JPH0480427B2 - - Google Patents
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- JPH0480427B2 JPH0480427B2 JP57015463A JP1546382A JPH0480427B2 JP H0480427 B2 JPH0480427 B2 JP H0480427B2 JP 57015463 A JP57015463 A JP 57015463A JP 1546382 A JP1546382 A JP 1546382A JP H0480427 B2 JPH0480427 B2 JP H0480427B2
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- circuit
- pattern
- signal
- bits
- bit
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/0006—Industrial image inspection using a design-rule based approach
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30164—Workpiece; Machine component
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Image Analysis (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はIC製造工程におけるマスクあるいは
レチクルに転写されたパターンが、そのパターン
を形成するための設計データと比較して、正常に
転写されているかどうかを検査するパターンの欠
陥検査方法に関するものである。
レチクルに転写されたパターンが、そのパターン
を形成するための設計データと比較して、正常に
転写されているかどうかを検査するパターンの欠
陥検査方法に関するものである。
従来この種の方法は、同一マスク上に同じパタ
ーン群を持つチツプ同志の比較による検査方法で
あるとか、設計データを画像メモリ上にビツトパ
ターンとして展開し、マスク又はレチクルから得
られる画像データとを、画素単位で比較する検査
方法が考えられていた。
ーン群を持つチツプ同志の比較による検査方法で
あるとか、設計データを画像メモリ上にビツトパ
ターンとして展開し、マスク又はレチクルから得
られる画像データとを、画素単位で比較する検査
方法が考えられていた。
しかし前者の方法によると、チツプ毎に同一の
欠陥(共通欠陥)を有していた場合には欠陥と認
識することは不可能であり、又マスクを作成する
原版となるレチクルでは、単独のパターンである
場合が多く、チツプ比較法のような検査は不可能
であつた。一方、後者の方法によれば、パターン
を作成した設計データとの比較であるから、チツ
プ同志の共通欠陥でも認識することは可能であ
り、レチクルでも検査することはできる。しか
し、設計データを画像メモリ上に画素単位に変換
して用意しておくデータ量、すなわち、画像メモ
リの容量は膨大になり計算機がそれを入出力させ
るためにも時間がかかりすぎ、装置も大型、複雑
になるという欠点があつた。
欠陥(共通欠陥)を有していた場合には欠陥と認
識することは不可能であり、又マスクを作成する
原版となるレチクルでは、単独のパターンである
場合が多く、チツプ比較法のような検査は不可能
であつた。一方、後者の方法によれば、パターン
を作成した設計データとの比較であるから、チツ
プ同志の共通欠陥でも認識することは可能であ
り、レチクルでも検査することはできる。しか
し、設計データを画像メモリ上に画素単位に変換
して用意しておくデータ量、すなわち、画像メモ
リの容量は膨大になり計算機がそれを入出力させ
るためにも時間がかかりすぎ、装置も大型、複雑
になるという欠点があつた。
本発明はこれらの欠点を解決し膨大な情報量を
記憶する装置を必要とせず、設計データを参照し
てパターンの欠陥の有無を高速に判定可能な欠陥
検査方法を提供することを目的とする。
記憶する装置を必要とせず、設計データを参照し
てパターンの欠陥の有無を高速に判定可能な欠陥
検査方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明のパターン
欠陥検査方法では、設計2値データから得られる
設計パターンの所定領域と、被検物を撮像して得
られる撮像2値パターンの所定領域とを順次重複
しつつ全領域にわたつて切り出し、前記設計2値
パターンから切り出した所定領域と前記撮像2値
パターンから切り出した所定領域との位置的に対
応するもの同志を比較することにより、前記設計
2値パターンに対する前記撮像2値パターンの差
異を検出し、前記設計2値パターンおよび前記撮
像2値パターンの各々における前記所定領域の複
数点でのデータを予め指定することにより、少な
くとも、段差もしくは凹凸を有する水平線、段差
もしくは凹凸を有する垂直線、段差もしくは凹凸
を有する45゜斜線、段差もしくは凹凸を有する
135゜斜線、90゜の角度を有する角部、及び135゜の角
度を有する角部の有無を前記各々の所定領域で検
出したのち、該検出結果を各々2値コード化し、
該2値コード同志を比較することによつて、前記
設計2値パターンに対する前記撮像2値パターン
の差異を検出する。
欠陥検査方法では、設計2値データから得られる
設計パターンの所定領域と、被検物を撮像して得
られる撮像2値パターンの所定領域とを順次重複
しつつ全領域にわたつて切り出し、前記設計2値
パターンから切り出した所定領域と前記撮像2値
パターンから切り出した所定領域との位置的に対
応するもの同志を比較することにより、前記設計
2値パターンに対する前記撮像2値パターンの差
異を検出し、前記設計2値パターンおよび前記撮
像2値パターンの各々における前記所定領域の複
数点でのデータを予め指定することにより、少な
くとも、段差もしくは凹凸を有する水平線、段差
もしくは凹凸を有する垂直線、段差もしくは凹凸
を有する45゜斜線、段差もしくは凹凸を有する
135゜斜線、90゜の角度を有する角部、及び135゜の角
度を有する角部の有無を前記各々の所定領域で検
出したのち、該検出結果を各々2値コード化し、
該2値コード同志を比較することによつて、前記
設計2値パターンに対する前記撮像2値パターン
の差異を検出する。
以下に図面を参照して本発明の実施例について
説明する。
説明する。
第1図は、本発明の実施例を示すブロツク図で
ある。移動ステージ14に載置されると共に、パ
ターンが描かれた被検査物、例えばレチクル1
は、撮像装置2によつて、レチクル1上の所定の
小領域のみが撮像される。この領域が検査すべき
1画面になる。またレチクル1は、ストロボ装置
15によつて透過照明される。撮像装置2のアナ
ログ映像信号は次の2値化回路3によつて2値画
像信号に変換されると共に、必要に応じてスムー
ジング等の雑音除去処理が行なわれる。
ある。移動ステージ14に載置されると共に、パ
ターンが描かれた被検査物、例えばレチクル1
は、撮像装置2によつて、レチクル1上の所定の
小領域のみが撮像される。この領域が検査すべき
1画面になる。またレチクル1は、ストロボ装置
15によつて透過照明される。撮像装置2のアナ
ログ映像信号は次の2値化回路3によつて2値画
像信号に変換されると共に、必要に応じてスムー
ジング等の雑音除去処理が行なわれる。
切出回路4は2値画像信号の入力に基づいて、
検査すべき1画面中の局所的な領域、例えば矩形
領域に対応した2値情報を切出す。この局所的な
矩形領域は、一例として画像中の16×16画素に相
当する領域で構成されている。このように撮像装
置2、2値化回路3そして切出回路4で撮像手段
を構成している。これを第2図により、さらに詳
しく説明する。
検査すべき1画面中の局所的な領域、例えば矩形
領域に対応した2値情報を切出す。この局所的な
矩形領域は、一例として画像中の16×16画素に相
当する領域で構成されている。このように撮像装
置2、2値化回路3そして切出回路4で撮像手段
を構成している。これを第2図により、さらに詳
しく説明する。
第2図において、検査すべき1画面の画像10
0は、撮像装置2の走査線101によつてラスタ
走査される。尚、実施例では、画像100内の走
査線の本数は垂直方向に1024本であるものとす
る。
0は、撮像装置2の走査線101によつてラスタ
走査される。尚、実施例では、画像100内の走
査線の本数は垂直方向に1024本であるものとす
る。
レチクル1上のパターンは一般にガラス板上に
クロムによつて描画されているので、アナログ映
像信号は、明暗、すなわち、白黒画像に応じた時
系列信号になる。制御回路5は画像100中の1
走査線につき、1024回クロツクパルスを発生し、
2値化回路3は各クロツクパルス毎に、アナログ
映像信号をサンプリングして、画素化した2値画
像信号を出力する。
クロムによつて描画されているので、アナログ映
像信号は、明暗、すなわち、白黒画像に応じた時
系列信号になる。制御回路5は画像100中の1
走査線につき、1024回クロツクパルスを発生し、
2値化回路3は各クロツクパルス毎に、アナログ
映像信号をサンプリングして、画素化した2値画
像信号を出力する。
切出回路4は、16ビツトのシフトレジスタ10
4と1024ビツトのシフトレジスタ105を直列接
続したものを15段分直列に接続し、最後に16ビツ
トのシフトレジスタ104を接続した直列レジス
タ列で構成されている。2値画像信号は、一番初
めの16ビツトシフトレジスタ104に入力される
と共に、制御回路5が発生するクロツクパルスに
同期して、直列レジスタ列内に順次転送されてい
く。前述のように、1走査線分のアナログ映像信
号は1024回のサンプリングによつて2値化されて
いるから、2値画像信号は画素100を1024×
1024画素に分割して、1画素を「0」か「1」の
2値論理で表わした時系列信号となる。2値化回
路3で1回サンプリングが行なわれると、直列レ
ジスタ列は1回シフトされ、各画素に応じた論理
値が次のビツトに転送される。尚、実施例におい
て、2値化回路3は1走査線を1024クロツクでサ
ンプリングし、その後の帰線期間中は16クロツク
でサンプリングし、さらに切出回路4も、帰線期
間中16回シフトされる。そして、16個のシフトレ
ジスタ104から成る切出部103は、画像10
0中、16×16画素の局所的な矩形領域(以下、窓
と呼ぶ)102の2値画素情報を保持する。また
窓102は、走査が進むにつれて画像100中を
1画素単位(1クロツクパルス毎)に移動して、
画像100の全面から順次2値画素情報を切出
す。さて、この窓102で切出された16×16画素
の2値情報は、第1図に示す検知手段としての欠
陥候補パターン検出回路300とエツジ検出回路
7に入力する。欠陥候補パターン検出回路300
は窓102内の明暗のエツジ(これはレチクル1
上のパターンエツジに対応する)が、あらかじめ
用意された所定の屈曲形状であるか否か検出す
る。この所定の形状について、詳しくは後述す
る。エツジ検出回路7は、例えば撮像したレチク
ル1上のパターンの角が撮像光学系の影響で丸み
をおびて、角であると認識できない場合にも、窓
102内に角らしきエツジが存在することを検出
する。
4と1024ビツトのシフトレジスタ105を直列接
続したものを15段分直列に接続し、最後に16ビツ
トのシフトレジスタ104を接続した直列レジス
タ列で構成されている。2値画像信号は、一番初
めの16ビツトシフトレジスタ104に入力される
と共に、制御回路5が発生するクロツクパルスに
同期して、直列レジスタ列内に順次転送されてい
く。前述のように、1走査線分のアナログ映像信
号は1024回のサンプリングによつて2値化されて
いるから、2値画像信号は画素100を1024×
1024画素に分割して、1画素を「0」か「1」の
2値論理で表わした時系列信号となる。2値化回
路3で1回サンプリングが行なわれると、直列レ
ジスタ列は1回シフトされ、各画素に応じた論理
値が次のビツトに転送される。尚、実施例におい
て、2値化回路3は1走査線を1024クロツクでサ
ンプリングし、その後の帰線期間中は16クロツク
でサンプリングし、さらに切出回路4も、帰線期
間中16回シフトされる。そして、16個のシフトレ
ジスタ104から成る切出部103は、画像10
0中、16×16画素の局所的な矩形領域(以下、窓
と呼ぶ)102の2値画素情報を保持する。また
窓102は、走査が進むにつれて画像100中を
1画素単位(1クロツクパルス毎)に移動して、
画像100の全面から順次2値画素情報を切出
す。さて、この窓102で切出された16×16画素
の2値情報は、第1図に示す検知手段としての欠
陥候補パターン検出回路300とエツジ検出回路
7に入力する。欠陥候補パターン検出回路300
は窓102内の明暗のエツジ(これはレチクル1
上のパターンエツジに対応する)が、あらかじめ
用意された所定の屈曲形状であるか否か検出す
る。この所定の形状について、詳しくは後述す
る。エツジ検出回路7は、例えば撮像したレチク
ル1上のパターンの角が撮像光学系の影響で丸み
をおびて、角であると認識できない場合にも、窓
102内に角らしきエツジが存在することを検出
する。
一方、磁気テープ(以下MTとする)9に保存
されたレチクル1のパターン作成時の設計データ
は、計算機10に読み込まれる。MT9の設計デ
ータは一例として、第3図に示すような矩形パタ
ーンの集合として、レチクル全面分を保存してい
る。実際の回路パターンはこれら矩形パターンを
複雑に組み合わせて作成される。ここで1つの矩
形パターンは幅W、高さH、レチクル上の所定の
x、y座標系における中心座標値(x、y)、及
び回転角θの5つのパラメータで表わされる。
されたレチクル1のパターン作成時の設計データ
は、計算機10に読み込まれる。MT9の設計デ
