JPH047606B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH047606B2 JPH047606B2 JP59191791A JP19179184A JPH047606B2 JP H047606 B2 JPH047606 B2 JP H047606B2 JP 59191791 A JP59191791 A JP 59191791A JP 19179184 A JP19179184 A JP 19179184A JP H047606 B2 JPH047606 B2 JP H047606B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave resonator
- reflection
- excitation electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
- H03H9/02685—Grating lines having particular arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は弾性表面波共振子に係り、特に共通電
極のパターンエツチングの工程に於ける反射電極
素子間の間隔を所定値にすることが可能な弾性表
面波共振子の構造に関するものである。
極のパターンエツチングの工程に於ける反射電極
素子間の間隔を所定値にすることが可能な弾性表
面波共振子の構造に関するものである。
弾性表面波共振子は、所定の周波数により直接
発振が可能な利点があるため、例えばVTRなど
のRFコンバータなどに広く使用されるようにな
つてきた。
発振が可能な利点があるため、例えばVTRなど
のRFコンバータなどに広く使用されるようにな
つてきた。
次に弾性表面波共振子の一例を第１図及び第２
図により説明する。
図により説明する。
即ち、従来の弾性表面波共振子は、LiTaO3，
LiNbO3、水晶、セラミツクスなどからなる圧電
基板１の一主面上に互いに噛み合つた櫛形の励振
電極２と、この励振電極２の両側に所定間隔をも
つて、それぞれ多数個の反射格子３1，４1及びこ
の反射格子３1，４1の両端部を互に導接する一対
の共通電極３2，４2からなる反射電極３，４とか
らなる。この弾性表面波共振子は、励振電極２の
端子２ａ，２ｂ間に印加される所定の周波数の信
号電圧のみを圧電基板１の表面波を利用して両側
の反射電極３，４の反射格子３1，４1により反射
して再度励振電極２にフイードバツクし、所定の
周波数により直接発振を行なうようになつてい
る。この場合、共通電極３2，４2はそれぞれの励
振格子３1，４1の電界による帯電により生じる共
振特性の劣化を防止するために設けられている。
LiNbO3、水晶、セラミツクスなどからなる圧電
基板１の一主面上に互いに噛み合つた櫛形の励振
電極２と、この励振電極２の両側に所定間隔をも
つて、それぞれ多数個の反射格子３1，４1及びこ
の反射格子３1，４1の両端部を互に導接する一対
の共通電極３2，４2からなる反射電極３，４とか
らなる。この弾性表面波共振子は、励振電極２の
端子２ａ，２ｂ間に印加される所定の周波数の信
号電圧のみを圧電基板１の表面波を利用して両側
の反射電極３，４の反射格子３1，４1により反射
して再度励振電極２にフイードバツクし、所定の
周波数により直接発振を行なうようになつてい
る。この場合、共通電極３2，４2はそれぞれの励
振格子３1，４1の電界による帯電により生じる共
振特性の劣化を防止するために設けられている。
然るにこの様な弾性表面波共振子は通常圧電基
板１の一主面上にアルミニウムなどの薄膜を一面
に蒸着などの手段により被着形成し、フオトレジ
スト膜を設けたのち、所定のネガパターンを介し
てフオトレジスト膜の所定部を光硬化させたのち
現像、エツチング、レジスト膜除去を行う所謂フ
オトエツチング方法により形成される。しかしな
がら、このエツチング工程で励振電極２は交互に
突出して噛み合うようになつているのでエツチン
グ液の通りが良い。これに反して、反射電極３，
４では反射格子３1，４1と共通電極３2，４2によ
り、エツチングされる反射格子３1，４1それぞれ
の間の部分のエツチング液の通りが悪くなる。そ
のため、反射格子３1，４1などの幅や圧電基板１
と反射格子３1，４1などの接触部の角度などに精
密性を要求される弾性表面波共振子に対して同一
エツチング条件で励振電極２と反射格子３1，４1
とを同時に良好に仕上げることは極めて困難であ
り、弾性表面波共振子の共振周波数が高くなり、
反射格子３1，４1それぞれの間隔が狭くなるに従
い、このエツチングの不均一による諸問題が出て
くる欠点があつた。
板１の一主面上にアルミニウムなどの薄膜を一面
に蒸着などの手段により被着形成し、フオトレジ
スト膜を設けたのち、所定のネガパターンを介し
てフオトレジスト膜の所定部を光硬化させたのち
現像、エツチング、レジスト膜除去を行う所謂フ
オトエツチング方法により形成される。しかしな
がら、このエツチング工程で励振電極２は交互に
突出して噛み合うようになつているのでエツチン
グ液の通りが良い。これに反して、反射電極３，
４では反射格子３1，４1と共通電極３2，４2によ
り、エツチングされる反射格子３1，４1それぞれ
の間の部分のエツチング液の通りが悪くなる。そ
のため、反射格子３1，４1などの幅や圧電基板１
と反射格子３1，４1などの接触部の角度などに精
密性を要求される弾性表面波共振子に対して同一
エツチング条件で励振電極２と反射格子３1，４1
とを同時に良好に仕上げることは極めて困難であ
り、弾性表面波共振子の共振周波数が高くなり、
反射格子３1，４1それぞれの間隔が狭くなるに従
い、このエツチングの不均一による諸問題が出て
くる欠点があつた。
本発明は前述した従来の弾性表面波共振子の諸
欠点に鑑みなされたものであり、共振周波数が高
くなつても励振電極と反射格子とを同一条件にて
エツチングしても反射格子間の間隔を所定値にす
ることが可能な弾性表面波共振子を提供すること
を目的としている。
欠点に鑑みなされたものであり、共振周波数が高
くなつても励振電極と反射格子とを同一条件にて
エツチングしても反射格子間の間隔を所定値にす
ることが可能な弾性表面波共振子を提供すること
を目的としている。
次に第３図により本発明の参考例を説明する。
即ち本参考例の弾性表面波共振子はLiTaO3，
LiNbO3、水晶、セラミツクスなどからなる圧電
基板１１の一主面上に互いに噛み合つた櫛形の励
振電極１２と、この励振電極１２の両側に所定間
隔をもつて、それぞれ多数個の反射格子１３1，
１４1及びこの反射格子１３1，１４1の一端部を
互に導接する共通電極１３2，１４2からなる反射
電極１３，１４とからなる。この弾性表面波共振
子は、励振電極１２の端子１２ａ，１２ｂ間に印
加される所定の周波数の信号電圧のみを圧電基板
１１の表面波を利用して両側の反射電極１３，１
４の反射格子１３1，１４1により反射して再度励
振電極１２にフイードバツクし、所定の周波数に
より直接発振を行なうようになつている。
即ち本参考例の弾性表面波共振子はLiTaO3，
LiNbO3、水晶、セラミツクスなどからなる圧電
基板１１の一主面上に互いに噛み合つた櫛形の励
振電極１２と、この励振電極１２の両側に所定間
隔をもつて、それぞれ多数個の反射格子１３1，
１４1及びこの反射格子１３1，１４1の一端部を
互に導接する共通電極１３2，１４2からなる反射
電極１３，１４とからなる。この弾性表面波共振
子は、励振電極１２の端子１２ａ，１２ｂ間に印
加される所定の周波数の信号電圧のみを圧電基板
１１の表面波を利用して両側の反射電極１３，１
４の反射格子１３1，１４1により反射して再度励
振電極１２にフイードバツクし、所定の周波数に
より直接発振を行なうようになつている。
この様な構造にすることにより、共通電極１３
２，１４2によりそれぞれの反射格子１３1，１４1
の電界による帯電を防止し得るのは従来のものと
ほぼ同様の効果がある。その上、一実施例の弾性
表面波共振子は、製造工程即ち圧電基板１１の一
主面上にアルミニウムなどの薄膜を一面に蒸着な
どの手段により被着形成し、フオトレジスト膜を
設けたのち、所定のネガパターンを介してフオト
レジスト膜の励振電極１２と反射電極１３，１４
に対応する部分を光硬化させたのち、現像、エツ
チングを行なつても励振電極１２と同様反射電極
１３，１４の他方の共通電極が全部欠除部となつ
ているので、エツチングされる反射格子１３1，
１４1、それぞれの間の部分のエツチング液の通
りが良好となる。したがつて、反射格子１３1，
１４1などの幅や圧電基板１と反射格子１３1，１
４1などの接触部の角度なども精密に仕上げられ、
励振電極１２と反射電極１３，１４を同一エツチ
ング条件でエツチングしても極めて特性の良好な
弾性表面波共振子を得ることが可能となつた。
２，１４2によりそれぞれの反射格子１３1，１４1
の電界による帯電を防止し得るのは従来のものと
ほぼ同様の効果がある。その上、一実施例の弾性
表面波共振子は、製造工程即ち圧電基板１１の一
主面上にアルミニウムなどの薄膜を一面に蒸着な
どの手段により被着形成し、フオトレジスト膜を
設けたのち、所定のネガパターンを介してフオト
レジスト膜の励振電極１２と反射電極１３，１４
に対応する部分を光硬化させたのち、現像、エツ
チングを行なつても励振電極１２と同様反射電極
１３，１４の他方の共通電極が全部欠除部となつ
ているので、エツチングされる反射格子１３1，
１４1、それぞれの間の部分のエツチング液の通
りが良好となる。したがつて、反射格子１３1，
１４1などの幅や圧電基板１と反射格子１３1，１
４1などの接触部の角度なども精密に仕上げられ、
励振電極１２と反射電極１３，１４を同一エツチ
ング条件でエツチングしても極めて特性の良好な
弾性表面波共振子を得ることが可能となつた。
次に第４図により本発明の一実施例を説明す
る。
る。
即ち実施例の弾性表面波共振子は圧電基板２１
に励振電極２２と、この励振電極２２の両側に所
定間隔をもつてそれぞれ多数個の反射格子２３1，
２４1及びこの反射格子２３1，２４1の一端部ま
たは両端部に欠除部２３ａ，２４ａを有する共通
電極２３2，２４2を反射格子２３1，２４1それぞ
れの間をエツチング液が通り易いように交互に設
けた反射電極２３，２４とからなり、励振電極２
２の端子２２ａ，２２ｂ間に印加される所定の周
波数の信号電圧のみを圧電基板２１の表面波を利
用して両側の反射電極２３，２４の反射格子２３
１，２４1により反射して再度励振電極２２にフイ
ードバツクし、所定の周波数により直接発振を行
なうようになつている。
に励振電極２２と、この励振電極２２の両側に所
定間隔をもつてそれぞれ多数個の反射格子２３1，
２４1及びこの反射格子２３1，２４1の一端部ま
たは両端部に欠除部２３ａ，２４ａを有する共通
電極２３2，２４2を反射格子２３1，２４1それぞ
れの間をエツチング液が通り易いように交互に設
けた反射電極２３，２４とからなり、励振電極２
２の端子２２ａ，２２ｂ間に印加される所定の周
波数の信号電圧のみを圧電基板２１の表面波を利
用して両側の反射電極２３，２４の反射格子２３
１，２４1により反射して再度励振電極２２にフイ
ードバツクし、所定の周波数により直接発振を行
なうようになつている。
この様な構造にすることにより共通電極２３2，
２４2は反射格子２３1，２４1を介して連接され
ているので、反射格子２３1，２４1の電界による
帯電を防止し得るのは従来のものとほぼ同様の効
果がある。その上、実施例の弾性表面波共振子
は、共通電極２３2，２４2には欠除部２３ａ，２
４ａが形成されているので製造工程中のエツチン
グ時にも反射格子２３1，２４1それぞれの間の部
分のエツチング液の通りが良好となり、励振電極
２２と反射電極２３，２４を同一エツチング条件
でエツチングしても極めて特性の良好な弾性表面
波共振子を得ることが可能となつた。
２４2は反射格子２３1，２４1を介して連接され
ているので、反射格子２３1，２４1の電界による
帯電を防止し得るのは従来のものとほぼ同様の効
果がある。その上、実施例の弾性表面波共振子
は、共通電極２３2，２４2には欠除部２３ａ，２
４ａが形成されているので製造工程中のエツチン
グ時にも反射格子２３1，２４1それぞれの間の部
分のエツチング液の通りが良好となり、励振電極
２２と反射電極２３，２４を同一エツチング条件
でエツチングしても極めて特性の良好な弾性表面
波共振子を得ることが可能となつた。
上述の構成をとることにより、本発明の弾性表
面波共振子は、反射電極の複数個の反射格子の電
界による帯電を防止つつ、その上、共通電極に欠
除部が設けられているため、製造工程中のエツチ
ング時にも反射格子それぞれの間の部分のエツチ
ング液の通りが良好となり、反射格子などの幅や
圧電基板１と反射格子などの接触部の角度なども
精密に仕上げられる。このため、励振電極と反射
電極を同一エツチング条件でエツチングしても極
めて特性の良好な弾性表面波共振子を得ることが
できる。
面波共振子は、反射電極の複数個の反射格子の電
界による帯電を防止つつ、その上、共通電極に欠
除部が設けられているため、製造工程中のエツチ
ング時にも反射格子それぞれの間の部分のエツチ
ング液の通りが良好となり、反射格子などの幅や
圧電基板１と反射格子などの接触部の角度なども
精密に仕上げられる。このため、励振電極と反射
電極を同一エツチング条件でエツチングしても極
めて特性の良好な弾性表面波共振子を得ることが
できる。
第１図及び第２図は従来の弾性表面波共振子を
示す図であり、第１図は平面図、第２図は要部拡
大平面図、第３図は本発明の弾性表面波共振子の
参考例を示す平面図、第４図は本発明の弾性表面
波共振子の実施例を示す平面図である。 １，１１，２１……圧電基板、２，１２，２２
……励振電極、３，４，１３，１４，２３，２４
……反射電極、３1，４1，１３1，１４1，２３1，
２４1……反射格子、３2，４2，１３2，１４2，２
３2，２４2……共通電極、２３ａ，２４ａ……欠
除部。
示す図であり、第１図は平面図、第２図は要部拡
大平面図、第３図は本発明の弾性表面波共振子の
参考例を示す平面図、第４図は本発明の弾性表面
波共振子の実施例を示す平面図である。 １，１１，２１……圧電基板、２，１２，２２
……励振電極、３，４，１３，１４，２３，２４
……反射電極、３1，４1，１３1，１４1，２３1，
２４1……反射格子、３2，４2，１３2，１４2，２
３2，２４2……共通電極、２３ａ，２４ａ……欠
除部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 圧電基板と、 この圧電基板の一主面上に配置された励振電極
と、 前記圧電基板の一主面上に且つこの励振電極の
両側に配置された反射電極とを備え、 この反射電極がそれぞれ複数個の反射格子と、
この反射格子の両端部を互に導接する一対の共通
電極とからなる弾性表面波共振子において、 前記共通電極に欠除部が形成され、且つこの欠
除部が両方の前記共通電極に交互に設けられてい
ることを特徴とする弾性表面波共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19179184A JPS6084005A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 弾性表面波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19179184A JPS6084005A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 弾性表面波共振子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084005A JPS6084005A (ja) | 1985-05-13 |
| JPH047606B2 true JPH047606B2 (ja) | 1992-02-12 |
Family
ID=16280595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19179184A Granted JPS6084005A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 弾性表面波共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084005A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4354166A (en) * | 1980-10-23 | 1982-10-12 | United Technologies Corporation | Carrier concentration controlled surface acoustic wave resonator and oscillator |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP19179184A patent/JPS6084005A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6084005A (ja) | 1985-05-13 |
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