JPH0481263A - 光ビームはんだ付け装置 - Google Patents
光ビームはんだ付け装置Info
- Publication number
- JPH0481263A JPH0481263A JP19584890A JP19584890A JPH0481263A JP H0481263 A JPH0481263 A JP H0481263A JP 19584890 A JP19584890 A JP 19584890A JP 19584890 A JP19584890 A JP 19584890A JP H0481263 A JPH0481263 A JP H0481263A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light beam
- lamp house
- light source
- optical system
- soldered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005476 soldering Methods 0.000 title claims description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、光ビームの熱を利用してはんだ付けを行う光
ビームはんだ付け装置に関するものである。
ビームはんだ付け装置に関するものである。
(従来の技術)
一般的に、光ビームはんだ付け装置は、第3図に示され
るように、光源(ハロゲンランプまたはキセノンランプ
)11と、この光源11の周囲に配置されたランプハウ
ス(楕円反射鏡)12と、このランプハウス12の開口
側に配置された第1平面ミラー13、第2平面ミラー1
4および集光レンズ(シリンドリカルレンス)15から
なる複数の光学系16と、この光学系16と基板17と
の間に配置されたマスク(自動マスク)18とによって
構成されている。
るように、光源(ハロゲンランプまたはキセノンランプ
)11と、この光源11の周囲に配置されたランプハウ
ス(楕円反射鏡)12と、このランプハウス12の開口
側に配置された第1平面ミラー13、第2平面ミラー1
4および集光レンズ(シリンドリカルレンス)15から
なる複数の光学系16と、この光学系16と基板17と
の間に配置されたマスク(自動マスク)18とによって
構成されている。
前記基板17上には被はんだ付けワークとしての電子部
品19が搭載されている。
品19が搭載されている。
このような光ビームはんだ(=jけ装置において、従来
は、光源11と、ランプハウス12と、第1平面ミラー
13と、第2平面ミラー14と、集光レンズ15と、マ
スク18と、電子部品19との位置関係が、電子部品1
9の被はんだイ」け部(リード等)に光ビームの焦点が
合うようなフォーカス状態で固定されている。
は、光源11と、ランプハウス12と、第1平面ミラー
13と、第2平面ミラー14と、集光レンズ15と、マ
スク18と、電子部品19との位置関係が、電子部品1
9の被はんだイ」け部(リード等)に光ビームの焦点が
合うようなフォーカス状態で固定されている。
そうして、光源11から周囲に発光された光ビームが、
ランプハウス12の内面での反射により下方に方向付け
され、複数の光学系16により複数の光ビームに分岐、
集光され、マスク18で照射範囲を限定されて、電子部
品19の複数の被はんだ付け部に照射され、光ビームの
熱により単一部品の複数箇所における局所はんだ付けが
一括して行われる。
ランプハウス12の内面での反射により下方に方向付け
され、複数の光学系16により複数の光ビームに分岐、
集光され、マスク18で照射範囲を限定されて、電子部
品19の複数の被はんだ付け部に照射され、光ビームの
熱により単一部品の複数箇所における局所はんだ付けが
一括して行われる。
(発明が解決しようとする課題)
従来は、このような光ビームによるはんだ付けを、予加
熱されていない被はんだ付けワークに対し直接行ってい
たので、十分なはんだ付け性が得られない場合がある。
熱されていない被はんだ付けワークに対し直接行ってい
たので、十分なはんだ付け性が得られない場合がある。
一方、被はんだ付けワークを予加熱する場合、通常は、
加熱炉等の設備を別個に設けるが、装置のコストが大幅
に上昇する問題がある。
加熱炉等の設備を別個に設けるが、装置のコストが大幅
に上昇する問題がある。
本発明は、このような点に鑑みなされたものであり、装
置のコストを上げることなく、はんだ付け性の向上を図
ることを目的とするものである。
置のコストを上げることなく、はんだ付け性の向上を図
ることを目的とするものである。
(課題を解決するための手段)
請求項1の発明は、光源21と、この光源21の周囲に
配置されたランプハウス22と、このランプハウス22
の開口側に配置された光学系23と、この光学系23と
被はんだ付けワーク29との間に配置されたマスク27
