JPH0482048B2 - - Google Patents
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- JPH0482048B2 JPH0482048B2 JP60001772A JP177285A JPH0482048B2 JP H0482048 B2 JPH0482048 B2 JP H0482048B2 JP 60001772 A JP60001772 A JP 60001772A JP 177285 A JP177285 A JP 177285A JP H0482048 B2 JPH0482048 B2 JP H0482048B2
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- Japan
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- film
- mask holder
- lithography
- polyimide
- silicon wafer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリソグラフイー法及びそれに使用され
るマスク保持体に関する。
るマスク保持体に関する。
Ｘ線リソグラフイーは、Ｘ線固有の直進性、非
干渉性、低回折性などに基づき、これまでの可視
光や紫外光によるリソグラフイーより優れた多く
の点を持つており、サブミクロンリソグラフイー
の有力な手段として注目されつつある。
干渉性、低回折性などに基づき、これまでの可視
光や紫外光によるリソグラフイーより優れた多く
の点を持つており、サブミクロンリソグラフイー
の有力な手段として注目されつつある。
Ｘ線リソグラフイーは可視光や紫外光によるリ
ソグラフイーに比較して多くの優位点を持ちなが
らも、Ｘ線源のパワー不足、レジストの低感度、
アラインメントの困難さ、マスク材料の選定及び
加工方法の困難さなどから、生産性が低く、コス
トが高いという欠点があり、実用化が遅れてい
る。
ソグラフイーに比較して多くの優位点を持ちなが
らも、Ｘ線源のパワー不足、レジストの低感度、
アラインメントの困難さ、マスク材料の選定及び
加工方法の困難さなどから、生産性が低く、コス
トが高いという欠点があり、実用化が遅れてい
る。
その中でＸ線リソグラフイー用マスクを取上げ
てみると、可視光および紫外光リソグラフイーで
は、マスク保持体（即ち光線透過体）としてガラ
ス板および石英板が利用されてきたが、Ｘ線リソ
グラフイーにおいては利用できる光線の波長が１
〜200Åとされており、これまでのガラス板や石
英板はこのＸ線波長域での吸収が大きく且つ厚さ
も１〜２mmと厚くせざるを得ないためＸ線を充分
に透過させないので、これらはＸ線リソグラフイ
ー用マスク保持体の材料としては不適当である。
てみると、可視光および紫外光リソグラフイーで
は、マスク保持体（即ち光線透過体）としてガラ
ス板および石英板が利用されてきたが、Ｘ線リソ
グラフイーにおいては利用できる光線の波長が１
〜200Åとされており、これまでのガラス板や石
英板はこのＸ線波長域での吸収が大きく且つ厚さ
も１〜２mmと厚くせざるを得ないためＸ線を充分
に透過させないので、これらはＸ線リソグラフイ
ー用マスク保持体の材料としては不適当である。
Ｘ線透過率は一般に物質の密度に依存する為、
Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の材料として
密度の低い無機物や有機物が検討されつつある。
この様な材料としては、例えばベリリウムBe、
チタンTi、ケイ素Si、ホウ素Ｂの単位およびそ
れらの化合物などの無機物、またはポリイミド、
ポリアミド、ポリエステル、パリレン（ユニオン
カーバイド社製）などの有機物が挙げられる。
Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の材料として
密度の低い無機物や有機物が検討されつつある。
この様な材料としては、例えばベリリウムBe、
チタンTi、ケイ素Si、ホウ素Ｂの単位およびそ
れらの化合物などの無機物、またはポリイミド、
ポリアミド、ポリエステル、パリレン（ユニオン
カーバイド社製）などの有機物が挙げられる。
これらの物質をＸ線リソグラフイー用マスク保
持体の材料として実際に用いるためには、Ｘ線透
過量をできるだけ大きくするために薄膜化するこ
とが必要であり、無機物の場合で数〓ｍ以下、有
機物の場合で数十〓ｍ以下の厚さに形成すること
が要求されている。このため、たとえば無機物薄
膜およびその複合膜からなるマスク保持体の形成
にあたつては、平面性に優れたシリコンウエハー
上に蒸着などによつて窒化シリコン、酸化シリコ
ン、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成
した後にシリコンウエハーをエツチングによつて
除去するという方法が提案されている。
持体の材料として実際に用いるためには、Ｘ線透
過量をできるだけ大きくするために薄膜化するこ
とが必要であり、無機物の場合で数〓ｍ以下、有
機物の場合で数十〓ｍ以下の厚さに形成すること
が要求されている。このため、たとえば無機物薄
