JPH047862A - 半導体装置のリードフォーミング方法 - Google Patents

半導体装置のリードフォーミング方法

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JPH047862A
JPH047862A JP2109871A JP10987190A JPH047862A JP H047862 A JPH047862 A JP H047862A JP 2109871 A JP2109871 A JP 2109871A JP 10987190 A JP10987190 A JP 10987190A JP H047862 A JPH047862 A JP H047862A
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lead
bending
semiconductor device
downward
lead forming
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JP2109871A
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Nobuhiro Koyakata
古舘 信博
Minoru Togashi
富樫 実
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Toshiba Corp
Japan Semiconductor Corp
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Toshiba Corp
Iwate Toshiba Electronics Co Ltd
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01Manufacture or treatment
    • H10W70/04Manufacture or treatment of leadframes
    • H10W70/048Mechanical treatments, e.g. punching, cutting, deforming or cold welding

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) 本発明は、Q F P (Qusd Fill Pxc
ktgυやS OP (Sm!ll Qulline 
PackBe)タイプの半導体装置のリードフォーミン
グ方法に関する。
(従来の技術) 従来、QFPやSOPタイプの半導体装置は、例えば第
5図(a)及び(b)に示すような外観をしている。ま
た、前記半導体装置のリードフォーミングは、第6図(
a)及び(b)に示すようなリードフォーミング金型に
より行われている、ここで、lは封止樹脂(パッケージ
)、2LJアウターリード、3は曲げポンチホルダ、4
はストエ。
ツバ、5は曲げダイ、6はエジェクタービン、7はスプ
リング、8は曲げポンチである。
つまり、従来のリードフォーミング方法は、第7図(a
)及び(b)に示すように、アウターリード 2がフラ
ットな状態から、直接リードフォーミングを行い、最終
曲げ形状を得ている。
しかしながら、前記第6図(a)及び(b)に示すよう
な金型により直接リードフォーミングを行う方法では、
以下に示すような欠点がある。
即ち、リードフォーミング前においては、例えば第8図
に示すように、モールド工程での樹脂収縮や、パリ取り
工程等に起因して、封止樹脂1から導出したアウターリ
ード2は、その根元9から上下方向のバラツキαを有し
ている。このため、いわゆるリードのバラツキが発生し
ており、この状態でリードフーミングにより最終曲げ形
状を得ると、リードフォーミング前のアウターリード2
のバラツキが、そのままリードフォーミング後に持ち越
されてしまう。よって、アウターリード2のリード平坦
性(Cop 1 ana r i t y)の向上、曲
げ形状の安定化を達成することが困難であった。
(発明が解決しようとする課題) このように、従来の半導体装置のリードフォミング方法
では、リードフォーミング前におけるアウターリードの
バラツキがそのままリードフォーミング後に持ち越され
てしまうため、アウターリードのリード平坦性の向上、
曲げ形状の安定化を達成することができない欠点があっ
た。
本発明は、上記欠点を解決すべくなされたもので、リー
ドフォーミング前におけるアウターリードのバラツキを
矯正した後、リードフォーミングを行うことにより、ア
ウターリードのリード平坦性の向上、曲げ形状の安定化
を可能にするり一ドフォーミング方法を提供することを
目的とする。
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために、本発明の半導体装置のり−
ドフォーミング方法は、まず、封止樹脂から導出したリ
ードについて、その根元から上方又は下方に予備曲げを
行い、この後に前記リードについての最終曲げ形状を得
るというものである。
また、封止樹脂から導出したリードについて、その根元
から上方及び下方に少なくとも1回以上予備曲げを行い
、この後に前記リードについての最終曲げ形状を得ると
いうものである。
さらに、前記リードの予備曲げを行った後に、前記リー
ドをフラットの状態に戻してから最終曲げ形状を得ると
いうものである。
(作用) このような方法によれば、封止樹脂から導出したリード
の根元から上方又は下方に予備曲げを行っている。この
ため、モールド工程での樹脂収縮や、パリ取り工程等に
起因するアウターリードのバラツキを矯正することがで
きる。
また、予備曲げは、リードの根元から上方及び下方に少
なくとも1回以上行うのが良い。
さらに、前記リードの予備曲げを行った後に、前記リー
ドをフラットの状態に戻せば、さらに効果的である。
(実施例) 以下、図面を参照しながら本発明の一実施例について詳
細に説明する。
第1図(a)乃至(d)は、本発明の第1の実施例に係
わる半導体装置のリードフォーミング方法を、又第2図