とを有する光ビームはんだ付け装置において、前記ラン
プハウス22が、フォーカス状態とデフォーカス状態と
で変更自在に設けられたものである。
配置されたランプハウス22と、このランプハウス22
の開口側に配置された光学系23と、この光学系23と
被はんだ付けワーク29との間に配置されたマスク27
とを有する光ビームはんだ付け装置において、前記ラン
プハウス22が、フォーカス状態とデフォーカス状態と
で変更自在に設けられたものである。
請求項2の発明は、光源21と、この光源21の周囲に
配置されたランプハウス22と、このランプハウス22
の開口側に配置された光学系23と、この光学系23と
被はんだ付けワーク29との間に配置されたマスク27
とを有する光ビームはんだ付け装置において、前記光学
系23が、フォーカス状態とデフォーカス状態とで変更
自在に設けられたものである。
配置されたランプハウス22と、このランプハウス22
の開口側に配置された光学系23と、この光学系23と
被はんだ付けワーク29との間に配置されたマスク27
とを有する光ビームはんだ付け装置において、前記光学
系23が、フォーカス状態とデフォーカス状態とで変更
自在に設けられたものである。
(作用)
請求項1の発明は、ランプハウス22をデフォーカス状
態に調整して、光ビーム31aを被はんだ付けワーク2
9に照射することにより、被はんだ付けワーク29を比
較的低温で予加熱し、次に、ランプハウス22をフォー
カス状態に調整して、光ビーム31bを被はんだ付けワ
ーク29に照射することにより、被はんだ付けワーク2
9を高温で本加熱する。
態に調整して、光ビーム31aを被はんだ付けワーク2
9に照射することにより、被はんだ付けワーク29を比
較的低温で予加熱し、次に、ランプハウス22をフォー
カス状態に調整して、光ビーム31bを被はんだ付けワ
ーク29に照射することにより、被はんだ付けワーク2
9を高温で本加熱する。
請求項2の発明は、光学系23をデフォーカス状態に調
整して、光ビーム31gを被はんだ付けワーク29に照
射することにより、被はんだ付けワーク29を比較的低
温で予加熱し、次に、光学系23をフォーカス状態に調
整して、光ビーム31bを被はんだ付けワーク29に照
射することにより、被はんだ付けワーク29を高温で本
加熱する。
整して、光ビーム31gを被はんだ付けワーク29に照
射することにより、被はんだ付けワーク29を比較的低
温で予加熱し、次に、光学系23をフォーカス状態に調
整して、光ビーム31bを被はんだ付けワーク29に照
射することにより、被はんだ付けワーク29を高温で本
加熱する。
(実施例)
以下、本発明を第1図に示される一実施例および第2図
に示される説明図を参照して詳細に説明する。
に示される説明図を参照して詳細に説明する。
第1図に示されるように、光源21と、この光源21の
周囲に配置されたランプハウス22と、このランプハウ
ス22の開口側に配置された複数の光学系23とによっ
て、光源ユニットが構成されている。
周囲に配置されたランプハウス22と、このランプハウ
ス22の開口側に配置された複数の光学系23とによっ
て、光源ユニットが構成されている。
前記光源21としては、ハロゲンランプ、キセノンラン
プまたはメタルハライドランプを使用する。
プまたはメタルハライドランプを使用する。
前記ランプハウス22としては、楕円反射鏡を使用する
。
。
前記光学系23は、第1平面ミラー24、第2平面ミラ
ー25および集光レンズ(シリンドリカルレンズ)26
によって構成されている。
ー25および集光レンズ(シリンドリカルレンズ)26
によって構成されている。
さらに、この光学系23によって分岐、集光された光ビ
ームの照射範囲は、光学系23の下側に配置されたマス
ク(自動マスク)27によって限定される。このマスク
27の透孔にはシャッターが設けられており、必要な時
点で必要な時間だけ開口制御され、光ビームが透過され
る。
ームの照射範囲は、光学系23の下側に配置されたマス
ク(自動マスク)27によって限定される。このマスク
27の透孔にはシャッターが設けられており、必要な時
点で必要な時間だけ開口制御され、光ビームが透過され
る。
このマスク27の下側には、基板28および被はんだ付
けワークとしての電子部品29が、図示されないネット
コンベヤまたはチェンコンベヤ等により搬入される。
けワークとしての電子部品29が、図示されないネット
コンベヤまたはチェンコンベヤ等により搬入される。
このような光ビームはんだ付け装置において、前記ラン
プハウス22が、フォーカス状態とデフォーカス状態と
で変更自在に設けられている。すなわち、ランプハウス
22が上下動自在に設けられている。
プハウス22が、フォーカス状態とデフォーカス状態と
で変更自在に設けられている。すなわち、ランプハウス
22が上下動自在に設けられている。
さらに、前記光学系23が、フォーカス状態とデフォー
カス状態とで変更自在に設けられている。