ータは一例として、第3図に示すような矩形パタ
ーンの集合として、レチクル全面分を保存してい
る。実際の回路パターンはこれら矩形パターンを
複雑に組み合わせて作成される。ここで1つの矩
形パターンは幅W、高さH、レチクル上の所定の
x、y座標系における中心座標値(x、y)、及
び回転角θの5つのパラメータで表わされる。
第1図の説明にもどつて、計算機10は撮像装
置2によつて撮像されるレチクル1上の1画面の
領域に相当する設計データを出力する。記憶回路
11はその設計データの入力に基づいて、欠陥候
補パターン検出回路300が検出するパターンの
特徴と同様に設計上の欠陥候補パターンを検出し
て記憶する。さらに、記憶手段としての記憶回路
11は、設計上パターンが備えた90゜の角(エツ
ジ部が90゜で屈曲しているもの)の情報(以下、
90゜角情報とする。)をも抽出して記憶する。尚、
このように設計データから抽出された欠陥候補パ
ターンの情報と90゜角情報とを以下総称して設計
特徴情報とする。そして記憶回路11は、この時
設計データ中から、前述の窓102の移動に従う
順序で設計上1画面中に存在すべき設計特徴情報
を順次記憶する。これにより記憶回路11には例
えば1画面に存在すべき設計上のパターンエツジ
に関する全ての情報が保持される。1画面分の設
計特徴情報は、計算機10の不図示の記憶装置
に、1画面分の情報として記憶される。この前に
計算機10は、次の1画面分の設計データをこの
記憶回路11に出力する。
置2によつて撮像されるレチクル1上の1画面の
領域に相当する設計データを出力する。記憶回路
11はその設計データの入力に基づいて、欠陥候
補パターン検出回路300が検出するパターンの
特徴と同様に設計上の欠陥候補パターンを検出し
て記憶する。さらに、記憶手段としての記憶回路
11は、設計上パターンが備えた90゜の角(エツ
ジ部が90゜で屈曲しているもの)の情報(以下、
90゜角情報とする。)をも抽出して記憶する。尚、
このように設計データから抽出された欠陥候補パ
ターンの情報と90゜角情報とを以下総称して設計
特徴情報とする。そして記憶回路11は、この時
設計データ中から、前述の窓102の移動に従う
順序で設計上1画面中に存在すべき設計特徴情報
を順次記憶する。これにより記憶回路11には例
えば1画面に存在すべき設計上のパターンエツジ
に関する全ての情報が保持される。1画面分の設
計特徴情報は、計算機10の不図示の記憶装置
に、1画面分の情報として記憶される。この前に
計算機10は、次の1画面分の設計データをこの
記憶回路11に出力する。
以上、設計データから設計特徴情報を抽出し、
記憶回路11から計算機10の中の記憶装置にレ
チクル1のすべての画面に対応する設計特徴情報
を記憶するまでの操作は、実際の比較検査の前に
行なわれる。
記憶回路11から計算機10の中の記憶装置にレ
チクル1のすべての画面に対応する設計特徴情報
を記憶するまでの操作は、実際の比較検査の前に
行なわれる。
このようにして、計算機10の記憶装置に設計
特徴情報が蓄積されると、次に実際の検査が開始
される。このとき計算機10は、ステージ14を
2次元的に移動する駆動手段13を制御して、撮
像すべきレチクル1上の1画面分の領域に位置を
合わせる。同時に、計算機10は記憶装置から、
その1画面分の設計特徴情報を記憶回路11に転
送する。
特徴情報が蓄積されると、次に実際の検査が開始
される。このとき計算機10は、ステージ14を
2次元的に移動する駆動手段13を制御して、撮
像すべきレチクル1上の1画面分の領域に位置を
合わせる。同時に、計算機10は記憶装置から、
その1画面分の設計特徴情報を記憶回路11に転
送する。
そして、制御回路5のクロツクパルスに応じ
て、記憶回路11の設計特徴情報は、特徴情報切
出回路12に順次送られる。特徴情報切出回路1
2(以下単に特徴切出回路12とする)の切出領
域は、前述の窓102よりも小さく定められてい
る。特徴切出回路12は、設計データに基づく設
計特徴情報をクロツクパルスに同期して順次切出
す。
て、記憶回路11の設計特徴情報は、特徴情報切
出回路12に順次送られる。特徴情報切出回路1
2(以下単に特徴切出回路12とする)の切出領
域は、前述の窓102よりも小さく定められてい
る。特徴切出回路12は、設計データに基づく設
計特徴情報をクロツクパルスに同期して順次切出
す。
先にも述べたように、制御回路5のクロツクパ
ルスは、窓102を1画面中で移動させるから、
特徴切出回路12の切出領域(以下、参照窓とす
る)と窓102は、クロツクパルスに同期して同
方向に移動する。
ルスは、窓102を1画面中で移動させるから、
特徴切出回路12の切出領域(以下、参照窓とす
る)と窓102は、クロツクパルスに同期して同
方向に移動する。
比較回路8は特徴切出回路12と共に検査手段
を構成しており、欠陥候補パターン検出回路30
0が出力する欠陥候補パターン情報と、エツジ検
出回路7が出力する検出結果及び特徴切出回路1
2の情報を入力とし、レチクル上のパターンと設
計データ上のパターンが異なるときは、計算機1
0に欠陥情報を出力する。
を構成しており、欠陥候補パターン検出回路30
0が出力する欠陥候補パターン情報と、エツジ検
出回路7が出力する検出結果及び特徴切出回路1
2の情報を入力とし、レチクル上のパターンと設
計データ上のパターンが異なるときは、計算機1
0に欠陥情報を出力する。
具体的には、欠陥候補パターン検出回路300
で欠陥候補パターンが検出された時、参照窓の情
報中に同様の欠陥候補パターン情報が1つでもあ
れば欠陥なしとする。又、参照窓の中心部に90゜
角情報が位置したときエツジ検出回路7が窓10
2内に角エツジらしきもの、又単なる直線エツジ
を検出していれば欠陥なしとする。
で欠陥候補パターンが検出された時、参照窓の情
報中に同様の欠陥候補パターン情報が1つでもあ
れば欠陥なしとする。又、参照窓の中心部に90゜
角情報が位置したときエツジ検出回路7が窓10
2内に角エツジらしきもの、又単なる直線エツジ
を検出していれば欠陥なしとする。
以上のように、比較回路8は撮像された1画面
中から、欠陥候補パターン検出回路300により
検出された情報と、エツジ検出回路7により検出
された情報とを記憶回路11に保持された設計情
報と順次比較して、計算機10にリアルタイムに
欠陥情報を出力する。そしてこのような操作をレ
チクル全面に対して行なうことにより、レチクル
1枚の欠陥検査が完了する。
中から、欠陥候補パターン検出回路300により
検出された情報と、エツジ検出回路7により検出
された情報とを記憶回路11に保持された設計情
報と順次比較して、計算機10にリアルタイムに
欠陥情報を出力する。そしてこのような操作をレ
チクル全面に対して行なうことにより、レチクル
1枚の欠陥検査が完了する。
次に、欠陥候補パターン検出回路300につい
て、具体的に説明するが、その前に、ICパター
ンの特徴について述べる。一般に、ICパターン
は、第3図に示したような矩形パターンを多数組
合わせて作られている。
て、具体的に説明するが、その前に、ICパター
ンの特徴について述べる。一般に、ICパターン
は、第3図に示したような矩形パターンを多数組
合わせて作られている。
また、ICパターンは、レチクル上のxy座標系
に対して、矩形パターンの回転角θが0゜、90゜、
45゜又は135゜になるように決められている。回転
角θがその他の場合は極めてまれである。従つ
て、ここではこれら矩形パターンを組合わせてで
きる設計上あるいはレチクル1上のパターンで、
直線的なエツジについては、前述の窓102中で
水平(0゜)、垂直(90゜)及び斜め45゜と135゜の方向
を考え、屈曲した角を成すエツジについては90゜
(270゜)と135゜(225゜)の角度を考えるものとする
。
に対して、矩形パターンの回転角θが0゜、90゜、
45゜又は135゜になるように決められている。回転
角θがその他の場合は極めてまれである。従つ
て、ここではこれら矩形パターンを組合わせてで
きる設計上あるいはレチクル1上のパターンで、
直線的なエツジについては、前述の窓102中で
水平(0゜)、垂直(90゜)及び斜め45゜と135゜の方向
を考え、屈曲した角を成すエツジについては90゜
(270゜)と135゜(225゜)の角度を考えるものとする
。
さて、第4図〜はパターンエツジの欠陥候
補パターンの代表例を示す図である。図において
A〜Tまでの20個の正方形は切出回路4によつて
切出される16×16ビツトの窓102に相当する領
域を示す。尚、A〜Tの各正方形において、内部
のビツト位置を特定するために、2次元的な座標
を(x・y)とし、xは縦方向の列A〜Pを表わ
し、yは横方向の列1〜16を表わすものとする。
補パターンの代表例を示す図である。図において
A〜Tまでの20個の正方形は切出回路4によつて
切出される16×16ビツトの窓102に相当する領
域を示す。尚、A〜Tの各正方形において、内部
のビツト位置を特定するために、2次元的な座標
を(x・y)とし、xは縦方向の列A〜Pを表わ
し、yは横方向の列1〜16を表わすものとする。
そして各図A〜Tにおいて、所定ビツト中の論
理値「1」(以下単に「1」とする。)は、レチク
ル上のクロム面(黒部分)に対応し、論理値
「0」(以下単に「0」とする。)はガラス面(白
部分)に対応する。尚、欠陥候補パターンはA〜
Tの20種類のパターン以外に、A〜Tを夫々、
90゜、180゜、270゜回転してできるパターンと、さら
にそれら各々を白黒反転(所定ビツト中の各論理
値を反転)してできるパターンとを加えて、全部
で160種類のパターンから成る。
理値「1」(以下単に「1」とする。)は、レチク
ル上のクロム面(黒部分)に対応し、論理値
「0」(以下単に「0」とする。)はガラス面(白
部分)に対応する。尚、欠陥候補パターンはA〜
Tの20種類のパターン以外に、A〜Tを夫々、
90゜、180゜、270゜回転してできるパターンと、さら
にそれら各々を白黒反転(所定ビツト中の各論理
値を反転)してできるパターンとを加えて、全部
で160種類のパターンから成る。
そこで、欠陥候補パターン検出回路300は、
この160種類のパターンを参照パターン、いわゆ
るテンプレートとして備えており、窓102中に
現われるパターン(ビツトパターン)とのマツチ
ングを行なう。
この160種類のパターンを参照パターン、いわゆ
るテンプレートとして備えており、窓102中に
現われるパターン(ビツトパターン)とのマツチ
ングを行なう。
また、第4図〜のA〜Tにおいて、各正方
形中の点線は、それぞれのテンプレートで検出で
きるパターンエツジの一例を示すものである。こ
こで、A〜Tに示したテンプレートについて説明
する。A〜Hまでの8つのテンプレートはパター
ンの基準となる水平エツジ(16×16ビツト中、ビ
ツト(H・7)とビツト(I・7)の間を通るエ
ツジ)に対して、3〜6画素分の段差を伴つた水
平エツジを検出するものである。またI〜Pまで
の8つのテンプレートはパターンの基準となる斜
めエツジ(16×16ビツト中、ビツトE・11とビツ
トF・12の間を45゜又は135゜の傾きで通るエツジ)
に対して、所定の画素数(例えば2〜4画素)分
の段差を伴つた斜めエツジを検出するものであ
る。
形中の点線は、それぞれのテンプレートで検出で
きるパターンエツジの一例を示すものである。こ
こで、A〜Tに示したテンプレートについて説明
する。A〜Hまでの8つのテンプレートはパター
ンの基準となる水平エツジ(16×16ビツト中、ビ
ツト(H・7)とビツト(I・7)の間を通るエ
ツジ)に対して、3〜6画素分の段差を伴つた水
平エツジを検出するものである。またI〜Pまで
の8つのテンプレートはパターンの基準となる斜
めエツジ(16×16ビツト中、ビツトE・11とビツ
トF・12の間を45゜又は135゜の傾きで通るエツジ)
に対して、所定の画素数(例えば2〜4画素)分
の段差を伴つた斜めエツジを検出するものであ
る。
また、Q,Rの2つのテンプレートはパターン
のエツジが135゜の角度で屈曲していることを検出
するものである。そしてSのテンプレートは、基
準となる垂直エツジに、5画素以下の幅で2画素
以上の微小凹凸があることを検出し、Tのテンプ
レートは基準となる斜めエツジに、約5画素分以
下の幅で約2画素分以上の微小凹凸があることを
検出するものである。
のエツジが135゜の角度で屈曲していることを検出
するものである。そしてSのテンプレートは、基
準となる垂直エツジに、5画素以下の幅で2画素
以上の微小凹凸があることを検出し、Tのテンプ
レートは基準となる斜めエツジに、約5画素分以
下の幅で約2画素分以上の微小凹凸があることを
検出するものである。
尚、A〜Pまでの各テンプレートはエツジに所
定の画素数分の段差さえあればよく、段差中のエ
ツジの変化については、ほとんど無視される。例
えば第4図IのAのテンプレートを考えてみる
と、基準となる水平エツジを挾み込むビツト
(H・7)とビツト(I・7)から、段差を伴う
水平エツジを挾み込みビツト(E・12)とビツト
(F・12)までを結ぶエツジは幾通りも考えられ
る。すなわち、Aに示した正方形中、点線で表わ
したように段差を伴つた水平エツジを垂直に結ぶ
エツジだけではなく、斜めに結ぶエツジであつた
としても、このテンプレートにより検出される。
そして、第4図〜のA〜Tを含めて160種類
の各テンプレートは、夫々アンド回路により構成
される。その一例として、Aのテンプレートを構
成するには、第5に示すように11入力のアンド回
路を用いる。このアンド回路の入力のうち、5つ
は、前述の切出部103の16×16ビツト中、ビツ
ト(J・2)、(J・4)、(J・6)、(I・7)、
(F・12)に接続し、他の6つの入力はそれぞれ
インバータを介して、ビツト(G・2)、(G・
4)、(G・6)、(G・7)、(E・12)、(E・14
)
に接続する。
定の画素数分の段差さえあればよく、段差中のエ
ツジの変化については、ほとんど無視される。例
えば第4図IのAのテンプレートを考えてみる
