JPH0481264A - 光ビームはんだ付け装置 - Google Patents
光ビームはんだ付け装置Info
- Publication number
- JPH0481264A JPH0481264A JP19584590A JP19584590A JPH0481264A JP H0481264 A JPH0481264 A JP H0481264A JP 19584590 A JP19584590 A JP 19584590A JP 19584590 A JP19584590 A JP 19584590A JP H0481264 A JPH0481264 A JP H0481264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light beam
- light beams
- lamp house
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、光ビームの熱を利用してはんだ付けを行う光
ビームはんだ付け装置に関するものである。
ビームはんだ付け装置に関するものである。
(従来の技術)
第2図に示されるように、従来の光ビームはんだ付け装
置は、一つの光源(ハロゲンランプまたはキセノンラン
プ)11と、この光源11の周囲に配置されたランプハ
ウス(楕円反射鏡)12と、このランプハウス12の開
口側に配置された第1平面ミラー13、第2平面ミラー
14および集光レンズ(シリンドリカルレンズ)15か
らなる光学系16と、この光学系16と基板17との間
に配置されたマスク(自動マスク)18とによって構成
されている。前記基板17上には被はんだ付けワークと
しての電子部品19が搭載されている。
置は、一つの光源(ハロゲンランプまたはキセノンラン
プ)11と、この光源11の周囲に配置されたランプハ
ウス(楕円反射鏡)12と、このランプハウス12の開
口側に配置された第1平面ミラー13、第2平面ミラー
14および集光レンズ(シリンドリカルレンズ)15か
らなる光学系16と、この光学系16と基板17との間
に配置されたマスク(自動マスク)18とによって構成
されている。前記基板17上には被はんだ付けワークと
しての電子部品19が搭載されている。
そうして、一つの光源11から周囲に発光された光ビー
ムが、ランプハウス12の内面での反射により下方に方
向付けされ、複数の光学系16により複数の光ビームに
分岐、集光され、マスク18で照射範囲を限定されて、
電子部品19の複数の被はんだ付け部に照射され、複数
の光ビームの熱(こより単一部品の複数箇所における局
所はんだ付けが一括して行われる。
ムが、ランプハウス12の内面での反射により下方に方
向付けされ、複数の光学系16により複数の光ビームに
分岐、集光され、マスク18で照射範囲を限定されて、
電子部品19の複数の被はんだ付け部に照射され、複数
の光ビームの熱(こより単一部品の複数箇所における局
所はんだ付けが一括して行われる。
(発明が解決しようとする課題)
このように、一つの光源11で複数箇所の被はんだ付け
部を同時加熱する場合、従来は、1箇所につき2枚の平
面ミラー13. 14と集光レンズ15とからなる光学
系16を用いているが、この光学系16では、被はんだ
付け部に照射されるエネルギーが均一にならない。例え
ば、電子部品19がフォード・フラット・パッケージ集
積回路の場合、4組の光学系16から照射された各光ビ
ームにより4辺のリード群を同時加熱するが、その各辺
のリード群において光軸に近い各辺中央部のリードはど
高温に加熱される不均一性が生ずる。
部を同時加熱する場合、従来は、1箇所につき2枚の平
面ミラー13. 14と集光レンズ15とからなる光学
系16を用いているが、この光学系16では、被はんだ
付け部に照射されるエネルギーが均一にならない。例え
ば、電子部品19がフォード・フラット・パッケージ集
積回路の場合、4組の光学系16から照射された各光ビ
ームにより4辺のリード群を同時加熱するが、その各辺
のリード群において光軸に近い各辺中央部のリードはど
高温に加熱される不均一性が生ずる。
本発明は、このような点に鑑みなされたものであり、一
つの光源で複数の被はんだ付け部を同時加熱する場合も
、各被はんだ付け部に集光照射される光ビームのエネル
ギーが均一に分布して、各集光照射部分の全体にわたっ
て均一なはんだ付けを行うことができる光ビームはんだ
付け装置を提供することを目的とするものである。
つの光源で複数の被はんだ付け部を同時加熱する場合も
、各被はんだ付け部に集光照射される光ビームのエネル
ギーが均一に分布して、各集光照射部分の全体にわたっ
て均一なはんだ付けを行うことができる光ビームはんだ
付け装置を提供することを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、光源21と、この光源21の周囲に配置され
たランプハウス22と、このランプハウス22の開口側
に配置された光学系23と、この光学系23と被はんだ
付けワーク32との間に配置されたマスク27とを備え
た光ビームはんだ例は装置において、前記光学系23は
、少なくとも平面ミラー24とセグメントミラー25と
の組合せからなる光ビームはんだ付け装置である。
たランプハウス22と、このランプハウス22の開口側
に配置された光学系23と、この光学系23と被はんだ
付けワーク32との間に配置されたマスク27とを備え
た光ビームはんだ例は装置において、前記光学系23は
、少なくとも平面ミラー24とセグメントミラー25と
の組合せからなる光ビームはんだ付け装置である。
(作用)
本発明は、光源21から周囲に発光されランプハウス2
2での反射により方向付けされた光ビームが、複数の光
学系23の平面ミラー24により複数の光ビームに分岐
され、さらにセグメントミラー25によりエネルギー分
布均一に集光され、そしてマスク27を経て被はんだ付
けワーク32の複数の被はんだ付け部に同時照射され、
その光ビームが有する熱により、はんだイ・1けがなさ
れる。
2での反射により方向付けされた光ビームが、複数の光
学系23の平面ミラー24により複数の光ビームに分岐
され、さらにセグメントミラー25によりエネルギー分
布均一に集光され、そしてマスク27を経て被はんだ付
けワーク32の複数の被はんだ付け部に同時照射され、
その光ビームが有する熱により、はんだイ・1けがなさ
れる。
(実施例)
以下、本発明を第1図に示される実施例を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第1図に示されるように、光源21と、この光源21の
周囲に配置されたランプハウス22と、このランプハウ
ス22の開口側に配置された複数の光学系23とによっ
て、光源ユニットが構成されている。
周囲に配置されたランプハウス22と、このランプハウ
ス22の開口側に配置された複数の光学系23とによっ
て、光源ユニットが構成されている。
前記光源21としては、ハロゲンランプ、キセノンラン
プまたはメタルハライドランプ等を使用する。
プまたはメタルハライドランプ等を使用する。
前記ランプハウス22としては、楕円反射鏡を使用する
。
。
前記光学系23は、1枚の平面ミラー24.1枚のセグ
メントミラー25および集光レンズ26によって構成さ
れている。
メントミラー25および集光レンズ26によって構成さ
れている。
前記セグメントミラー25は、多数の正方形のセグメン
トチップ(鏡面仕上された金属板)を凹面形にブロック
配置したものであり、光ビームの形状を均一な正方形に
変換し、この各セグメントチップで反射された光ビーム
をセグメントチップ1個の大きさまで重合(集光)でき
る。このセグメントミラー25を使用すると、集光面の
エネルギー分布を平均化することができる。
トチップ(鏡面仕上された金属板)を凹面形にブロック
配置したものであり、光ビームの形状を均一な正方形に
変換し、この各セグメントチップで反射された光ビーム
をセグメントチップ1個の大きさまで重合(集光)でき
る。このセグメントミラー25を使用すると、集光面の
エネルギー分布を平均化することができる。
さらに、前記光学系23にて集光された光ビームの照射
範囲は、光学系23の下側に配置されたマスク(自動マ
スク)27の透孔によって限定される。
範囲は、光学系23の下側に配置されたマスク(自動マ
スク)27の透孔によって限定される。
このマスク27の透孔にはシャッターが設けられており
、必要な時点で必要な時間だけ開1−1制御され、光ビ
ームが透過される。
、必要な時点で必要な時間だけ開1−1制御され、光ビ
ームが透過される。
そうして、光源21から周囲に発光された光ビームが、
ランプハウス22の内面での反射により下方に方向(=
1けされ、複数の光学系23の平面ミラー24により複
数の光ビームに分岐され、さらにセグメントミラー25
および集光レンズ26により集光されてマスク27のシ
ャッターまで照射されている。
ランプハウス22の内面での反射により下方に方向(=
1けされ、複数の光学系23の平面ミラー24により複
数の光ビームに分岐され、さらにセグメントミラー25
および集光レンズ26により集光されてマスク27のシ
ャッターまで照射されている。
このマスク27の下側に、基板31およびこの基板31
に搭載された被はんだ付けワークとしての電子部品32
が図示されないコンベヤにより搬入される。
に搭載された被はんだ付けワークとしての電子部品32
が図示されないコンベヤにより搬入される。
この電子部品32の光ビーム照射による本加熱位置に対
して、前記マスク27に取付けられた予加熱用の熱風噴
出ダクト33の先端噴出孔が対向されている。この熱風
噴出ダクト33は、図示しない熱風供給源に接続されて
いる。
して、前記マスク27に取付けられた予加熱用の熱風噴
出ダクト33の先端噴出孔が対向されている。この熱風
噴出ダクト33は、図示しない熱風供給源に接続されて
いる。
このように構成された光ビームはんだ(=Jけ装置にお
いて、基板31および電子部品32が光ビーム照射位置
に搬入されると、光ビームが照射される前に、電子部品
32の複数の被はんだ付け部に対し、対応する熱風噴出
ダクト33の先端噴出孔から熱風が吹付けられ、電子部
品32の6被はんだ付け部は80〜150℃程度まで予
加熱される。
いて、基板31および電子部品32が光ビーム照射位置
に搬入されると、光ビームが照射される前に、電子部品
32の複数の被はんだ付け部に対し、対応する熱風噴出
ダクト33の先端噴出孔から熱風が吹付けられ、電子部
品32の6被はんだ付け部は80〜150℃程度まで予
加熱される。
それから、前記マスク27のシャッターが開いて、この
マスク27の透孔を透過した複数の光ビーム28が、対
応する被はんだ付け部に同時に照射され、この光ビーム
28の高温の本加熱によって、単一部品の複数箇所にお
ける局所リフローはんだ付けが一括して行われる。
マスク27の透孔を透過した複数の光ビーム28が、対
応する被はんだ付け部に同時に照射され、この光ビーム
28の高温の本加熱によって、単一部品の複数箇所にお
ける局所リフローはんだ付けが一括して行われる。
なお、前記平面ミラー24およびセグメントミラー25
は、その位置を交換しても良い。すなわち、光源側にセ
グメントミラー25を配置するとともに、集光レンズ側
に平面ミラー24を配置するようにしても良い。
は、その位置を交換しても良い。すなわち、光源側にセ
グメントミラー25を配置するとともに、集光レンズ側
に平面ミラー24を配置するようにしても良い。
さらに、前記集光レンズ26は、ある範囲内で光ビーム
径を変更するために設けるが、基本的にはセグメントミ
ラー25に集光作用があるので、この集光レンズ26は
なくても良い。
径を変更するために設けるが、基本的にはセグメントミ
ラー25に集光作用があるので、この集光レンズ26は
なくても良い。
本発明によれば、光ビームはんだ付け装置に使用される
光学系に、少な(とも平面ミラーとセグメントミラーと
の組合せを設けたから、一つの光源で複数の被はんだ付
け部を同時加熱する場合も、被はんだ付け部に集光照射
される光ビームのエネルギーをセグメントミラーの働き
により均一に分布させることができ、各集光照射部分の
全体にわたって光量分布が均一に調整された局所はんだ
付けを行うことができる。
光学系に、少な(とも平面ミラーとセグメントミラーと