カス状態とで変更自在に設けられている。
すなわち、光学系23のミラー24.25が角度変更自
在に設けられ、集光レンズ26が光軸方向に移動自在に
設けられている。
在に設けられ、集光レンズ26が光軸方向に移動自在に
設けられている。
そうして、光源21から周囲に発光された光ビームは、
ランプハウス22の内面での反射により下刃に方向付け
され、複数の光学系23により複数の光ビームとなって
、マスク27のシャッターに照射されている。
ランプハウス22の内面での反射により下刃に方向付け
され、複数の光学系23により複数の光ビームとなって
、マスク27のシャッターに照射されている。
基板28および電子部品29が第1図に示される位置に
搬入され、停止されたら、マスク27のシャッターが開
き、光ビーム31がこのマスク27の透孔を通り、電子
部品29の複数の被はんだ付け部(リード)に照射され
る。
搬入され、停止されたら、マスク27のシャッターが開
き、光ビーム31がこのマスク27の透孔を通り、電子
部品29の複数の被はんだ付け部(リード)に照射され
る。
この光ビーム31の照射において、最初は、ランプハウ
ス22.ミラー2L 25または集光レンズ2Gの少な
くとも−っをデフォーカス状態に調整しておくことによ
り、第2図の説明図に実線で示されるように、焦点の合
わない光ビームahaを電子部品29に照射することに
より、その被はんだ付け部29aを比較的低温(80〜
150℃程度)で予加熱する。
ス22.ミラー2L 25または集光レンズ2Gの少な
くとも−っをデフォーカス状態に調整しておくことによ
り、第2図の説明図に実線で示されるように、焦点の合
わない光ビームahaを電子部品29に照射することに
より、その被はんだ付け部29aを比較的低温(80〜
150℃程度)で予加熱する。
それから、前記デフォーカス状態にあったランプハウス
22.ミラー24.25または集光レンズ26をフォー
カス状態に戻して、第2図の説明図に点線で示されるよ
うに、焦点の合った光ビーム31bを被はんだ付け部2
9aに照射することにより、この被はんだ付け部29a
を高温で本加熱する。
22.ミラー24.25または集光レンズ26をフォー
カス状態に戻して、第2図の説明図に点線で示されるよ
うに、焦点の合った光ビーム31bを被はんだ付け部2
9aに照射することにより、この被はんだ付け部29a
を高温で本加熱する。
このようにして、複数箇所で同時に行われる光ビーム3
1の本加熱により、W一部品の複数箇所における局所リ
フローはんだ(=Jけが一括して行われる。
1の本加熱により、W一部品の複数箇所における局所リ
フローはんだ(=Jけが一括して行われる。
請求項1の発明によれば、光ビームはんだ付け装置のラ
ンプハウスが、フォーカス状態とデフォーカス状態とで
変更自在に設けられているから、フォーカス状態での本
加熱に先立って、ランプハウスをデフォーカス状態にし
て被はんだ付けワークを比較的低温で予加熱でき、はん
だ付け性の向上を図ることができる。そして、一つの光
源で適切な予加熱を行うことができ、予加熱のための特
別な設備を必要としないから、装置のコストアップを防
止できる。
ンプハウスが、フォーカス状態とデフォーカス状態とで
変更自在に設けられているから、フォーカス状態での本
加熱に先立って、ランプハウスをデフォーカス状態にし
て被はんだ付けワークを比較的低温で予加熱でき、はん
だ付け性の向上を図ることができる。そして、一つの光
源で適切な予加熱を行うことができ、予加熱のための特
別な設備を必要としないから、装置のコストアップを防
止できる。
請求項2の発明によれば、光ビームはんだ付け装置の光
学系を、フォーカス状態とデフォーカス状態とで変更自
在に設けることによっても、請求項1と同様の効果が得
られる。
学系を、フォーカス状態とデフォーカス状態とで変更自
在に設けることによっても、請求項1と同様の効果が得
られる。
第1図は本発明の光ビームはんだ付け装置の一実施例を
示す概略図、第2図はその作用を示す説明図、第3図は
従来の光ビームはんだ付け装置を示す概略図である。 21・・光源、22・・ランプハウス、23・・光学系
、27・・マスク、29・・被はんだ付けワーク。
示す概略図、第2図はその作用を示す説明図、第3図は
従来の光ビームはんだ付け装置を示す概略図である。 21・・光源、22・・ランプハウス、23・・光学系
、27・・マスク、29・・被はんだ付けワーク。
Claims (2)
- (1)光源と、この光源の周囲に配置されたランプハウ
スと、このランプハウスの開口側に配置された光学系と
、この光学系と被はんだ付けワークとの間に配置された
マスクとを有する光ビームはんだ付け装置において、 前記ランプハウスが、フォーカス状態とデフォーカス状
態とで変更自在に設けられたことを特徴とする光ビーム
はんだ付け装置。 - (2)光源と、この光源の周囲に配置されたランプハウ
スと、このランプハウスの開口側に配置された光学系と