と、基準となる水平エツジを挾み込むビツト
(H・7)とビツト(I・7)から、段差を伴う
水平エツジを挾み込みビツト(E・12)とビツト
(F・12)までを結ぶエツジは幾通りも考えられ
る。すなわち、Aに示した正方形中、点線で表わ
したように段差を伴つた水平エツジを垂直に結ぶ
エツジだけではなく、斜めに結ぶエツジであつた
としても、このテンプレートにより検出される。
そして、第4図〜のA〜Tを含めて160種類
の各テンプレートは、夫々アンド回路により構成
される。その一例として、Aのテンプレートを構
成するには、第5に示すように11入力のアンド回
路を用いる。このアンド回路の入力のうち、5つ
は、前述の切出部103の16×16ビツト中、ビツ
ト(J・2)、(J・4)、(J・6)、(I・7)、
(F・12)に接続し、他の6つの入力はそれぞれ
インバータを介して、ビツト(G・2)、(G・
4)、(G・6)、(G・7)、(E・12)、(E・14
)
に接続する。
従つて、切出部103に相当する1画面中の窓
102中に、第4図のAに点線で示したような
パターンエツジが現われたときのみ、第5図のア
ンド回路は「1」を出力する。
102中に、第4図のAに点線で示したような
パターンエツジが現われたときのみ、第5図のア
ンド回路は「1」を出力する。
また、窓102は1画面中を水平方向に1画素
ずつクロツクパルスに応答して移動するから、窓
102中に現われるパターンエツジが段差を伴つ
た水平エツジの場合は、クロツクパルスの数パル
ス分に渡つて第5図のアンド回路が「1」を出力
し続けることがある。このことについて、第6図
を用いて説明する。今、例えばレチクル1上のパ
ターンのエツジは、6画素の段差を伴なつた水平
エツジが存在したものとする。そして、その水平
エツジは第4図のDのテンプレートで検出され
るものとして、第6図にそのテンプレートと水平
エツジとの関係を示す。
ずつクロツクパルスに応答して移動するから、窓
102中に現われるパターンエツジが段差を伴つ
た水平エツジの場合は、クロツクパルスの数パル
ス分に渡つて第5図のアンド回路が「1」を出力
し続けることがある。このことについて、第6図
を用いて説明する。今、例えばレチクル1上のパ
ターンのエツジは、6画素の段差を伴なつた水平
エツジが存在したものとする。そして、その水平
エツジは第4図のDのテンプレートで検出され
るものとして、第6図にそのテンプレートと水平
エツジとの関係を示す。
第6図において、段差が垂直エツジで結ばれて
いた場合、窓102の水平方向の移動に伴つて、
この垂直エツジが図中E1からE2までの6画素分
を移動する間、すなわちクロツクパルスの6パル
ス分の間、Dのテンプレートを構成するアンド回
路は「1」を出力し続ける。また、段差が図に示
すような複雑な曲線で結ばれたエツジの場合(斜
めに結ばれている場合も同様)は、そのエツジが
図中E3からE4までの3画素分を移動する間、ア
ンド回路は「1」を出力し続ける。
いた場合、窓102の水平方向の移動に伴つて、
この垂直エツジが図中E1からE2までの6画素分
を移動する間、すなわちクロツクパルスの6パル
ス分の間、Dのテンプレートを構成するアンド回
路は「1」を出力し続ける。また、段差が図に示
すような複雑な曲線で結ばれたエツジの場合(斜
めに結ばれている場合も同様)は、そのエツジが
図中E3からE4までの3画素分を移動する間、ア
ンド回路は「1」を出力し続ける。
このように、第6図に示したテンプレートにお
いては、2つの水平エツジが2組のビツト対、ビ
ツト(H・7)、(I・7)とビツト(B・14)、
(C・14)との水平方向の長さ分(6画素分)だ
け離間するように規定されている。
いては、2つの水平エツジが2組のビツト対、ビ
ツト(H・7)、(I・7)とビツト(B・14)、
(C・14)との水平方向の長さ分(6画素分)だ
け離間するように規定されている。
尚、前述のA〜Pの各テンプレートについて
も、2つのエツジの端部同志を所定の画素数分の
間隔に規定する2組のビツト対がある。そこで、
A〜Pの各テンプレートにおいて、このようなビ
ツト対を規定ビツト対と呼ぶことにする。
も、2つのエツジの端部同志を所定の画素数分の
間隔に規定する2組のビツト対がある。そこで、
A〜Pの各テンプレートにおいて、このようなビ
ツト対を規定ビツト対と呼ぶことにする。
また、水平エツジの段差を検出するテンプレー
トは規定ビツト対が垂直方向に隣接した2つのビ
ツトに定められるから、窓102が走査によつて
1画素分垂直方向にずれると、もはやテンプレー
トとのマツチングは取れない。そして、第4図の
A〜Hの各テンプレートを90゜と270゜回転した、
垂直エツジ中の段差を検出するテンプレートにお
いては、規定ビツト対が水平方向に隣接した2つ
のビツトに定められるから、窓102の走査によ
つて水平方向では特定の1か所のみでマツチング
が取れ、垂直方向には複数の画素分に渡つてマツ
チングが取れる。さらに、第4図のI〜Pの各テ
ンプレート(夫々90゜、180゜、270゜回転したものも
含めて)については、規定ビツト対として斜めに
隣接した2つのビツトが定められる。
トは規定ビツト対が垂直方向に隣接した2つのビ
ツトに定められるから、窓102が走査によつて
1画素分垂直方向にずれると、もはやテンプレー
トとのマツチングは取れない。そして、第4図の
A〜Hの各テンプレートを90゜と270゜回転した、
垂直エツジ中の段差を検出するテンプレートにお
いては、規定ビツト対が水平方向に隣接した2つ
のビツトに定められるから、窓102の走査によ
つて水平方向では特定の1か所のみでマツチング
が取れ、垂直方向には複数の画素分に渡つてマツ
チングが取れる。さらに、第4図のI〜Pの各テ
ンプレート(夫々90゜、180゜、270゜回転したものも
含めて)については、規定ビツト対として斜めに
隣接した2つのビツトが定められる。
以上のような160種類のテンプレートを備えた
欠陥候補パターン検出回路300の回路構成を第
7図に示す。この図において、マツチング回路1
06は、上記160種類のテンプレートを構成する
160個のアンド回路から成り、各アンド回路の入
力は共に、前述の切出部103の所定ビツトへ接
続される。そして各アンド回路の出力は全てオア
回路107に接続される。従つて、マツチング回
路106中のいずれか1つのアンド回路が「1」
を出力すれば、オア回路107の出力は「1」と
なる。このオア回路107の出力は第1の検知情
報であり以後信号TMPLと呼ぶことにする。さ
て、第7図の回路で信号TMPLは次のD・フリ
ツプフロツプ(以下単にD−F・Fとする。)1
08に入力する。このD−F・F108は制御回
路5のクロツクパルスCPに同期して、信号
TMPLを1クロツクパルス分遅延して出力する。
そしてオア回路109は、D−F・F108の出
力信号と信号TMPLの論理和をとつて、第2の
検知情報の1つである。信号CAD1として出力
する。従つて、あるクロツクパルスが入力した時
点のみで、信号TMPLが「1」になつたとすれ
ば、その次のクロツパルスの入力時にも信号
CAD1は「1」に保持される。
欠陥候補パターン検出回路300の回路構成を第
7図に示す。この図において、マツチング回路1
06は、上記160種類のテンプレートを構成する
160個のアンド回路から成り、各アンド回路の入
力は共に、前述の切出部103の所定ビツトへ接
続される。そして各アンド回路の出力は全てオア
回路107に接続される。従つて、マツチング回
路106中のいずれか1つのアンド回路が「1」
を出力すれば、オア回路107の出力は「1」と
なる。このオア回路107の出力は第1の検知情
報であり以後信号TMPLと呼ぶことにする。さ
て、第7図の回路で信号TMPLは次のD・フリ
ツプフロツプ(以下単にD−F・Fとする。)1
08に入力する。このD−F・F108は制御回
路5のクロツクパルスCPに同期して、信号
TMPLを1クロツクパルス分遅延して出力する。
そしてオア回路109は、D−F・F108の出
力信号と信号TMPLの論理和をとつて、第2の
検知情報の1つである。信号CAD1として出力
する。従つて、あるクロツクパルスが入力した時
点のみで、信号TMPLが「1」になつたとすれ
ば、その次のクロツパルスの入力時にも信号
CAD1は「1」に保持される。
このように欠陥候補パターン検出回路300は
テンプレートによりマツチングしたか否かのみを
表わす信号TMPLの他に、信号TMPLに1クロ
ツクパルス分「1」を付加した信号CAD1を出
力する。この信号CAD1は設計データから記憶
回路11がパターン比較のための参照データ(設
計特徴情報)を作成する際、90゜角情報と区別を
つけるために使われる。すなわち、欠陥候補パタ
ーン検出回路300が出力する信号CAD1は記
憶回路11が設計データから抽出する設計特徴情
報の1つ(もう1つは90゜角情報である。)として
働き、信号TMPLは、レチクル1の実際の比較
検査の際に使われる。この具体的な作用について
は後述する。
テンプレートによりマツチングしたか否かのみを
表わす信号TMPLの他に、信号TMPLに1クロ
ツクパルス分「1」を付加した信号CAD1を出
力する。この信号CAD1は設計データから記憶
回路11がパターン比較のための参照データ(設
計特徴情報)を作成する際、90゜角情報と区別を
つけるために使われる。すなわち、欠陥候補パタ
ーン検出回路300が出力する信号CAD1は記
憶回路11が設計データから抽出する設計特徴情
報の1つ(もう1つは90゜角情報である。)として
働き、信号TMPLは、レチクル1の実際の比較
検査の際に使われる。この具体的な作用について
は後述する。
このように、欠陥候補パターン検出回路300
は、微小な段差を伴つたエツジや、135゜で屈曲し
たエツジを検出するが、これらエツジの特徴は回
路パターンのエツジ形状において欠陥として現わ
れ易いものである。例えば、回路パターン上で前
述の第3図に示したような矩形パターンを一例に
並べて直線エツジを形成する場合、何らかの原因
で、その列中の一部の矩形パターンが欠落したり
すれば、当然そこは段差となつてしまう。またそ
の逆にその直線エツジに矩形パターンが誤まつて
付加された場合にも段差となつてしまう。このよ
うなことは、設計データに基づいてレチクル上に
回路パターンを描画したときに極めて高い確率を
起り得る。さらに、レチクル上に描画されたパタ
ーンのうち、90゜で屈曲したエツジ部が欠損する
ことも同様に高い確率で起り得る。この場合、
90゜のエツジ部はほぼ斜め45゜に切り取られること
が多く、このため、本来90゜の角であるべきとこ
ろが135゜の角で屈曲したエツジ形状となつてしま
う。従つて、このように高い確率で起り得るよう
な欠陥の候補としてのエツジ形状(段差や135゜の
角)をテンプレート化することによつて、レチク
ル上の回路パターンからエツジ形状の欠陥を正確
に検出できる。
は、微小な段差を伴つたエツジや、135゜で屈曲し
たエツジを検出するが、これらエツジの特徴は回
路パターンのエツジ形状において欠陥として現わ
れ易いものである。例えば、回路パターン上で前
述の第3図に示したような矩形パターンを一例に
並べて直線エツジを形成する場合、何らかの原因
で、その列中の一部の矩形パターンが欠落したり
すれば、当然そこは段差となつてしまう。またそ
の逆にその直線エツジに矩形パターンが誤まつて
付加された場合にも段差となつてしまう。このよ
うなことは、設計データに基づいてレチクル上に
回路パターンを描画したときに極めて高い確率を
起り得る。さらに、レチクル上に描画されたパタ
ーンのうち、90゜で屈曲したエツジ部が欠損する
ことも同様に高い確率で起り得る。この場合、
90゜のエツジ部はほぼ斜め45゜に切り取られること
が多く、このため、本来90゜の角であるべきとこ
ろが135゜の角で屈曲したエツジ形状となつてしま
う。従つて、このように高い確率で起り得るよう
な欠陥の候補としてのエツジ形状(段差や135゜の
角)をテンプレート化することによつて、レチク
ル上の回路パターンからエツジ形状の欠陥を正確
に検出できる。
また、設計データから設計特徴情報を抽出する
際にも、この欠陥候補パターン検出回路300が
使われる。これは、設計データ中においても、設
計上回路パターンのエツジに段差を設けたりする
からである。従つて、撮像装置2で撮像したレチ
クル1中のパターンエツジに、段差や135゜の角が
あつたとしても、それが設計上、本来設けられる
べきものである場合には、欠陥ではないことにな
る。
際にも、この欠陥候補パターン検出回路300が
使われる。これは、設計データ中においても、設
計上回路パターンのエツジに段差を設けたりする
からである。従つて、撮像装置2で撮像したレチ
クル1中のパターンエツジに、段差や135゜の角が
あつたとしても、それが設計上、本来設けられる
べきものである場合には、欠陥ではないことにな
る。
次に、第1図で示したエツジ検出回路7につい
て説明する。第8図はエツジ検出のために設定さ
れた9×9画素の矩形領域を示す。この領域は前
述の16×16画素中のほぼ中央部に位置する。従つ
て、このエツジ検出回路7は第2図に示した切出
回路4の切出部103のうち、9×9ビツトで構
成された領域120からの情報に基づいて何らか
のエツジが存在するか否かを検出する。
て説明する。第8図はエツジ検出のために設定さ
れた9×9画素の矩形領域を示す。この領域は前
述の16×16画素中のほぼ中央部に位置する。従つ
て、このエツジ検出回路7は第2図に示した切出
回路4の切出部103のうち、9×9ビツトで構
成された領域120からの情報に基づいて何らか
のエツジが存在するか否かを検出する。
尚、9×9ビツトの領域120の中心ビツト
(中央画素に相当する)の位置は、第4図に示し
た16×16ビツトのうち縦横で(H、9)のビツト
に定められている。尚、エツジ検出のために着目
するビツトは、9×9ビツト中の周囲に4ビツト
毎に位置しビツト〜の8つである。
(中央画素に相当する)の位置は、第4図に示し