膜およびその複合膜からなるマスク保持体の形成
にあたつては、平面性に優れたシリコンウエハー
上に蒸着などによつて窒化シリコン、酸化シリコ
ン、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成
した後にシリコンウエハーをエツチングによつて
除去するという方法が提案されている。
一方、以上の様な保持体上に保持されるＸ線リ
ソグラフイー用マスク（即ちＸ線吸吸収体）とし
ては、一般に密度の高い物質たとえば金、白金、
タングステン、タンタル、銅、ニツケルなどの薄
膜望ましくは0.5〜１〓ｍ厚の薄膜からなるもの
が好ましい。この様なマスクは、たとえば上記Ｘ
線透過膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成
した後、レジストを塗布し、該レジストに電子ビ
ーム、光などにより所望のパターン描画を行な
い、しかる後にエツチングなどの手段を用いて所
望パターンに作成される。
ソグラフイー用マスク（即ちＸ線吸吸収体）とし
ては、一般に密度の高い物質たとえば金、白金、
タングステン、タンタル、銅、ニツケルなどの薄
膜望ましくは0.5〜１〓ｍ厚の薄膜からなるもの
が好ましい。この様なマスクは、たとえば上記Ｘ
線透過膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成
した後、レジストを塗布し、該レジストに電子ビ
ーム、光などにより所望のパターン描画を行な
い、しかる後にエツチングなどの手段を用いて所
望パターンに作成される。
しかして、以上の如き従来のＸ線リソグラフイ
ーにおいては、マスク保持体のＸ線透過率が低
く、このため十分なＸ線透過量を得るためにはマ
スク保持体をかなり薄くする必要があり、その製
造が困難になるという問題があつた。
ーにおいては、マスク保持体のＸ線透過率が低
く、このため十分なＸ線透過量を得るためにはマ
スク保持体をかなり薄くする必要があり、その製
造が困難になるという問題があつた。
本発明は、以上の様な従来技術に鑑み、Ｘ線透
過性の良好なマスク保持体を提供し、もつてリソ
グラフイーを良好に実施することを目的とする。
過性の良好なマスク保持体を提供し、もつてリソ
グラフイーを良好に実施することを目的とする。
本発明によれば、以上の如き目的は、マスク保
持体をアルミニウム、窒素、及び酸素を含む膜
（以下、Al−Ｎ−Ｏ系膜と記す。）と有機物膜と
の積層体により形成することによつて達成され
る。
持体をアルミニウム、窒素、及び酸素を含む膜
（以下、Al−Ｎ−Ｏ系膜と記す。）と有機物膜と
の積層体により形成することによつて達成され
る。
本発明において積層体を構成するる有機物膜と
しては少なくとも膜形成性及びＸ線透過性を有す
るものを使用することができる。この様な有機物
としては、たとえばポリイミド、ポリアミド、ポ
リエステル、パリレン等が例示され、これらのう
ちでも特にポリイミドは耐熱性、耐衝撃性、可視
光透過性などの総合的性能が良好であるので好適
である。
しては少なくとも膜形成性及びＸ線透過性を有す
るものを使用することができる。この様な有機物
としては、たとえばポリイミド、ポリアミド、ポ
リエステル、パリレン等が例示され、これらのう
ちでも特にポリイミドは耐熱性、耐衝撃性、可視
光透過性などの総合的性能が良好であるので好適
である。
本発明によるマスク保持体を構成する積層体は
Al−Ｎ−Ｏ系膜と有機物膜との２層からなるも
のであつてもよいし、またはAl−Ｎ−Ｏ系膜及
び有機物膜の少なくとも一方を２層以上用いて全
体として３層以上からなるものとしてもよい。
Al−Ｎ−Ｏ系膜と有機物膜との２層からなるも
のであつてもよいし、またはAl−Ｎ−Ｏ系膜及
び有機物膜の少なくとも一方を２層以上用いて全
体として３層以上からなるものとしてもよい。
本発明によるマスク保持体の厚さは特に制限さ
れることはなく適宜の厚さとすることができる
が、たとえば２〜20〓ｍ程度とするのが有利であ
る。
れることはなく適宜の厚さとすることができる
が、たとえば２〜20〓ｍ程度とするのが有利であ
る。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
実施例 １：
第１図ａにされる様に、直径10cmの円形のシリ
コーンウエハー１の両面に１〓ｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
コーンウエハー１の両面に１〓ｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
次に、第１図ｂに示される様に、シリコンウエ
ハー１の片面側の酸化シリコン膜２上にPIQ液
（ポリイミド前駆体、日立化成社製）をスピンコ
ートした後に、50〜350℃で４時間のキユアーを
行なつて２〓ｍ厚のポリイミド膜３を形成した。
ハー１の片面側の酸化シリコン膜２上にPIQ液
（ポリイミド前駆体、日立化成社製）をスピンコ
ートした後に、50〜350℃で４時間のキユアーを
行なつて２〓ｍ厚のポリイミド膜３を形成した。
次に、第１図ｃに示される様に、熱電子衝撃型
イオンプレーテイング装置を使用し、アルミニウ
ムAlターゲツト、アルゴンAr：窒素N2：酸素O2
