JPH03120570U - - Google Patents

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JPH03120570U
JPH03120570U JP1990029933U JP2993390U JPH03120570U JP H03120570 U JPH03120570 U JP H03120570U JP 1990029933 U JP1990029933 U JP 1990029933U JP 2993390 U JP2993390 U JP 2993390U JP H03120570 U JPH03120570 U JP H03120570U
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JP
Japan
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crucible
heater
melted
inner circumferential
heat insulating
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JP1990029933U
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案装置の模式的縦断面図、第2図
は遮蔽体の拡大平面図、第3図は第2図の−
線による断面図、第4,5図は一般的なCZ法、
溶融層法の説明図、第6図は溶融層法での充填材
料の相変化を示す一次元モデル図、第7図は坩堝
の温度制御の内容を示す説明図、第8図a,bは
第4,5図に示すCZ法、溶融層法を実施する装
置の半截栽断図である。 1……坩堝、2……ヒータ、3……保温壁、4
……プルチヤンバ、6……引上げ軸、7……種結
晶、8……単結晶、10……チヤンバ、9……遮
蔽体、9a……内筒、9b……外筒、9c……空
間層、15……ホルダ、18……固体原料供給器
。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 周囲にヒータ及びその外側に位置して保温壁を
    配設した坩堝内の結晶用原料を、前記ヒータにて
    上側から下側へ向けて溶融しつつ、その溶融液か
    ら結晶を引き上げて成長させる装置において、 前記坩堝内における溶融液面の上方であつて、
    坩堝の上部内周壁と結晶引上げ領域との間に坩堝
    の上部内周壁、ヒータ及び保温壁から結晶引上げ
    領域側への輻射熱を遮断する遮蔽体を設けたこと
    を特徴とする結晶成長装置。
JP1990029933U 1990-03-24 1990-03-24 Pending JPH03120570U (ja)

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JPH03120570U true JPH03120570U (ja) 1991-12-11

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002538064A (ja) * 1999-02-26 2002-11-12 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 結晶引揚装置のための熱シールド装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002538064A (ja) * 1999-02-26 2002-11-12 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド 結晶引揚装置のための熱シールド装置

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