た16×16ビツトのうち縦横で(H、9)のビツト
に定められている。尚、エツジ検出のために着目
するビツトは、9×9ビツト中の周囲に4ビツト
毎に位置しビツト〜の8つである。
第9図は、エツジ検出回路7の構成を具体的に
示した回路図である。8つの排他的論理和回路
(以下、EX−ORとする。)121は9×9ビツ
ト領域120の周辺の8ビツト〜から2値信
号を入力する。そして、この8ビツトのうち、ひ
とつでも論理値が異なれば、オア回路122が出
力する信号EDSは「1」となり、何らかのエツ
ジが検出されたことを示す。8つのEX−OR1
21の入力のそれぞれは、9×9ビツト領域12
0中で着目した8つのビツトのうち、互いに隣り
に位置する2つのビツトから取り出される。
示した回路図である。8つの排他的論理和回路
(以下、EX−ORとする。)121は9×9ビツ
ト領域120の周辺の8ビツト〜から2値信
号を入力する。そして、この8ビツトのうち、ひ
とつでも論理値が異なれば、オア回路122が出
力する信号EDSは「1」となり、何らかのエツ
ジが検出されたことを示す。8つのEX−OR1
21の入力のそれぞれは、9×9ビツト領域12
0中で着目した8つのビツトのうち、互いに隣り
に位置する2つのビツトから取り出される。
例えば第10図のような角らしきものが9×9
ビツト領域120中に現われたとする。斜線部は
論理値「1」の領域である。するとエツジ検出回
路7の入力と、及び入力とは互に論理値
が異なるから、信号EDSは「1」となる。また、
単に領域120中に、直線状のエツジが表われた
場合でも、上述の動作により、信号EDSは「1」
となる。
ビツト領域120中に現われたとする。斜線部は
論理値「1」の領域である。するとエツジ検出回
路7の入力と、及び入力とは互に論理値
が異なるから、信号EDSは「1」となる。また、
単に領域120中に、直線状のエツジが表われた
場合でも、上述の動作により、信号EDSは「1」
となる。
以上に述べたエツジ検出回路7は、レチクルの
検査時に撮像装置2の走査と共に、実時間で動作
する。尚、この9×9ビツトの領域120中に、
何らかのパターンエツジが現われたことをより確
実に検出するには、9×9ビツトの周囲に位置す
る32ビツトの全ての2値信号を入力して、その状
態を前述のように調べればよい。この場合、周囲
32ビツトが全て同一論理値であれば、パターンの
エツジではなく、32ビツトのうち、1つでも論理
値が異なれば、エツジを検出したことになる。
検査時に撮像装置2の走査と共に、実時間で動作
する。尚、この9×9ビツトの領域120中に、
何らかのパターンエツジが現われたことをより確
実に検出するには、9×9ビツトの周囲に位置す
る32ビツトの全ての2値信号を入力して、その状
態を前述のように調べればよい。この場合、周囲
32ビツトが全て同一論理値であれば、パターンの
エツジではなく、32ビツトのうち、1つでも論理
値が異なれば、エツジを検出したことになる。
次に、第1図で示したMT9から設計データを
読み込んで、設計特徴情報を保持する記憶回路1
1について第11図により説明する。
読み込んで、設計特徴情報を保持する記憶回路1
1について第11図により説明する。
記憶回路11には設計データから、1画面に対
応する設計上のパターンとして、「0」、「1」の
2値画像に変換する1024×1024ビツトのフレーム
メモリ130と、そのフレームメモリ130か
ら、撮像装置2の走査の順番に応じて時系列的な
2値信号を読み出す読出回路131が設けられて
いる。スイツチS1は、非検査時にa側に、検査時
にb側に切換えられる。b側には、第2図で示し
た2値化回路3の2値画像信号が入力する。読出
回路131の出力信号は、スイツチS1を介して、
前述の切出回路4に入力し、フレームメモリ13
0中に生成された2値画像の局所的な矩形領域の
2値情報133が取り出される。この2値情報1
33は、前述の欠陥候補パターン検出回路300
に入力すると共に、90゜角情報を出力する90゜角検
出回路6に入力する。尚、90゜角検出回路6は、
実際には欠陥候補パターン検出回路300の信号
CAD1と90゜角情報とを1つに合成して信号CAD
として出力する。さらに、フレームメモリ130
において1走査線(窓102の1水平走査に相当
する。)中に1つでも欠陥候補パターン又は90゜の
角が見つかると、90゜角検出回路6はその走査線
上に設計特徴情報があるものとしてラインフラグ
信号を出力する。上記信号CADとラインフラグ
信号は信号134として入出力制御回路136
(以下、I/O回路136とする。)に入力する。
I/O回路136は信号134の入力に基づい
て、信号CADは順次参照データメモリ137に
格納し、ラインフラグ信号は、フレームメモリ1
30の垂直方向の走査に同期して順次フラグメモ
リ138に格納する。以上の格納の操作、すなわ
ち参照データの作成は非検査時に行なわれる。検
査時にはスイツチS1がb側になり、切出回路4は
欠陥候補パターン検出回路300と前述のエツジ
検出回路7へ接続される。同時にI/O回路13
6は、参照データメモリ137に記憶されたデー
タをフラグメモリ138中のラインフラグ信号に
基づいて順次参照信号139として出力する。
応する設計上のパターンとして、「0」、「1」の
2値画像に変換する1024×1024ビツトのフレーム
メモリ130と、そのフレームメモリ130か
ら、撮像装置2の走査の順番に応じて時系列的な
2値信号を読み出す読出回路131が設けられて
いる。スイツチS1は、非検査時にa側に、検査時
にb側に切換えられる。b側には、第2図で示し
た2値化回路3の2値画像信号が入力する。読出
回路131の出力信号は、スイツチS1を介して、
前述の切出回路4に入力し、フレームメモリ13
0中に生成された2値画像の局所的な矩形領域の
2値情報133が取り出される。この2値情報1
33は、前述の欠陥候補パターン検出回路300
に入力すると共に、90゜角情報を出力する90゜角検
出回路6に入力する。尚、90゜角検出回路6は、
実際には欠陥候補パターン検出回路300の信号
CAD1と90゜角情報とを1つに合成して信号CAD
として出力する。さらに、フレームメモリ130
において1走査線(窓102の1水平走査に相当
する。)中に1つでも欠陥候補パターン又は90゜の
角が見つかると、90゜角検出回路6はその走査線
上に設計特徴情報があるものとしてラインフラグ
信号を出力する。上記信号CADとラインフラグ
信号は信号134として入出力制御回路136
(以下、I/O回路136とする。)に入力する。
I/O回路136は信号134の入力に基づい
て、信号CADは順次参照データメモリ137に
格納し、ラインフラグ信号は、フレームメモリ1
30の垂直方向の走査に同期して順次フラグメモ
リ138に格納する。以上の格納の操作、すなわ
ち参照データの作成は非検査時に行なわれる。検
査時にはスイツチS1がb側になり、切出回路4は
欠陥候補パターン検出回路300と前述のエツジ
検出回路7へ接続される。同時にI/O回路13
6は、参照データメモリ137に記憶されたデー
タをフラグメモリ138中のラインフラグ信号に
基づいて順次参照信号139として出力する。
尚、読出回路131、I/O回路136、及び
切出回路4は、第1図で示した制御回路5のクロ
ツクパルスと同期して動作する。また、参照デー
タメモリ137は、フレームメモリ130中で欠
陥候補パターンや90゜の角が存在する水平方向
(水平走査方向)のビツト列のみの設計特徴情報
を保持し、フラグメモリ130は、フレームメモ
リ130の垂直方向のビツト数、ここでは1024ビ
ツトと同じビツト数で構成され、フレームメモリ
130の水平方向のビツト列(1024列分)に設計
特徴情報があれば、対応するフラグメモリ138
のビツトに「1」が保持され、設計特徴事項がな
ければ「0」が保持される。この操作は全てI/
O回路136によつて行なわれる。
切出回路4は、第1図で示した制御回路5のクロ
ツクパルスと同期して動作する。また、参照デー
タメモリ137は、フレームメモリ130中で欠
陥候補パターンや90゜の角が存在する水平方向
(水平走査方向)のビツト列のみの設計特徴情報
を保持し、フラグメモリ130は、フレームメモ
リ130の垂直方向のビツト数、ここでは1024ビ
ツトと同じビツト数で構成され、フレームメモリ
130の水平方向のビツト列(1024列分)に設計
特徴情報があれば、対応するフラグメモリ138
のビツトに「1」が保持され、設計特徴事項がな
ければ「0」が保持される。この操作は全てI/
O回路136によつて行なわれる。
次に、この記憶回路11中の90゜角検出回路6
について、第12〜14図に基づいて具体的説明
する。
について、第12〜14図に基づいて具体的説明
する。
第12図のAA〜PPは検出すべきすべての90゜
の角を示し、AA〜PPまでの16個の正方形は、切
出回路4によつて切出される窓102に相当する
ように領域を示す。そして各正方形において、斜
線部は例えばクロム面に対応した「1」の領域を
白部はガラス面に対応した「0」の領域を示す。
そして、90゜角検出回路6は第13図に示すよう
に、上記AA〜PPまでの90゜角パターンをテンプ
レートとしてマツチング回路109中に備えてい
る。マツチング回路109には、16個のアンド回
路があり、各アンド回路が夫々、AA〜PPに示し
たテンプレートを構成する。16個の各アンド回路
の入力は、前述の切出部103中の所定ビツトに
接続されている。
の角を示し、AA〜PPまでの16個の正方形は、切
出回路4によつて切出される窓102に相当する
ように領域を示す。そして各正方形において、斜
線部は例えばクロム面に対応した「1」の領域を
白部はガラス面に対応した「0」の領域を示す。
そして、90゜角検出回路6は第13図に示すよう
に、上記AA〜PPまでの90゜角パターンをテンプ
レートとしてマツチング回路109中に備えてい
る。マツチング回路109には、16個のアンド回
路があり、各アンド回路が夫々、AA〜PPに示し
たテンプレートを構成する。16個の各アンド回路
の入力は、前述の切出部103中の所定ビツトに
接続されている。
そこで、例えば第12図のBBのテンプレート
を構成するには、第14図のように、切出部10
3中の11ビツトをアンド回路に入力すればよい。
この90゜の角を検出する16個のテンプレートは、
角の頂点が16×16ビツト中のビツト(H・9)に
定められている。しかも、その周囲に隣接したビ
ツトもアンド回路に入力するように定められてい
る。第14図においてはビツト(I・9)とビツ
ト(H・10)である。従つて、ビツト(H・9)
と(I・9)は前述のような規定ビツト対を成
し、ビツト(H・9)と(H.10)も規定ビツト
対を成す。他のテンプレートについても同様に、
第12図の各90゜の角に合わせて各アンド回路の
入力ビツトが定められている。マツチング回路1
09中の16個のアンド回路の各出力は全て、オア
回路110に入力する。このオア回路110の出
力を信号CAD2とすると、信号CAD2と、欠陥
候補パターン検出回路300の信号CAD1とは
所定のタイミングに調整されて、次のオアゲート
111で論理和の演算をする。これにより、信号
CAD1とCAD2と合成した、すなわち欠陥候補
パターンの情報と90゜角情報とを合成した設計特
徴情報としての信号CADが得られる。一方、R
−Sフリツプフロツプ(以下RS−F・Fとする)
301は信号CADと信号RSTとを入力してライ
ンフラグ信号(以下、信号LFとする。)を出力す
る。このRS−F・F301は、フレームメモリ
130の1水平走査線の2値信号が読出回路13
1によつて出力される直前に、信号RSTが入力
してリセツトされ、信号LFは「0」となる。従
つて、信号CADが何らかの設計特徴情報として
「1」になると、その時点からRS−F・F301
はセツトされ、信号LFは「0」から「1」に反
転する。また説明は相前後するが、上述の如く16
個のテンプレートのうち、例えばその1つは第1
4図のようにビツト位置が定められる。この図か
らもわかるように、切出部103がフレームメモ
リ130中の2値画像をクロツクパルスに同期し
て順次切出すとき、信号CAD2はクロツクパル
スの2パルス分以上に連続して「1」となること
はない。すなわち、信号CAD2は16種類の90゜の
角に関して、フレームメモリ130の1水平走査
線内でかならず孤立した「1」となる。
を構成するには、第14図のように、切出部10
3中の11ビツトをアンド回路に入力すればよい。
この90゜の角を検出する16個のテンプレートは、
角の頂点が16×16ビツト中のビツト(H・9)に
定められている。しかも、その周囲に隣接したビ
ツトもアンド回路に入力するように定められてい
る。第14図においてはビツト(I・9)とビツ
ト(H・10)である。従つて、ビツト(H・9)
と(I・9)は前述のような規定ビツト対を成
し、ビツト(H・9)と(H.10)も規定ビツト
対を成す。他のテンプレートについても同様に、
第12図の各90゜の角に合わせて各アンド回路の
入力ビツトが定められている。マツチング回路1
09中の16個のアンド回路の各出力は全て、オア
回路110に入力する。このオア回路110の出
力を信号CAD2とすると、信号CAD2と、欠陥
候補パターン検出回路300の信号CAD1とは
所定のタイミングに調整されて、次のオアゲート
111で論理和の演算をする。これにより、信号
CAD1とCAD2と合成した、すなわち欠陥候補
パターンの情報と90゜角情報とを合成した設計特
徴情報としての信号CADが得られる。一方、R
−Sフリツプフロツプ(以下RS−F・Fとする)
301は信号CADと信号RSTとを入力してライ
ンフラグ信号(以下、信号LFとする。)を出力す
る。このRS−F・F301は、フレームメモリ
130の1水平走査線の2値信号が読出回路13
1によつて出力される直前に、信号RSTが入力
してリセツトされ、信号LFは「0」となる。従
つて、信号CADが何らかの設計特徴情報として