＝１：３：0.1のガス、ガス圧３×10-4Torr、放
電電力40W、加速電圧600V、基板温度80℃、成
膜速度約10Å／secで、ポリイミド膜３上に２〓
ｍ厚のAl−Ｎ−Ｏ−系膜４を形成した。
イオンプレーテイング装置を使用し、アルミニウ
ムAlターゲツト、アルゴンAr：窒素N2：酸素O2
＝１：３：0.1のガス、ガス圧３×10-4Torr、放
電電力40W、加速電圧600V、基板温度80℃、成
膜速度約10Å／secで、ポリイミド膜３上に２〓
ｍ厚のAl−Ｎ−Ｏ−系膜４を形成した。
次に、第１図ｄに示される様に、Al−Ｎ−Ｏ
系膜Ｎ−Ｏ系膜４上に保護のためのタール系塗料
層１０を形成した。
系膜Ｎ−Ｏ系膜４上に保護のためのタール系塗料
層１０を形成した。
次に、第１図ｅに示される様に、露出している
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
て除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコ
ン膜２を残すため、その部分に保護のためのアピ
エゾンツクス（シエル化学社製）の層６を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層６を除去した。
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
て除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコ
ン膜２を残すため、その部分に保護のためのアピ
エゾンツクス（シエル化学社製）の層６を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層６を除去した。
次に、第１図ｆに示される様に、３％フツ酸水
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
次に、第１図ｇに示される様に、フツ化アンモ
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
次に、第１図ｈに示される様に、リングフレー
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）７の一面にエポキシ系接着剤８を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
ポリイミド膜３及びAl−Ｎ−Ｏ系膜４形成面側
と反対の面を接着し、タール系塗料層１０を除去
した。
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）７の一面にエポキシ系接着剤８を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
ポリイミド膜３及びAl−Ｎ−Ｏ系膜４形成面側
と反対の面を接着し、タール系塗料層１０を除去
した。
かくしてリングフレーム７及びシリコンウエハ
ー１により固定された状態のポリイミド膜３及び
Al−Ｎ−Ｏ系膜４の積層体からなるリソグラフ
イー用マスク保持体を得た。
ー１により固定された状態のポリイミド膜３及び
Al−Ｎ−Ｏ系膜４の積層体からなるリソグラフ
イー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られたポリイミド膜；Al
−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保持体は特に
強度が良好であつた。
−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保持体は特に
強度が良好であつた。
実施例 ２：
シリコンウエハー１の片面の酸化シリコン膜２
上に、ポリイミド膜３のかわりに、蒸着法により
２〓ｍのポリエステル膜を形成することを除い
て、実施例１と同様の工程を行なつた。
上に、ポリイミド膜３のかわりに、蒸着法により
２〓ｍのポリエステル膜を形成することを除い
て、実施例１と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のポリエステル膜及びAl
−Ｎ−Ｏ系膜の積層体からなるリソグラフイー用
マスク保持体を得た。
により固定された状態のポリエステル膜及びAl
−Ｎ−Ｏ系膜の積層体からなるリソグラフイー用
マスク保持体を得た。
本実施例において得られたポリエステル膜；
Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保持体特
に強度が良好であつた。
に強度が良好であつた。
実施例 ３：
シリコンウエハー１の片面側の酸化シリコン膜
２上に、ポリイミド膜３のかわりに、蒸着法によ
り２〓ｍのパリレン膜を形成することを除き、実
施例１と同様の工程を行なつた。
２上に、ポリイミド膜３のかわりに、蒸着法によ
り２〓ｍのパリレン膜を形成することを除き、実
施例１と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のパリレン膜及びAl−Ｎ
−Ｏ系膜の積層体からなるリソグラフイー用マス
ク保持体を得た。
