JPH0446475B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0446475B2
JPH0446475B2 JP17041085A JP17041085A JPH0446475B2 JP H0446475 B2 JPH0446475 B2 JP H0446475B2 JP 17041085 A JP17041085 A JP 17041085A JP 17041085 A JP17041085 A JP 17041085A JP H0446475 B2 JPH0446475 B2 JP H0446475B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
heating block
die
semiconductor laser
holder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP17041085A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6230394A (ja
Inventor
Masashi Nishizaki
Mamoru Okanishi
Hisaaki Kojima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP17041085A priority Critical patent/JPS6230394A/ja
Publication of JPS6230394A publication Critical patent/JPS6230394A/ja
Publication of JPH0446475B2 publication Critical patent/JPH0446475B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Die Bonding (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、半導体レーザー組立装置、特に半導
体レーザーダイオードの組立工程で最も重要なレ
ーザーペレツトをダイボンドするワークの固定構
造に関するものである。
<発明の概要> 半導体レーザー組立装置において、レーザーペ
レツトのダイボンド工程は、レーザーペレツトを
正確にワークの基準面に対してダイボンドを行な
う必要がある。本発明は、ダイボンド工程時にワ
ークを加熱するための加熱ブロツクを利用して、
加熱ブロツクにワークの位置決め用部位を形成
し、ワンタツチでワークを位置決め固定するもの
である。
<従来の技術> 半導体レーザーダイオードのレーザ光は、その
性格上、完成品の組立基準に対してレーザー光の
放射方向に高い精度がされる。従つて、レーザペ
レツトのダイボンド工程において、コレツトに吸
着されたペレツトが正確に位置が出ていることも
重要であるが、ワーク側の固定も正確である必要
がある。
従来、手動によりワークを固定し、コレツトの
端面をワークのダイボンド面に押し付け、コレツ
トの跡を付け、その形状によつて低い部分を上
げ、コレツトの端面に対してダイボンド面が水平
になるように、数回同じことを行なつている。
<発明が解決しようとする問題点> 以上、従来の半導体レーザー組立装置は、最も
重要なダイボンド工程の一部が手動で、装置の自
動化の妨げとなつているとともに、この工程に時
間を要し、また作業者によりバラツキが生じて均
一に高い精度を得ることは困難であつた。
本発明は、自動ダイボンドを可能とし、かつ放
射方向に高い精度が得られる半導体レーザー組立
装置を提供することを目的とする。
<問題点を解決するための手段> 通常、ダイボンド工程時、加熱ブロツクをワー
クに押し当てワークを加熱するが、本発明はこの
加熱ブロツクを利用し、加熱ブロツクにワークの
位置決め用部位を形成している。
<作 用> 上記の構造により、ワークを加熱するため、ワ
ークに加熱ブロツクを押し当てたとき、同時にワ
ークも位置決めして固定されることとなり、ワン
タツチでコレツトの端面に対してダイボンド面が
水平になるようにできる。
<実施例> 以下第1図乃至第3図に従つて本発明の一実施
例を説明する。
第1図において、ワーク(リング)1は他部か
ら自動供給されたものであつて、ホルダー2のガ
イドピン3,3により保持され、ワーク1のxy
軸平面に対するx軸方向の位置合せが行なわれ
る。ワーク1を加熱する加熱ブロツク4はワーク
1に対向してそのy軸方向に配置固定されてお
り、ここには後述するワーク1の位置決め用部位
として2つの基準面4A,4Bが形成されてい
る。
まず、ワーク1を保持したホルダー2は、第1
図の矢印Qのように、加熱ブロツク4に対してや
や下方から移動して、ワーク1のダイヤボンド面
1aの両サイドにある加工面1b,1bが加熱ブ
ロツク4の基準面4Aに押し当てられる。すなわ
ち、これが第2図の状態であつて、ダイボンド面
1aと同一加工面である両サイドの加工面1b,
1bを利用して、いわゆるワーク1の“水平出
し”が行なわれる。
次に、第2図の矢印のように、ホルダー2をy
軸方向にそのまま移動する。すると、第3図のよ
うに、これも精度よく加工されているワーク1の
上端面1cが加熱ブロツク4の基準面4Bに押し
当てられることとなり、ワーク1の“垂直出し”
が行なわれる。そして同時に、ワーク1のxy軸
平面におけるy軸方向の位置合せも行なわれる。
上記によつて、ワーク1のダイボンド面1aは
xy軸方向の所定の位置に配置されるとともに、
加熱ブロツク4の基準面4A,4Bによつてレー
ザーペレツトを吸着するコレツト端面が水平とな
り、レーザペレツトは正確にワーク1の準面にダ
イボンドされる。そして、このダイボンド時、位
置合せした加熱ブロツク4がそのままワーク1の
加熱手段として使用され、一連工程の自動化装置
を可能にする。
<発明の効果> 以上のように本発明によれば、半導体レーザー
ペレツトのダイボンド工程時に、ホルダーに保持
されたワークに押し当てワークを加熱するための
加熱ブロツクに、ワークの位置決め用部位を形成
したものであつて、ワークの位置決め及び半導体
レーザーペレツトのダイボンドの一連工程の自動
化を実現して、かつ放射方向に高い精度が得られ
る半導体レーザー組立装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は本発明の一実施例における
組立装置それぞれ異なる状態時を示す斜視図であ
る。 1…ワーク、2…ホルダー、4…加熱ブロツ
ク、4A,4B…基準面。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 半導体レーザーペレツトをダイボンドするワ
    ーク、該ワークを保持するホルダー、前記レーザ
    ペレツトのダイボンド工程時に前記ホルダーに保
    持された前記ワークに押し当て前記ワークを加熱
    するための加熱ブロツクを備え、前記加熱ブロツ
    クに前記ホルダーに保持されたワークの位置決め
    用部位を形成してなることを特徴とする半導体レ
    ーザー組立装置。
JP17041085A 1985-07-31 1985-07-31 半導体レ−ザ−組立装置 Granted JPS6230394A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17041085A JPS6230394A (ja) 1985-07-31 1985-07-31 半導体レ−ザ−組立装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP17041085A JPS6230394A (ja) 1985-07-31 1985-07-31 半導体レ−ザ−組立装置

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Publication Number Publication Date
JPS6230394A JPS6230394A (ja) 1987-02-09
JPH0446475B2 true JPH0446475B2 (ja) 1992-07-30

Family

ID=15904406

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JP17041085A Granted JPS6230394A (ja) 1985-07-31 1985-07-31 半導体レ−ザ−組立装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0737911A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子のダイボンド装置、及びダイボンド方法
US7968394B2 (en) 2005-12-16 2011-06-28 Freescale Semiconductor, Inc. Transistor with immersed contacts and methods of forming thereof
CN112713497B (zh) * 2019-10-25 2022-06-14 潍坊华光光电子有限公司 一种半导体激光器用模条固定载具

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JPS6230394A (ja) 1987-02-09

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