JPH0474910B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0474910B2 JPH0474910B2 JP57126552A JP12655282A JPH0474910B2 JP H0474910 B2 JPH0474910 B2 JP H0474910B2 JP 57126552 A JP57126552 A JP 57126552A JP 12655282 A JP12655282 A JP 12655282A JP H0474910 B2 JPH0474910 B2 JP H0474910B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer electrode
- shift register
- lower layer
- clock pulse
- photodiodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はCCD（Charge Coupled Device：電荷
転送装置）を用いた固体撮像装置に関し、特にホ
トダイオード間の分離構造に関するものである。
転送装置）を用いた固体撮像装置に関し、特にホ
トダイオード間の分離構造に関するものである。
近年、固体撮像装置の開発は目ざましい進展を
みせ、固体撮像装置を用いたカラービデオカメラ
は実用化段階をむかえつつある。固体撮像装置の
方式には大きく分けてXYアドレス方式とCCD方
式の２種があり、特にCCD方式は本質的に出力
容量が小さいためＳ／Ｎの点で有利なことから研
究に力が注がれている。CCD方式の中でも受光
部にpn接合ホトダイオードを用いたインターラ
イン転送方式は、青感度が高く、またモザイク状
カラーフイルタが使用可能なため高解像度が得ら
れることから固体撮像装置の主流となりつつあ
る。
みせ、固体撮像装置を用いたカラービデオカメラ
は実用化段階をむかえつつある。固体撮像装置の
方式には大きく分けてXYアドレス方式とCCD方
式の２種があり、特にCCD方式は本質的に出力
容量が小さいためＳ／Ｎの点で有利なことから研
究に力が注がれている。CCD方式の中でも受光
部にpn接合ホトダイオードを用いたインターラ
イン転送方式は、青感度が高く、またモザイク状
カラーフイルタが使用可能なため高解像度が得ら
れることから固体撮像装置の主流となりつつあ
る。
CCDは発明当初は構造が簡単であることが、
その特色のひとつであるといわれていた。しかし
ながら種々の機能を付加したり、特性の向上をは
かる努力がなされるにつれてその構造が次第に複
雑となり、このためマスク枚数の増大や、これに
伴うマスク合せのずれによる特性のバラツキも増
大して来たことは否めない事実である。
その特色のひとつであるといわれていた。しかし
ながら種々の機能を付加したり、特性の向上をは
かる努力がなされるにつれてその構造が次第に複
雑となり、このためマスク枚数の増大や、これに
伴うマスク合せのずれによる特性のバラツキも増
大して来たことは否めない事実である。
本発明は上記に鑑みなされたもので、ホトダイ
オードを分離するチヤネルストツプを省くことを
可能とする技術を提供するものである。本発明に
より、チヤネルストツプとホトダイオードあるい
はチヤネルストツプとシフトレジスタ電極のマス
ク合せの誤差による特性のバラツキはなくなり、
特性の飛躍的な向上がはかれることになる。
オードを分離するチヤネルストツプを省くことを
可能とする技術を提供するものである。本発明に
より、チヤネルストツプとホトダイオードあるい
はチヤネルストツプとシフトレジスタ電極のマス
ク合せの誤差による特性のバラツキはなくなり、
特性の飛躍的な向上がはかれることになる。
まず第１図に、pn接合ホトダイオードを受光
部に用いたインターライン転送方式CCD固体撮
像装置の従来例を示す。ここでａは平面図、ｂ，
ｃはそれぞれ−，−方向の断面図であ
る。すなわちｐ基板１上に、垂直シフトレジスタ
用埋め込みチヤネルとしてｎ型層２が形成され、
該ｎ型層２と所定間隔離間させて、ホトダイオー
ドとなるpn接合を形成するためのｎ型層３が形
成されている。同一半導体チツプに垂直シフトレ
ジスタは複数列形成され、またひとつの垂直シフ
トレジスタに対して複数個のホトダイオードが形
成されることにより二次元撮像装置が構成され
る。
部に用いたインターライン転送方式CCD固体撮
像装置の従来例を示す。ここでａは平面図、ｂ，
ｃはそれぞれ−，−方向の断面図であ
る。すなわちｐ基板１上に、垂直シフトレジスタ
用埋め込みチヤネルとしてｎ型層２が形成され、
該ｎ型層２と所定間隔離間させて、ホトダイオー
ドとなるpn接合を形成するためのｎ型層３が形
成されている。同一半導体チツプに垂直シフトレ
ジスタは複数列形成され、またひとつの垂直シフ
トレジスタに対して複数個のホトダイオードが形
成されることにより二次元撮像装置が構成され
る。
上記ｎ型層２とｎ型層３は基板のままのトラン
スフアゲート領域５により接続している。ｎ型層
２、ｎ型層３、トランスフアゲート領域５以外の
