JPH0482049B2 - - Google Patents
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- JPH0482049B2 JPH0482049B2 JP60001890A JP189085A JPH0482049B2 JP H0482049 B2 JPH0482049 B2 JP H0482049B2 JP 60001890 A JP60001890 A JP 60001890A JP 189085 A JP189085 A JP 189085A JP H0482049 B2 JPH0482049 B2 JP H0482049B2
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- Japan
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- film
- mask holder
- silicon oxide
- silicon
- lithography
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリソグラフイー法及びそれに使用され
るマスク保持体に関する。
るマスク保持体に関する。
Ｘ線リソグラフイーは、Ｘ線固有の直進性、非
干渉性、低回折性などに基づき、これまでの可視
光や紫外光によるリソグラフイーにより優れた多
くの点を持つており、サブミクロンリソグラフイ
ーの有力な手段として注目されつつある。
干渉性、低回折性などに基づき、これまでの可視
光や紫外光によるリソグラフイーにより優れた多
くの点を持つており、サブミクロンリソグラフイ
ーの有力な手段として注目されつつある。
Ｘ線リソグラフイーは可視光や紫外光によるリ
ソグラフイーに比較して多くの優位点を持ちなが
らも、Ｘ線源のパワー不足、レジストの低感度、
アライメントの困難さ、マスク材料の選択及び加
工方法の困難さなどから、生産性が低く、コスト
が高いという欠点があり、実用化が遅れている。
ソグラフイーに比較して多くの優位点を持ちなが
らも、Ｘ線源のパワー不足、レジストの低感度、
アライメントの困難さ、マスク材料の選択及び加
工方法の困難さなどから、生産性が低く、コスト
が高いという欠点があり、実用化が遅れている。
その中でＸ線リソグラフイー用マスクを取上げ
てみると、可視光および紫外光リソグラフイーで
は、マスク保持体（即ち光線透過体）としてガラ
ス板および石英板が利用されてきたが、Ｘ線リソ
グラフイーにおいては利用できる光線の波長が１
〜200Åとされており、これまでのガラス板や石
英板はこのＸ線波長域での吸収が大きく且つ厚さ
も１〜２mmと厚くせざるを得ないためＸ線を充分
に透過させないので、これらはＸ線リソグラフイ
ー用マスク保持体の材料としては不適である。
てみると、可視光および紫外光リソグラフイーで
は、マスク保持体（即ち光線透過体）としてガラ
ス板および石英板が利用されてきたが、Ｘ線リソ
グラフイーにおいては利用できる光線の波長が１
〜200Åとされており、これまでのガラス板や石
英板はこのＸ線波長域での吸収が大きく且つ厚さ
も１〜２mmと厚くせざるを得ないためＸ線を充分
に透過させないので、これらはＸ線リソグラフイ
ー用マスク保持体の材料としては不適である。
Ｘ線透過率は一般に物質の密度に依存するた
め、Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の材料と
して密度の低い無機物が有機物が検討されつつあ
る。この様な材料としては、たとえばベリリウム
（Be）、チタン（Ti）、ケイ素（Si）、ホウ素(B)の
単体およびそれらの化合物などの無機物、または
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレ
ンなどの有機物が挙げられる。
め、Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の材料と
して密度の低い無機物が有機物が検討されつつあ
る。この様な材料としては、たとえばベリリウム
（Be）、チタン（Ti）、ケイ素（Si）、ホウ素(B)の
単体およびそれらの化合物などの無機物、または
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレ
ンなどの有機物が挙げられる。
これにの物質をＸ線リソグラフイー用マスク保
持体の材料として実際に用いるためには、Ｘ線透
過量をできるだけ大きくするために薄膜化するこ
とが必要であり、無機物の場合で数〓ｍ以下、有
機物の場合で数十〓ｍ以下の厚さに形成すること
が要求されている。このため、たとえば無機物薄
膜およびその複合膜からなるマスク保持体の形成
にあつては、平面性に優れたシリコンウエハー上
に蒸着などによつて窒化シリコーン、酸化シリコ
ン、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成
した後にシリコンウエハーをエツチングによつて
除去するという方法が提案されている。
持体の材料として実際に用いるためには、Ｘ線透
過量をできるだけ大きくするために薄膜化するこ
とが必要であり、無機物の場合で数〓ｍ以下、有
機物の場合で数十〓ｍ以下の厚さに形成すること
が要求されている。このため、たとえば無機物薄
膜およびその複合膜からなるマスク保持体の形成
にあつては、平面性に優れたシリコンウエハー上
に蒸着などによつて窒化シリコーン、酸化シリコ
ン、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成
した後にシリコンウエハーをエツチングによつて
除去するという方法が提案されている。
一方、以上の様な保持体上に保持されるＸ線リ
ソグラフイー用マスク（即ちＸ線吸収体）とし
て、一般に密度の高い物質たとえば金，白金，タ
ングステン，タンタル，銅，ニツケルなどの薄膜
望ましくは0.5〜１〓ｍ厚の薄膜からなるものが
好ましい。この様なマスクは、たとえば上記Ｘ線
透過膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成し
