JPH047666U - - Google Patents

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JPH047666U
JPH047666U JP4806990U JP4806990U JPH047666U JP H047666 U JPH047666 U JP H047666U JP 4806990 U JP4806990 U JP 4806990U JP 4806990 U JP4806990 U JP 4806990U JP H047666 U JPH047666 U JP H047666U
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heater
crucible
melted
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shield
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JP4806990U
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案装置の模式的縦断面図、第2図
は遮蔽体の効果を数値解析により計算した結果を
示す説明図、第3図は従来の装置及び本考案によ
る装置双方の装置より引上げた単結晶の電気抵抗
を評価した説明図、第4図は従来の装置及び本考
案の装置双方の使用頻度による固体層の厚みの変
化を比較した説明図、第5図はCZ法による結晶
成長装置を示す模式的縦断面図、第6図は溶融層
法による従来の結晶成長装置を示す模式的縦断面
図、第7図〜第10図は溶融層法での充填材料の
相変化を示す一次元モデル図、第11図は従来の
結晶成長装置内の中心軸上の温度分布を示す説明
図である。 1……坩堝、2……ヒータ、4……引上げ軸、
8……保温筒、10……チヤンバ、11……固体
原料供給器、22……遮蔽体。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 周囲にヒータ及びその外側に位置して保温壁を
    配設した坩堝内の結晶用原料を、前記ヒータにて
    上側から下側へ向けて溶融しつつ、その溶融液か
    ら結晶を引き上げて成長させる装置において、 前記ヒータの下方に、該ヒータから坩堝下部へ
    の輻射熱を遮断する遮蔽体を設けたことを特徴と
    する結晶成長装置。
JP4806990U 1990-05-07 1990-05-07 Pending JPH047666U (ja)

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JPH047666U true JPH047666U (ja) 1992-01-23

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