JPH0474483A - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

Info

Publication number
JPH0474483A
JPH0474483A JP2189917A JP18991790A JPH0474483A JP H0474483 A JPH0474483 A JP H0474483A JP 2189917 A JP2189917 A JP 2189917A JP 18991790 A JP18991790 A JP 18991790A JP H0474483 A JPH0474483 A JP H0474483A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor light
light emitting
resin
emitted
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2189917A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2792722B2 (ja
Inventor
Kazuyoshi Hasegawa
長谷川　和義
Masayuki Kubota
雅之 久保田
Mitsuo Ishii
光男 石井
Seiichi Nagai
永井　精一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2189917A priority Critical patent/JP2792722B2/ja
Priority to DE9090124199T priority patent/DE69001548T2/de
Priority to EP90124199A priority patent/EP0466975B1/en
Priority to US07/724,460 priority patent/US5105237A/en
Priority to KR1019910012007A priority patent/KR950000112B1/ko
Publication of JPH0474483A publication Critical patent/JPH0474483A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2792722B2 publication Critical patent/JP2792722B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/853—Encapsulations characterised by their shape
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4212—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element being a coupling medium interposed therebetween, e.g. epoxy resin, refractive index matching material, index grease, matching liquid or gel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光デイスク装置の光ピツクアップ、光通信
用モジュール等に用いられる半導体発光装置の構造に関
する。
〔従来の技術〕
従来の半導体発光装置の一般的な構成は、ステムにヒー
トシンクブロックを取付け、これに半導体発光素子を取
付け、これらをステムに結合された中空容器て覆い、中
空容器に形成したガラス窓を通して光を出射するように
なっている。この構成によれば発光素子をハーメチック
シールされた安定した雰囲気で動作させることができる
。
このような半導体発光装置を耐環境性や製造面やコスト
面て検討すると、よりいっそう有利な構成のものとして
樹脂モールド形式のものとすることか考えられる。例え
ば、第２図に示すように。
半導体発光素子１を８１サブマウント２．ヒートシンク
フロック３を介して７基板４に取付け、透明樹脂５によ
って基板４上に樹脂廚止してしまうのである。半導体発
光素子ｌがらの出射光６は、透明樹脂５を通って出てく
る。
従来の半導体発光素子を樹脂て包囲した構成のものとし
て、特開昭６３−５５７９号公報に記載された光コネク
タモジュールがある。これは、−面に光フアイバ結合用
の筒体か突出して取付けられ、内部に光半導体素子か収
納される中空部を有する樹脂成型部を備えており、その
樹脂成型部の前記素子周辺の樹脂の光反射率を良好にし
て光フアイバー出射強度を向上させたというものである
。
〔発明か解決しようとする課題〕
第２図に示した半導体発光装置は、半導体発光素子ｌか
らの出射光６か、所望の用途に使用されるか、−静的に
はビームスプリッタ、レンズ、光ファイバー、ガラス板
等の何らかの光学部品を通る。この場合に出射光６には
光強度分布曲線に乱れのないものであることか要求され
る。これは光学系との光の結合に不具合か生しないよう
にするためてあり、光強度分布曲線に乱れかあると、例
えば光を絞るときにうまく絞れないという不具合を生し
るからである。前記出射光６は、第２図に７で示す透明
樹脂の表面部分を通って外部に出てくるものであるから
、外部との境界面である表面部分７の平面状態か問題と
なる。すなわち、表面部分７か光学的に良好な面てなけ
れば、光強度分布曲線の乱れた出射光となり、従って後
の光学系との光の結合に不具合か生しる。そこで表面部
分７を光学的に好ましい面となるように例えば研磨加工
することか考えられるか、光学部品と同程度の加工は困
難て、生産性か低い問題かある。しかも、通常の樹脂は