(a)及び(b)は、本発明のリードフォーミング方法
を例えばQFPタイプ(144ピン)の半導体装置につ
いて実施するためのり−ドフォーミング金型をそれぞれ
示している。ここで、11は封止樹脂(パッケージ)、
12はアウターリード、13は曲げポンチホルダ、14
はストリッパ、15は曲げダイ、16はエジェクタービ
ン、17は曲げポンチ、I8は予備曲げポンチ、19は
予備曲げダイをそれぞれ示している。
即ち、リードフォーミング前の半導体装置は、アウター
リード12がフラットな状態となっており(第1図(a
)参照)、又この状態において封止樹脂11から導出し
たアウターリード12は、その根元から上下方向のバラ
ツキを有している。そこで、この後、例えば第2図に示
す予備曲げ部の金型を用いて、全てのアウターリード1
2について、その根元から上方(同図(b)参照)又は
下方(同図(c)参照)へ予備曲げを行う。これにより
、アウターリード12のバラツキを矯正する。そして、
次に、例えば第2図に示す最終曲げ部の金型を用いて、
半導体装置のリードフォーミングを行い、最終曲げ形状
を得る(同図(d)参照)。
このようなリードフォーミング方法によれば、アウター
リード12の予備的げにより、モールド工程での樹脂収
縮や、パリ取り工程等に起因するアウターリード12の
バラツキを矯正した後、最終曲げ形状を得ている。この
ため、最終曲げ形状については、リードフォーミング前
のアウターリード12のバラツキを、そのままリードフ
ォーミング後に持ち越すということがなく、アウターリ
ードのリード平坦性の向上、曲げ形状の安定化を可能に
する。
第3図は、本発明のリードフォーミング方法による半導
体装置と従来の方法による半導体装置とについて、リー
ド平坦性(バラツキの平均値χ(μm))及びその標準
偏差σ、、−1を示したものである。
即ち、リードフォーミング後のアウターリド12のバラ
ツキの平均値χは、従来と比較して1/2に減少してい
る。また、その標準偏差σ、、−1も小さくなっている
ことがわかる。
第4図(a)乃至(e)は、本発明の第2の実施例に係
わる半導体装置のり−ドフォーミング方法を示している
本実施例では、アウターリード12について、その根元
から上方及び下方に少なくとも1回以上予備曲げを行っ
た後に、半導体装置のリードフォミングを行い、最終曲
げ形状を得ている。例えば、まず、全てのアウターリー
ド12について、その根元から上方へ予備的げを行う(
同図(a)及び(b)参照)。また、全てのアウターリ
ード12について、その根元から下方へ予備的げを行う
(同図(C)参照)。この後、全てのアウターリード1
2をフラットな状態に戻すことにより、アウターリード
12のバラツキを矯正する(同図Cd)参照)。この後
、半導体装置のリードフォーミングを行い、最終曲げ形
状を得る(同図(e)参照)。なお、アウターリード1
2の予備的げによりそのバラツキを矯正し、この後、ア
ウターリード12をフラットな状態に戻すことなく、最
終曲げ形状を得てもよい。
このようなり−ドフォーミング方法でも、アウターリー
ド12の予備的げにより、そのバラツキを矯正した後、
最終曲げ形状を得ている。よって、前記第1の実施例と
同様の効果を得ることができる。
なお、本発明のリードフォーミング方法は、44ピン、
60ピン、100ピン、144ピン等のQFPタイプの
半導体装置の他、はとんどの半導体装置について適用す
ることができる。
[発明の効果] 以上、説明したように、本発明の半導体装置のリードフ
ォーミング方法によれば、次のような効果を奏する。
封止樹脂から導出したアウターリードについて、その根
元から上方又は下方に予備的げを行うことにより、モー
ルド工程での樹脂収縮や、パリ取り工程等に起因するア
ウターリードのバラツキを矯正している。よって、リー
ドフォーミング後においてアウターリードのリード平坦
性の向上、曲げ形状の安定化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例に係わる半導体装置のリ
ードフォーミング方法について示す概略図、第2図は本
発明のリードフォーミング方法を例えばQFPタイプの
半導体装置について実施するためのリードフォーミング
金型の一例を示す側面図、第3図は本発明に係わる半導
体装置と従来に係わる半導体装置とのリード平坦性につ
いて比較して示す図、第4図は本発明の第2の実施例に
係わる半導体装置のリードフォーミング方法について示
す概略図、第5図はQFPタイプ及びSOPタイプの半
導体装置について示す外観図、第6図は従来のリードフ
ォーミング方法を実施するためのリードフォーミング金
型の一例を示す側面図、第7図は従来のリードフォーミ
ング方法について示す概略図、第8図は従来のり一ドフ
ォミング前の半導体装置について示す概略図である。 11・・・封止樹脂(パッケージ)、12・・・アウタ
ーリード、13・・・曲げポンチホルダ、14・・・ス
トリッパ、15・・・曲げダイ、 16・・・エジェクタービン、 17・・・曲げ ポンチ、 18・・・予備曲げポンチ、 19・・・予備曲げダイ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)封止樹脂から導出したリードについて、その根元
    から上方又は下方に予備曲げを行った後、前記リードに
    ついての最終曲げ形状を得ることを特徴とする半導体装
    置のリードフォーミング方法。
  2. (2)封止樹脂から導出したリードについて、その根元
    から上方及び下方に少なくとも1回以上予備曲げを行っ
    た後、前記リードについての最終曲げ形状を得ることを
    特徴とする半導体装置のリードフォーミング方法。
  3. (3)前記リードの予備曲げを行った後、前記リードを
    フラットの状態に戻してから最終曲げ形状を得ることを
    特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置のリードフ
    ォーミング方法。
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