部分には、高濃度ｐ型層によるチヤネルストツプ
４が形成されている。一方シリコン基板上は絶縁
膜６で覆われ、その上部に垂直シフトレジスタ用
の電極７，８，９，１０がポリシリコンにより形
成されている。電極７と９は第１層目のポリシリ
コンとして、電極８と１０は第２層目のポリシリ
コンとして形成され、異なる層のポリシリコン間
は絶縁膜１１で分離されている。電極７，８，
９，１０は垂直シフトレジスタ用ｎ型層２の上部
を覆い、更にトランスフアゲート領域５の上部も
覆つている。また垂直シフトレジスタ用ｎ型層２
とトランスフアゲート領域５の上部は遮光のため
にAl１２で覆われている。
スフアゲート領域５により接続している。ｎ型層
２、ｎ型層３、トランスフアゲート領域５以外の
部分には、高濃度ｐ型層によるチヤネルストツプ
４が形成されている。一方シリコン基板上は絶縁
膜６で覆われ、その上部に垂直シフトレジスタ用
の電極７，８，９，１０がポリシリコンにより形
成されている。電極７と９は第１層目のポリシリ
コンとして、電極８と１０は第２層目のポリシリ
コンとして形成され、異なる層のポリシリコン間
は絶縁膜１１で分離されている。電極７，８，
９，１０は垂直シフトレジスタ用ｎ型層２の上部
を覆い、更にトランスフアゲート領域５の上部も
覆つている。また垂直シフトレジスタ用ｎ型層２
とトランスフアゲート領域５の上部は遮光のため
にAl１２で覆われている。
電極１０，７，８，９には第２図に示すクロツ
クパルスφ1，φ2，φ3，φ4がそれぞれ印加される。
このクロツクパルスφ1〜φ4は、VL，VI，VHの３
レベルをもつ信号であり、VL又はVIのときには
垂直シフトレジスタ内の信号電荷が第１図ａの上
から下へと転送される。一方VHのときには、ホ
トダイオード３に蓄積した信号電荷が、トランス
フアゲート領域５を通つて垂直シフトレジスタ２
に転送される。
クパルスφ1，φ2，φ3，φ4がそれぞれ印加される。
このクロツクパルスφ1〜φ4は、VL，VI，VHの３
レベルをもつ信号であり、VL又はVIのときには
垂直シフトレジスタ内の信号電荷が第１図ａの上
から下へと転送される。一方VHのときには、ホ
トダイオード３に蓄積した信号電荷が、トランス
フアゲート領域５を通つて垂直シフトレジスタ２
に転送される。
上記構造の固体撮像装置において、隣接するホ
トダイオード間のシリコン基板上には配線のため
に垂直シフトレジスタ用の電極が存在するため、
垂直シフトレジスタに印加するパルスが高レベル
になつたとき、隣接するホトダイオード間での電
荷の混合を防止するため、配線下の部分にチヤネ
ルストツプ４を設ける必要が生じる。このチヤネ
ルストツプ４は、当然ながらホトダイオードやポ
リシリコン電極などとは別の工程で作製されるた
め、マスク合せのずれに伴う特性のバラツキをも
たらすことになる。
トダイオード間のシリコン基板上には配線のため
に垂直シフトレジスタ用の電極が存在するため、
垂直シフトレジスタに印加するパルスが高レベル
になつたとき、隣接するホトダイオード間での電
荷の混合を防止するため、配線下の部分にチヤネ
ルストツプ４を設ける必要が生じる。このチヤネ
ルストツプ４は、当然ながらホトダイオードやポ
リシリコン電極などとは別の工程で作製されるた
め、マスク合せのずれに伴う特性のバラツキをも
たらすことになる。
本発明は上記問題点を大幅に軽減するためにな
されたもので、本発明を適用することにより、ホ
トダイオード間のチヤネルストツプを省くことが
可能となる。
されたもので、本発明を適用することにより、ホ
トダイオード間のチヤネルストツプを省くことが
可能となる。
以下本発明の詳細を実施例を用いて説明する。
第３図は本発明を適用した一実施例を示す固体
撮像装置の構成図である。ここでａは平面図、
ｂ，ｃはそれぞれ−，−方向の断面図で
ある。第３図と前述の第１図の違いは、第３図ｃ
により明らかなように、ホトダイオードを形成す
るｎ型層３の間にチヤネルストツプが存在しない
ことであり、チヤネルストツプは第３図ｂに示す
ようにホトダイオード用ｎ型層３と垂直シフトレ
ジスタ用ｎ型層２間にのみ設けられる。これによ
りホトダイオードとチヤネルストツプ間のマスク
合せのずれに伴う特性のバラツキを大幅に低減す
ることが可能となる。またこの場合ホトダイオー
ド用ｎ型層３の形成は、ポリシリコン電極７，９
による自動位置決め（セルフアライン）によるこ
とも可能である。
撮像装置の構成図である。ここでａは平面図、
ｂ，ｃはそれぞれ−，−方向の断面図で
ある。第３図と前述の第１図の違いは、第３図ｃ
により明らかなように、ホトダイオードを形成す
るｎ型層３の間にチヤネルストツプが存在しない
ことであり、チヤネルストツプは第３図ｂに示す
ようにホトダイオード用ｎ型層３と垂直シフトレ
ジスタ用ｎ型層２間にのみ設けられる。これによ
りホトダイオードとチヤネルストツプ間のマスク
合せのずれに伴う特性のバラツキを大幅に低減す
ることが可能となる。またこの場合ホトダイオー
ド用ｎ型層３の形成は、ポリシリコン電極７，９
による自動位置決め（セルフアライン）によるこ
とも可能である。
シリコン基板上には前述の第１図と同様に電極
１０，７，８，９が設けられ、電極１０，７，
８，９には第４図に示すクロツクパルスφ1，φ′2，
φ3，φ′4がそれぞれ印加される。すなわち下側ポ
リシリコン電極７，９に印加されるクロツクパル
スφ′2，φ′4はVLとVIレベル間で変化し、上側ポリ
シリコン電極１０，８に印加されるクロツクパル
スφ1，φ3はVL，VI，VHの３レベル間で変化す
る。φ1又はφ3がVHレベルのとき、ホトダイオー
ドに蓄積した信号電荷は電極１０又は８直下の部
分（第３図ａ斜線部）を通つて垂直シフトレジス
タに転送される。このときホトダイオード間はチ
ヤネルストツプによつては分離されていないが、
この部分の基板上は電極７，９が覆つており、電
極７，９に印加されるクロツクパルスはVLとVI
であるので信号電荷の混入は生じない。一方φ1，
φ3がVLとVI間を振幅するときには垂直シフトレ
ジスタ内の信号電荷が第３図ａの下から上へと転
送される。このように上記構造にすることによ
り、ホトダイオード間のチヤネルストツプを省略
することが可能となる。
１０，７，８，９が設けられ、電極１０，７，
８，９には第４図に示すクロツクパルスφ1，φ′2，
φ3，φ′4がそれぞれ印加される。すなわち下側ポ
リシリコン電極７，９に印加されるクロツクパル
スφ′2，φ′4はVLとVIレベル間で変化し、上側ポリ
シリコン電極１０，８に印加されるクロツクパル
スφ1，φ3はVL，VI，VHの３レベル間で変化す
る。φ1又はφ3がVHレベルのとき、ホトダイオー
ドに蓄積した信号電荷は電極１０又は８直下の部
分（第３図ａ斜線部）を通つて垂直シフトレジス
タに転送される。このときホトダイオード間はチ
ヤネルストツプによつては分離されていないが、
この部分の基板上は電極７，９が覆つており、電
極７，９に印加されるクロツクパルスはVLとVI
であるので信号電荷の混入は生じない。一方φ1，
φ3がVLとVI間を振幅するときには垂直シフトレ
ジスタ内の信号電荷が第３図ａの下から上へと転
送される。このように上記構造にすることによ
り、ホトダイオード間のチヤネルストツプを省略
することが可能となる。
第５図に第４図のクロツクパルスの改良型を示
す。CCDにおいては転送効率の向上のためには
VIレベルでのパルスの重なりが必要であり、た
とえばφ1とφ3のVIレベルは若干の重なりを持つ
ことが必要であるが、この重なりは通常数十nsec
程度であるので、これを無視して考えると、第４
図ではパルスがVHになるときを除いてφ1とφ3，
φ′2とφ′4は互に反転となつている。一方第５図で
はφ3がVHのときφ″2がVIとなり、φ1がVHのとき
φ″4がVIとなつている。この点が重要であり、以
下にこの意味を説明する。
す。CCDにおいては転送効率の向上のためには
VIレベルでのパルスの重なりが必要であり、た
とえばφ1とφ3のVIレベルは若干の重なりを持つ
ことが必要であるが、この重なりは通常数十nsec
程度であるので、これを無視して考えると、第４
図ではパルスがVHになるときを除いてφ1とφ3，
φ′2とφ′4は互に反転となつている。一方第５図で
はφ3がVHのときφ″2がVIとなり、φ1がVHのとき
φ″4がVIとなつている。この点が重要であり、以
下にこの意味を説明する。
第６図は第４図及び第５図のｔ＝t1における垂
直シフトレジスタのφ1，φ2，φ3，φ4電極下のチ
ヤネルポテンシヤルの模式図であり、ａは第４
図、ｂは第５図のクロツクパルスに対応してい
る。図中点線はホトダイオードのチヤネルポテン
シヤルであり、ａでは斜線部分に信号電荷が制限
される。一方ｂではφ2がVIであるため、制限さ
れる信号電荷量が大幅に増大することとなる。な
お第５図のクロツクパルスを用いてもホトダイオ
ード間の電極に印加されるパルスはVLからVIま
でであり、ホトダイオード間での信号電荷の混合
がないことは明らかである。
直シフトレジスタのφ1，φ2，φ3，φ4電極下のチ
ヤネルポテンシヤルの模式図であり、ａは第４
図、ｂは第５図のクロツクパルスに対応してい
る。図中点線はホトダイオードのチヤネルポテン
シヤルであり、ａでは斜線部分に信号電荷が制限
される。一方ｂではφ2がVIであるため、制限さ
れる信号電荷量が大幅に増大することとなる。な
お第５図のクロツクパルスを用いてもホトダイオ
ード間の電極に印加されるパルスはVLからVIま
でであり、ホトダイオード間での信号電荷の混合
がないことは明らかである。
第７図は本発明を適用した別の例を示す構造図
である。ここでａは平面図、ｂ，ｃはそれぞれ
−′，−′方向の断面図である。本実施例で
はいわゆるフルーミング現象を抑圧するためにオ
ーバフローコントロールゲート１４とオーバフロ
ードレイン１３が付加されている。このとき第４
図や第５図に示すクロツクパルスを印加すれば、
ホトダイオード間のチヤネルストツプが省略でき
る点は第３図の例と全く同様であり、更にホトダ
イオードと垂直シフトレジスタ間は、オーバフロ
ーコントロールゲート電極１４を第１層のポリシ
リコンを用いて形成すればこの電極により分離さ
れるので、この間のチヤネルストツプを省くこと
も可能である。
である。ここでａは平面図、ｂ，ｃはそれぞれ
−′，−′方向の断面図である。本実施例で
はいわゆるフルーミング現象を抑圧するためにオ
ーバフローコントロールゲート１４とオーバフロ
ードレイン１３が付加されている。このとき第４
図や第５図に示すクロツクパルスを印加すれば、
ホトダイオード間のチヤネルストツプが省略でき
る点は第３図の例と全く同様であり、更にホトダ
イオードと垂直シフトレジスタ間は、オーバフロ
ーコントロールゲート電極１４を第１層のポリシ
リコンを用いて形成すればこの電極により分離さ
れるので、この間のチヤネルストツプを省くこと
も可能である。
以上のように本発明を適用すれば、固体撮像装
置におけるホトダイオード間のチヤネルストツプ
を省くことが可能となり、また製造時の誤差によ
る特性のズレを防ぐことができ、信頼性の向上が
はかれる。
置におけるホトダイオード間のチヤネルストツプ
を省くことが可能となり、また製造時の誤差によ
る特性のズレを防ぐことができ、信頼性の向上が
はかれる。
第１図は従来のインターライン転送方式固体撮
像装置の構造図であり、第２図はそのクロツクパ
ルスのタイミング図である。第３図及び第７図は
本発明を適用したインターライン転送方式固体撮
像装置の構造図であり、第４図及び第５図はその
クロツクパルスのタイミング図であり、第６図は
垂直シフトレジスタのチヤネルポテンシヤル図で
ある。 １……ｐ基板、２……ｎ型層（埋め込みチヤネ
ルCCD用）、３……ｎ型層（ホトダイオード）、
４……チヤネルストツプ、５……トランスフアゲ
ート領域、６……絶縁膜、７，８，９，１０……
ポリシリコン電極（垂直シフトレジスタ用）、１
１……絶縁膜、１２……遮光用Al、１３……ｎ
型層（オーバフロードレイン用）、１４……ポリ
シリコン電極（オーバフローコントロールゲート
電極用）。
像装置の構造図であり、第２図はそのクロツクパ
ルスのタイミング図である。第３図及び第７図は
本発明を適用したインターライン転送方式固体撮
像装置の構造図であり、第４図及び第５図はその
クロツクパルスのタイミング図であり、第６図は
垂直シフトレジスタのチヤネルポテンシヤル図で
ある。 １……ｐ基板、２……ｎ型層（埋め込みチヤネ
ルCCD用）、３……ｎ型層（ホトダイオード）、
４……チヤネルストツプ、５……トランスフアゲ
ート領域、６……絶縁膜、７，８，９，１０……
ポリシリコン電極（垂直シフトレジスタ用）、１
１……絶縁膜、１２……遮光用Al、１３……ｎ
型層（オーバフロードレイン用）、１４……ポリ
シリコン電極（オーバフローコントロールゲート
電極用）。
Claims (1)
- １ 同一半導体基板にpn接合ホトダイオードが
所定ピツチで配列され、該ホトダイオード列に近
接させて前記ホトダイオードとの間にトランスフ
アーゲート領域を有するCCDシフトレジスタが
設けられると共に、該CCDシフトレジスタの一
部の領域を覆う下層電極と、前記トランスフアー
ゲート領域と前記CCDシフトレジスタの残りの
領域とを覆うとともにその一部が前記下層電極上
に積層される上層電極が設けられ、且つ、隣接す
る前記ホトダイオード間の前記基板上に前記
CCDシフトレジスタの前記上層・下層電極積層
部が延在されてなる固体撮像装置において、前記
上層電極及び下層電極への信号供給を制御するこ
とによつて、前記ホトダイオード間の分離を行わ
せる構成とした固体撮像装置であつて、前記
CCDシフトレジスタは、前記上層及び下層電極
に印加されるクロツクパルスで駆動され、前記ホ
トダイオードから前記CCDシフトレジスタへの
信号電荷の読み出し時に、読み出すべきホトダイ
オードのトランスフアーゲート領域を覆う前記上
層電極に印加されるクロツクパルスが高レベルと
なり、前記下層電極に印加されるクロツクパルス
は中レベル又は低レベルとなり、信号電荷の転送
時に、前記上層電極及び下層電極に印加されるク
ロツクパルスは中レベル又は低レベルとなり、前
記下層電極に印加されるクロツクパルスは常に中
レベル又は低レベルとなることにより、前記ホト
ダイオード間の分離を行わせる構成としたことを
特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126552A JPS5916472A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 固体撮像装置 |
| EP83304183A EP0100199B1 (en) | 1982-07-19 | 1983-07-19 | An interline transfer ccd image sensor and a drive circuit therefor |
| DE8383304183T DE3380617D1 (en) | 1982-07-19 | 1983-07-19 | An interline transfer ccd image sensor and a drive circuit therefor |
| US06/894,712 US4935794A (en) | 1982-07-19 | 1986-08-08 | Structure and driving method of interline transfer CCD image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126552A JPS5916472A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5916472A JPS5916472A (ja) | 1984-01-27 |
| JPH0474910B2 true JPH0474910B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=14937992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57126552A Granted JPS5916472A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4935794A (ja) |
| EP (1) | EP0100199B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5916472A (ja) |
| DE (1) | DE3380617D1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666914B2 (ja) * | 1984-01-10 | 1994-08-24 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置 |
| US4866497A (en) * | 1984-06-01 | 1989-09-12 | General Electric Company | Infra-red charge-coupled device image sensor |
| JPS61189086A (ja) * | 1985-02-15 | 1986-08-22 | Fuji Electric Co Ltd | 画像の明暗分布表示装置 |
| JPH0770698B2 (ja) * | 1986-12-02 | 1995-07-31 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPS63252470A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US5235198A (en) * | 1989-11-29 | 1993-08-10 | Eastman Kodak Company | Non-interlaced interline transfer CCD image sensing device with simplified electrode structure for each pixel |
| KR930007532B1 (ko) * | 1990-07-12 | 1993-08-12 | 금성일렉트론 주식회사 | Soi 구조를 이용한 3차원 ccd 영상소자 및 그 제조방법 |
| JP3042042B2 (ja) * | 1991-06-21 | 2000-05-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| US5237422A (en) * | 1991-08-14 | 1993-08-17 | Eastman Kodak Company | High speed clock driving circuitry for interline transfer ccd imagers |
| JPH06252373A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-09 | Sony Corp | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
| JP3360512B2 (ja) * | 1996-01-09 | 2002-12-24 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその読み出し方法 |
| KR100541712B1 (ko) * | 1996-01-18 | 2006-06-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 선형ccd촬상소자 |
| KR100215864B1 (ko) * | 1996-06-10 | 1999-08-16 | 구본준 | 씨씨디 영상소자 |
| JP3547280B2 (ja) * | 1997-02-25 | 2004-07-28 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
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