により固定された状態のパリレン膜及びAl−Ｎ
−Ｏ系膜の積層体からなるリソグラフイー用マス
ク保持体を得た。
本実施例において得られたパリレン膜；Al−
Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保持体は特に強
度が良好であつた。
Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマスク保持体は特に強
度が良好であつた。
実施例 ４：
実施例１の工程において、ポリイミド膜３及び
Al−Ｎ−Ｏ系膜４を形成した後に、Al−Ｎ−Ｏ
系膜４上にフオトレジストCMS（クロロメチル化
ポリスチレン，東洋ソータ社製）の層を形成し
た。
Al−Ｎ−Ｏ系膜４を形成した後に、Al−Ｎ−Ｏ
系膜４上にフオトレジストCMS（クロロメチル化
ポリスチレン，東洋ソータ社製）の層を形成し
た。
次に、エレクトロンビーム描画装置を用いてマ
スクパターンの描画を行つた後に規定の処理を行
ない、レジストパターンを得た。
スクパターンの描画を行つた後に規定の処理を行
ない、レジストパターンを得た。
次にエレクトロンビーム蒸着機を用いて上記レ
ジストパターン上にニツケルNiを0.5〓ｍ厚に蒸
着した。
ジストパターン上にニツケルNiを0.5〓ｍ厚に蒸
着した。
次に、リムーバーを用いてレジストを除去し、
ニツケル膜パターンを得た。
ニツケル膜パターンを得た。
次に、ニツケル膜パターンを有するAl−Ｎ−
Ｏ系膜上に保護のためのタール系塗料層を形成し
た。
Ｏ系膜上に保護のためのタール系塗料層を形成し
た。
以下、実施例１と同様の工程を行ない、リング
フレーム及びシリコンウエハーにより固定された
状態のポリイミド膜とAl−Ｎ−Ｏ系膜との積層
体からなるマスク保持体を用いたリソグラフイー
用マスクを得た。
フレーム及びシリコンウエハーにより固定された
状態のポリイミド膜とAl−Ｎ−Ｏ系膜との積層
体からなるマスク保持体を用いたリソグラフイー
用マスクを得た。
本実施例において得られたリソグラフイー用マ
スクにおけるポリイミド膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の
構成を有するマスク保持体は特に強度が良好であ
つた。
スクにおけるポリイミド膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の
構成を有するマスク保持体は特に強度が良好であ
つた。
実施例 ５：
実施例２の工程において、パリレン膜及びAl
−Ｎ−Ｏ系膜を形成した後に、Al−Ｎ−Ｏ系膜
上にフオトレジストCMSの層を形成した。
−Ｎ−Ｏ系膜を形成した後に、Al−Ｎ−Ｏ系膜
上にフオトレジストCMSの層を形成した。
以下、実施例４と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のパリレン膜及びAl−Ｎ
−Ｏ系膜の積層体からなるマスク保持体を用いた
リソグラフイー用マスク得た。
により固定された状態のパリレン膜及びAl−Ｎ
−Ｏ系膜の積層体からなるマスク保持体を用いた
リソグラフイー用マスク得た。
本実施例において得られたリソグラフイー用マ
スクにおけるパリレン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構
成を有するマスク保持体は特に強度が良好であつ
た。
スクにおけるパリレン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構
成を有するマスク保持体は特に強度が良好であつ
た。
実施例 ６：
実施例３の工程において、パリレン膜及びAl
−Ｎ−Ｏ系膜を形成した後に、Al−Ｎ−Ｏ系膜
上にフオトレジストCMSの層を形成した。
−Ｎ−Ｏ系膜を形成した後に、Al−Ｎ−Ｏ系膜
上にフオトレジストCMSの層を形成した。
以下、実施例３と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のパリレン膜及びAl−Ｎ
−Ｏ系膜の積層体からなるマスク保持体を用いた
リソグラフイー用マスク得た。
により固定された状態のパリレン膜及びAl−Ｎ
−Ｏ系膜の積層体からなるマスク保持体を用いた
リソグラフイー用マスク得た。
本実施例において得られたリソグラフイー用マ
スクにおけるパリレン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構
成を有するマスク保持体は特に強度が良好であつ
た。
スクにおけるパリレン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構
成を有するマスク保持体は特に強度が良好であつ
た。
実施例 ７：
第２図ａに示される様に、直径10cmの円形のシ
リコンウエハー１の両面に１〓ｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
リコンウエハー１の両面に１〓ｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
次に、第２図ｂにされる様にシリコンウエハー
１の片面側の酸化シリコン膜２上にPIQ液（ポリ
イミド前駆体）をスピンコートした後に、50〜