た後、レジストを塗布し、該レジストに電子ビー
ム、光などにより所望のパターン描画を高ない、
しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パ
ターンに作成される。
ソグラフイー用マスク（即ちＸ線吸収体）とし
て、一般に密度の高い物質たとえば金，白金，タ
ングステン，タンタル，銅，ニツケルなどの薄膜
望ましくは0.5〜１〓ｍ厚の薄膜からなるものが
好ましい。この様なマスクは、たとえば上記Ｘ線
透過膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成し
た後、レジストを塗布し、該レジストに電子ビー
ム、光などにより所望のパターン描画を高ない、
しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パ
ターンに作成される。
しかして、以上の如き従来のＸ線リソグラフイ
ーにおいては、マスク保持体のＸ線透過率が低
く、このため十分なＸ線透過量を得るためにはマ
スク保持体をかなり薄くする必要があり、その製
造が困難になるという問題があつた。
ーにおいては、マスク保持体のＸ線透過率が低
く、このため十分なＸ線透過量を得るためにはマ
スク保持体をかなり薄くする必要があり、その製
造が困難になるという問題があつた。
本発明は、以上の様な従来技術に鑑み、Ｘ線透
過性の良好なマスク保持体を提供し、もつてリソ
グラフイーを良好に実施すること目的とする。
過性の良好なマスク保持体を提供し、もつてリソ
グラフイーを良好に実施すること目的とする。
本発明によれば、以上の如き目的は、マスク保
持体を少なくともアルミニウム、窒素、及び酸素
を含む膜（以下Al−Ｎ−Ｏ系膜と記す）と無機
物質との積層体により形成することによつて達成
される。
持体を少なくともアルミニウム、窒素、及び酸素
を含む膜（以下Al−Ｎ−Ｏ系膜と記す）と無機
物質との積層体により形成することによつて達成
される。
本発明において積層体を構成する無機物膜とし
ては少なくとも膜形成及びＸ線透過性を有するも
のを使用することができる。この様な無機物とし
ては、たとえば窒化アルミニウム、窒化ボロン、
窒化シリコン、酸化シリコン、炭化シリコン、チ
タン等が例示される。
ては少なくとも膜形成及びＸ線透過性を有するも
のを使用することができる。この様な無機物とし
ては、たとえば窒化アルミニウム、窒化ボロン、
窒化シリコン、酸化シリコン、炭化シリコン、チ
タン等が例示される。
これらのうちでも特に窒化アルミニウムはＸ線
透過率及び可視光性透過率が高く、熱膨張率が低
く、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好であるな
どの特長を有するので好適である。
透過率及び可視光性透過率が高く、熱膨張率が低
く、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好であるな
どの特長を有するので好適である。
本発明によるマスク保持体を構成する積層体は
Al−Ｎ−Ｏ系膜と無機物膜との２層からなるも
のであつてもよいし、またAl−Ｎ−Ｏ系膜及び
無機物膜の少なくとも一方を２層以上用いて全体
として３層以上からなるものとしてもよい。
Al−Ｎ−Ｏ系膜と無機物膜との２層からなるも
のであつてもよいし、またAl−Ｎ−Ｏ系膜及び
無機物膜の少なくとも一方を２層以上用いて全体
として３層以上からなるものとしてもよい。
更に、本発明によるマスク保持体を構成する積
層体はAl−Ｎ−Ｏ系膜と無機物膜と有機物膜と
を用いて３層以上からなるものとしてもよい。有
機物としては少なくととも膜形成及びＸ線透過性
を有するものを使用することができ、この様な有
機物としては、たとえばポリイミド、ポリアミ
ド、ポリエステル、パリレン（ユニオンカーバイ
ド社製）等を例示することができる。
層体はAl−Ｎ−Ｏ系膜と無機物膜と有機物膜と
を用いて３層以上からなるものとしてもよい。有
機物としては少なくととも膜形成及びＸ線透過性
を有するものを使用することができ、この様な有
機物としては、たとえばポリイミド、ポリアミ
ド、ポリエステル、パリレン（ユニオンカーバイ
ド社製）等を例示することができる。
本発明によるマスク保持体の厚さは制限される
ことはなく適宜の厚さとすることができるが、例
えば２〜20〓ｍ程とするのが有利である。
ことはなく適宜の厚さとすることができるが、例
えば２〜20〓ｍ程とするのが有利である。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
実施例 １：
第１図ａに示される様に、直径10cmの円形のシ
リコンウエハー１の両面に１〓ｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
リコンウエハー１の両面に１〓ｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
次に、第１図ｂに示される様に、プラズマ
CVD法により、シリコンウエハー１の片面側の
酸化シリコン膜２上に0.5〓ｍ厚の窒化シリコン
膜３を形成した後、熱電子衝撃型イオンプレーテ
イング装置を使用し、アルミニウム（Al）ター
ゲツト、アルゴン（Ar）：窒素（N2）：酸素
（O2）＝１：３：0.1の混合ガス、ガス圧３×
10-4Torr、放電電力40W、加速電圧600V、基板
温度80℃で、成膜速度約10Å／secで１〓ｍ厚の
Al−Ｎ−Ｏ系膜４を形成した。
CVD法により、シリコンウエハー１の片面側の
酸化シリコン膜２上に0.5〓ｍ厚の窒化シリコン
膜３を形成した後、熱電子衝撃型イオンプレーテ
イング装置を使用し、アルミニウム（Al）ター
ゲツト、アルゴン（Ar）：窒素（N2）：酸素
（O2）＝１：３：0.1の混合ガス、ガス圧３×
10-4Torr、放電電力40W、加速電圧600V、基板
温度80℃で、成膜速度約10Å／secで１〓ｍ厚の
Al−Ｎ−Ｏ系膜４を形成した。
次に、第１図ｃに示される様に、Al−Ｎ−Ｏ
系膜４上に保護のたのタール系塗料層６を形成し
た。
系膜４上に保護のたのタール系塗料層６を形成し
た。
次に、第１図ｄに示される様に、露出している
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
て除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコ
ン膜２を残すため、その部分に保護のためのアピ
エゾンワツクス（シエル化学社製）の層７を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層７を除去した。
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
て除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコ
ン膜２を残すため、その部分に保護のためのアピ
エゾンワツクス（シエル化学社製）の層７を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層７を除去した。
次に、第１図ｅに示させる様に、３％フツ酸水
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
次に、第１図ｆに示される様に、フツ化アンモ
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
次に、第１図ｇに示される様に、リングフレー
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）８の一面にエポキシ系接着剤９を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
窒化シリコン膜３及びAl−Ｎ−Ｏ系系膜４形成
面側と反対の面を接着した。
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）８の一面にエポキシ系接着剤９を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
窒化シリコン膜３及びAl−Ｎ−Ｏ系系膜４形成
面側と反対の面を接着した。
次に、第１図ｈに示される様に、アセトンでタ
ール系塗料層６を除去した。
ール系塗料層６を除去した。
かくしてリングフレーム８及びシリコンウエハ
ー１により固定された状態の窒化シリコン膜３及
びAl−Ｎ−Ｏ系膜４の積層体からなるリソグラ
フイー用マスク保持体を得た。
ー１により固定された状態の窒化シリコン膜３及
びAl−Ｎ−Ｏ系膜４の積層体からなるリソグラ
フイー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られた窒化シリコン膜；
Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保持体
は特に透光性が良好であつた。
は特に透光性が良好であつた。
実施例 ２：
直径10cmの円形のシリコンウエハーの片面に
CVD法により0.5〓ｍ厚の酸化シリコン膜を形成
した後、実施例１と同様にして該酸化シリコン膜
上に１〓ｍ厚のAl−Ｎ−Ｏ系膜を形成した。
CVD法により0.5〓ｍ厚の酸化シリコン膜を形成
した後、実施例１と同様にして該酸化シリコン膜
上に１〓ｍ厚のAl−Ｎ−Ｏ系膜を形成した。
次に、実施例１と同様にしてAl−Ｎ−Ｏ系膜
上に保護のためのタール系塗料層を形成した。
上に保護のためのタール系塗料層を形成した。
次に、実施例１と同様にしてシリコンウエハー
の直径7.5cmの円形の中央部分を電解エツチング
により除去した。尚、この際、リング状にシリコ
ンウエハーを残すため、その部分に保護のための
タール系塗料層を形成し、シリコンウエハーの中
央部分を除去した後、該塗料層を除去した。
の直径7.5cmの円形の中央部分を電解エツチング
により除去した。尚、この際、リング状にシリコ
ンウエハーを残すため、その部分に保護のための
タール系塗料層を形成し、シリコンウエハーの中
央部分を除去した後、該塗料層を除去した。
次に、実施例１と同様にして、シリコンウエハ
ーの酸化シリコン膜及びAl−Ｎ−Ｏ系膜形成面
側と反対の面に、リングフレームを接着し、ター
ル系料層を除去した。
ーの酸化シリコン膜及びAl−Ｎ−Ｏ系膜形成面
側と反対の面に、リングフレームを接着し、ター
ル系料層を除去した。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の酸化シリコン膜及びAl
−Ｎ−Ｏ系膜の積層体からなるリソグラフイー用
マスク保持体を得た。
により固定された状態の酸化シリコン膜及びAl
−Ｎ−Ｏ系膜の積層体からなるリソグラフイー用
マスク保持体を得た。
本実施例において得られた酸化シリコン膜；
Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保持体は
特に透光性が良好であつた。
Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保持体は
特に透光性が良好であつた。
実施例 ３：
実施例１の工程において、窒化シリコン膜３及
びAl−Ｎ−Ｏ系膜４を形成した後に、Al−Ｎ−
Ｏ系膜４上に保護のためのタール系塗料層を形成
した。
びAl−Ｎ−Ｏ系膜４を形成した後に、Al−Ｎ−
Ｏ系膜４上に保護のためのタール系塗料層を形成
した。
以下、実施例１と同様にして、酸化シリコン膜
２の所定の部分及びシリコンウエハー１の円形の
中央部分を除去した。
２の所定の部分及びシリコンウエハー１の円形の
中央部分を除去した。
次に、アセトンでタール系塗料層を除去した。
次に、Al−Ｎ−Ｏ系膜４上にフオトレジストAZ
−1370（シプレー社製）を塗布した。
次に、Al−Ｎ−Ｏ系膜４上にフオトレジストAZ
−1370（シプレー社製）を塗布した。
次に、ステツパーを用いてマスクパターンを縮
小投影しレジストの焼付を行なつた後に所定の処
理を行ない、レジストパターンを得た。
小投影しレジストの焼付を行なつた後に所定の処
理を行ない、レジストパターンを得た。
次に、蒸着により上記レジストパターン上に
0.5〓ｍ厚にタンタルTa層を形成した。
0.5〓ｍ厚にタンタルTa層を形成した。
次に、アセトンを用いてレジストを除去し、タ
ンタル膜パータンを得た。
ンタル膜パータンを得た。
以下、実施例１と同様にしてリングフレームの
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化シリン膜とAl
−Ｎ−Ｏ系膜との積層体からなるマスク保持体を
用いたリソグラフイー用マスクを得た。
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化シリン膜とAl
−Ｎ−Ｏ系膜との積層体からなるマスク保持体を
用いたリソグラフイー用マスクを得た。
本実施例において得られたマスの窒化シリコン
膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保持
体は特に透光性が良好であつた。
膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保持
体は特に透光性が良好であつた。
実施例 ４：
実施例２の工程において、酸化シリコン膜及び
Al−Ｎ−Ｏ系膜を形成した後に、Al−Ｎ−Ｏ系
膜上に保護のためのタール系塗料層を形成した。
Al−Ｎ−Ｏ系膜を形成した後に、Al−Ｎ−Ｏ系
膜上に保護のためのタール系塗料層を形成した。
以下、実施例３と同様の工程を行なつた。かく
してリングフレーム及びシリコンウエハーにより
固定された状態の酸化シリコン膜とAl−Ｎ−Ｏ
系膜との積層体からなるマスク保持体を用いたリ
ソグラフイー用マスクを得た。
してリングフレーム及びシリコンウエハーにより
固定された状態の酸化シリコン膜とAl−Ｎ−Ｏ
系膜との積層体からなるマスク保持体を用いたリ
ソグラフイー用マスクを得た。
本実施例において得られたマスクの酸化シリコ
ン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保
持体は特に透光性が良好であつた。
ン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保
持体は特に透光性が良好であつた。
実施例 ５：
第２図ａに示される様に、直径10cmの円形のシ
リコンウエハー１の両面に１〓ｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
リコンウエハー１の両面に１〓ｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
次に、第２図ｂに示される様に、プラズマ
CVD法により、シリコンウエハー１の片面側の
酸化シリコン膜２上に0.5〓ｍ厚の窒化シリコン
膜３を形成した後、リアクテイブスパツタ法によ
り窒化アルミニウム（AlN）ターゲツト、アル
ゴン（Ar）：窒素（N2）：酸素（O2）＝１：１：
0.5の混合ガス、ガス圧５×10-3Torr、放電電力
150W、成膜速度約15Å／minで１〓ｍ厚のAl−
Ｎ−Ｏ系膜４を形成し、更にその上に上記と同様
にしてプラズマCVD法により0.5〓ｍ厚の窒化シ
リコン膜５を形成した。
CVD法により、シリコンウエハー１の片面側の
酸化シリコン膜２上に0.5〓ｍ厚の窒化シリコン
膜３を形成した後、リアクテイブスパツタ法によ
り窒化アルミニウム（AlN）ターゲツト、アル
ゴン（Ar）：窒素（N2）：酸素（O2）＝１：１：
0.5の混合ガス、ガス圧５×10-3Torr、放電電力
150W、成膜速度約15Å／minで１〓ｍ厚のAl−
Ｎ−Ｏ系膜４を形成し、更にその上に上記と同様
にしてプラズマCVD法により0.5〓ｍ厚の窒化シ
リコン膜５を形成した。
次に、第２図ｃに示される様に、窒化シリコン
膜５上に保護のためのタール系塗料層６を形成し
た。
膜５上に保護のためのタール系塗料層６を形成し
た。
次に、第２図ｄに示される様に、露出している
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウとフツ酸との混合液を用いて
除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコン
膜２を残すため、その部分に保護のためのアピエ
ゾンワツクス（シエル化学社製）の層７を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層７を除去した。
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウとフツ酸との混合液を用いて
除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコン
膜２を残すため、その部分に保護のためのアピエ
ゾンワツクス（シエル化学社製）の層７を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層７を除去した。
次に、第２図ｅに示させる様に、３％フツ酸水
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
次に、第２図ｆに示される様に、フツ化アンモ
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
次に、第２図ｇに示される様に、リングフレー
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）８の一面にエポキシ系接着剤９を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
窒化シリコン膜３，５及びAl−Ｎ−Ｏ系膜４形
成面側との反対の面を接着した。
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）８の一面にエポキシ系接着剤９を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
窒化シリコン膜３，５及びAl−Ｎ−Ｏ系膜４形
成面側との反対の面を接着した。
次に、第２図ｈに示される様に、アセトンでタ
ール系塗料層６を除去した。
ール系塗料層６を除去した。
かくしてリングフレーム８及びシリコンウエハ
ー１により固定された状態の窒化シリコン膜３，
５及びAl−Ｎ−Ｏ系膜４の積層体からなるリソ
グラフイー用マスク保持体を得た。
ー１により固定された状態の窒化シリコン膜３，