傷か付き易いこと、＃腐食性か十分てないことから外界
に露出した光出射面には不適当である。
前記公報記載のものは半導体発光素子を樹脂で包囲する
構成であるか、前記問題を解決する技術を含むものては
ない。
この発明は、透明な樹脂による半導体発光素子の樹脂封
止構造を採用して、光強度分布曲線に乱れのない安定し
た出射光か得られる半導体発光装置を提供することを目
的とする。
（課題を解決するための手段） この発明による半導体発光装置は、半導体発光素子とそ
の半導体発光素子から出射される出射光か通るように予
め定められた位置関係て配置された少なくとも１個の光
学部品とを前記出射光か透過できる樹脂からなる樹脂部
内に固定し、前記出射光の通る前記光学部品の最終のも
のの出射側を前記樹脂部から露出させてあり、前記出射
光の前記半導体素子及び光学部品の間の全光路か前記樹
脂部内に位置するように樹脂部を設けてあることを特徴
とする。
前記光学部品は、ビームスプリッタ、光ファイバー、レ
ンズ、ガラス板等である。
〔作　　　用〕
この発明における発光素子からの出射光は、樹脂部と光
学部品を通って、樹脂部から露出した光学部品の部分か
ら乱れることなく出射される。出射されるまての半導体
素子及び光学部品間の全光路が樹脂内に位置することは
、出射光か樹脂と空間との境界面を通過しないようにす
るためてあり、これによって半導体発光装置内ての出射
光の光強度−分布曲線の乱れか防止される。そして樹脂
部は半導体発光素子を外部雰囲気から隔離していると共
に半導体素子と光学部品とを定められた位置関係に強力
に保持している。
〔実　施　例〕
この発明の実施例を図を用いて説明する。第１図は第１
実施例を示し、同図において、ｌは半導体発光素子、４
は半導体発光素子１を固着した基板、５は透明樹脂、６
は半導体発光素子ｌの出射光（光路）、８は基板４に固
着させたビームスフリツタである。前記透明樹脂５は、
半導体発光素子１から出射する光か透過できるものてあ
り、例えば、環状脂肪族エポキシ樹脂を使用しである。
このほかにもシクリシシルエステル等も使用できる。透
明樹脂５は、図示のように、基板４上の半導体発光素子
ｌをその出射部１ａを含めて完全に覆い、ビームスプリ
ッタ８の出射面８ｂを残して入射面８ａを完全に含む他
の大部分を覆い、半導体発光素子１とど−ムスプリッタ
８の間の光路６ａを完全に含むように設けである。透明
樹脂５と出射部１ａや入射面８ａとの間は透明樹脂５が
固化前に、密着しそのまま固化した状態であり、空隙は
ない。
このように構成された半導体発光装置において、半導体
素子ｌから出射された出射光６は、透明樹脂５中を透過
し、ビームスフリツタ８にょって９０度出射方向を変え
られ、ビームスプリッタの出射面８ｂから出射される。
ビームスプリッタ８は光学部品てあり、本来出射光の光
強度分布曲線に乱れか生しないものであるから、乱れの
ない出射光か得られる。
第３図は第２実施例を示し、同図において、１は半導体
発光素子、４は基板、５は透明樹脂、６は出射光、９は
光ファイバーである。半導体発光素子ｌは基板４に固着
され、光ファイバー９はその光入射側埠面９ａか半導体
発光素子１の出射部１ａと所定の位置関係て位置するよ
うに端部な基板４に固着されている。透明樹脂５は、第
１実施例におけるものと同し材質てあり、半導体素子１
の全体を光ファイバー９の入射側端面９ａを含む端部と
を覆い、そして前記出射部１ａと端面９ａとの間の出射
光６の光路を完全に含むように設けられている。
第４図は第３実施例を示し、同図において、第２実施例
と異なる点は、第２実施例における出射部１ａと端面９
ａとの間の透明樹脂５中にレンズ１０を配置した点てあ
り、他の構成は同しである。第２実施例と同等部分は同
一図面符号で示し、説明を省略する。
第２実施例において、半導体発光素子ｌから出射された
出射光６は、透明樹脂５中を透過し、光ファイバー９へ
その端面９ａから入射し、図示していない他端から出射
される。第３実施例においては、途中てレンズ１０を通
る点のみか異なり、第２実施例におけると同様に光ファ
イバー９の図示していない他端から出射される。
従って、第２、第３実施例の半導体発光装置も光学部品
である光ファイバー９から光か出射されるから、乱れの
ない出射光が得られる。
なお、第１、第２、第３実施例に示した光学部品のほか
に、他の光学部品、例えばガラス板などを使用する場合
もあり、光学部品としては出射光を透過できるものてあ
ればよく、また光学部品の透明樹脂内の配置は所望の出
射光を得るために任意になし得る。
（発明の効果） この発明によれば、半導体発光素子と少なくとも１個の
光学部品とを出射光か透過できる樹脂て封止し、その樹
脂から一部を露出させた光学部品の部分から出射光か取
出されるようにしたから、格別に樹脂の表面に光学部品
のような加工を施こす必要かなく、出射光か乱れること
なく安定な状態で得られる効果かある。また、樹脂によ
って封止されていることから、半導体発光素子の耐環境
性か向上し、半導体発光素子と光学部品との位置関係の
変化か防止され、従って信頼性の高い半導体発光装置か
得られるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の第１実施例の概略の構造を示す側面
図、第２図は従来の半導体発光装置の概略の構造を示す
斜視図、第３図はこの発明の第２実施例の概略の構造を
示す側面図、第４図はこの発明の第３実施例の概略の構
造を示す側面図である。 ｌ・・・・半導体発光素子、４・・・・基板、５・・・
・樹脂部（透明樹脂）、６・・・・光路（出射光）、８
、１０・・・・光学部品。 代　　理　　人 大　　岩　　増　　雄 子導体４ｅ戴素子 ４：蟇板 ５　　透Ｓ月樹脂 ６　　出射光 ８　゛　ビームスアリ・ｌり 第　２　団 牛４休墾光牽チ かアマウ／ト し−トノノクアロッグ 暮　　才ｋ ｉｆｉＢ月樹几− 雷ＩＦＩ　毘 紺攬＆面部分

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体発光素子とその半導体発光素子から出射さ
    れる出射光が通るように予め定められた位置関係で配置
    された少なくとも１個の光学部品とを前記出射光か透過
    できる樹脂からなる樹脂部内に固定し、前記出射光の通
    る前記光学部品の最終のものの出射側の表面を前記樹脂
    部から露出させてあり、前記出射光の前記半導体素子及
    び光学部品の間の全光路か前記樹脂部内に位置するよう
    に樹脂部を設けてあることを特徴とする半導体発光装置
    。
JP2189917A 1990-07-16 1990-07-16 半導体発光装置 Expired - Lifetime JP2792722B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2189917A JP2792722B2 (ja) 1990-07-16 1990-07-16 半導体発光装置
DE9090124199T DE69001548T2 (de) 1990-07-16 1990-12-14 Lichtemittierende halbleitervorrichtung.
EP90124199A EP0466975B1 (en) 1990-07-16 1990-12-14 Semiconductor light-emitting device
US07/724,460 US5105237A (en) 1990-07-16 1991-07-03 Semiconductor light-emitting device with partial encapsulation
KR1019910012007A KR950000112B1 (ko) 1990-07-16 1991-07-15 반도체 발광장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2189917A JP2792722B2 (ja) 1990-07-16 1990-07-16 半導体発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0474483A true JPH0474483A (ja) 1992-03-09
JP2792722B2 JP2792722B2 (ja) 1998-09-03

Family

ID=16249375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2189917A Expired - Lifetime JP2792722B2 (ja) 1990-07-16 1990-07-16 半導体発光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5105237A (ja)
EP (1) EP0466975B1 (ja)
JP (1) JP2792722B2 (ja)
KR (1) KR950000112B1 (ja)
DE (1) DE69001548T2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001021775A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 光学装置
JP2008032522A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Nitta Ind Corp 光ファイバを用いた触覚センサ
US7437030B2 (en) * 2003-11-27 2008-10-14 Ibiden Co., Ltd. Substrate for mounting IC chip, substrate for motherboard, device for optical communication, manufacturing method of substrate for mounting IC chip, and manufacturing method of substrate for motherboard
US8076782B2 (en) 2002-04-01 2011-12-13 Ibiden Co., Ltd. Substrate for mounting IC chip

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5444726A (en) * 1990-11-07 1995-08-22 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device
US5590144A (en) * 1990-11-07 1996-12-31 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device
TW253996B (ja) * 1992-04-07 1995-08-11 Fuji Electric Co Ltd
US5367530A (en) * 1992-05-29 1994-11-22 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser apparatus
JP2565279B2 (ja) * 1992-09-25 1996-12-18 日本電気株式会社 光結合構造
US5414293A (en) * 1992-10-14 1995-05-09 International Business Machines Corporation Encapsulated light emitting diodes
EP0592746B1 (en) * 1992-10-14 1997-03-19 International Business Machines Corporation Encapsulated light emitting diode and method for encapsulating the same
US5516727A (en) * 1993-04-19 1996-05-14 International Business Machines Corporation Method for encapsulating light emitting diodes
JPH09307144A (ja) * 1996-05-14 1997-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子及びその製造方法
DE19714170C1 (de) * 1997-03-21 1998-07-30 Siemens Ag Elektrooptisches Modul
US20030151832A1 (en) * 2002-01-14 2003-08-14 Arthur Berman Method and apparatus for enclosing optical assemblies
US6999237B2 (en) * 2001-09-12 2006-02-14 Lightmaster Systems, Inc. Method and apparatus for configuration and assembly of a video projection light management system
DE50111658D1 (de) * 2001-09-14 2007-01-25 Finisar Corp Sende- und/oder empfangsanordnung zur optischen signalübertragung
WO2016164035A1 (en) 2015-04-10 2016-10-13 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Overmolded filters

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54127691A (en) * 1978-03-28 1979-10-03 Toshiba Corp Semiconductor light emission device
JPS5545236U (ja) * 1978-09-16 1980-03-25