の組合せを設けたから、一つの光源で複数の被はんだ付
け部を同時加熱する場合も、被はんだ付け部に集光照射
される光ビームのエネルギーをセグメントミラーの働き
により均一に分布させることができ、各集光照射部分の
全体にわたって光量分布が均一に調整された局所はんだ
付けを行うことができる。
第1図は本発明の光ビームはんだ付け装置の一実施例を
示す概略図、第2図は従来の光ビームはんだ付け装置を
示す概略図である。 21・・光源、22・・ランプハウス、23・・光学系
、24・・平面ミラー、25・・セグメントミラ、27
・・マスク、28・・光ビーム、32・・被はんだ付け
ワーク。
示す概略図、第2図は従来の光ビームはんだ付け装置を
示す概略図である。 21・・光源、22・・ランプハウス、23・・光学系
、24・・平面ミラー、25・・セグメントミラ、27
・・マスク、28・・光ビーム、32・・被はんだ付け
ワーク。
Claims (1)
- (1)光源と、この光源の周囲に配置されたランプハウ
スと、このランプハウスの開口側に配置された光学系と
、この光学系と被はんだ付けワークとの間に配置された
マスクとを備えた光ビームはんだ付け装置において、 前記光学系は、少なくとも平面ミラーとセグメントミラ
ーとの組合せからなることを特徴とする光ビームはんだ
付け装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19584590A JPH0481264A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 光ビームはんだ付け装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19584590A JPH0481264A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 光ビームはんだ付け装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0481264A true JPH0481264A (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=16347969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19584590A Pending JPH0481264A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 光ビームはんだ付け装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0481264A (ja) |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP19584590A patent/JPH0481264A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6417481B2 (en) | Method and a device for heating at least two elements by means of laser beams of high energy density | |
| JP6853186B2 (ja) | フラッシュランプを使用してチップを非接触移送およびはんだ付けするための装置および方法 | |
| JP6726215B2 (ja) | フラッシュランプおよびマスクを使用して複数のチップをはんだ付けするための装置および方法 | |
| US5278938A (en) | Infrared heater array for IC soldering reflective members | |
| US5648005A (en) | Modified quartz plate to provide non-uniform light source | |
| ATE70153T1 (de) | Loetvorrichtung. | |
| JP5324320B2 (ja) | 電子部品加工装置及び電子部品加工方法 | |
| JP2546712B2 (ja) | 光ビーム加熱加工装置 | |
| JPH0481264A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| JPH04296092A (ja) | リフロー装置 | |
| JPH0481268A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| JPH0481265A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| JPH08300181A (ja) | 自動半田付け用プリヒータ装置 | |
| JPH0580304B2 (ja) | ||
| JPH0818125B2 (ja) | レーザはんだ付け装置 | |
| JP3447807B2 (ja) | 赤外線加熱装置 | |
| JPH02280961A (ja) | Icチップのはんだ付け方法 | |
| JPH0481263A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| JPH0481266A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| JPH0444390A (ja) | レーザ半田付け方法とその装置 | |
| JPH0481262A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| TW202034413A (zh) | 電子部件的回流及返工裝置 | |
| JPH09162532A (ja) | Bgaのバンプ形成方法およびそのためのリフロー炉 | |
| JPH0481267A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| JPS5994429A (ja) | ダイボンデイング装置 |