JPH0481052U - - Google Patents
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- JPH0481052U JPH0481052U JP12434590U JP12434590U JPH0481052U JP H0481052 U JPH0481052 U JP H0481052U JP 12434590 U JP12434590 U JP 12434590U JP 12434590 U JP12434590 U JP 12434590U JP H0481052 U JPH0481052 U JP H0481052U
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- JP
- Japan
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- substrate
- silicon
- field effect
- ion sensor
- insulated gate
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- Pending
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims 1
- -1 polyimide Chemical compound 0.000 claims 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
第１図は本考案の第１の実施例斜視図、第２図
は第１図のａ−ａ′部を示す図、第３図、第４図
、第５図は本考案の第２、第３、第４の実施例を
示す図、第６図はフローセルを示す図、第７図は
本考案の評価システムを示す図、第８図は本考案
の効果を表わす図である。 １……シリコン基板、２……第２のシリコン基
板、３……穴、４……電極、５……イオン感応膜
、６……ソース、７……ドレイン、８……二酸化
シリコン、９……窒化シリコン、１０……二酸化
シリコン膜、１１，１２……ウエル、１３……プ
リント基板、１４，１５……電界効果トランジス
タ、１６……ガラス基板、１７……空間、１８…
…集積化イオンセンサ、１９……ピン、２０……
ワイヤ、２１……入口側流路、２２……出口側流
路、２３……アクリルブロツク、２４……エポシ
キ樹脂、２５……フローセル、２６……ポンプ、
２７……バルブ、２８……試料ボトル、２９……
参照電極、３０……参照電極用ボトル、３１……
廃液ボトル、３２，３３……演算増幅器、３４，
３５……定電流源、３６……抵抗、３７……出力
、３８……記録計。
は第１図のａ−ａ′部を示す図、第３図、第４図
、第５図は本考案の第２、第３、第４の実施例を
示す図、第６図はフローセルを示す図、第７図は
本考案の評価システムを示す図、第８図は本考案
の効果を表わす図である。 １……シリコン基板、２……第２のシリコン基
板、３……穴、４……電極、５……イオン感応膜
、６……ソース、７……ドレイン、８……二酸化
シリコン、９……窒化シリコン、１０……二酸化
シリコン膜、１１，１２……ウエル、１３……プ
リント基板、１４，１５……電界効果トランジス
タ、１６……ガラス基板、１７……空間、１８…
…集積化イオンセンサ、１９……ピン、２０……
ワイヤ、２１……入口側流路、２２……出口側流
路、２３……アクリルブロツク、２４……エポシ
キ樹脂、２５……フローセル、２６……ポンプ、
２７……バルブ、２８……試料ボトル、２９……
参照電極、３０……参照電極用ボトル、３１……
廃液ボトル、３２，３３……演算増幅器、３４，
３５……定電流源、３６……抵抗、３７……出力
、３８……記録計。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 基板に１個又は複数個の絶縁ゲート電界効果
トランジスタを設け、該絶縁ゲート電界効果トラ
ンジスタのゲート部及び電極部以外の表面に、該
絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート部及び
電極部に対応した部分に、表面と裏面とで面積が
異なる穴のあいた第２の平板を設け、該穴の中に
イオン感応膜を形成したことを特徴とする集積化
イオンセンサ。 ２ 請求項第１項に記載の絶縁ゲート電界効果ト
ランジスタは、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）の上
に窒化シリンコン（Ｓｉ３Ｎ４）又は酸化アルミ
ニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は酸化タンタル（Ｔａ２
Ｏ５）を積層した二層ゲート絶縁膜を有すること
を特徴とする集積化イオンセンサ。 ３ 請求項第１項に記載の平板は、シリコン又は
ガラス又はポリイミド等の高分子から成り、フオ
トリソグラフイー技術とエツチング技術により穴
が設けられたことを特徴とする集積化イオンセン
サ。 ４ 請求項第１項に記載のイオン感応膜はポリ塩
化ビニル、可塑剤、イオン感応物質から成ること
を特徴とする集積化イオンセンサ。 ５ 請求項第１項に記載の基板は、シリコン基板
、シリコン・オン・サフアイア（ＳＯＳ）基板、
アモルフアスシリコン基板等の半導体基板、又は
プリント基板、ガラス基板、エポキシ基板等の絶
縁基板であることを特徴とする集積化イオンセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12434590U JPH0481052U (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12434590U JPH0481052U (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0481052U true JPH0481052U (ja) | 1992-07-15 |
Family
ID=31872003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12434590U Pending JPH0481052U (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0481052U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009545723A (ja) * | 2006-06-30 | 2009-12-24 | インテル・コーポレーション | 検体検出のための三次元集積回路 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP12434590U patent/JPH0481052U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009545723A (ja) * | 2006-06-30 | 2009-12-24 | インテル・コーポレーション | 検体検出のための三次元集積回路 |
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