５及びAl−Ｎ−Ｏ系膜４の積層体からなるリソ
グラフイー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られた窒化シリコン膜；
Al−Ｎ−Ｏ系膜；窒化シリコン膜の構成を有す
るマス保持体は特に透光性が良好であつた。
Al−Ｎ−Ｏ系膜；窒化シリコン膜の構成を有す
るマス保持体は特に透光性が良好であつた。
実施例 ６：
実施例２の工程においてAl−Ｎ−Ｏ系膜を形
成した後に更にCVD法により0.5〓ｍ厚の酸化シ
リコン膜を形成し該酸化シリコン膜上に保護のた
めのタール系塗料層を形成することを除き、実施
例２と同様の工程を行なつた。
成した後に更にCVD法により0.5〓ｍ厚の酸化シ
リコン膜を形成し該酸化シリコン膜上に保護のた
めのタール系塗料層を形成することを除き、実施
例２と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の酸化シリコン膜；Al−
Ｎ−Ｏ系膜；酸化シリコン膜の構成を有する積層
体からなるリソグラフイー用マスク保持体を得
た。
により固定された状態の酸化シリコン膜；Al−
Ｎ−Ｏ系膜；酸化シリコン膜の構成を有する積層
体からなるリソグラフイー用マスク保持体を得
た。
本実施例において得られた酸化シリコン膜；
Al−Ｎ−Ｏ系膜；酸化シリコン膜の構成を有す
るマスク保持体は特に透光性が良好であつた。
Al−Ｎ−Ｏ系膜；酸化シリコン膜の構成を有す
るマスク保持体は特に透光性が良好であつた。
実施例 ７：
実施例１の工程において、窒化シリコン膜３の
形成の前に実施例１におけると同様にして１〓ｍ
厚のAl−Ｎ−Ｏ系膜形成しておくことを除いて、
実施例１と同様の工程を行なつた。
形成の前に実施例１におけると同様にして１〓ｍ
厚のAl−Ｎ−Ｏ系膜形成しておくことを除いて、
実施例１と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜；窒化
シリコン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有する積
層体からなるリソグラフイー用マスク保持体を得
た。
により固定された状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜；窒化
シリコン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有する積
層体からなるリソグラフイー用マスク保持体を得
た。
本実施例において得られたAl−Ｎ−Ｏ系膜；
窒化シリコン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有す
るマスク保持体は特に放熱性が良好であつた。
窒化シリコン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有す
るマスク保持体は特に放熱性が良好であつた。
実施例 ８：
実施例２の工程において、酸化シリコン膜の形
成の前に実施例２におけると同様にして１〓ｍ厚
のAl−Ｎ−Ｏ系膜を形成しておくことを除いて、
実施例２と同様の工程を行なつた。
成の前に実施例２におけると同様にして１〓ｍ厚
のAl−Ｎ−Ｏ系膜を形成しておくことを除いて、
実施例２と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜；窒化
シリコン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有する積
層体からなるリソグラフイー用マスク保持体を得
た。
により固定された状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜；窒化
シリコン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有する積
層体からなるリソグラフイー用マスク保持体を得
た。
本実施例において得られたAl−Ｎ−Ｏ系膜；
窒化シリコン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有す
るマスク保持体は特に放熱性が良好であつた。
窒化シリコン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有す
るマスク保持体は特に放熱性が良好であつた。
実施例 ９：
実施例５の工程において、窒化シリコン膜３，
５及びAl−Ｎ−Ｏ系膜４を形成した後に、窒化
シリコン膜５上に保護のためのタール系塗料層を
形成した。
５及びAl−Ｎ−Ｏ系膜４を形成した後に、窒化
シリコン膜５上に保護のためのタール系塗料層を
形成した。
以下、実施例５と同様にして、酸化シリコン膜
２の所定の部分及びシリコンウエハーの円形の中
央部分を除去した。
２の所定の部分及びシリコンウエハーの円形の中
央部分を除去した。
次に、アセトンでタール系塗料層を除去した。
次に、窒化シリコン膜５上にスピンコートによ
りフオトレジストRD−200N（日立化成社製）の
層を1.2〓ｍ厚に形成した。
りフオトレジストRD−200N（日立化成社製）の
層を1.2〓ｍ厚に形成した。
次、石英−クロムマスクを用いて遠紫外光によ
りレジストの焼付を行なつた後に規定の処理を行
ない、マスクに対しネガ型のレジストパターンを
得た。
りレジストの焼付を行なつた後に規定の処理を行
ない、マスクに対しネガ型のレジストパターンを
得た。
次に、エレクトロビーム蒸着機を用いて上記レ
ジストパターン上にタンタルTaを0.5〓ｍ厚に蒸
着した。
ジストパターン上にタンタルTaを0.5〓ｍ厚に蒸
着した。
次に、リムーバーを用いてレジストを除去し、
リフトオフ法によりタンタル膜ターンを得た。
リフトオフ法によりタンタル膜ターンを得た。
以下、実施例５と同様にしてリングフレームの
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化シリコン膜と
Al−Ｎ−Ｏ系膜との積層体からなるマスク保持
体を用いてリソグラフイー用マスクを得た。
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態の窒化シリコン膜と
Al−Ｎ−Ｏ系膜との積層体からなるマスク保持
体を用いてリソグラフイー用マスクを得た。
本実施例において得られたマスクの窒化シリコ
ン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜；窒化シリコン膜の構成
を有するスクク保持体は特に透光性が良好であつ
た。
ン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜；窒化シリコン膜の構成
を有するスクク保持体は特に透光性が良好であつ
た。
実施例 10：
実施例５と同様にして、シリコンウエハーの両
面に酸化シリコン膜を形成した後に、その片面に
実施例５と同様にしてAl−Ｎ−Ｏ系膜を形成し
た。
面に酸化シリコン膜を形成した後に、その片面に
実施例５と同様にしてAl−Ｎ−Ｏ系膜を形成し
た。
次に、Al−Ｎ−Ｏ系膜上に保護のためのター
ル系塗料層を形成した。
ル系塗料層を形成した。
以下、実施例５と同様にして、酸化シリコン膜
２の所定の部分及びシリコンウエハー１の円形の
中央部分を除去した。
２の所定の部分及びシリコンウエハー１の円形の
中央部分を除去した。
次に、アセトンでタール系塗料層を除去した。
次に、抵抗加熱蒸着機を用いてAl−Ｎ−Ｏ系
膜上に一様に300Å厚のクロム（Ct）膜を形成し
次いで一様に0.5〓ｍ厚の金（Au）膜を形成し
た。
膜上に一様に300Å厚のクロム（Ct）膜を形成し
次いで一様に0.5〓ｍ厚の金（Au）膜を形成し
た。
次に、該金属膜上に一様にフオトレジストAZ
−1350を0.5〓ｍ厚に塗布した。
−1350を0.5〓ｍ厚に塗布した。
次に、レジスト上にマスターマスクを密着せし
め遠紫外光を用いてレジストの焼付を行なつた後
に規定の処理を行ない、マスターマスクに対しポ
ジ型のレジストパターンを得た。
め遠紫外光を用いてレジストの焼付を行なつた後
に規定の処理を行ない、マスターマスクに対しポ
ジ型のレジストパターンを得た。
次に、ヨウ素（I2）系金エツチヤントを使用し
て金属のエツチングを行ない、マスターマスクに
対しポジ型の金膜パターンを得た。
て金属のエツチングを行ない、マスターマスクに
対しポジ型の金膜パターンを得た。
以下、実施例５と同様にしてリングフレームの
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜と
クロム膜との積層体かなるマスク保持体を用いた
リソグラフイー用マスクを得た。
接着を行ない、リングフレーム及びシリコンウエ
ハーにより固定された状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜と
クロム膜との積層体かなるマスク保持体を用いた
リソグラフイー用マスクを得た。
本実施例において得られたマスクのAl−Ｎ−
Ｏ系膜；クロム膜の構成を有するスク保持体は特
にＸ線透過性が良好であつた。
Ｏ系膜；クロム膜の構成を有するスク保持体は特
にＸ線透過性が良好であつた。
実施例 11：
実施例２の工程においてAl−Ｎ−Ｏ系膜上に
更にPIQ液（ポリイミド前駆体、日立化成社製）
をスピンコートした後に、50〜350℃で４時間の
キユアーを行なつて２〓ｍ厚のポリイミド膜を形
成することを除いて、実施例２と同様の工程を行
なつた。
更にPIQ液（ポリイミド前駆体、日立化成社製）
をスピンコートした後に、50〜350℃で４時間の
キユアーを行なつて２〓ｍ厚のポリイミド膜を形
成することを除いて、実施例２と同様の工程を行
なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の酸化シリコン膜；Al−
Ｎ−Ｏ系膜；ポリイミド膜の構成を有する積層体
からなるリソグラフイー用マスク保持体を得た。
により固定された状態の酸化シリコン膜；Al−
Ｎ−Ｏ系膜；ポリイミド膜の構成を有する積層体
からなるリソグラフイー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られた酸化シリコン膜；
Al−Ｎ−Ｏ系膜；ポリアミド膜の構成を有する
マスク保持体は特に強度が大きかつた。
Al−Ｎ−Ｏ系膜；ポリアミド膜の構成を有する
マスク保持体は特に強度が大きかつた。
実施例 12：
実施例11と同様の方法により、但し酸化シリコ
ン膜の形成とAl−Ｎ−Ｏ系膜の形成としの順序
を逆にして行なうことにより、リングフレーム及
びシリコンウエハーにより固定された状態のAl
−Ｎ−Ｏ系膜；酸化シリコン膜；ポリイミド膜の
構成を有する積層体からなるリソグラフイー用マ
スク保持体を得た。
ン膜の形成とAl−Ｎ−Ｏ系膜の形成としの順序
を逆にして行なうことにより、リングフレーム及
びシリコンウエハーにより固定された状態のAl
−Ｎ−Ｏ系膜；酸化シリコン膜；ポリイミド膜の
構成を有する積層体からなるリソグラフイー用マ
スク保持体を得た。
本実施例において得られたAl−Ｎ−Ｏ系膜；
酸化シリコン膜；ポリイミド膜の構成を有するマ
スク保持体は特に強度が大きかつた。
酸化シリコン膜；ポリイミド膜の構成を有するマ
スク保持体は特に強度が大きかつた。
実施例 13：
実施例11と同様の方法により、但しAl−Ｎ−
Ｏ系膜の形成とポリイミド膜の形成との順序を逆
にして行なうことにより、リングフレーム及びシ
リコンウエハーにより固定された状態の酸化シリ
コン膜；ポリイミド膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成
を有する積層体からなるリソグラフイー用マスク
保持体を得た。
Ｏ系膜の形成とポリイミド膜の形成との順序を逆
にして行なうことにより、リングフレーム及びシ
リコンウエハーにより固定された状態の酸化シリ
コン膜；ポリイミド膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成
を有する積層体からなるリソグラフイー用マスク
保持体を得た。
本実施例において得られた酸化シリコン膜；ポ
リイミド膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマ
スク保持体は特に強度が大きかつた。
リイミド膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマ
スク保持体は特に強度が大きかつた。
実施例 14：
実施例１に於いてAl−Ｎ−Ｏ系膜を形成する
際に、リアクテイブスパツタ法により窒化アルミ
ニウム（AlN）ターゲツト、アルゴン（Ar）：窒
素（N2）：酸素（O2）＝１：１：0.5のガス、ガス
圧５×10-3Torr、放電電力150W、成膜速度約15
Å／minで行なうことを除いて実施例１と同様の
工程を行ない、リソグラフイー用マスク保持体を
得た。
際に、リアクテイブスパツタ法により窒化アルミ
ニウム（AlN）ターゲツト、アルゴン（Ar）：窒
素（N2）：酸素（O2）＝１：１：0.5のガス、ガス
圧５×10-3Torr、放電電力150W、成膜速度約15
Å／minで行なうことを除いて実施例１と同様の
工程を行ない、リソグラフイー用マスク保持体を
得た。
実施例 15：
実施例１に於いてAl−Ｎ−Ｏ系膜を形成する
際に、リアクテイブスパツタ法により酸室化アル
ミニウム（7Al3O7：3AlN）ターゲツト、アルゴ
ン（Ar）：窒素（N2）：＝１：１のガス、ガス圧
５×10-3Torr、放電電力200W、成膜速度約10
Å／minで行なうことを除いて実施例１と同様の
工程を行ない、リソグラフイー用マスク保持体を
得た。
際に、リアクテイブスパツタ法により酸室化アル
ミニウム（7Al3O7：3AlN）ターゲツト、アルゴ
ン（Ar）：窒素（N2）：＝１：１のガス、ガス圧
５×10-3Torr、放電電力200W、成膜速度約10
Å／minで行なうことを除いて実施例１と同様の
工程を行ない、リソグラフイー用マスク保持体を
得た。
実施例 16：
実施例１に於いて窒化シリコン膜を形成する工
程を行なう代わりにリアクテイブスパツタ法によ
りアルミニウム（Al）ターゲツト、アルゴン
（Ar）：窒素（N2）＝１：１の混合ガス、ガス圧
８×10-3Torr、放電電力200Wで0.5〓ｍ圧の窒化
アルミニウム膜４を形成する工程を行なうことを
除いて実施例１と同様の工程を行ない、リソグラ
フイー用マスク保持体を得た。
程を行なう代わりにリアクテイブスパツタ法によ
りアルミニウム（Al）ターゲツト、アルゴン
（Ar）：窒素（N2）＝１：１の混合ガス、ガス圧
８×10-3Torr、放電電力200Wで0.5〓ｍ圧の窒化
アルミニウム膜４を形成する工程を行なうことを
除いて実施例１と同様の工程を行ない、リソグラ
フイー用マスク保持体を得た。
本実施例に於いて得られた窒化アルミニウム
膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保持
体は、Ｘ線透過性、可視光線透過性、熱伝導性、
成膜性などの総合的性能が時に良好であつた。
膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保持
体は、Ｘ線透過性、可視光線透過性、熱伝導性、
成膜性などの総合的性能が時に良好であつた。
実施例 17：
実施例16に於いて窒化アルミニウム膜を形成す
る工程の後に、PIQ液（ポリイミド）前駆体、日
立化成社製）を、スピンコートした後に50〜350
℃で４時間のキユアーを行なつて２〓ｍ厚のポリ
イミド膜を形成するる工程を行なつた。
る工程の後に、PIQ液（ポリイミド）前駆体、日
立化成社製）を、スピンコートした後に50〜350
℃で４時間のキユアーを行なつて２〓ｍ厚のポリ
イミド膜を形成するる工程を行なつた。
かくしてポリイミド：窒化アルミニウム膜；
Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するリソグラフイー
用マスク保持体を得た。本実施例に於いて得られ
たマスク保持体は特に強度及び耐薬品性が良好で
あつた。
Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するリソグラフイー
用マスク保持体を得た。本実施例に於いて得られ
たマスク保持体は特に強度及び耐薬品性が良好で
あつた。
実施例 18：
実施例16に於いて窒化アルミニウム膜を形成す
る工程の後に、リアクテイブスパツタ法により
0.5〓ｍ厚の窒化ボロン膜を形成する工程を行な
つた。
る工程の後に、リアクテイブスパツタ法により
0.5〓ｍ厚の窒化ボロン膜を形成する工程を行な
つた。
かくして窒化ボロン；窒化アルミニウム；Al
−Ｎ−Ｏ系膜構成を有するリソグラフイー用マス
ク保持体を得た。本実施例に於いて得られたマス
ク保持体は特にＸ線透過性及び可視光線透過性が
良好であつた。
−Ｎ−Ｏ系膜構成を有するリソグラフイー用マス
ク保持体を得た。本実施例に於いて得られたマス
ク保持体は特にＸ線透過性及び可視光線透過性が
良好であつた。
以上の如き本発明によれば、マスク保持体の構
成要素として用いられるAl−Ｎ−Ｏ系膜はＸ線
透過率及び可視光線透過率が高く（１〓ｍ厚の光
学濃度が約0.1）、熱膨張率が低く（３〜４×
10-6／℃）、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好
であるなどの特長を有するので、以下の様な効果
が得られる。
成要素として用いられるAl−Ｎ−Ｏ系膜はＸ線
透過率及び可視光線透過率が高く（１〓ｍ厚の光
学濃度が約0.1）、熱膨張率が低く（３〜４×
10-6／℃）、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好
であるなどの特長を有するので、以下の様な効果
が得られる。
(1) Al−Ｎ−Ｏ系膜はＸ線透過率が高いので比
較的厚くしても比較的高いＸ線透過量が得られ
るので、マスク保持体の製造を容易且つ良好に
行なうことができる。
較的厚くしても比較的高いＸ線透過量が得られ
るので、マスク保持体の製造を容易且つ良好に
行なうことができる。
(2) Al−Ｎ−Ｏ系膜は成膜性が良好であるので
極めて薄い膜からなるマスク保持体を製造する
ことができ、これによりＸ線透過量を高め焼付
のスループツトを向上させることができる。
極めて薄い膜からなるマスク保持体を製造する
ことができ、これによりＸ線透過量を高め焼付
のスループツトを向上させることができる。
(3) Al−Ｎ−Ｏ系膜は可視光線の透過率が高い