350℃で４時間のキユアーを行なつて２〓ｍ厚の
ポリイミド膜３を形成した。
１の片面側の酸化シリコン膜２上にPIQ液（ポリ
イミド前駆体）をスピンコートした後に、50〜
350℃で４時間のキユアーを行なつて２〓ｍ厚の
ポリイミド膜３を形成した。
次に、第２図ｃに示される様に、リアクテイブ
スパツタ法により、窒化アルミニウムAlNター
ゲツト、アルゴンAr：窒素N2：酸素O2＝１：
１：0.5のガス、ガス圧５×10-3Torr、放電電力
150W、成膜速度約15Å／minで、ポリイミド膜
３の上に１〓ｍ厚のAl−Ｎ−Ｏ系膜４を形成し
た。
スパツタ法により、窒化アルミニウムAlNター
ゲツト、アルゴンAr：窒素N2：酸素O2＝１：
１：0.5のガス、ガス圧５×10-3Torr、放電電力
150W、成膜速度約15Å／minで、ポリイミド膜
３の上に１〓ｍ厚のAl−Ｎ−Ｏ系膜４を形成し
た。
次に、第２図ｄに示される様に、Al−Ｎ−Ｏ
系膜４上に上記と同様にして２〓ｍ厚のポリイミ
ド膜５を形成した。
系膜４上に上記と同様にして２〓ｍ厚のポリイミ
ド膜５を形成した。
次に、第２図ｅに示される様に露出している酸
化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分を
フツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用いて
除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコン
膜２を残すため、その部分に保護のためのアピエ
ゾンワツクス（シエル化学社製）の層６を形成
し、酸化シリコン膜２の中央部分を除去した後、
該ワツクス層６を除去した。
化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分を
フツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用いて
除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコン
膜２を残すため、その部分に保護のためのアピエ
ゾンワツクス（シエル化学社製）の層６を形成
し、酸化シリコン膜２の中央部分を除去した後、
該ワツクス層６を除去した。
次に、第２図ｆにされる様に、３％フツ酸水溶
液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
次に、第２図ｇに示される様に、フツ化アンモ
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
次に、第２図ｈに示される様に、リングフレー
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５cm）７の一面にエポキシ系接着剤８を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
ポリイミド膜３，５及びAl−Ｎ−Ｏ系膜４形成
面側と反対の面を接着した。
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５cm）７の一面にエポキシ系接着剤８を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
ポリイミド膜３，５及びAl−Ｎ−Ｏ系膜４形成
面側と反対の面を接着した。
かくしてリングフレーム７及びシリコンエハー
１により固定さた状態のポリイミド膜３，５及び
Al−Ｎ−Ｏ系膜４の積層体からなるリソグラフ
イー用マスク保持体を得た。
１により固定さた状態のポリイミド膜３，５及び
Al−Ｎ−Ｏ系膜４の積層体からなるリソグラフ
イー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られたポリイミド膜；Al
−Ｎ−Ｏ系膜；ポリイミド膜の構成を有するマス
ク保持体は特に強度及び耐薬品性が良好であつ
た。
−Ｎ−Ｏ系膜；ポリイミド膜の構成を有するマス
ク保持体は特に強度及び耐薬品性が良好であつ
た。
実施例 ８：
シリコンウエハー１の片面側の酸化シリコン膜
２上に、ポリイミド膜３，５のかわりに、蒸着法
により２〓ｍ厚のパリレン膜を形成することを除
いて、実施例７と同様の工程を行なつた。
２上に、ポリイミド膜３，５のかわりに、蒸着法
により２〓ｍ厚のパリレン膜を形成することを除
いて、実施例７と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のパリレン膜及びAl−Ｎ
−Ｏ系膜の積層体からなるリソグラフイー用マス
ク保持体を得た。
により固定された状態のパリレン膜及びAl−Ｎ
−Ｏ系膜の積層体からなるリソグラフイー用マス
ク保持体を得た。
本実施例において得られたパリレン膜；Al−
Ｎ−Ｏ系膜；パリレン膜の構成を有するマスク保
持体は特に強度及び耐薬品性が良好であつた。
Ｎ−Ｏ系膜；パリレン膜の構成を有するマスク保
持体は特に強度及び耐薬品性が良好であつた。
実施例 ９：
シリコンウエハー１の片面側の酸化シリコン膜
２上に、ポリイミド膜３，５のかわりに、蒸着法
により２〓ｍの厚のパリレン膜を形成することを
除いて、実施例７と同様の工程を行なつた。
２上に、ポリイミド膜３，５のかわりに、蒸着法
により２〓ｍの厚のパリレン膜を形成することを
除いて、実施例７と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のパリレン膜及びAl−Ｎ
−Ｏ系膜の積層体からなるリソグラフイー用マス
ク保持体を得た。
により固定された状態のパリレン膜及びAl−Ｎ
−Ｏ系膜の積層体からなるリソグラフイー用マス
ク保持体を得た。
本実施例において得られたパリレン膜；Al−
Ｎ−Ｏ系膜；パリレン膜の構成を有するマスク保
持体は特に強度及び耐薬品性が良好であつた。
Ｎ−Ｏ系膜；パリレン膜の構成を有するマスク保
持体は特に強度及び耐薬品性が良好であつた。
実施例 10：
実施例７の工程において、ポリイミド膜３，５
及びAl−Ｎ−Ｏ系膜４を形成した後に、ポリイ
ミド膜５上にスピンコートによりポジ型フオトレ
ジストAZ−1370（シプレー社製）の層を１〓ｍ厚
に形成した。
及びAl−Ｎ−Ｏ系膜４を形成した後に、ポリイ
ミド膜５上にスピンコートによりポジ型フオトレ
ジストAZ−1370（シプレー社製）の層を１〓ｍ厚
に形成した。
次に、石英マスクを用いて遠紫外光によりレジ
ストの焼付を行なつた後に規定の処理を行ない、
マスクに対しネガ型のレジストパターンを得た。
ストの焼付を行なつた後に規定の処理を行ない、
マスクに対しネガ型のレジストパターンを得た。
次に、エレクトロンビーム蒸着機を用いて上記
レジストパターン上にタンタルTaを0.5〓ｍ厚に
蒸着した。
レジストパターン上にタンタルTaを0.5〓ｍ厚に
蒸着した。
次に、リムーバーを用いてレジストを除去し、
リフトオフ法によりタンタル膜パターンを得た。
リフトオフ法によりタンタル膜パターンを得た。
次に、ポリイミド膜５上に更に保護のための２
〓ｍ厚のポリイミド膜を形成した。
〓ｍ厚のポリイミド膜を形成した。
以下、実施例７を同様の工程を行ない、リング
フレーム及びシリコンウエハーにより固定された
状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜とポリイミド膜との積層
体からなるマスク保持体を用いたリソグラフイー
用マスクを得た。
フレーム及びシリコンウエハーにより固定された
状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜とポリイミド膜との積層
体からなるマスク保持体を用いたリソグラフイー
用マスクを得た。
本実施例において得られたリソグラフイー用マ
スクにおけるポリイミド膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜；
ポリイミド膜の構成を有するマスク保持体は特に
強度が良好であつた。
スクにおけるポリイミド膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜；
ポリイミド膜の構成を有するマスク保持体は特に
強度が良好であつた。
実施例 11：
実施例７と同様の方法により、シリコンエハー
上にポリイミド膜（１〓ｍ厚）；Al−Ｎ−Ｏ系膜
（１〓ｍ厚）；ポリイミド膜（３〓ｍ厚）；Al−Ｎ
−Ｏ系膜（１〓ｍ厚）；ポリイミド膜（１〓ｍ厚）
の５層からなる積層体を形成した。
上にポリイミド膜（１〓ｍ厚）；Al−Ｎ−Ｏ系膜
（１〓ｍ厚）；ポリイミド膜（３〓ｍ厚）；Al−Ｎ
−Ｏ系膜（１〓ｍ厚）；ポリイミド膜（１〓ｍ厚）
の５層からなる積層体を形成した。
以下、実施例７と同様の工程を行ないシリコン
ウエハー及び酸化シリコン膜の円形形の中央部分
を除去し、更にヒドラジン系溶剤により露出部分
のポリイミド膜を除去し、次いで実施例７と同様
にしてリングフレームを接着した。
ウエハー及び酸化シリコン膜の円形形の中央部分
を除去し、更にヒドラジン系溶剤により露出部分
のポリイミド膜を除去し、次いで実施例７と同様
にしてリングフレームを接着した。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜（１〓
ｍ厚）；ポリイミド膜（３〓ｍ厚）； Al−Ｎ−Ｏ系膜（１〓ｍ厚）の３層の積層体
からなるリソグラフイー用マスク保持体を得た。
により固定された状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜（１〓
ｍ厚）；ポリイミド膜（３〓ｍ厚）； Al−Ｎ−Ｏ系膜（１〓ｍ厚）の３層の積層体
からなるリソグラフイー用マスク保持体を得た。
本実施例により得られたAl−Ｎ−Ｏ系膜；ポ
リイミド膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマ
スク保持体は特に放熱性が良好であつた。
リイミド膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマ
スク保持体は特に放熱性が良好であつた。
実施例 12：
ポリイミド膜のかわりに、蒸着法によりパリレ
ン膜を形成することを除いて、実施例11と同様の
工程を行なつた。
ン膜を形成することを除いて、実施例11と同様の
工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜；パリ