「1」になると、その時点からRS−F・F301
はセツトされ、信号LFは「0」から「1」に反
転する。また説明は相前後するが、上述の如く16
個のテンプレートのうち、例えばその1つは第1
4図のようにビツト位置が定められる。この図か
らもわかるように、切出部103がフレームメモ
リ130中の2値画像をクロツクパルスに同期し
て順次切出すとき、信号CAD2はクロツクパル
スの2パルス分以上に連続して「1」となること
はない。すなわち、信号CAD2は16種類の90゜の
角に関して、フレームメモリ130の1水平走査
線内でかならず孤立した「1」となる。
尚、この90゜角検出回路6は、レチクル1の実
際の比較検査時には動作しないものであり、記憶
回路11が設計データから設計特徴情報を抽出し
て参照データを作成するときのみに必要な回路で
ある。
際の比較検査時には動作しないものであり、記憶
回路11が設計データから設計特徴情報を抽出し
て参照データを作成するときのみに必要な回路で
ある。
さて次に、第11図において参照データメモリ
137及びフラグメモリ138が90゜角情報を保
持する動作について、第15,16図を参照して
説明する。その一例として、第11図のようにフ
レームメモリ130中に、斜線部のような矩形状
のパターン132が生成されているものとする。
137及びフラグメモリ138が90゜角情報を保
持する動作について、第15,16図を参照して
説明する。その一例として、第11図のようにフ
レームメモリ130中に、斜線部のような矩形状
のパターン132が生成されているものとする。
第15図において、切出回路4によつて切出さ
れた2値情報133は、フレームメモリ130中
の矩形領域140(以下、窓140とする。)に
相当する。この窓140は、矢印のように、フレ
ームメモリ130中を走査する。参照データメモ
リ137は、窓140の水平方向の1走査分に対
して、512ビツトが用意されている。(以下、この
512ビツトを1ライン分のメモリと呼ぶ。)窓14
0が、図のように角のある部分を水平に走査する
際、走査の初めのところでは、パターン132の
90゜の角がないので、90゜角検出回路6の信号CAD
は「0」であり、1ライン分のメモリの初めの部
分M1には「0」が書き込まれる。尚、窓140
の走査が2ビツト行なわれる毎に、1ライン分の
メモリでは1ビツトづれた隣りのビツトに2値論
理を格納していく。従つて、1ライン分のメモリ
は、フレームメモリ130の水平方向の1024ビツ
トの情報を1/2に圧縮して保持することになる。
れた2値情報133は、フレームメモリ130中
の矩形領域140(以下、窓140とする。)に
相当する。この窓140は、矢印のように、フレ
ームメモリ130中を走査する。参照データメモ
リ137は、窓140の水平方向の1走査分に対
して、512ビツトが用意されている。(以下、この
512ビツトを1ライン分のメモリと呼ぶ。)窓14
0が、図のように角のある部分を水平に走査する
際、走査の初めのところでは、パターン132の
90゜の角がないので、90゜角検出回路6の信号CAD
は「0」であり、1ライン分のメモリの初めの部
分M1には「0」が書き込まれる。尚、窓140
の走査が2ビツト行なわれる毎に、1ライン分の
メモリでは1ビツトづれた隣りのビツトに2値論
理を格納していく。従つて、1ライン分のメモリ
は、フレームメモリ130の水平方向の1024ビツ
トの情報を1/2に圧縮して保持することになる。
さらに走査が進み、窓140がパターン132
の左上に位置した90゜の角をとらえると信号CAD
は「1」となり、1ライン分のメモリ中の対応す
るビツトB1に角の存在を示す「1」が保持され
る。そして、角の存在しないところは、1ライン
分のメモリの対応する部分M2に「0」が書き込
まれる。このように窓140が角の存在する部分
を1走査すると、第15図のように1ライン分の
参照データが作られる。
の左上に位置した90゜の角をとらえると信号CAD
は「1」となり、1ライン分のメモリ中の対応す
るビツトB1に角の存在を示す「1」が保持され
る。そして、角の存在しないところは、1ライン
分のメモリの対応する部分M2に「0」が書き込
まれる。このように窓140が角の存在する部分
を1走査すると、第15図のように1ライン分の
参照データが作られる。
そこで、実際のパターンとして、第11図に示
すフレームメモリ130中に設計データに基づい
て2値画像化されたパターン132が存在した場
合、参照データメモリ137と、フラグメモリ1
38には、第16図のような情報が保持される。
パターン132上で90゜の角は4つあり、それぞ
れの角の位置に対応して90゜角検出回路6の第2
の検知情報である信号LFは「1」となる。尚、
フレームメモリ130中のビツトパターンに角が
存在するのは、2本の水平ビツト列上のみである
ので、参照データメモリ137には、2ライン分
のメモリL1,L2のみに参照データが保持される。
一方、フラグメモリ138には、信号LFに基づ
いて1024ビツトのうち、フレームメモリ130の
2本の水平ビツト列に対応した2つのビツトに
「1」を、他のビツトには全て「0」を立てた1
画面分のフラグデータが作成される。尚、以上の
説明で、参照データメモリ137とフラグメモリ
138は、1024×1024ビツトの1画面に相当する
領域のみを保持するが、実際にはレチクルの欠陥
を撮像装置2の映像信号の入力に基づいて検査す
る前に、レチクル上の1画面分毎に設計データか
ら、参照データとフラグデータが作成され、前述
の計算機10の記憶装置に保持される。例えばレ
チクル全面を10×10、すなわち100画面に分けて、
検査するとすれば、その記憶装置はフラグデータ
の記憶用として、1024×100ビツトの固定された
ビツト長のメモリ容量が必要となる。一方、参照
データの記憶用として、フラグメモリ138中の
論理「1」のビツト数だけ512ビツトの1ライン
分のメモリ容量が必要となる。従つて、例えばフ
ラグメモリ138中の1024×100ビツトに「1」
の数が1000あれば、参照データの記憶用として、
512ビツト×1000の容量が必要となる。
すフレームメモリ130中に設計データに基づい
て2値画像化されたパターン132が存在した場
合、参照データメモリ137と、フラグメモリ1
38には、第16図のような情報が保持される。
パターン132上で90゜の角は4つあり、それぞ
れの角の位置に対応して90゜角検出回路6の第2
の検知情報である信号LFは「1」となる。尚、
フレームメモリ130中のビツトパターンに角が
存在するのは、2本の水平ビツト列上のみである
ので、参照データメモリ137には、2ライン分
のメモリL1,L2のみに参照データが保持される。
一方、フラグメモリ138には、信号LFに基づ
いて1024ビツトのうち、フレームメモリ130の
2本の水平ビツト列に対応した2つのビツトに
「1」を、他のビツトには全て「0」を立てた1
画面分のフラグデータが作成される。尚、以上の
説明で、参照データメモリ137とフラグメモリ
138は、1024×1024ビツトの1画面に相当する
領域のみを保持するが、実際にはレチクルの欠陥
を撮像装置2の映像信号の入力に基づいて検査す
る前に、レチクル上の1画面分毎に設計データか
ら、参照データとフラグデータが作成され、前述
の計算機10の記憶装置に保持される。例えばレ
チクル全面を10×10、すなわち100画面に分けて、
検査するとすれば、その記憶装置はフラグデータ
の記憶用として、1024×100ビツトの固定された
ビツト長のメモリ容量が必要となる。一方、参照
データの記憶用として、フラグメモリ138中の
論理「1」のビツト数だけ512ビツトの1ライン
分のメモリ容量が必要となる。従つて、例えばフ
ラグメモリ138中の1024×100ビツトに「1」
の数が1000あれば、参照データの記憶用として、
512ビツト×1000の容量が必要となる。
次に他の例として、フレームメモリ130中
に、第17図に示すような微小段差を伴つたエツ
ジを含むパターン(図中の斜線部)が存在したも
のとする。第15図に示したのと同様に、フレー
ムメモリ130中を窓140が走査したとき、窓
140中に水平エツジSUとSDとが現われたもの
とする。尚、説明を具体的にするために、水平エ
ツジSUとSDとの垂直方向の段差は3画素分と
し、かつ水平エツジSUとSDとは垂直なエツジで
結ばれているものとする。
に、第17図に示すような微小段差を伴つたエツ
ジを含むパターン(図中の斜線部)が存在したも
のとする。第15図に示したのと同様に、フレー
ムメモリ130中を窓140が走査したとき、窓
140中に水平エツジSUとSDとが現われたもの
とする。尚、説明を具体的にするために、水平エ
ツジSUとSDとの垂直方向の段差は3画素分と
し、かつ水平エツジSUとSDとは垂直なエツジで
結ばれているものとする。
今、窓140の中心を通つて、上側と下側を2
等分するような位置に水平エツジSUが現われた
ものとすると、このとき欠陥候補パターン検出回
路300の160種類のテンプレートのうち、第4
図のAを180゜回転して白黒(「0」、「1」)を反
転してテンプレートのみがマツチングする。そし
て、窓140の水平方向の走査により、信号
CAD1は第6図で説明したように連続した「1」
となる。このテンプレートでは、規定ビツト対の
水平方向が4画素分離間しているので、窓140
が水平方向に4画素移動する間、欠陥候補パター
ン300の信号TMPLは4クロツクパルス分だ
け「1」となる。このため、信号CAD1は信号
TMPLの最後に1ビツト分「1」を付け加えて、
5ビツト分だけ「1」となる。従つて、参照デー
タメモリ137の1ライン分のメモリL1中には、
水平方向の位置に対応した部分SUBの5ビツト
に「1」が保持される。さらに窓140が水平方
向に移動すると、90゜の角CCが現われる。この場
合、第15図で説明したように90゜角検出回路6
の信号CAD2は1ビツト分だけ「1」となる。
従つて、1ライン分のメモリL1中で角CCの存在
位置と対応したビツトCCBに「1」が保持され
る。そして、フラグメモリ138中の対応するビ
ツトには信号LFに基づいて「1」が保持される。
等分するような位置に水平エツジSUが現われた
ものとすると、このとき欠陥候補パターン検出回
路300の160種類のテンプレートのうち、第4
図のAを180゜回転して白黒(「0」、「1」)を反
転してテンプレートのみがマツチングする。そし
て、窓140の水平方向の走査により、信号
CAD1は第6図で説明したように連続した「1」
となる。このテンプレートでは、規定ビツト対の
水平方向が4画素分離間しているので、窓140
が水平方向に4画素移動する間、欠陥候補パター
ン300の信号TMPLは4クロツクパルス分だ
け「1」となる。このため、信号CAD1は信号
TMPLの最後に1ビツト分「1」を付け加えて、
5ビツト分だけ「1」となる。従つて、参照デー
タメモリ137の1ライン分のメモリL1中には、
水平方向の位置に対応した部分SUBの5ビツト
に「1」が保持される。さらに窓140が水平方
向に移動すると、90゜の角CCが現われる。この場
合、第15図で説明したように90゜角検出回路6
の信号CAD2は1ビツト分だけ「1」となる。
従つて、1ライン分のメモリL1中で角CCの存在
位置と対応したビツトCCBに「1」が保持され
る。そして、フラグメモリ138中の対応するビ
ツトには信号LFに基づいて「1」が保持される。
次に、窓140がその水平走査位置から3画素
分下の水平走査位置にきたとき、第4図のAのテ
ンプレートが水平エツジSUとSDとからなる段差
を検出する。このときも信号CAD1は5ビツト
分だけが「1」となり、1ライン分のメモリL2
中には、水平方向の位置に対応した部分SDBの
5ビツトに「1」が保持され、かつフラグメモリ
138中にも対応するビツトに「1」が保持され
る。
分下の水平走査位置にきたとき、第4図のAのテ
ンプレートが水平エツジSUとSDとからなる段差
を検出する。このときも信号CAD1は5ビツト
分だけが「1」となり、1ライン分のメモリL2
中には、水平方向の位置に対応した部分SDBの
5ビツトに「1」が保持され、かつフラグメモリ
138中にも対応するビツトに「1」が保持され
る。
このように、微小な段差を伴う水平エツジが窓
140中に現われるときは、フラグメモリ138
中の2ビツトに「1」が記憶され、参照データメ
モリ137中には2ライン分のメモリに参照デー
タが記憶される。
140中に現われるときは、フラグメモリ138
中の2ビツトに「1」が記憶され、参照データメ
モリ137中には2ライン分のメモリに参照デー
タが記憶される。
尚、参照データメモリ137は、窓140に欠
陥候補パターンや90゜の角が現われないときは、
前述の如く1ライン分のメモリ中の対応する部分
に「0」を1/2圧縮して記憶する。
陥候補パターンや90゜の角が現われないときは、
前述の如く1ライン分のメモリ中の対応する部分
に「0」を1/2圧縮して記憶する。
次に、フレームメモリ130中に第18図に示
すように90゜で屈曲した微小な段差を伴つた斜め
45゜のエツジが存在したものとする。ここで図中
の斜線部はパターンのクロム面を表わす。尚、説
明上、その段差の大きさは、斜め135゜の方向で2
画素分程度とする。そこで、前述と同様に窓14
0がフレームメモリ130中を走査すると、この
斜め45゜のエツジの段差部は第4図ののテン
プレートと、そのテンプレートを180゜回転して、
白黒(「0」、「1」)を反転したテンプレートとに
より検出されるものとする。この場合、その2つ
のテンプレートにより検出されるタイミングは、
窓140の水平方向の1走査中においては1クロ
ツクパルス分、すなわち1ビツト分だけであり、
垂直方向には隣りの水平走査線上で斜めに1クロ
ツクパルス分(1ビツト分)ずれている。従つ
て、第18図に示すように、フラグメモリ138
中には、2ケ所、F1,F2の連続した2ビツトを
「1」にしたフラグデータが記憶される。一方、
参照データメモリ137中には、4ライン分のメ
モリL1,L2,L3,L4に参照データが記載される。
この場合各メモリL1、L2、L3、L4、中には、欠
陥候補パターン検出回路300の信号CAD1
(すなわち信号CAD)に基づいて、水平方向に2
ビツト分だけ「1」が保持される。しかも、各メ
モリL1,L2,L3,L4中の「1」の位置は例えば
図のように斜めにずれる。
すように90゜で屈曲した微小な段差を伴つた斜め
45゜のエツジが存在したものとする。ここで図中
の斜線部はパターンのクロム面を表わす。尚、説
明上、その段差の大きさは、斜め135゜の方向で2
画素分程度とする。そこで、前述と同様に窓14
0がフレームメモリ130中を走査すると、この
斜め45゜のエツジの段差部は第4図ののテン
プレートと、そのテンプレートを180゜回転して、
白黒(「0」、「1」)を反転したテンプレートとに
より検出されるものとする。この場合、その2つ
のテンプレートにより検出されるタイミングは、
窓140の水平方向の1走査中においては1クロ
ツクパルス分、すなわち1ビツト分だけであり、
垂直方向には隣りの水平走査線上で斜めに1クロ
ツクパルス分(1ビツト分)ずれている。従つ
て、第18図に示すように、フラグメモリ138
中には、2ケ所、F1,F2の連続した2ビツトを
「1」にしたフラグデータが記憶される。一方、
参照データメモリ137中には、4ライン分のメ
モリL1,L2,L3,L4に参照データが記載される。
この場合各メモリL1、L2、L3、L4、中には、欠
陥候補パターン検出回路300の信号CAD1
(すなわち信号CAD)に基づいて、水平方向に2
ビツト分だけ「1」が保持される。しかも、各メ
モリL1,L2,L3,L4中の「1」の位置は例えば
図のように斜めにずれる。
以上のように、フレームメモリ130中に存在
する各種のパターンから、参照データメモリ13
7、フラグメモリ138中に、夫々設計特徴情報
としての信号CADと信号LFに基づいて参照デー
タとフラグデータとが作成される。尚、フレーム
メモリ130に生成された2値画像は撮像装置2
の1画面に相当するから、レチクル1の1画面分
の参照データとフラグデータとが作成されると、
そのデータは計算機10の記憶装置へ転送され
る。そしてレチクル1の次の1画面分について上
述と同様にデータを作成して順次計算機10の記
憶装置へ転送する。記憶回路11はこのようにレ
チクル1全面について設計特徴情報を検出する。
する各種のパターンから、参照データメモリ13
7、フラグメモリ138中に、夫々設計特徴情報
としての信号CADと信号LFに基づいて参照デー
タとフラグデータとが作成される。尚、フレーム
メモリ130に生成された2値画像は撮像装置2
の1画面に相当するから、レチクル1の1画面分
の参照データとフラグデータとが作成されると、
そのデータは計算機10の記憶装置へ転送され
る。そしてレチクル1の次の1画面分について上
述と同様にデータを作成して順次計算機10の記
憶装置へ転送する。記憶回路11はこのようにレ
チクル1全面について設計特徴情報を検出する。
尚、レチクル1の全面分の設計特徴情報は、非
検査時に計算機10の記憶装置、例えば磁気デイ
スク装置に記憶される。そして実際の検査のとき
には、この磁気デイスク装置から計算機10を介
してレチクル1の1画面分の設計特徴情報が記憶
回路11の参照データメモリ137やフラグメモ
リ138に転送される。
検査時に計算機10の記憶装置、例えば磁気デイ
スク装置に記憶される。そして実際の検査のとき
には、この磁気デイスク装置から計算機10を介
してレチクル1の1画面分の設計特徴情報が記憶
回路11の参照データメモリ137やフラグメモ
リ138に転送される。
ところで、I/O回路136は、その検査時に
は参照データメモリ137とフラグメモリ138
に格納されたデータを、各々のメモリから順番に
参照信号139として出力するように制御する。
参照信号139は、フラグメモリ138中のビツ
トが「0」ならば、時系列の論理信号として、
「0」を512ビツト分出力し、ビツトが「1」なら
ば、そのビツトに対応した参照データメモリ13
7の1ライン分のデータを時系列的に出力する。
は参照データメモリ137とフラグメモリ138
に格納されたデータを、各々のメモリから順番に
参照信号139として出力するように制御する。
参照信号139は、フラグメモリ138中のビツ
トが「0」ならば、時系列の論理信号として、
「0」を512ビツト分出力し、ビツトが「1」なら
ば、そのビツトに対応した参照データメモリ13
7の1ライン分のデータを時系列的に出力する。
次に、第1図で示した検査時に働く特徴切出回
路12と比較回路8について第19図により説明
する。
路12と比較回路8について第19図により説明
する。
特徴切出回路12は、直列シフトレジスタ列か
ら構成されている。直列シフトレジスタ列のう
ち、10ビツトレジスタ160が9段並んだところ
を参照窓150とする。各10ビツトレジスタ16
0には、512ビツトのレジスタ161が直列に接
続されている。I/O回路136からの参照信号
139は、10ビツトのレジスタ160から、制御
回路5のクロクツパルスに同期して、1ビツトず
つ直列シフトレジスタ列に転送され、シフトされ
る。尚、シフトするタイミングは、実際には、ク
ロツクパルスの2クロツクで1回シフトするよう
になつている。参照窓150の10×9ビツトの90
ビツト分の2値情報151は、そのまま比較回路
8に入力する。
ら構成されている。直列シフトレジスタ列のう
ち、10ビツトレジスタ160が9段並んだところ
を参照窓150とする。各10ビツトレジスタ16
0には、512ビツトのレジスタ161が直列に接
続されている。I/O回路136からの参照信号
139は、10ビツトのレジスタ160から、制御
回路5のクロクツパルスに同期して、1ビツトず
つ直列シフトレジスタ列に転送され、シフトされ
る。尚、シフトするタイミングは、実際には、ク
ロツクパルスの2クロツクで1回シフトするよう
になつている。参照窓150の10×9ビツトの90
ビツト分の2値情報151は、そのまま比較回路
8に入力する。
ここで、I/O回路136と特徴切出回路12
及び比較回路8の動作について説明する。
及び比較回路8の動作について説明する。
制御回路5が、第2図で示した1水平走査線の
初めの1クロツクを出力する前に、I/O回路1
36は、フラグメモリ138中のその走査線に対
応したビツトが「0」が「1」かを調べて、それ
が「1」ならば、参照データメモリ137中のそ
の1ライン分の参照データ(512ビツト)を、2
クロツクパルス毎に1ビツトずつ参照信号139
として出力する。もしそのビツトが「0」なら
ば、その水平走査の期間中(1024クロツク)は、
参照信号139として512ビツト分の「0」を2
クロツクパルス毎に出力する。それら出力は、直
列シフトレジスタ列によつて、順次シフトされて
いく。また撮像装置2の帰線時間中は、10ビツト
分の「0」を参照信号139として発生し、直列
シフトレジスタ列も10回シフトされる。このよう
に、検査の開始に応答して、参照データメモリ1
37の内容とフラグメモリ138の内容で定まる
参照データが、順次、参照窓150によつて切出
される。この際、参照信号139は、撮像装置2
の帰線期間中に10ビツト分空送りされるので、特
徴抽出回路12内の各ライン相互間で参照データ
の位置がずれることはない。尚、検査の開始か
ら、欠陥候補パターン検出回路300、エツジ検
出回路7も作動し、レチクル1上のパターンエツ
ジに関する信号TMPLと信号EDSと比較回路8
に出力する。
初めの1クロツクを出力する前に、I/O回路1
36は、フラグメモリ138中のその走査線に対
応したビツトが「0」が「1」かを調べて、それ
が「1」ならば、参照データメモリ137中のそ
の1ライン分の参照データ(512ビツト)を、2
クロツクパルス毎に1ビツトずつ参照信号139
として出力する。もしそのビツトが「0」なら
ば、その水平走査の期間中(1024クロツク)は、
参照信号139として512ビツト分の「0」を2
クロツクパルス毎に出力する。それら出力は、直
列シフトレジスタ列によつて、順次シフトされて
いく。また撮像装置2の帰線時間中は、10ビツト
分の「0」を参照信号139として発生し、直列
シフトレジスタ列も10回シフトされる。このよう
に、検査の開始に応答して、参照データメモリ1
37の内容とフラグメモリ138の内容で定まる
参照データが、順次、参照窓150によつて切出
される。この際、参照信号139は、撮像装置2
の帰線期間中に10ビツト分空送りされるので、特
徴抽出回路12内の各ライン相互間で参照データ
の位置がずれることはない。尚、検査の開始か
ら、欠陥候補パターン検出回路300、エツジ検
出回路7も作動し、レチクル1上のパターンエツ
ジに関する信号TMPLと信号EDSと比較回路8
に出力する。
第20図aは、参照窓150に現われる設計特
徴情報を示した一例である。矩形状の参照窓15
0の10×9ビツトのビツト位置を(x・y)で表
わすと、y=4とy=8のx方向のビツト列は、
参照データから取り込まれた論理値であり、他の
y列は、フラグメモリ138中の各ビツトが
「0」のための論理値「0」が取り込まれている。
尚、これは図中「・」印で表わす。
徴情報を示した一例である。矩形状の参照窓15
0の10×9ビツトのビツト位置を(x・y)で表
わすと、y=4とy=8のx方向のビツト列は、
参照データから取り込まれた論理値であり、他の
y列は、フラグメモリ138中の各ビツトが
「0」のための論理値「0」が取り込まれている。
尚、これは図中「・」印で表わす。
前述のように、特徴切出回路12の切出動作に
同期して、第2図で示したレチクル1上のパター
ンを撮像した1画面中の窓102も移動する。こ
のとき、窓102中に第20図bに示したエツジ
のふくらみBが現われたとすると、欠陥候補パタ
ーン検出回路300はこのふくらみを水平エツジ
の段差として検出し、信号TMPLは「1」とな
る。(すなわちパターンフラグを立てる。)比較回
路8は信号TMPLの「1」を入力したとき、参
照窓150の2値情報151を(x、y)=(1、
1)から(x、y)=(10、9)まで1ビツト毎に
調べてx方向に2ビツト以上連続して「1」があ
るか(すなわち、設計上欠陥候補パターンが存在
するか否か)を調べる。もし参照窓150中に
「1」がなかつたり、あつても「1」が孤立して
いるならば、比較回路8は欠陥ありとする欠陥情
報ERRを計算機10に出力する。また、参照窓
102中に第20図bに示したように90゜の角が
斜めに欠けた欠損部Aが現われたとすると、欠陥
候補パターン検出回路300はこれを135゜の角と
みなし、同様に信号TMPLは「1」となる。そ
して上述と同様に比較回路8により参照窓150
を調べ、設計データに欠陥候補パターンがあるか
否か調べる。例えば設計データに基づく本来のパ
ターンが第20図cに示すような形であれば、欠
損部Aの位置の参照データは90゜の角を示す孤立
した「1」しかないので比較回路8は欠陥情報
ERRを出力する。また、同図中Bの位置に対応
した参照データ中には孤立した「1」しか存在せ
ず、やはり比較回路8は欠陥情報ERRを出力す
る。また、設計データが第20図dに示すパター
ンならば参照データ中のBの位置には欠陥候補パ
ターンとして連続した2ビツト以上の「1」が存
在するので欠損部Aを捉えたときのみ比較回路8
は欠陥情報ERRを出力する。
同期して、第2図で示したレチクル1上のパター
ンを撮像した1画面中の窓102も移動する。こ
のとき、窓102中に第20図bに示したエツジ
のふくらみBが現われたとすると、欠陥候補パタ
ーン検出回路300はこのふくらみを水平エツジ
の段差として検出し、信号TMPLは「1」とな
る。(すなわちパターンフラグを立てる。)比較回
路8は信号TMPLの「1」を入力したとき、参
照窓150の2値情報151を(x、y)=(1、
1)から(x、y)=(10、9)まで1ビツト毎に
調べてx方向に2ビツト以上連続して「1」があ
るか(すなわち、設計上欠陥候補パターンが存在
するか否か)を調べる。もし参照窓150中に
「1」がなかつたり、あつても「1」が孤立して
いるならば、比較回路8は欠陥ありとする欠陥情
報ERRを計算機10に出力する。また、参照窓
102中に第20図bに示したように90゜の角が
斜めに欠けた欠損部Aが現われたとすると、欠陥
候補パターン検出回路300はこれを135゜の角と
みなし、同様に信号TMPLは「1」となる。そ
して上述と同様に比較回路8により参照窓150
を調べ、設計データに欠陥候補パターンがあるか
否か調べる。例えば設計データに基づく本来のパ
ターンが第20図cに示すような形であれば、欠
損部Aの位置の参照データは90゜の角を示す孤立
した「1」しかないので比較回路8は欠陥情報
ERRを出力する。また、同図中Bの位置に対応
した参照データ中には孤立した「1」しか存在せ
ず、やはり比較回路8は欠陥情報ERRを出力す
る。また、設計データが第20図dに示すパター
ンならば参照データ中のBの位置には欠陥候補パ
ターンとして連続した2ビツト以上の「1」が存
在するので欠損部Aを捉えたときのみ比較回路8
は欠陥情報ERRを出力する。
また、逆に参照窓150の中央部、例えば
(x、y)=(5、4)、(5、5)、(5、6)の3
ビツトに010という「1」が孤立したビツトパタ
ーンが検出された場合には、それは本来設計デー
タ上に90゜の角があることを意味している。そこ
で比較回路8はそのビツトパターンを検出したと
き、第1図及び第9図に示すエツジ検出回路7の
信号EDSを入力して、対応するレチクル上の位
置にエツジがあるか否かを調べる。もしなければ
本来設計上存在すべき90゜の角がレチクル上のパ
ターンでは失われているものとして、欠陥情報
ERRを出力する。尚、この比較回路8は、欠陥
の有無を表わす欠陥情報ERRのみでなく、その
欠陥の位置に関する情報も同時に出力する。これ