ため、Ｘ線リソグラフイーにおいて可視光線を
用いて目視により容易且つ正確にアラインメン
トができる (4) Al−Ｎ−Ｏ系膜の熱膨張係数はＸ線リソグ
ラフイーにおけるシリコンウエハー焼付基板の
熱膨張係数（２〜３×10-6／℃）とほぼ同じ値
であるから、極めて高精度の焼付けが可能とな
る。
ため、Ｘ線リソグラフイーにおいて可視光線を
用いて目視により容易且つ正確にアラインメン
トができる (4) Al−Ｎ−Ｏ系膜の熱膨張係数はＸ線リソグ
ラフイーにおけるシリコンウエハー焼付基板の
熱膨張係数（２〜３×10-6／℃）とほぼ同じ値
であるから、極めて高精度の焼付けが可能とな
る。
(5) Al−Ｎ−Ｏ系膜の熱伝導性が高いため、Ｘ
線照射により温度上昇を防止でき、特に真空中
での焼付けの際に効果が大である。また、Al
−Ｎ−Ｏ系膜は電気伝導性が高いためマスク保
持体の帯電を防止することができる。
線照射により温度上昇を防止でき、特に真空中
での焼付けの際に効果が大である。また、Al
−Ｎ−Ｏ系膜は電気伝導性が高いためマスク保
持体の帯電を防止することができる。
(6) Al−Ｎ−Ｏ系膜と無機物膜との積層体を用
いることにより、上記の如きAl−Ｎ−Ｏ系膜
の特性に加えて該無機物膜の有する特性を付加
したマスク保持体とすることができる。即ち、
本発明に係るマスク保持体は透光性、熱伝導性
に優れ、強度、耐薬品性も比較的大きいといつ
た無機物膜の特長をあわせもつものである。
いることにより、上記の如きAl−Ｎ−Ｏ系膜
の特性に加えて該無機物膜の有する特性を付加
したマスク保持体とすることができる。即ち、
本発明に係るマスク保持体は透光性、熱伝導性
に優れ、強度、耐薬品性も比較的大きいといつ
た無機物膜の特長をあわせもつものである。
また、更に有機物膜が積層されると強度が大き
く、ストレスが実質的にないといつた有機物膜の
特長が加えられる。
く、ストレスが実質的にないといつた有機物膜の
特長が加えられる。
第１図ａ〜ｈ及び第２図ａ〜ｈは本発明による
Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の製造工程を
示す図である。 １…シリコンウエハー、２…酸化シリコン膜、
３，５…窒化シリコン膜、４…Al−Ｎ−Ｏ系膜、
６…タール系塗料層、７…ワツクス層、８…リン
グフレーム、９…接着剤。
Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の製造工程を
示す図である。 １…シリコンウエハー、２…酸化シリコン膜、
３，５…窒化シリコン膜、４…Al−Ｎ−Ｏ系膜、
６…タール系塗料層、７…ワツクス層、８…リン
グフレーム、９…接着剤。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくともアルミニウム，窒素、及び酸素を
含む膜と無機物膜との積層体からなる保持体によ
り保持されたマスクを用いることを特徴とする、
リソグラフイー法。 ２ 少なくともアルミニウム，窒素、及び酸素を
含む膜と無機物膜との積層体からなることを特徴
とする、リソグラフイー用マスク保持体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001890A JPS61160747A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | リソグラフイ−法及びリソグラフイ−用マスク保持体 |
| DE19863600169 DE3600169A1 (de) | 1985-01-07 | 1986-01-07 | Maskenstruktur zur lithographie, verfahren zu ihrer herstellung und lithographisches verfahren |
| US07/170,688 US4837123A (en) | 1985-01-07 | 1988-03-14 | Mask structure for lithography, method of preparation thereof and lithographic method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001890A JPS61160747A (ja) | 1985-01-09 | 1985-01-09 | リソグラフイ−法及びリソグラフイ−用マスク保持体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160747A JPS61160747A (ja) | 1986-07-21 |
| JPH0482049B2 true JPH0482049B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=11514172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60001890A Granted JPS61160747A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-09 | リソグラフイ−法及びリソグラフイ−用マスク保持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160747A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IL88837A (en) * | 1988-12-30 | 1993-08-18 | Technion Res & Dev Foundation | Method for the preparation of mask for x-ray lithography |
-
1985
- 1985-01-09 JP JP60001890A patent/JPS61160747A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61160747A (ja) | 1986-07-21 |
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