JPH0481862B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0481862B2 JPH0481862B2 JP59094077A JP9407784A JPH0481862B2 JP H0481862 B2 JPH0481862 B2 JP H0481862B2 JP 59094077 A JP59094077 A JP 59094077A JP 9407784 A JP9407784 A JP 9407784A JP H0481862 B2 JPH0481862 B2 JP H0481862B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- package
- nickel
- electroless nickel
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/132—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having other interconnections through an insulated passage in the conductive base
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/20—Conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. metal plates
- H10W70/24—Conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. metal plates characterised by materials
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Description
本発明は半導体装置用パツケージに関し、一層
詳細には、無電解ニツケル−リンめつきの上に無
電解ニツケル−ボロンめつきを施すことによつ
て、耐蝕性、耐熱性、はんだ付性に優れ、しかも
安価に提供しうる半導体装置用パツケージに関す
るものである。 第１図はいわゆるTO型パツケージを示す。
TO型パツケージは鉄、鉄−ニツケル−コバルト
合金等を素材とする金属外環１０に、鉄−ニツケ
ル合金、鉄−ニツケル−コバルト合金等を素材と
するリード線１２がガラス１４によつて絶縁して
植立され、また同じく鉄−ニツケル合金、鉄−ニ
ツケル−コバルト合金等を素材とするアースリー
ド線（図示せず）が必要により金属外環１０に固
着される構造を有している。 そしてこのTO型パツケージには適当な機能め
つきが施されるとともに、金属外環１０上には半
導体素子（図示せず）が銀ペースト、金共晶合金
等によつてろう付けされ、また、この半導体素子
とリード線１２先端とは金属細線（ワイヤ）によ
つて電気的に接続され、さらに半導体素子と内部
リード線等を覆つて蓋体（図示せず）が固着され
て半導体素子が気密封止されて半導体装置として
供されるものである。 この半導体装置は外部リード線が接続端子には
んだ付け等されて使用される。 上記のような製造工程を経ることから、TO型
パツケージに施される前述の機能めつきは、単に
耐蝕性が要求されるのみならず、各製造段階、使
用段階に要求される機能を発揮するものでなけれ
ばならない。 すなわち、半導体素子を金属外環１０上にろう
付けする工程は350〜500℃の高温で行われるか
ら、高温で変色しないなど耐熱性を有するもので
なければならず、また、前記のように外部リード
線がはんだ付けして用いられることから、はんだ
濡れ性のよいめつきでなければならない。 さらに、所期の耐蝕性を呈するためには、所定
のめつき厚さが要求される。 従来一般的な機能めつきとしては、金めつきあ
るいは無電解ニツケル−リンめつきが知られてい
る。 金めつきはこのような機能めつきとして、耐熱
性、はんだ付け性等にきわめて優れているもので
あるが、全面金めつきはもちろんのこと、部分金
めつきであつても高価なことが難点である。 また無電解ニツケル−リンめつきは、安価に所
定めつき厚のめつき層を形成できるために実際に
使用されているが、耐熱性、はんだ付け性に劣る
難点があり、耐熱性、はんだ付け性を犠牲にして
使用しているのが実情である。 本発明は上記難点に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、耐熱性、はんだ付
け性にきわめて優れ、しかも安価に所定めつき厚
さのめつき層が形成される半導体装置用パツケー
ジを提供するにある。 その特徴は、素子付部、リード部等にニツケル
めつきを施す半導体装置用パツケージにおいて、
該パツケージの表面を形成するニツケルめつきの
露出部分に、無電解ニツケル−リンめつきを施
し、この無電解ニツケル−リンめつき皮膜の上に
無電解ニツケル−ボロンめつきを施して成るとこ
ろにある。 以下本発明の実施例を詳細に説明する。 第２図はTO−８型パツケージを示す。各部材
は第１図のものと同一であるので同一符号をもつ
て示す。 まず金属外環１０には通常の方法によつて５〜
8μｍの厚さで電解ニツケルめつき皮膜１６を形
成する。リード線１２にもガラスとの濡れ性を向
上させるため電解ニツケル皮膜を形成し（必ずし
も施さなくてもよい）、通常のごとく、金属外環
１０に設けた透孔を挿通してガラス１４によつて
絶縁して植立する。 次に無電解ニツケル−リンめつき皮膜１８を、
金属外環１０およびリード線１２上全面に、２〜
4μｍの厚さで形成し、さらにこの無電解ニツケ
