JPH0474867B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0474867B2 JPH0474867B2 JP62194630A JP19463087A JPH0474867B2 JP H0474867 B2 JPH0474867 B2 JP H0474867B2 JP 62194630 A JP62194630 A JP 62194630A JP 19463087 A JP19463087 A JP 19463087A JP H0474867 B2 JPH0474867 B2 JP H0474867B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- melting point
- tip
- point glass
- low melting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用サーデイツプに関する。
従来、この種の半導体装置用サーデイツプは、
第３図ａ〜ｃに示すように、半導体ペレツトを固
着するマウント部１が形成されたセラミツク基板
２とマウント部１の周辺に低融点ガラス３により
内部リード４が固着されたリードフレーム１０と
から構成されており、内部リード４を固着する低
融点ガラス３は一称の厚さに塗布されていた。尚
第３図ａにおいて５はAl膜であり、見易くする
ために斜線が施してある。
第３図ａ〜ｃに示すように、半導体ペレツトを固
着するマウント部１が形成されたセラミツク基板
２とマウント部１の周辺に低融点ガラス３により
内部リード４が固着されたリードフレーム１０と
から構成されており、内部リード４を固着する低
融点ガラス３は一称の厚さに塗布されていた。尚
第３図ａにおいて５はAl膜であり、見易くする
ために斜線が施してある。
上述した従来の半導体装置用サーデイツプは、
内部リード先端４Ａのワイヤーボンデイング領域
まで一様な厚みの低融点ガラス３が塗布されてい
るため、半導体素子ボンデイング、あるいはキヤ
ツプ封止等の半導体装置製造の加熱工程におい
て、リードフレーム残留応力によるリード先端移
動が生じ第４図に示すように、内部リードの先端
部４Ａ上に低融点ガラスの流れ込み３Ｂが生じた
りリード先端間に低融点ガラスの盛り上がり３Ａ
が生じるという欠点がある。
内部リード先端４Ａのワイヤーボンデイング領域
まで一様な厚みの低融点ガラス３が塗布されてい
るため、半導体素子ボンデイング、あるいはキヤ
ツプ封止等の半導体装置製造の加熱工程におい
て、リードフレーム残留応力によるリード先端移
動が生じ第４図に示すように、内部リードの先端
部４Ａ上に低融点ガラスの流れ込み３Ｂが生じた
りリード先端間に低融点ガラスの盛り上がり３Ａ
が生じるという欠点がある。
従つて、サーデイツプに固着される半導体ペレ
ツトとのワイヤーボンデイングができなかつた
り、ボンデイング済のワイヤーに低融点ガラスが
流れ、ワイヤー強度を弱らせ半導体装置の信頼性
を低下させるという欠点があつた。
ツトとのワイヤーボンデイングができなかつた
り、ボンデイング済のワイヤーに低融点ガラスが
流れ、ワイヤー強度を弱らせ半導体装置の信頼性
を低下させるという欠点があつた。
本発明の目的は、半導体装置製造時の加熱工程
においても内部リードの先端部に低融点ガラスの
流れ込みや盛り上りを生じることのない半導体装
置用サーデイツプを提供することにある。
においても内部リードの先端部に低融点ガラスの
流れ込みや盛り上りを生じることのない半導体装
置用サーデイツプを提供することにある。
本発明の半導体装置用サーデイツプは、半導体
ペレツトを固着するためのマウント部が形成され
たセラミツク基板と、前記マウント部周辺のセラ
ミツク基板上に低融点ガラスにより内部リードが
固着されたリードフレームとからなる半導体装置
用サーデイツプであつて、前記内部リードは先端
部が他の部分より薄い低融点ガラスにより固着さ
れているものである。
ペレツトを固着するためのマウント部が形成され
たセラミツク基板と、前記マウント部周辺のセラ
ミツク基板上に低融点ガラスにより内部リードが
固着されたリードフレームとからなる半導体装置
用サーデイツプであつて、前記内部リードは先端
部が他の部分より薄い低融点ガラスにより固着さ
れているものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
半導体ペレツトを固着するためのマウント部１
が形成されたセラミツク基板２上には低融点ガラ
ス３によりリードフレーム１０の内部リード４が
固着されている。そして、特にこの内部リード４
の先端部４Ａ下の低融点ガラス３は他の部分より
薄く形成されている。
が形成されたセラミツク基板２上には低融点ガラ
ス３によりリードフレーム１０の内部リード４が
固着されている。そして、特にこの内部リード４
の先端部４Ａ下の低融点ガラス３は他の部分より
薄く形成されている。
このように構成された本実施例においては、内
部リードの先端部４Ａは圧着されないため、主に
その底面部のみで低融点ガラス３と接触すること
になる。従つて、加熱工程によりリード移動が起
つた場合でも第２図に示すように、内部リードの
先端部４Ａ上に低融点ガラスの流れ込みが生じる
ことはなくなり、また盛り上り３Ａも生じたとし
ても低くなり、ワイヤーボンデイングに影響する
ことはなくなる。
部リードの先端部４Ａは圧着されないため、主に
その底面部のみで低融点ガラス３と接触すること
になる。従つて、加熱工程によりリード移動が起
つた場合でも第２図に示すように、内部リードの
先端部４Ａ上に低融点ガラスの流れ込みが生じる
ことはなくなり、また盛り上り３Ａも生じたとし
ても低くなり、ワイヤーボンデイングに影響する
ことはなくなる。
以上説明したように本発明は、半導体装置用サ
ーデイツプの内部リード先端のワイヤーボンデイ
ング領域の低融点ガラスを、他の部分より薄く塗
布して内部リードの先端部を固着することによ
り、半導体装置製造時の加熱工程における、内部
リード先端部への低融点ガラスの流れ込みや、内
部リード間の低融点ガラスの盛り上がりを防止で
きる効果がある。
ーデイツプの内部リード先端のワイヤーボンデイ
ング領域の低融点ガラスを、他の部分より薄く塗
布して内部リードの先端部を固着することによ
り、半導体装置製造時の加熱工程における、内部
リード先端部への低融点ガラスの流れ込みや、内
部リード間の低融点ガラスの盛り上がりを防止で
きる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図
は、本発明の一実施例における内部リードが移動
した場合を説明するための内部リード先端部近傍
の断面図、第３図ａ〜ｃは従来の半導体装置用サ
ーデイツプの平面図、側面図及びＡ−A′線断面
図、第４図は従来の半導体装置用サーデイツプの
内部リード先端部近傍の断面図である。 １…マウント部、２…セラミツク基板、３…低
融点ガラス、３Ａ…盛り上り、３Ｂ…流れ込み、
４…内部リード、４Ａ…先端部、５…Al膜、１
０…リードフレーム。
は、本発明の一実施例における内部リードが移動
した場合を説明するための内部リード先端部近傍
の断面図、第３図ａ〜ｃは従来の半導体装置用サ
ーデイツプの平面図、側面図及びＡ−A′線断面
図、第４図は従来の半導体装置用サーデイツプの
内部リード先端部近傍の断面図である。 １…マウント部、２…セラミツク基板、３…低
融点ガラス、３Ａ…盛り上り、３Ｂ…流れ込み、
４…内部リード、４Ａ…先端部、５…Al膜、１
０…リードフレーム。
Claims (1)
- １ 半導体ペレツトを固着するためのマウント部
が形成されたセラミツク基板と、前記マウント部
周辺のセラミツク基板上に低融点ガラスにより内
部リードが固着されたリードフレームとからなる
半導体装置用サーデイツプにおいて、前記内部リ
ードは先端部が他の部分より薄い低融点ガラスに
より固着されていることを特徴とする半導体装置
用サーデイツプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62194630A JPS6437855A (en) | 1987-08-03 | 1987-08-03 | Cerdip for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62194630A JPS6437855A (en) | 1987-08-03 | 1987-08-03 | Cerdip for semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6437855A JPS6437855A (en) | 1989-02-08 |
| JPH0474867B2 true JPH0474867B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=16327712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62194630A Granted JPS6437855A (en) | 1987-08-03 | 1987-08-03 | Cerdip for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6437855A (ja) |
-
1987
- 1987-08-03 JP JP62194630A patent/JPS6437855A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6437855A (en) | 1989-02-08 |
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