は、制御回路5のクロツクを計数すれば容易に得
られる。このように比較回路8は本来90゜の角と
して設計されたものが微小に丸まつたりした場合
や、或いはレチクル上のパターンエツジに微小凹
凸が生じている場合などのパターンの欠陥を精度
よく検出できる。
(x、y)=(5、4)、(5、5)、(5、6)の3
ビツトに010という「1」が孤立したビツトパタ
ーンが検出された場合には、それは本来設計デー
タ上に90゜の角があることを意味している。そこ
で比較回路8はそのビツトパターンを検出したと
き、第1図及び第9図に示すエツジ検出回路7の
信号EDSを入力して、対応するレチクル上の位
置にエツジがあるか否かを調べる。もしなければ
本来設計上存在すべき90゜の角がレチクル上のパ
ターンでは失われているものとして、欠陥情報
ERRを出力する。尚、この比較回路8は、欠陥
の有無を表わす欠陥情報ERRのみでなく、その
欠陥の位置に関する情報も同時に出力する。これ
は、制御回路5のクロツクを計数すれば容易に得
られる。このように比較回路8は本来90゜の角と
して設計されたものが微小に丸まつたりした場合
や、或いはレチクル上のパターンエツジに微小凹
凸が生じている場合などのパターンの欠陥を精度
よく検出できる。
また、本発明の実施例において、欠陥候補パタ
ーン検出回路300中のマツチング回路は、1つ
の欠陥候補パターンを検出するのに、例えば第4
図のAのように16×16ビツト中の11ビツトから
2値信号を取り出している。この図で示したよう
に、16×16ビツト中、ビツトパターンのエツジが
通過するビツト、例えばビツト(G、2)と
(J、2)、ビツト(G、6)と(J、6)の間
は、2ビツトの余裕がある。一般に、ITV等に
よつて撮像され、2値化されたビツトパターン
は、直線が滑らかではなく1、2画素分の凹凸が
生じやすい。そこで、この凹凸を許容して、段差
の検出ができなくなるのを防ぐために、その余裕
が設けられている。
ーン検出回路300中のマツチング回路は、1つ
の欠陥候補パターンを検出するのに、例えば第4
図のAのように16×16ビツト中の11ビツトから
2値信号を取り出している。この図で示したよう
に、16×16ビツト中、ビツトパターンのエツジが
通過するビツト、例えばビツト(G、2)と
(J、2)、ビツト(G、6)と(J、6)の間
は、2ビツトの余裕がある。一般に、ITV等に
よつて撮像され、2値化されたビツトパターン
は、直線が滑らかではなく1、2画素分の凹凸が
生じやすい。そこで、この凹凸を許容して、段差
の検出ができなくなるのを防ぐために、その余裕
が設けられている。
また、実施例において、第7図に示した欠陥候
補パターン検出回路300中のマツチング回路1
06には、第5図で示したようなアンド回路が各
テンプレートに応じて160個用意されている。こ
れは、160種類のテンプレートのうち、どのテン
プレートでマツチングが取れたかを知るために、
夫々独立してアンド回路を設けたに他ならない。
そこで、どのテンプレートでマツチングしたかを
知る必要がない場合は、いくつかのテンプレート
を共通にすることができる。このことについて、
第21図を用いて説明する。
補パターン検出回路300中のマツチング回路1
06には、第5図で示したようなアンド回路が各
テンプレートに応じて160個用意されている。こ
れは、160種類のテンプレートのうち、どのテン
プレートでマツチングが取れたかを知るために、
夫々独立してアンド回路を設けたに他ならない。
そこで、どのテンプレートでマツチングしたかを
知る必要がない場合は、いくつかのテンプレート
を共通にすることができる。このことについて、
第21図を用いて説明する。
第21図は、マツチング回路106中に前述の
アンド回路と同様に設けられる回路である。この
回路は、一例として第4図のA〜Hの8つのテン
プレートを同時に構成するものである。この8つ
のテンプレートの「1」、「0」のビツトパターン
のうち、ビツト(J・2)、(J・4)、(J・6)、
(J・7)(G・2)、(G・4)、(G・6)、(G
・
7)の8ビツトは全て共通である。そこで、まず
アンドゲート200で上記8ビツトのビツトパタ
ーンを検出する。そして、第4図のA〜Hの8つ
のテンプレートで異なるビツトパターンの部分に
ついて、それぞれ8つのアンドゲート201〜2
08を設ける。尚、このアンドゲート201〜2
08の各入力に接続されるテンプレート中のビツ
トは、第21図中に示す通りである。そして8つ
のアンドゲート201〜208の各出力は、8入
力のオアゲート209に接続される。オアゲート
209の出力信号と、アンドゲート200の出力
信号とアンドゲート210に入力する。そしてこ
のアンドゲート210の出力は第7図に示したオ
ア回路107の1つの入力端子に接続される。
アンド回路と同様に設けられる回路である。この
回路は、一例として第4図のA〜Hの8つのテン
プレートを同時に構成するものである。この8つ
のテンプレートの「1」、「0」のビツトパターン
のうち、ビツト(J・2)、(J・4)、(J・6)、
(J・7)(G・2)、(G・4)、(G・6)、(G
・
7)の8ビツトは全て共通である。そこで、まず
アンドゲート200で上記8ビツトのビツトパタ
ーンを検出する。そして、第4図のA〜Hの8つ
のテンプレートで異なるビツトパターンの部分に
ついて、それぞれ8つのアンドゲート201〜2
08を設ける。尚、このアンドゲート201〜2
08の各入力に接続されるテンプレート中のビツ
トは、第21図中に示す通りである。そして8つ
のアンドゲート201〜208の各出力は、8入
力のオアゲート209に接続される。オアゲート
209の出力信号と、アンドゲート200の出力
信号とアンドゲート210に入力する。そしてこ
のアンドゲート210の出力は第7図に示したオ
ア回路107の1つの入力端子に接続される。
この回路構成において、第4図のA〜Hのう
ち、点線で示したようなエツジがどれか1つでも
現われると、アンドゲート200が「1」を出力
し、アンドゲート201〜208のうちそのエツ
ジに対応したアンドゲートが「1」を出力する。
このためオアゲート209も「1」を出力するか
ら、アンドゲート210は「1」を出力する。従
つて欠陥候補パターン検出回路300は、第4図
のA〜Hに示した8つのテンプレートのうち、い
ずれか1つがマツチングしたものとして、信号
TMPL信号CAD1を「1」にする。
ち、点線で示したようなエツジがどれか1つでも
現われると、アンドゲート200が「1」を出力
し、アンドゲート201〜208のうちそのエツ
ジに対応したアンドゲートが「1」を出力する。
このためオアゲート209も「1」を出力するか
ら、アンドゲート210は「1」を出力する。従
つて欠陥候補パターン検出回路300は、第4図
のA〜Hに示した8つのテンプレートのうち、い
ずれか1つがマツチングしたものとして、信号
TMPL信号CAD1を「1」にする。
このように、第21図に示した回路を用いれ
ば、マツチング回路106が極めて簡単化される
と共に、マツチング回路106と切出回路4とを
接続する配線の本数が低減しコンパクトになると
いう利点がある。
ば、マツチング回路106が極めて簡単化される
と共に、マツチング回路106と切出回路4とを
接続する配線の本数が低減しコンパクトになると
いう利点がある。
また、本発明の実施例において、参照データは
1走査線に対して、1ライン分のメモリが用意さ
れていたが、2走査線分を1ライン分のメモリに
まとめることができる。このことについて、第2
2図に基づいて説明する。第22図に示した回路
は、例えばI/O回路136中に設けられて、偶
数番目の走査線と奇数番目の走査線とから得られ
る参照データを合成する合成回路の一例である。
この合成回路において、遅延器400には、フレ
ームメモリ130の1水平走査線(1024ビツト
分)中から得られる設計特徴情報を1/2の512ビツ
トに圧縮した信号IXDが印加される。遅延器40
0は、信号IXDを512ビツト分遅延した信号
IXD′を次のオア回路401へ出力する。このオ
ア回路401は、信号IXDと信号IXD′との論理
和を演算して、アンド回路402に出力する。ア
ンド回路402は、フレームメモリ130中の水
平走査線に応じて論理値が変化するような信号
SWSによつて制御される。この信号SWSは、例
えばフレームメモリ130中の偶数番目の走査線
を読み出すときには、「1」となり、奇数番目の
走査線を読み出すときには「0」となる。
1走査線に対して、1ライン分のメモリが用意さ
れていたが、2走査線分を1ライン分のメモリに
まとめることができる。このことについて、第2
2図に基づいて説明する。第22図に示した回路
は、例えばI/O回路136中に設けられて、偶
数番目の走査線と奇数番目の走査線とから得られ
る参照データを合成する合成回路の一例である。
この合成回路において、遅延器400には、フレ
ームメモリ130の1水平走査線(1024ビツト
分)中から得られる設計特徴情報を1/2の512ビツ
トに圧縮した信号IXDが印加される。遅延器40
0は、信号IXDを512ビツト分遅延した信号
IXD′を次のオア回路401へ出力する。このオ
ア回路401は、信号IXDと信号IXD′との論理
和を演算して、アンド回路402に出力する。ア
ンド回路402は、フレームメモリ130中の水
平走査線に応じて論理値が変化するような信号
SWSによつて制御される。この信号SWSは、例
えばフレームメモリ130中の偶数番目の走査線
を読み出すときには、「1」となり、奇数番目の
走査線を読み出すときには「0」となる。
このような合成回路において、信号SWSが
「1」のとき、信号IXDと信号IXD′とが合成され
て、アンド回路402から出力される。この出力
信号を、参照データとして参照データメモリ13
7の1ライン分に記憶する。このようにすること
で、参照データメモリ137の記憶容量は低減さ
れる。もちろん、フレームメモリ130中で2つ
の水平走査線上に検出すべき欠陥候補パターンや
90゜角が存在しなければ、参照データメモリ13
7中のメモリには何の情報も保持されない。
「1」のとき、信号IXDと信号IXD′とが合成され
て、アンド回路402から出力される。この出力
信号を、参照データとして参照データメモリ13
7の1ライン分に記憶する。このようにすること
で、参照データメモリ137の記憶容量は低減さ
れる。もちろん、フレームメモリ130中で2つ
の水平走査線上に検出すべき欠陥候補パターンや
90゜角が存在しなければ、参照データメモリ13
7中のメモリには何の情報も保持されない。
また、参照データメモリ137中で1ライン分
のメモリに記憶された内容に関して、前述の実施
例においては、第17図のように説明上「1」が
5つ連続していた。しかしながらこの「1」の数
自体も1/2に圧縮することができる。すなわち欠
陥候補パターン検出回路300によつて作られた
信号TMPLを制御回路5のクロツク信号の周波
数を1/2にしたパルス信号でサンプリングして圧
縮する。そして、圧縮された信号中の「1」の次
の1ビツト分に「1」を付加する。従つて、第1
7図で示したように、信号TMPLとして「1」
が4つ連続するようなときは、1/2に圧縮されて、
信号CADは3ビツト分の「1」となる。このこ
とについて、第23図により説明する。第23図
aは90゜角検出回路6の信号CAD2を1/2に圧縮
(1024ビツト分の情報を512ビツト分に圧縮)し
て、信号CADを得る様子を示したものである。
信号CAD2は孤立した「1」となるが、信号CAD
中においても孤立した「1」となる。一方、第2
3図bは、欠陥候補パターン検出回路300が第
17図で示したような水平エツジの段差を検出し
たとき出力する信号TMPLと信号CADとの関係
を示すものである。上記の場合、信号TMPLは
1水平走査の1024ビツト中連続した4ビツトが
「1」となり、これを1/2に圧縮すると、512ビツ
ト中の2ビツトが「1」となり、さらに第23図
bの矢印で示す如く、その最後に1ビツト分
「1」が付加される。このため、信号CADは512
ビツト中、連続した3ビツトが「1」となる。こ
のように、1水平走査に対応する1ライン分のメ
モリ中においても、「1」の数を圧縮することが
できるので、フレームメモリ130中の2値画像
において、1水平走査線上に多数の段差や微小凹
凸が現われた場合でも、その各段差や微小凹凸を
もれなく参照データメモリ137に記憶すること
ができる。尚、以上の実施例で不図示ではある
が、ステージ14の2次元的な位置は、光波干渉
計等によつて常に座標値として計測されている。
このステージ14の座標値は、計算機10へ入力
されている。撮像装置として、例えばITV2が
レチクル1を撮像して実際の検査を開始すると
き、計算機10は、駆動手段13を、ステージ1
4の座標値に応じて制御する。すなわち、ステー
ジ14は、ITV2がレチクル1の1画面分の領
域を撮像して、前述のような比較動作が完了する
と、隣りの1画面分の領域を撮像するように移動
する。このとき第1図に示したストロボ装置15
の発光によつて、ITV2は1画面を入力する。
のメモリに記憶された内容に関して、前述の実施
例においては、第17図のように説明上「1」が
5つ連続していた。しかしながらこの「1」の数
自体も1/2に圧縮することができる。すなわち欠
陥候補パターン検出回路300によつて作られた
信号TMPLを制御回路5のクロツク信号の周波
数を1/2にしたパルス信号でサンプリングして圧
縮する。そして、圧縮された信号中の「1」の次
の1ビツト分に「1」を付加する。従つて、第1
7図で示したように、信号TMPLとして「1」
が4つ連続するようなときは、1/2に圧縮されて、
信号CADは3ビツト分の「1」となる。このこ
とについて、第23図により説明する。第23図
aは90゜角検出回路6の信号CAD2を1/2に圧縮
(1024ビツト分の情報を512ビツト分に圧縮)し
て、信号CADを得る様子を示したものである。
信号CAD2は孤立した「1」となるが、信号CAD