レン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の３層の積層体からな
るリソグラフイー用マスク保持体を得た。
により固定された状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜；パリ
レン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の３層の積層体からな
るリソグラフイー用マスク保持体を得た。
本実施例により得られたAl−Ｎ−Ｏ系膜；パ
リレン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマス
ク保持体は特に放熱性が良好であつた。
リレン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマス
ク保持体は特に放熱性が良好であつた。
実施例 13：
ポリイミド膜のかわりに、蒸着法によりパリレ
ン膜を形成することを除いて、実施例11と同様の
工程を行なつた。
ン膜を形成することを除いて、実施例11と同様の
工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜；パリ
レン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の３層の積層体からな
るリソグラフイー用マスク保持体得た。
により固定された状態のAl−Ｎ−Ｏ系膜；パリ
レン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の３層の積層体からな
るリソグラフイー用マスク保持体得た。
本実施例により得られたAl−Ｎ−Ｏ系膜；パ
リレン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマス
ク保持体は特に放熱性が良好であつた。
リレン膜；Al−Ｎ−Ｏ系膜の構成を有するマス
ク保持体は特に放熱性が良好であつた。
実施例 14：
実施例１に於いてAl−Ｎ−Ｏ系膜を形成する
際に、リアクテイブスパツタ法により、窒化アル
ミニウム（AlN）ターゲツト、アルゴン（Ar）：
窒素（N2）：酸素（O2）＝１：１：0.5のガス、ガ
ス圧５×10-3Torr、放電電力150W、成膜速度約
15Å／minで行なうことを除いて、実施例１と同
様の工程を行ない、リソグラフイー用マスク保持
体を得た。
際に、リアクテイブスパツタ法により、窒化アル
ミニウム（AlN）ターゲツト、アルゴン（Ar）：
窒素（N2）：酸素（O2）＝１：１：0.5のガス、ガ
ス圧５×10-3Torr、放電電力150W、成膜速度約
15Å／minで行なうことを除いて、実施例１と同
様の工程を行ない、リソグラフイー用マスク保持
体を得た。
実施例 15：
実施例１に於いてAl−Ｎ−Ｏ系膜を形成する
際に、リアクテイブスパツタ法により、酸室化ア
ルミニウム（7Al3O7：3AlN）ターゲツト、アル
ゴン（Ar）：窒素（N2）＝１：１：のガス、ガス
圧５×10-3Torr、放電電力200W、成膜速度約10
Å／minで行なうことを除いて実施例１と同様の
工程を行ない、リソグラフイー用マスク保持体を
得た。
際に、リアクテイブスパツタ法により、酸室化ア
ルミニウム（7Al3O7：3AlN）ターゲツト、アル
ゴン（Ar）：窒素（N2）＝１：１：のガス、ガス
圧５×10-3Torr、放電電力200W、成膜速度約10
Å／minで行なうことを除いて実施例１と同様の
工程を行ない、リソグラフイー用マスク保持体を
得た。
以上の如き本発明によれば、マスク保持体の構
成要素として用いられるAl−Ｎ−Ｏ系膜はＸ線
透過率及び可視光線透過率が高く（１〓ｍ厚の光
学濃度が約0.1）、熱膨張率が低く（３〜４×
10-6／℃）、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好
であるなどの特長を有するので、以下の様な効果
が得られる。
成要素として用いられるAl−Ｎ−Ｏ系膜はＸ線
透過率及び可視光線透過率が高く（１〓ｍ厚の光
学濃度が約0.1）、熱膨張率が低く（３〜４×
10-6／℃）、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好
であるなどの特長を有するので、以下の様な効果
が得られる。
(1) Al−Ｎ−Ｏ系膜はＸ線透過率が高いので比
較的厚くしても比較的高いＸ線透過量が得られ
るので、マスク保持体の製造を容易且つ良好に
行なうことができる。
較的厚くしても比較的高いＸ線透過量が得られ
るので、マスク保持体の製造を容易且つ良好に
行なうことができる。
(2) Al−Ｎ−Ｏ系膜は成膜性が良好であるので
極めて薄い膜からなるマスク保持体を製造する
ことができ、これによりＸ線透過量を高め焼付
のスループツトを向上させることができる。
極めて薄い膜からなるマスク保持体を製造する
ことができ、これによりＸ線透過量を高め焼付
のスループツトを向上させることができる。
(3) Al−Ｎ−Ｏ系膜は可視光線の透過率が高い
ため、Ｘ線リソグラフイーにおいて可視光線を
用いて目視により容易且つ正確にアラインメン
トができる。