ル−リンめつき皮膜１８の上に、0.1〜3μｍ程の
厚さで無電解ニツケル−ボロンめつき皮膜２０を
形成する。無電解ニツケル−ボロンめつき皮膜２
０の厚さは0.1〜1μｍ程度でも充分に耐熱性、は
んだ付け性を向上させることができる。なお3μ
ｍ以上になるとめつき皮膜の硬度が高いことか
ら、機械的応力によつてクラツクが発生して好ま
しくない。 表１、２に、本発明構成と方法並びに従来構成
と方法にて同一形状のパツケージを作成したとき
の、熱処理後の外観結果（表１）、はんだ濡れ性
試験結果（表２）を示す。
詳細には、無電解ニツケル−リンめつきの上に無
電解ニツケル−ボロンめつきを施すことによつ
て、耐蝕性、耐熱性、はんだ付性に優れ、しかも
安価に提供しうる半導体装置用パツケージに関す
るものである。 第１図はいわゆるTO型パツケージを示す。
TO型パツケージは鉄、鉄−ニツケル−コバルト
合金等を素材とする金属外環１０に、鉄−ニツケ
ル合金、鉄−ニツケル−コバルト合金等を素材と
するリード線１２がガラス１４によつて絶縁して
植立され、また同じく鉄−ニツケル合金、鉄−ニ
ツケル−コバルト合金等を素材とするアースリー
ド線（図示せず）が必要により金属外環１０に固
着される構造を有している。 そしてこのTO型パツケージには適当な機能め
つきが施されるとともに、金属外環１０上には半
導体素子（図示せず）が銀ペースト、金共晶合金
等によつてろう付けされ、また、この半導体素子
とリード線１２先端とは金属細線（ワイヤ）によ
つて電気的に接続され、さらに半導体素子と内部
リード線等を覆つて蓋体（図示せず）が固着され
て半導体素子が気密封止されて半導体装置として
供されるものである。 この半導体装置は外部リード線が接続端子には
んだ付け等されて使用される。 上記のような製造工程を経ることから、TO型
パツケージに施される前述の機能めつきは、単に
耐蝕性が要求されるのみならず、各製造段階、使
用段階に要求される機能を発揮するものでなけれ
ばならない。 すなわち、半導体素子を金属外環１０上にろう
付けする工程は350〜500℃の高温で行われるか
ら、高温で変色しないなど耐熱性を有するもので
なければならず、また、前記のように外部リード
線がはんだ付けして用いられることから、はんだ
濡れ性のよいめつきでなければならない。 さらに、所期の耐蝕性を呈するためには、所定
のめつき厚さが要求される。 従来一般的な機能めつきとしては、金めつきあ
るいは無電解ニツケル−リンめつきが知られてい
る。 金めつきはこのような機能めつきとして、耐熱
性、はんだ付け性等にきわめて優れているもので
あるが、全面金めつきはもちろんのこと、部分金
めつきであつても高価なことが難点である。 また無電解ニツケル−リンめつきは、安価に所
定めつき厚のめつき層を形成できるために実際に
使用されているが、耐熱性、はんだ付け性に劣る
難点があり、耐熱性、はんだ付け性を犠牲にして
使用しているのが実情である。 本発明は上記難点に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、耐熱性、はんだ付
け性にきわめて優れ、しかも安価に所定めつき厚
さのめつき層が形成される半導体装置用パツケー
ジを提供するにある。 その特徴は、素子付部、リード部等にニツケル
めつきを施す半導体装置用パツケージにおいて、
該パツケージの表面を形成するニツケルめつきの
露出部分に、無電解ニツケル−リンめつきを施
し、この無電解ニツケル−リンめつき皮膜の上に
無電解ニツケル−ボロンめつきを施して成るとこ
ろにある。 以下本発明の実施例を詳細に説明する。 第２図はTO−８型パツケージを示す。各部材
は第１図のものと同一であるので同一符号をもつ
て示す。 まず金属外環１０には通常の方法によつて５〜
8μｍの厚さで電解ニツケルめつき皮膜１６を形
成する。リード線１２にもガラスとの濡れ性を向
上させるため電解ニツケル皮膜を形成し（必ずし
も施さなくてもよい）、通常のごとく、金属外環
１０に設けた透孔を挿通してガラス１４によつて
絶縁して植立する。 次に無電解ニツケル−リンめつき皮膜１８を、
金属外環１０およびリード線１２上全面に、２〜
4μｍの厚さで形成し、さらにこの無電解ニツケ
ル−リンめつき皮膜１８の上に、0.1〜3μｍ程の
厚さで無電解ニツケル−ボロンめつき皮膜２０を
形成する。無電解ニツケル−ボロンめつき皮膜２
０の厚さは0.1〜1μｍ程度でも充分に耐熱性、は
んだ付け性を向上させることができる。なお3μ
ｍ以上になるとめつき皮膜の硬度が高いことか
ら、機械的応力によつてクラツクが発生して好ま
しくない。 表１、２に、本発明構成と方法並びに従来構成
と方法にて同一形状のパツケージを作成したとき
の、熱処理後の外観結果（表１）、はんだ濡れ性
試験結果（表２）を示す。
【表】
【表】
ロジンフラツクス使用
表１から明らかなように、本発明にてなるパツ
ケージは熱処理後に対し充分な耐熱性を有するに
対し、従来構成にてなるパツケージは100％もの
耐熱不良となつた。 また、表２から明らかなように、本発明にてな
るパツケージは従来構成にてなるパツケージと比
較して、はんだ濡れ性に対しても優れていること
がわかる。 本発明は上記のTO型パツケージに限定され
ず、ニツケルめつきを使用しているパツケージの
耐熱性、はんだ付け性を望むパツケージであれば
適用しうることはもちろんである。 以上のように本発明に係る半導体装置用パツケ
ージによれば、耐熱性、はんだ付け性に優れてい
るものの、硬くクラツクが発生し易い無電解ニツ
ケル−ボロンめつきを、クラツクが発生し難い薄
層めつきとすることができ、かつ、無電解ニツケ
ル−ボロンめつきの下地めつきとして施される無
