させ
ることから成る、水素ガス検出素子の製法。 ３ SnO2を良く分散させた後の乾燥は急速凍結
乾燥である特許請求の範囲第２項記載の水素ガス
検出素子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6578185A JPS61223643A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 水素ガス検出素子及びその製法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6578185A JPS61223643A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 水素ガス検出素子及びその製法 |
| EP86113291A EP0261275B1 (en) | 1985-03-29 | 1986-09-26 | A hydrogen gas detecting element and method of producing same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61223643A JPS61223643A (ja) | 1986-10-04 |
| JPH0473544B2 true JPH0473544B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=26102569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6578185A Granted JPS61223643A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 水素ガス検出素子及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61223643A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4532671B2 (ja) * | 1999-06-01 | 2010-08-25 | 新コスモス電機株式会社 | 水素ガス検知素子 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5254497A (en) * | 1975-10-28 | 1977-05-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Preparation process for combustible gas detecting elements |
| JPS5499697A (en) * | 1978-01-24 | 1979-08-06 | Asahi Glass Co Ltd | Gas sensing body for reductive gas |
| US4225559A (en) * | 1979-01-22 | 1980-09-30 | Ford Motor Company | Ceramic element sensor |
| JPS55129741A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-07 | Anritsu Corp | Detector for external atmosphere |
| JPS6050446A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-20 | Nohmi Bosai Kogyo Co Ltd | ガス検出素子とその製造方法 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6578185A patent/JPS61223643A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61223643A (ja) | 1986-10-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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