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE226431C (ja) *
JPS5333436A (en) * 1976-09-09 1978-03-29 Toshiba Corp Alloy for high frequency induction heating vessel
US4478588A (en) * 1978-03-06 1984-10-23 Amp Incorporated Light emitting diode assembly
DE2913262C2 (de) * 1979-04-03 1982-04-29 Kabelwerke Reinshagen Gmbh, 5600 Wuppertal Elektro-optische Verbindungsvorrichtung
JPS566038U (ja) * 1979-06-25 1981-01-20
DE3016103A1 (de) * 1980-04-25 1981-10-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung transparenter geissharze
JPS5850572A (ja) * 1981-09-22 1983-03-25 株式会社東芝 デイスプレイ装置の製造方法
EP0114258A1 (en) * 1982-11-30 1984-08-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Resin encapsulation type photo-semiconductor devices
JPH084155B2 (ja) * 1986-06-25 1996-01-17 松下電器産業株式会社 光コネクタモジユ−ル
JPS6314489A (ja) * 1986-07-04 1988-01-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
JPS6333877A (ja) * 1986-07-29 1988-02-13 Omron Tateisi Electronics Co 光半導体装置
JP2504533B2 (ja) * 1988-09-02 1996-06-05 同和鉱業株式会社 Ｌｅｄ発光装置並びに該装置に用いる発光ブロックの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54127691A (en) * 1978-03-28 1979-10-03 Toshiba Corp Semiconductor light emission device
JPS5545236U (ja) * 1978-09-16 1980-03-25

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001021775A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 光学装置
US6530698B1 (en) 1999-07-09 2003-03-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical device
US8076782B2 (en) 2002-04-01 2011-12-13 Ibiden Co., Ltd. Substrate for mounting IC chip
US8120040B2 (en) 2002-04-01 2012-02-21 Ibiden Co., Ltd. Substrate for mounting IC chip, manufacturing method of substrate for mounting IC chip, device for optical communication, and manufacturing method of device for optical communication
US7437030B2 (en) * 2003-11-27 2008-10-14 Ibiden Co., Ltd. Substrate for mounting IC chip, substrate for motherboard, device for optical communication, manufacturing method of substrate for mounting IC chip, and manufacturing method of substrate for motherboard
US7526152B2 (en) 2003-11-27 2009-04-28 Ibiden Co., Ltd. Substrate for mounting IC chip, substrate for motherboard, device for optical communication, manufacturing method of substrate for mounting IC chip, and manufacturing method of substrate for motherboard
JP2008032522A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Nitta Ind Corp 光ファイバを用いた触覚センサ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2792722B2 (ja) 1998-09-03
KR950000112B1 (ko) 1995-01-09
DE69001548T2 (de) 1993-09-09
DE69001548D1 (de) 1993-06-09
KR920003566A (ko) 1992-02-29
US5105237A (en) 1992-04-14
EP0466975B1 (en) 1993-05-05
EP0466975A1 (en) 1992-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0474483A (ja) 半導体発光装置
US6731882B1 (en) Leadframe-based optoelectronic bidirectional transmitting and receiving module
US9939593B2 (en) Light steering for silicon photonic devices
US4355323A (en) Coupler comprising a light source and lens
US6588949B1 (en) Method and apparatus for hermetically sealing photonic devices
US7246953B2 (en) Optical device package
EP0450560A2 (en) An optical device
CA2378211A1 (en) Hermetic chip-scale package for photonic devices
JP2003511738A (ja) 光学的サブアセンブリ
US20220113480A1 (en) Packaging with substrate and printed circuit board cutouts
US4442456A (en) Solid-state imaging device
EP0371795A3 (en) Optical coupling circuit element
US20010052640A1 (en) Solid image pickup device
JP3500250B2 (ja) 光アイソレータ用素子
EP1306703A1 (en) Optical devices for communication
US20260016645A1 (en) Optical module and optical connector cable
JPH0450903A (ja) 半導体レーザモジュール
JPH06308357A (ja) 導波路型光モジュール
JPH03286574A (ja) 発光素子
JPH0521899A (ja) 半導体レーザ装置
DE10160508A1 (de) Anordnung zur Detektion von optischen Signalen mindestens eines optischen Kanals eines planaren optischen Schaltkreises und/oder zur Einkopplung optischer Signale in mindestens einen optischen Kanal eines planaren optischen Schaltkreises
JPH06308351A (ja) 光導波路型モジュール
JP2674133B2 (ja) カメラ用データ写し込み装置
JPH01175786A (ja) 光アイソレータ内蔵半導体レーザ装置
JPS63102272A (ja) 光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080619

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080619

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090619

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100619

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100619

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110619

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110619

Year of fee payment: 13