電解ニツケル−リンめつきによつて所期のめつき
厚さとすることができる。 その結果、半導体用パツケージに金めつきを施
すことなく耐熱性、はんだ付け性、耐蝕性に優れ
ためつき層を形成できるため、安価な半導体用パ
ツケージを提供できる。 以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説
明したが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多く
の改変を施し得るのはもちろんのことである。
表１から明らかなように、本発明にてなるパツ
ケージは熱処理後に対し充分な耐熱性を有するに
対し、従来構成にてなるパツケージは100％もの
耐熱不良となつた。 また、表２から明らかなように、本発明にてな
るパツケージは従来構成にてなるパツケージと比
較して、はんだ濡れ性に対しても優れていること
がわかる。 本発明は上記のTO型パツケージに限定され
ず、ニツケルめつきを使用しているパツケージの
耐熱性、はんだ付け性を望むパツケージであれば
適用しうることはもちろんである。 以上のように本発明に係る半導体装置用パツケ
ージによれば、耐熱性、はんだ付け性に優れてい
るものの、硬くクラツクが発生し易い無電解ニツ
ケル−ボロンめつきを、クラツクが発生し難い薄
層めつきとすることができ、かつ、無電解ニツケ
ル−ボロンめつきの下地めつきとして施される無
電解ニツケル−リンめつきによつて所期のめつき
厚さとすることができる。 その結果、半導体用パツケージに金めつきを施
すことなく耐熱性、はんだ付け性、耐蝕性に優れ
ためつき層を形成できるため、安価な半導体用パ
ツケージを提供できる。 以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説
明したが、本発明はこの実施例に限定されるもの
ではなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多く
の改変を施し得るのはもちろんのことである。
第１図は従来のTO型パツケージを示す断面
図、第２図は本発明に係る半導体装置用パツケー
ジの一実施例を示す断面図である。 １０……金属外環、１２……リード線、１４…
…ガラス、１６……電解めつき皮膜、１８……無
電解ニツケル−リンめつき皮膜、２０……無電解
ニツケル−ボロンめつき皮膜。
図、第２図は本発明に係る半導体装置用パツケー
ジの一実施例を示す断面図である。 １０……金属外環、１２……リード線、１４…
…ガラス、１６……電解めつき皮膜、１８……無
電解ニツケル−リンめつき皮膜、２０……無電解
ニツケル−ボロンめつき皮膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 素子付部、リード部等にニツケルめつきを施
す半導体装置用パツケージにおいて、 該パツケージの表面を形成するニツケルめつき
の露出部分に、無電解ニツケル−リンめつきを施
し、 この無電解ニツケル−リンめつき皮膜の上に無
電解ニツケル−ボロンめつきを施して成る半導体
装置用パツケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094077A JPS60236251A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094077A JPS60236251A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236251A JPS60236251A (ja) | 1985-11-25 |
| JPH0481862B2 true JPH0481862B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=14100425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59094077A Granted JPS60236251A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236251A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6487940B2 (ja) * | 2014-11-27 | 2019-03-20 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5149578A (ja) * | 1974-10-25 | 1976-04-28 | Hitachi Ltd | Kinzokujokihodento |
| JPS5258467A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Shinko Electric Ind Co | Electronic parts package |
| JPS5992598A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | 鳴海製陶株式会社 | 電子部品搭載用セラミック基体 |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP59094077A patent/JPS60236251A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60236251A (ja) | 1985-11-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |