JPS60236251A - 半導体装置用パツケ−ジ - Google Patents
半導体装置用パツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS60236251A JPS60236251A JP59094077A JP9407784A JPS60236251A JP S60236251 A JPS60236251 A JP S60236251A JP 59094077 A JP59094077 A JP 59094077A JP 9407784 A JP9407784 A JP 9407784A JP S60236251 A JPS60236251 A JP S60236251A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- electroless nickel
- nickel
- package
- wirings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/132—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having other interconnections through an insulated passage in the conductive base
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/20—Conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. metal plates
- H10W70/24—Conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. metal plates characterised by materials
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置用パッケージに関し、−・層ｉｔ細
には、＄４市解ニッケルーリンめっきの上に無電解ニッ
ケルーボロンめっきを施すごとによって、耐Ｆ！ｌ！性
、−１熱性、はんだ付性に優れ、しかも安価に擢供しう
る半導体装置用パッケージに関するものである。
には、＄４市解ニッケルーリンめっきの上に無電解ニッ
ケルーボロンめっきを施すごとによって、耐Ｆ！ｌ！性
、−１熱性、はんだ付性に優れ、しかも安価に擢供しう
る半導体装置用パッケージに関するものである。
第１図はいわゆるＴＯ型パッケージを示す。Ｔｏ型パッ
ケージは鉄、鉄−二、ケル−コバルト合金等を素材とす
る金運外環１０に、鉄−ニノヶル合金、鉄−ニソケル−
コバルト合金等を素材とするり−ド線１２がガラス１４
によっ゛ζ絶Ｈして植３′１され、また同じく鉄−ニッ
ケル合金、鉄−ニッケル〜コバルト合金等を素材とする
アースリード線（図示せず）が必要により金属外環１０
に固着される構造を有している。
ケージは鉄、鉄−二、ケル−コバルト合金等を素材とす
る金運外環１０に、鉄−ニノヶル合金、鉄−ニソケル−
コバルト合金等を素材とするり−ド線１２がガラス１４
によっ゛ζ絶Ｈして植３′１され、また同じく鉄−ニッ
ケル合金、鉄−ニッケル〜コバルト合金等を素材とする
アースリード線（図示せず）が必要により金属外環１０
に固着される構造を有している。
そしてこのＴＯ型パッケージには適当な機能めっきが施
されるとともに、金属外環１０」二には半導体素子（図
示せず）が銀ペースト、金共晶合金等によってろうイ」
けされ、また、この半導体素子とリード線１２先端とは
金属細線（マノイヤ）によっ゛ζ電気的に接続され、さ
らに半導体素子と内部リード線等を覆って薔体く図示せ
ず）が固着されて半導体素子が気密封止され゛ζ半導体
装置として供されるものである。
されるとともに、金属外環１０」二には半導体素子（図
示せず）が銀ペースト、金共晶合金等によってろうイ」
けされ、また、この半導体素子とリード線１２先端とは
金属細線（マノイヤ）によっ゛ζ電気的に接続され、さ
らに半導体素子と内部リード線等を覆って薔体く図示せ
ず）が固着されて半導体素子が気密封止され゛ζ半導体
装置として供されるものである。
この半導体装置は外部リート線が接続端子にはんだ伺は
等されて使用される。
等されて使用される。
上記のような製造工程を経ることから、［０型パツケー
ジに施される前述の機能めっきは、中に耐蝕性が要求さ
れるのみならず、各製造段階、使用段階に要求される機
能を発揮するものでなければならない。
ジに施される前述の機能めっきは、中に耐蝕性が要求さ
れるのみならず、各製造段階、使用段階に要求される機
能を発揮するものでなければならない。
ずなわら、半導体素イを金属外環１０−１−にろう（Ｎ
ｊけする上程は３５０〜５００℃の高温で行われるから
、高温で変色しないなど耐熱性を有するものでなければ
ならず、また、前記のように外部リート線がはんだ付け
して用いられることから、はんだ濡れ性のよいめっきで
なければならない。
ｊけする上程は３５０〜５００℃の高温で行われるから
、高温で変色しないなど耐熱性を有するものでなければ
ならず、また、前記のように外部リート線がはんだ付け
して用いられることから、はんだ濡れ性のよいめっきで
なければならない。
従来一般的な機能めっきとしては、金めつきあるいは無
電解ニッケルーリンめっきが知られている。
電解ニッケルーリンめっきが知られている。
金めつきはこのような機能めっきとして、耐熱性、はん
だイ」け性等にきわめて優れ゛（いるものであるが、全
面金めっきはもちろんのこと、部分金めっきであっても
高価なことが難点である。
だイ」け性等にきわめて優れ゛（いるものであるが、全
面金めっきはもちろんのこと、部分金めっきであっても
高価なことが難点である。
また無電解ニッケルーリンめっきは安価に行えるため製
品に実際に使用されているが、耐熱性。
品に実際に使用されているが、耐熱性。
はんだ付は性に劣る難点があり、耐熱性、はんだ伺は性
を悟性にして使用しているのが実情である。
を悟性にして使用しているのが実情である。
本発明は上記難点に鑑めでなされたものであり、その目
的とするところは、耐熱性、はんだ付は性にきわめて優
れ、しかも安１ｄｌｉにできる゛ｌ′、ｌ？７体装置用
パッケージを提供す？）にあり、その特徴は、」゛子何
部、リーＩ・部等に、−ノゲルめっきを施ず゛し６体装
置用パッケージにおい″（、無電ｈｒニノゲルリンめっ
きを施し、この無電解こ一ノケルーリンめっき皮膜の上
に無電解ニッケルーボロンめっきを施して成るところに
ある。
的とするところは、耐熱性、はんだ付は性にきわめて優
れ、しかも安１ｄｌｉにできる゛ｌ′、ｌ？７体装置用
パッケージを提供す？）にあり、その特徴は、」゛子何
部、リーＩ・部等に、−ノゲルめっきを施ず゛し６体装
置用パッケージにおい″（、無電ｈｒニノゲルリンめっ
きを施し、この無電解こ一ノケルーリンめっき皮膜の上
に無電解ニッケルーボロンめっきを施して成るところに
ある。
以下本発明の実施例を詳細に説明する。
第２図はＴＯ−８型パツケージを示す。各部材は第１図
のものと同一であるので同一・符号をもって示す。
のものと同一であるので同一・符号をもって示す。
まず金属外環ＩＯには通常の方法によって５〜８μｍの
厚さで電解二、ケルめっき皮膜１６を形成する。リード
線１２にもガラスとの濡れ性を向」ニさせるため電解ニ
ッケル皮膜を形成しく必ずしも施さなくてもよい）、通
常のごとく、金属外環１０に設けた透孔を挿通してガラ
ス１４によって絶縁して植立する。
厚さで電解二、ケルめっき皮膜１６を形成する。リード
線１２にもガラスとの濡れ性を向」ニさせるため電解ニ
ッケル皮膜を形成しく必ずしも施さなくてもよい）、通
常のごとく、金属外環１０に設けた透孔を挿通してガラ
ス１４によって絶縁して植立する。
次に無電解ニッケルーリンめっき皮膜１８を、金属外環
１０およびリード線１２−１＝全面に、２〜４μｍの厚
さで形成し、さらにこの無電解ニッケルーリンめっき皮
膜Ｉ８の上に、０．１〜３μｍ程の厚さで無電解ニッケ
ルーボロンめっき皮膜２゜を形成する。無電解ニッケル
ーボロンめっき皮膜２０の厚さは０．１〜１μｍ程度で
も充分に耐熱性。
１０およびリード線１２−１＝全面に、２〜４μｍの厚
さで形成し、さらにこの無電解ニッケルーリンめっき皮
膜Ｉ８の上に、０．１〜３μｍ程の厚さで無電解ニッケ
ルーボロンめっき皮膜２゜を形成する。無電解ニッケル
ーボロンめっき皮膜２０の厚さは０．１〜１μｍ程度で
も充分に耐熱性。
はんだ付は性を向上させることができる。なお３μｍ以
上になるとめっき皮膜の硬度が高いことがら、機械的応
力によってクランクが発生して好ましくない。
上になるとめっき皮膜の硬度が高いことがら、機械的応
力によってクランクが発生して好ましくない。
表１．２に、本発明構成と方法並びに従来構成と方法に
て同一形状のパンケージを作成したときの、熱処理後の
外観結果（表１）、はんだ濡れ性試験結果（表２）を示
す。
て同一形状のパンケージを作成したときの、熱処理後の
外観結果（表１）、はんだ濡れ性試験結果（表２）を示
す。
表 １
契薇準時間 ３０ガ
表 ２
表１から明らかなように、本発明にてなるパッケージは
熱処理後に対し充分な耐熱性を有するに対し、従来構成
にてなるパンケージは１００％もの耐熱不良となった。
熱処理後に対し充分な耐熱性を有するに対し、従来構成
にてなるパンケージは１００％もの耐熱不良となった。
また、表２から明らかなように、本発明にてなるパンケ
ージは従来構成にてなるパッケージと比較して、はんだ
濡れ性に対しても優れていることがわかる。
ージは従来構成にてなるパッケージと比較して、はんだ
濡れ性に対しても優れていることがわかる。
本発明は上記のＴＯ型パッケージに限定されず、ニッケ
ルめっきを使用しているパッケージの耐熱性、はんだ付
は性を望むパッケージであれば適用しうることはもちろ
んである。
ルめっきを使用しているパッケージの耐熱性、はんだ付
は性を望むパッケージであれば適用しうることはもちろ
んである。
以上のように本発明に係る半導体装置用パンケージによ
れば、耐熱性、はんだ付は性に優れ、がつ無電解ニッケ
ルーボロンめっきは厚さが薄くても充分に上記機能を発
揮するので安価に提供しうるという著効を奏する。
れば、耐熱性、はんだ付は性に優れ、がつ無電解ニッケ
ルーボロンめっきは厚さが薄くても充分に上記機能を発
揮するので安価に提供しうるという著効を奏する。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多（の改変を施し得るのは
もちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多（の改変を施し得るのは
もちろんのことである。
第１図は従来のＴｏ型パッケージを示す断面図、第２図
は本発明に係る半導体装置用パッケージの一実施例を示
す断面図である。 １０・・・金属外環、 １２・・・リート線。 １４・・・ガラス、１６・・・電解めっき皮膜。 １８・・・無電解ニッケルーリンめっき皮膜。 ２０−無電解ニッケルーボロンめっき皮膜。 特許出願人 新光電気工業株式会社 代表者光延丈喜夫 図面 第１図 第２図
は本発明に係る半導体装置用パッケージの一実施例を示
す断面図である。 １０・・・金属外環、 １２・・・リート線。 １４・・・ガラス、１６・・・電解めっき皮膜。 １８・・・無電解ニッケルーリンめっき皮膜。 ２０−無電解ニッケルーボロンめっき皮膜。 特許出願人 新光電気工業株式会社 代表者光延丈喜夫 図面 第１図 第２図
Claims (1)
- １、素子イ１部、リート部等にニッケルめっきを施す半
導体装置用パッケージにおいて、無電解ニッケルーリン
めっきを施し、この無電解二ノう゛ルーリンめっき皮膜
の上に無電解二・２ケル−ボロンめっきを施して成る半
導体装置用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094077A JPS60236251A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59094077A JPS60236251A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60236251A true JPS60236251A (ja) | 1985-11-25 |
| JPH0481862B2 JPH0481862B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=14100425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59094077A Granted JPS60236251A (ja) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | 半導体装置用パツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60236251A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016084767A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体用円形支持基板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5149578A (ja) * | 1974-10-25 | 1976-04-28 | Hitachi Ltd | Kinzokujokihodento |
| JPS5258467A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Shinko Electric Ind Co | Electronic parts package |
| JPS5992598A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | 鳴海製陶株式会社 | 電子部品搭載用セラミック基体 |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP59094077A patent/JPS60236251A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5149578A (ja) * | 1974-10-25 | 1976-04-28 | Hitachi Ltd | Kinzokujokihodento |
| JPS5258467A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Shinko Electric Ind Co | Electronic parts package |
| JPS5992598A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | 鳴海製陶株式会社 | 電子部品搭載用セラミック基体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016084767A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体用円形支持基板 |
| JPWO2016084767A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2017-09-28 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体用円形支持基板 |
| US10163674B2 (en) | 2014-11-27 | 2018-12-25 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Circular support substrate for semiconductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0481862B2 (ja) | 1992-12-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |