JPH0363691B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0363691B2 JPH0363691B2 JP58236847A JP23684783A JPH0363691B2 JP H0363691 B2 JPH0363691 B2 JP H0363691B2 JP 58236847 A JP58236847 A JP 58236847A JP 23684783 A JP23684783 A JP 23684783A JP H0363691 B2 JPH0363691 B2 JP H0363691B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pyroelectric
- pyroelectric body
- light
- substrate
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は光又は赤外線を検出する焦電形セン
サーに関する。
サーに関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来、焦電形センサーとしては第１図に示すよ
うに焦電体１の上面に黒化膜２を形成するととも
に下面に電極層３を形成し、それを中央部に穴４
を開けた平坦な基板５の上面に上記電極層３で穴
４を塞ぐようにして固着したものが知られてい
る。なお、図中６はFET（電界効果形トランジス
タ）、７，８は抵抗で、これらは前記基板５の下
面に固着している。第２図は焦電形センサーの基
本的な回路図で、前記電界効果形トランジスタ６
のドレイン、ソースをそれぞれ端子Ｔ１，Ｔ２に
接続し、かつソースを前記抵抗８を介して端子Ｔ
３に接続し、さらにゲートを前記焦電体１と抵抗
７との並列回路を介して前記端子Ｔ３に接続して
いる。すなわち、このセンサーにおいて焦電体１
は黒化膜２で光又は赤外線を受光すると熱に変換
して分極がわずかに変化して電荷を発生する。こ
れをFET６でインピーダンス変換して信号を出
力する。
うに焦電体１の上面に黒化膜２を形成するととも
に下面に電極層３を形成し、それを中央部に穴４
を開けた平坦な基板５の上面に上記電極層３で穴
４を塞ぐようにして固着したものが知られてい
る。なお、図中６はFET（電界効果形トランジス
タ）、７，８は抵抗で、これらは前記基板５の下
面に固着している。第２図は焦電形センサーの基
本的な回路図で、前記電界効果形トランジスタ６
のドレイン、ソースをそれぞれ端子Ｔ１，Ｔ２に
接続し、かつソースを前記抵抗８を介して端子Ｔ
３に接続し、さらにゲートを前記焦電体１と抵抗
７との並列回路を介して前記端子Ｔ３に接続して
いる。すなわち、このセンサーにおいて焦電体１
は黒化膜２で光又は赤外線を受光すると熱に変換
して分極がわずかに変化して電荷を発生する。こ
れをFET６でインピーダンス変換して信号を出
力する。
ところで、このセンサーにおいて高感度を得る
には焦電体１はわずかな光又は赤外線でも熱変化
を起こす必要があり、従つて熱容量を小さくしな
ければならず、厚さを100μm以下と極めて薄く形
成する必要があり、しかも基板５を通して熱が逃
げるのを防ぐために基板５に穴４を開ける必要が
あつた。しかしながらこのように穴を開けるとそ
の穴の真上に焦電体を載せて固着させるのが難し
くこのため焦電体がずれるようなことがあると焦
電体から基板への熱の伝導に変化が生じて感度が
かわり、また焦電体と基板との接触面が増えるこ
ともあり、感度が低下する問題があつた。
には焦電体１はわずかな光又は赤外線でも熱変化
を起こす必要があり、従つて熱容量を小さくしな
ければならず、厚さを100μm以下と極めて薄く形
成する必要があり、しかも基板５を通して熱が逃
げるのを防ぐために基板５に穴４を開ける必要が
あつた。しかしながらこのように穴を開けるとそ
の穴の真上に焦電体を載せて固着させるのが難し
くこのため焦電体がずれるようなことがあると焦
電体から基板への熱の伝導に変化が生じて感度が
かわり、また焦電体と基板との接触面が増えるこ
ともあり、感度が低下する問題があつた。
さらに焦電体は極めて薄いため、割れ易く取扱
いが難しく、製造工程に難点があつた。
いが難しく、製造工程に難点があつた。
［発明の目的］
この発明はこのような問題を解決するために為
されたもので、常に安定した高い感度が得られ、
しかも強度の強い焦電形センサーを提供すること
を目的とする。
されたもので、常に安定した高い感度が得られ、
しかも強度の強い焦電形センサーを提供すること
を目的とする。
［発明の概要］
この発明は、焦電体の受光面と反対側の中央部
を凹状に形成するとともにその凹部に電極層を形
成し、かつその凹部外側の周縁部を平坦な基板上
に固着して形成した焦電形センサーである。
を凹状に形成するとともにその凹部に電極層を形
成し、かつその凹部外側の周縁部を平坦な基板上
に固着して形成した焦電形センサーである。
［発明の実施例］
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
第３図において１１は受光面と反対側の中央部
を凹状に形成した断面コ字形の焦電体で、この焦
電体１１は例えば厚めの焦電体ウエーハの受光面
と反対側の面を凹状に形成した後、所定の大きさ
にカツトし、さらに受光面側を研磨して中央部を
熱容量が充分小さくなるように薄く形成したもの
である。このようにすることによつて中央部は充
分な強度を保持したまま極めて薄く形成すること
ができる。前記焦電体１１の受光面の中央部に黒
化膜１２を形成するとともに受光面と反対側に形
成された凹部１３に電極層１４を形成している。
そして前記焦電体１１の凹部１３外側の周縁部に
導電ペーストを塗つて平坦な基板１５の略中央部
に固着させている。前記基板１５の反対面には
FET（電界効果形トランジスタ）１６、抵抗１
７，１８が固着されている。
を凹状に形成した断面コ字形の焦電体で、この焦
電体１１は例えば厚めの焦電体ウエーハの受光面
と反対側の面を凹状に形成した後、所定の大きさ
にカツトし、さらに受光面側を研磨して中央部を
熱容量が充分小さくなるように薄く形成したもの
である。このようにすることによつて中央部は充
分な強度を保持したまま極めて薄く形成すること
ができる。前記焦電体１１の受光面の中央部に黒
化膜１２を形成するとともに受光面と反対側に形
成された凹部１３に電極層１４を形成している。
そして前記焦電体１１の凹部１３外側の周縁部に
導電ペーストを塗つて平坦な基板１５の略中央部
に固着させている。前記基板１５の反対面には
FET（電界効果形トランジスタ）１６、抵抗１
７，１８が固着されている。
なお、ここで本実施例の焦電形センサーの動作
は従来と同様なので省略する。
は従来と同様なので省略する。
このような構成であれば、焦電体１１の凹部１
３によつて熱の逃げを充分に防止することができ
る。しかも周縁部が厚いので充分な強度を保つこ
とができ、それでいて光や赤外線の照射される中
央部を極めて薄く形成することができる。従つ
て、焦電体１１の熱容量を充分に小さくでき、高
感度のセンサーを作ることができる。また焦電体
１１を基板１５上に固着するのに凹部１３外側の
周縁部にのみ導電ペーストを塗ればよく、ペース
トがはみ出るようなことはない。さらにまた基板
１５に対する焦電体１１の固着位置決めは穴など
が無いので簡単にでき、従つて従来のように穴に
対する焦電体の位置ずれがないから、穴に対する
位置ずれによつてもたらされる感度の変化や低下
がなくなる。
３によつて熱の逃げを充分に防止することができ
る。しかも周縁部が厚いので充分な強度を保つこ
とができ、それでいて光や赤外線の照射される中
央部を極めて薄く形成することができる。従つ
て、焦電体１１の熱容量を充分に小さくでき、高
感度のセンサーを作ることができる。また焦電体
１１を基板１５上に固着するのに凹部１３外側の
周縁部にのみ導電ペーストを塗ればよく、ペース
トがはみ出るようなことはない。さらにまた基板
１５に対する焦電体１１の固着位置決めは穴など
が無いので簡単にでき、従つて従来のように穴に
対する焦電体の位置ずれがないから、穴に対する
位置ずれによつてもたらされる感度の変化や低下
がなくなる。
なお、前記実施例においては、焦電体として断
面コ字形のものを使用したが必ずしもこれに限定
されるものではなく、焦電体全体が湾曲した形の
ものであつてもよい。このような場合にも焦電体
にかかる応力は周縁部に分散されるので強度は強
いものとなる。
面コ字形のものを使用したが必ずしもこれに限定
されるものではなく、焦電体全体が湾曲した形の
ものであつてもよい。このような場合にも焦電体
にかかる応力は周縁部に分散されるので強度は強
いものとなる。
［発明の効果］
以上詳述したようにこの発明によれば、常に安
定した高い感度が得られ、しかも強度の向上した
焦電形センサーを提供できるものである。
定した高い感度が得られ、しかも強度の向上した
焦電形センサーを提供できるものである。
第１図は従来例を示す断面図、第２図はセンサ
ーの基本的回路図、第３図はこの発明の実施例を
示す断面図である。 １１……焦電体、１２……黒化膜、１３……凹
部、１４……電極層、１５……基板。
ーの基本的回路図、第３図はこの発明の実施例を
示す断面図である。 １１……焦電体、１２……黒化膜、１３……凹
部、１４……電極層、１５……基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 焦電体の受光面と反対側の中央部を凹状に形
成するとともにその凹部に電極層を形成し、かつ
その凹部外側の周縁部を平坦な基板上に固着して
形成したことを特徴とする焦電形センサー。 ２ 焦電体はその中央部を周縁部に対して薄く形
成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の焦電形センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58236847A JPS60128312A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 焦電形センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58236847A JPS60128312A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 焦電形センサ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128312A JPS60128312A (ja) | 1985-07-09 |
| JPH0363691B2 true JPH0363691B2 (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=17006671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58236847A Granted JPS60128312A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 焦電形センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128312A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62118222A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電形赤外検出素子 |
| JPS6370037U (ja) * | 1986-10-28 | 1988-05-11 |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP58236847A patent/JPS60128312A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60128312A (ja) | 1985-07-09 |
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