、この光学系と被はんだ付けワークとの間に配置された
マスクとを有する光ビームはんだ付け装置において、 前記光学系が、フォーカス状態とデフォーカス状態とで
変更自在に設けられたことを特徴とする光ビームはんだ
付け装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19584890A JPH0481263A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 光ビームはんだ付け装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19584890A JPH0481263A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 光ビームはんだ付け装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0481263A true JPH0481263A (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=16348019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19584890A Pending JPH0481263A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 光ビームはんだ付け装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0481263A (ja) |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP19584890A patent/JPH0481263A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4806728A (en) | Laser process apparatus | |
| US5278938A (en) | Infrared heater array for IC soldering reflective members | |
| US5648005A (en) | Modified quartz plate to provide non-uniform light source | |
| JPS62144875A (ja) | エレクトロニクス構成要素を回路基板にはんだづけする装置 | |
| JPS60234768A (ja) | レ−ザ−半田付装置 | |
| US5298719A (en) | Laser beam heating method and apparatus | |
| JPH0481263A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| JPH04296092A (ja) | リフロー装置 | |
| EP0538709B1 (en) | Light beam heating system | |
| JPH0818125B2 (ja) | レーザはんだ付け装置 | |
| JPH0481268A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| US20220266381A1 (en) | Welding equipment | |
| JP3414264B2 (ja) | 電子回路基板の製造方法及び製造装置 | |
| JPH04237589A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP3447807B2 (ja) | 赤外線加熱装置 | |
| JPH0785515B2 (ja) | はんだ付装置 | |
| JPH0481264A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| JPH0481266A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| JPH04314390A (ja) | レーザ光による電子部品のはんだ付け方法 | |
| JPH10163257A (ja) | 半田リフロー装置および方法 | |
| JPH0481267A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| JPH0292452A (ja) | レーザ半田付け装置 | |
| JPH0481262A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| JPH0481265A (ja) | 光ビームはんだ付け装置 | |
| JP2949883B2 (ja) | ボンディング装置 |