中においても孤立した「1」となる。一方、第2
3図bは、欠陥候補パターン検出回路300が第
17図で示したような水平エツジの段差を検出し
たとき出力する信号TMPLと信号CADとの関係
を示すものである。上記の場合、信号TMPLは
1水平走査の1024ビツト中連続した4ビツトが
「1」となり、これを1/2に圧縮すると、512ビツ
ト中の2ビツトが「1」となり、さらに第23図
bの矢印で示す如く、その最後に1ビツト分
「1」が付加される。このため、信号CADは512
ビツト中、連続した3ビツトが「1」となる。こ
のように、1水平走査に対応する1ライン分のメ
モリ中においても、「1」の数を圧縮することが
できるので、フレームメモリ130中の2値画像
において、1水平走査線上に多数の段差や微小凹
凸が現われた場合でも、その各段差や微小凹凸を
もれなく参照データメモリ137に記憶すること
ができる。尚、以上の実施例で不図示ではある
が、ステージ14の2次元的な位置は、光波干渉
計等によつて常に座標値として計測されている。
このステージ14の座標値は、計算機10へ入力
されている。撮像装置として、例えばITV2が
レチクル1を撮像して実際の検査を開始すると
き、計算機10は、駆動手段13を、ステージ1
4の座標値に応じて制御する。すなわち、ステー
ジ14は、ITV2がレチクル1の1画面分の領
域を撮像して、前述のような比較動作が完了する
と、隣りの1画面分の領域を撮像するように移動
する。このとき第1図に示したストロボ装置15
の発光によつて、ITV2は1画面を入力する。
以上要約すれば本発明は被検査物上に設計情報
に基づいて作られた幾何学的な明暗のパターンが
設計通り形成されているか否かを検査する装置で
あり、そのパターンを撮像して画像情報を出力す
る撮像手段2,3及び4と、この画像情報に基づ
いてパターンの明暗の境界線が所定の段差で屈曲
していることを検知したとき第1の検知情報
TMPLを発生する検知手段300と、設計情報
に基づいて設計上パターンの境界線に段差がある
ことを検知したときその段差の設計上存在すべき
撮像領域中の位置に応じて第2の検知情報CAD、
LFを記憶する記憶手段11と、第1の検知情報
が発生したとき、記憶手段中に撮像領域中の位置
に対応した第2の検知情報が存在するか否かを検
査して、存在しないときには欠陥情報を発生する
検査手段8,12とを備えた構成からなる。
に基づいて作られた幾何学的な明暗のパターンが
設計通り形成されているか否かを検査する装置で
あり、そのパターンを撮像して画像情報を出力す
る撮像手段2,3及び4と、この画像情報に基づ
いてパターンの明暗の境界線が所定の段差で屈曲
していることを検知したとき第1の検知情報
TMPLを発生する検知手段300と、設計情報
に基づいて設計上パターンの境界線に段差がある
ことを検知したときその段差の設計上存在すべき
撮像領域中の位置に応じて第2の検知情報CAD、
LFを記憶する記憶手段11と、第1の検知情報
が発生したとき、記憶手段中に撮像領域中の位置
に対応した第2の検知情報が存在するか否かを検
査して、存在しないときには欠陥情報を発生する
検査手段8,12とを備えた構成からなる。
このような本発明によれば従来のようにITV
等によつてレチクルやマスクを撮像し、走査線毎
に画素単位で回路パターンの画像情報を保持する
必要がない。すなわち回路パターンのエツジ形状
として、欠陥として現われやすい段差を検出して
いるので、設計情報から予め用意しておく回路パ
ターンの設計上の特徴情報(参照データ)も6種
類で少なく、しかも設計データに於いて6種類の
何れかに該当する部分のみを記憶しておくので大
容量の記憶装置が不要であり、更に該データ量が
少ないので、高速でパターンの欠陥の有無を判定
出来るという利点がある。又切り出し手段及びパ
ターン特徴検出用テンプレート手段は、設計デー
タ及び撮像データに共用するので一組備えれば良
く、構成が簡単である。実施例では比較検査時に
はエツジ検出回路7を用いて、撮像装置2の解像
力等の問題により生じる角の丸みは欠陥としない
ようにしている。このため、検査結果がより正確
なものとなる。さらに、設計情報に基づいて作成
された参照データ中で、エツジの段差と90゜の角
は判別できるように、それぞれテンプレートが定
められているから、段差のうち90゜の角度で屈曲
した段差でも、正確に段差として符号化されう
る。
等によつてレチクルやマスクを撮像し、走査線毎
に画素単位で回路パターンの画像情報を保持する
必要がない。すなわち回路パターンのエツジ形状
として、欠陥として現われやすい段差を検出して
いるので、設計情報から予め用意しておく回路パ
ターンの設計上の特徴情報(参照データ)も6種
類で少なく、しかも設計データに於いて6種類の
何れかに該当する部分のみを記憶しておくので大
容量の記憶装置が不要であり、更に該データ量が
少ないので、高速でパターンの欠陥の有無を判定
出来るという利点がある。又切り出し手段及びパ
ターン特徴検出用テンプレート手段は、設計デー
タ及び撮像データに共用するので一組備えれば良
く、構成が簡単である。実施例では比較検査時に
はエツジ検出回路7を用いて、撮像装置2の解像
力等の問題により生じる角の丸みは欠陥としない
ようにしている。このため、検査結果がより正確
なものとなる。さらに、設計情報に基づいて作成
された参照データ中で、エツジの段差と90゜の角
は判別できるように、それぞれテンプレートが定
められているから、段差のうち90゜の角度で屈曲
した段差でも、正確に段差として符号化されう
る。
第1図は本発明の実施例を示すブロツク図であ
る。第2図は第1図のブロツクの部分の詳細を示
す図である。第3図はレチクル上のxy座標系で
のICの矩形パターンを示す図である。第4図は
パターンエツジの欠陥候補パターンの代表例を示
す図である。第5図はテンプレートを構成するア
ンド回路の図である。第6図はテンプレートと水
平エツジとの関係を示す図である。第7図は欠陥
候補パターン検出回路の回路図である。第8図は
エツジ検出のために設定された9×9画素の矩形
領域を示す図である。第9図はエツジ検出回路の
例を示す回路図である。第10図はエツジ検出領
域に現われた像の例を示す図である。第11図は
記憶回路の詳細な回路図である。第12図は検出
すべきすべての90゜の角を示す図である。第13
図は90゜角検出回路の例を示す回路図である。第
14図はテンプレート構成を示すための図であ
る。第15図と第16図は90゜角情報を保持する
動作を説明する図である。第17図はフレームメ
モリ中に微小段差を伴つたエツジを含むパターン
が存在する場合を説明する図である。第18図は
フレームメモリ中に90゜で屈曲した微小な段差を
伴つた斜め45゜のエツジが存在する場合を説明す
る図である。第19図は特徴切出回路と比較回路
の構成を示す図である。第20図は参照窓に現わ
れる設計特徴情報の例を示した図である。第21
図は第4図のA〜Hの8つのテンプレートを同時
に構成するものの回路図である。第22図は参照
データ合成回路の例を示す回路図である。第23
図は信号CADと信号TMPLの信号波形を示す図
である。 〔主要部分の符号の説明〕、撮像手段……2,
3,4、検知手段……300、第1の検知情報…
…TMPL、記憶手段……11、第2の検知情報
……信号CAD、信号LF、検査手段……8,1
2。
る。第2図は第1図のブロツクの部分の詳細を示
す図である。第3図はレチクル上のxy座標系で
のICの矩形パターンを示す図である。第4図は
パターンエツジの欠陥候補パターンの代表例を示
す図である。第5図はテンプレートを構成するア
ンド回路の図である。第6図はテンプレートと水
平エツジとの関係を示す図である。第7図は欠陥
候補パターン検出回路の回路図である。第8図は
エツジ検出のために設定された9×9画素の矩形
領域を示す図である。第9図はエツジ検出回路の
例を示す回路図である。第10図はエツジ検出領
域に現われた像の例を示す図である。第11図は
記憶回路の詳細な回路図である。第12図は検出
すべきすべての90゜の角を示す図である。第13
図は90゜角検出回路の例を示す回路図である。第
14図はテンプレート構成を示すための図であ
る。第15図と第16図は90゜角情報を保持する
動作を説明する図である。第17図はフレームメ
モリ中に微小段差を伴つたエツジを含むパターン
が存在する場合を説明する図である。第18図は
フレームメモリ中に90゜で屈曲した微小な段差を
伴つた斜め45゜のエツジが存在する場合を説明す
る図である。第19図は特徴切出回路と比較回路
の構成を示す図である。第20図は参照窓に現わ
れる設計特徴情報の例を示した図である。第21
図は第4図のA〜Hの8つのテンプレートを同時
に構成するものの回路図である。第22図は参照
データ合成回路の例を示す回路図である。第23
図は信号CADと信号TMPLの信号波形を示す図
である。 〔主要部分の符号の説明〕、撮像手段……2,
3,4、検知手段……300、第1の検知情報…
…TMPL、記憶手段……11、第2の検知情報
……信号CAD、信号LF、検査手段……8,1
2。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 設計2値データから得られる設計パターンの
所定領域と、被検物を撮像して得られる撮像2値
パターンの所定領域とを順次重複しつつ全領域に
わたつて切り出し、前記設計2値パターンから切
り出した所定領域と前記撮像2値パターンから切
り出した所定領域との位置的に対応するもの同志
を比較することにより、前記設計2値パターンに
対する前記撮像2値パターンの差異を検出するパ
ターン欠陥検査方法において、 前記設計2値パターンおよび前記撮像2値パタ
ーンの各々における前記所定領域の複数点でのデ
ータを予め指定することにより、少なくとも、段
差もしくは凹凸を有する水平線、段差もしくは凹
凸を有する垂直線、段差もしくは凹凸を有する
45゜斜線、段差もしくは凹凸を有する135゜斜線、
90゜の角度を有する角部、及び135゜の角度を有す
る角部の有無を前記各々の所定領域で検出したの
ち、該検出結果を各々2値コード化し、該2値コ
ード同志を比較することによつて、前記設計2値
パターンに対する前記撮像2値パターンの差異を
検出することを特徴とするパターン欠陥検査方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015463A JPS58134429A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | パタ−ン欠陥検査装置 |
| US06/462,515 US4589139A (en) | 1982-02-04 | 1983-01-31 | Apparatus for detecting defects in pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57015463A JPS58134429A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | パタ−ン欠陥検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58134429A JPS58134429A (ja) | 1983-08-10 |
| JPH0480427B2 true JPH0480427B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=11889484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57015463A Granted JPS58134429A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | パタ−ン欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58134429A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60223124A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン検査装置 |
| KR102735596B1 (ko) * | 2019-01-30 | 2024-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 접착 결함 검출 장치 및 이를 이용한 검출 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5919387B2 (ja) * | 1976-12-29 | 1984-05-04 | 富士通株式会社 | パタ−ン検査方法 |
| JPS5427370A (en) * | 1977-08-02 | 1979-03-01 | Olympus Optical Co Ltd | Edge processing method in pattern test |
| JPS54102837A (en) * | 1978-01-28 | 1979-08-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern check system |
| JPS5914782B2 (ja) * | 1979-12-24 | 1984-04-06 | 日本電信電話株式会社 | 2値パタ−ンの数値化処理方式 |
-
1982
- 1982-02-04 JP JP57015463A patent/JPS58134429A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58134429A (ja) | 1983-08-10 |
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