ため、Ｘ線リソグラフイーにおいて可視光線を
用いて目視により容易且つ正確にアラインメン
トができる。
(4) Al−Ｎ−Ｏ系膜の熱膨張係数はＸ線リソグ
ラフイーにおけるシリコンウエハー焼付基板の
熱膨張係数（２〜３×10-6／℃）とほぼ同じ値
であるから、極めて高精度の焼付けが可能とな
る。
ラフイーにおけるシリコンウエハー焼付基板の
熱膨張係数（２〜３×10-6／℃）とほぼ同じ値
であるから、極めて高精度の焼付けが可能とな
る。
(5) Al−Ｎ−Ｏ系膜の熱伝導性が高いため、Ｘ
線照射による温度上昇を防止でき、特に真空中
での焼付けの際に効果が大である。
線照射による温度上昇を防止でき、特に真空中
での焼付けの際に効果が大である。
(6) Al−Ｎ−Ｏ系膜と有機物膜との積層体を用
いることにより、上記の如きAl−Ｎ−Ｏ系膜
の特性に加えて該有機物膜の有する特性を付加
したマスク保持体とすることができる。即ち、
本発明に係るマスク保持体はAl−Ｎ−Ｏ系膜
からなるマスク保持体のもつ効果に加えて、強
度が大きく、実質的にストレスがないといつた
効果を有する。
いることにより、上記の如きAl−Ｎ−Ｏ系膜
の特性に加えて該有機物膜の有する特性を付加
したマスク保持体とすることができる。即ち、
本発明に係るマスク保持体はAl−Ｎ−Ｏ系膜
からなるマスク保持体のもつ効果に加えて、強
度が大きく、実質的にストレスがないといつた
効果を有する。
第１図ａ〜ｈ及び第２図ａ〜ｈは本発明による
リソグラフイー用マスク保持体の製造工程を示す
図である。 １：シリコンウエハー、２：酸化シリコン膜、
３，５：ポリイミド膜、４：Al−Ｎ−Ｏ系膜、
６：ワツクス層、７：リングフレーム、８：接着
剤、１０：タール系塗料層。
リソグラフイー用マスク保持体の製造工程を示す
図である。 １：シリコンウエハー、２：酸化シリコン膜、
３，５：ポリイミド膜、４：Al−Ｎ−Ｏ系膜、
６：ワツクス層、７：リングフレーム、８：接着
剤、１０：タール系塗料層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルミニウム、窒素、及び酸素を含む膜と有
機物膜との積層体からなる保持体により保持され
たマスクを用いることを特徴とする、リソグラフ
イー法。 ２ アルムニウム、窒素、及び酸素を含む膜と有
機物膜との積層体からなることを特徴とする、リ
ソグラフイー用マスク保持体。 ３ 有機物膜がポリイミド膜である、特許請求の
範囲第２項のリソグラフイー用マスク保持体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001772A JPS61160746A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | リソグラフイ−法及びリソグラフイ−用マスク保持体 |
| DE19863600169 DE3600169A1 (de) | 1985-01-07 | 1986-01-07 | Maskenstruktur zur lithographie, verfahren zu ihrer herstellung und lithographisches verfahren |
| US07/170,688 US4837123A (en) | 1985-01-07 | 1988-03-14 | Mask structure for lithography, method of preparation thereof and lithographic method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001772A JPS61160746A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | リソグラフイ−法及びリソグラフイ−用マスク保持体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160746A JPS61160746A (ja) | 1986-07-21 |
| JPH0482048B2 true JPH0482048B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=11510862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60001772A Granted JPS61160746A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-08 | リソグラフイ−法及びリソグラフイ−用マスク保持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160746A (ja) |
-
1985
- 1985-01-08 JP JP60001772A patent/JPS61160746A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61160746A (ja) | 1986-07-21 |
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