JPH0481852B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0481852B2 JPH0481852B2 JP59237615A JP23761584A JPH0481852B2 JP H0481852 B2 JPH0481852 B2 JP H0481852B2 JP 59237615 A JP59237615 A JP 59237615A JP 23761584 A JP23761584 A JP 23761584A JP H0481852 B2 JPH0481852 B2 JP H0481852B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- aluminum nitride
- mask holder
- nitride film
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＸ線リソグラフイー法及びそれに使用
されるマスク保持体に関する。
されるマスク保持体に関する。
［従来の技術］
Ｘ線リソグラフイーは、Ｘ線固有の直進性、非
干渉性、低回折性などに基づき、これまでの可視
光や紫外光によるリソグラフイーより優れた多く
の点を持つており、サブミクロンリソグラフイー
の有力な手段として注目されつつある。
干渉性、低回折性などに基づき、これまでの可視
光や紫外光によるリソグラフイーより優れた多く
の点を持つており、サブミクロンリソグラフイー
の有力な手段として注目されつつある。
Ｘ線リソグラフイーは可視光や紫外光によるリ
ソグラフイーに比較して多くの優位点を持ちなが
らも、Ｘ線源のパワー不足、レジストの低感度、
アラインメントの困難さ、マスク材料の選定及び
加工方法の困難さなどから、生産性が低く、コス
トが高いという欠点があり、実用化が遅れてい
る。
ソグラフイーに比較して多くの優位点を持ちなが
らも、Ｘ線源のパワー不足、レジストの低感度、
アラインメントの困難さ、マスク材料の選定及び
加工方法の困難さなどから、生産性が低く、コス
トが高いという欠点があり、実用化が遅れてい
る。
その中でＸ線リソグラフイー用マスクを取上げ
てみると、可視光および紫外光リソグラフイーで
は、マスク保持体（即ち光線透過体）としてガラ
ス板および石英板が利用されてきたが、Ｘ線リソ
グラフイーにおいては利用できる光線の波長が１
〜200Åとされており、これまでのガラス板や石
英板はこのＸ線波長域での吸収が大きく且つ厚さ
も１〜２mmと厚くせざるを得ないためＸ線を充分
に透過させないので、これらはＸ線リソグラフイ
ー用マスク保持体の材料としては不適である。
てみると、可視光および紫外光リソグラフイーで
は、マスク保持体（即ち光線透過体）としてガラ
ス板および石英板が利用されてきたが、Ｘ線リソ
グラフイーにおいては利用できる光線の波長が１
〜200Åとされており、これまでのガラス板や石
英板はこのＸ線波長域での吸収が大きく且つ厚さ
も１〜２mmと厚くせざるを得ないためＸ線を充分
に透過させないので、これらはＸ線リソグラフイ
ー用マスク保持体の材料としては不適である。
Ｘ線透過率は一般に物質の密度に依存するた
め、Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の材料と
して密度の低い無機物や有機物が検討されつつあ
る。この様な材料としては、たとえばベリリウム
（Be）、チタン（Ti）、ケイ素（Si）、ホウ素(B)の
単体およびそれらの化合物などの無機物、または
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレ
ン（ユニオンカーバイド社製）などの有機物が挙
げられる。
め、Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の材料と
して密度の低い無機物や有機物が検討されつつあ
る。この様な材料としては、たとえばベリリウム
（Be）、チタン（Ti）、ケイ素（Si）、ホウ素(B)の
単体およびそれらの化合物などの無機物、または
ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、パリレ
ン（ユニオンカーバイド社製）などの有機物が挙
げられる。
これらの物質をＸ線リソグラフイー用マスク保
持体の材料として実際に用いるためには、Ｘ線透
過量をできるだけ大きくするために薄膜化するこ
とが必要であり、無機物の場合で数μｍ以下、有
機物の場合で数十μｍ以下の厚さに形成すること
が要求されている。このため、たとえば無機物薄
膜およびその複合膜からなるマスク保持体の形成
にあたつては、平面性に優れたシリコンウエハー
上に蒸着などによつて窒化シリコン、酸化シリコ
ン、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成
した後にシリコンウエハーをエツチングによつて
除去するという方法が提案されている。
持体の材料として実際に用いるためには、Ｘ線透
過量をできるだけ大きくするために薄膜化するこ
とが必要であり、無機物の場合で数μｍ以下、有
機物の場合で数十μｍ以下の厚さに形成すること
が要求されている。このため、たとえば無機物薄
膜およびその複合膜からなるマスク保持体の形成
にあたつては、平面性に優れたシリコンウエハー
上に蒸着などによつて窒化シリコン、酸化シリコ
ン、窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成
した後にシリコンウエハーをエツチングによつて
除去するという方法が提案されている。
一方、以上の様な保持体上に保持されるＸ線リ
ソグラフイー用マスク（即ちＸ線吸収体）として
は、一般に密度の高い物質たとえば金、白金、タ
ングステン、タンタル、銅、ニツケルなどの薄膜
望ましくは0.5〜1μｍ厚の薄膜からなるものが好
ましい。この様なマスクは、たとえば上記Ｘ線透
過膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成した
後、レジストを塗布し、該レジストに電子ビー
ム、光などにより所望のパターン描画を行ない、
しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パ
ターンに作成される。
ソグラフイー用マスク（即ちＸ線吸収体）として
は、一般に密度の高い物質たとえば金、白金、タ
ングステン、タンタル、銅、ニツケルなどの薄膜
望ましくは0.5〜1μｍ厚の薄膜からなるものが好
ましい。この様なマスクは、たとえば上記Ｘ線透
過膜上に一様に上記高密度物質の薄膜を形成した
後、レジストを塗布し、該レジストに電子ビー
ム、光などにより所望のパターン描画を行ない、
しかる後にエツチングなどの手段を用いて所望パ
ターンに作成される。
しかして、以上の如き従来のＸ線リソグラフイ
ーにおいては、マスク保持体のＸ線透過率が低
く、このため十分なＸ線透過量を得るためにはマ
スク保持体をかなり薄くする必要があり、その製
造が困難になるという問題があつた。
ーにおいては、マスク保持体のＸ線透過率が低
く、このため十分なＸ線透過量を得るためにはマ
スク保持体をかなり薄くする必要があり、その製
造が困難になるという問題があつた。
［発明の目的］
本発明は、以上の様な従来技術に鑑み、Ｘ線透
過性の良好なマスク保持体を提供し、もつてＸ線
リソグラフイーを良好に実施することを目的とす
る。
過性の良好なマスク保持体を提供し、もつてＸ線
リソグラフイーを良好に実施することを目的とす
る。
［発明の概要］
本発明によれば、以上の如き目的は、マスク保
持体を窒化アルミニウムと有機物との積層体によ
り形成することによつて達成される。
持体を窒化アルミニウムと有機物との積層体によ
り形成することによつて達成される。
［実施例］
本発明において積層体を構成する有機物として
は少なくとも膜形成性及びＸ線透過性を有するも
のを使用することができる。この様な有機物とし
ては、たとえばポリイミド、ポリアミド、ポリエ
ステル、パリレン等が例示され、これらのうちで
も特にポリイミドは耐熱性、耐衝撃性、可視光透
過性などの総合的性能が良好であるので好適であ
る。
は少なくとも膜形成性及びＸ線透過性を有するも
のを使用することができる。この様な有機物とし
ては、たとえばポリイミド、ポリアミド、ポリエ
ステル、パリレン等が例示され、これらのうちで
も特にポリイミドは耐熱性、耐衝撃性、可視光透
過性などの総合的性能が良好であるので好適であ
る。
本発明によるマスク保持体を構成する積層体は
窒化アルミニウムと有機物との２層からなるもの
であつてもよいし、または窒化アルミニウム及び
有機物の少なくとも一方を２層以上用いて全体と
して３層以上からなるものとしてもよい。
窒化アルミニウムと有機物との２層からなるもの
であつてもよいし、または窒化アルミニウム及び
有機物の少なくとも一方を２層以上用いて全体と
して３層以上からなるものとしてもよい。
本発明によるマスク保持体の厚さは特に制限さ
れることはなく適宜の厚さとすることができる
が、たとえば２〜20μｍ程度とするのが有利であ
る。
れることはなく適宜の厚さとすることができる
が、たとえば２〜20μｍ程度とするのが有利であ
る。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
第１図ａに示される様に、直径10cmの円形のシ
リコンウエハー１の両面に1μｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
リコンウエハー１の両面に1μｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
次に、第１図ｂに示される様に、シリコンウエ
ハー１の片面側の酸化シリコン膜２上にPIQ液
（ポリイミド前駆体、日立化成社製）をスピンコ
ートした後に、50〜350℃で４時間のキユアーを
行なつて2μｍ厚のポリイミド膜３を形成した。
ハー１の片面側の酸化シリコン膜２上にPIQ液
（ポリイミド前駆体、日立化成社製）をスピンコ
ートした後に、50〜350℃で４時間のキユアーを
行なつて2μｍ厚のポリイミド膜３を形成した。
次に、第１図ｃに示される様に、リアクテイブ
スパツタ法により、アルミニウム（Al）ターゲ
ツト、アルゴン（Ar）：窒素（N2）＝１：１のガ
ス、ガス圧５×10-3Torr、放電電力100Wで、ポ
リイミド膜３の上に2μｍ厚の窒化アルミニウム
膜４を形成した。
スパツタ法により、アルミニウム（Al）ターゲ
ツト、アルゴン（Ar）：窒素（N2）＝１：１のガ
ス、ガス圧５×10-3Torr、放電電力100Wで、ポ
リイミド膜３の上に2μｍ厚の窒化アルミニウム
膜４を形成した。
次に、第１図ｄに示される様に、窒化アルミニ
ウム膜４上に保護のためのタール系塗料層１０を
形成した。
ウム膜４上に保護のためのタール系塗料層１０を
形成した。
次に、第１図ｅに示される様に、露出している
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
て除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコ
ン膜２を残すため、その部分に保護のためのアピ
エゾンワツクス（シエル化学社製）の層６を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層６を除去した。
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
て除去した。尚、この際、リング状に酸化シリコ
ン膜２を残すため、その部分に保護のためのアピ
エゾンワツクス（シエル化学社製）の層６を形成
し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、該
ワツクス層６を除去した。
次に、第１図ｆに示される様に、３％フツ酸水
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
次に、第１図ｇに示される様に、フツ化アンモ
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
次に、第１図ｈに示される様に、リングフレー
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）７の一面にエポキシ系接着剤８を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
ポリイミド膜３及び窒化アルミニウム膜４形成面
側と反対の面を接着し、タール系塗料層１０を除
去した。
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）７の一面にエポキシ系接着剤８を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
ポリイミド膜３及び窒化アルミニウム膜４形成面
側と反対の面を接着し、タール系塗料層１０を除
去した。
かくしてリングフレーム７及びシリコンウエハ
ー１により固定された状態のポリイミド膜３及び
窒化アルミニウム膜４の積層体からなるＸ線リソ
グラフイー用マスク保持体を得た。
ー１により固定された状態のポリイミド膜３及び
窒化アルミニウム膜４の積層体からなるＸ線リソ
グラフイー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られたポリイミド膜；窒化
アルミニウム膜の構成を有するマスク保持体は特
に強度が良好であつた。
アルミニウム膜の構成を有するマスク保持体は特
に強度が良好であつた。
実施例 ２
シリコンウエハー１の片面側の酸化シリコン膜
２上に、ポリイミド膜３にかわりに、蒸着法によ
り2μｍ厚のポリエステル膜を形成することを除
いて、実施例１と同様の工程を行なつた。
２上に、ポリイミド膜３にかわりに、蒸着法によ
り2μｍ厚のポリエステル膜を形成することを除
いて、実施例１と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のポリエステル膜及び窒化
アルミニウム膜の積層体からなるＸ線リソグラフ
イー用マスク保持体を得た。
により固定された状態のポリエステル膜及び窒化
アルミニウム膜の積層体からなるＸ線リソグラフ
イー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られたポリエステル膜；窒
化アルミニウム膜の構成を有するマスク保持体は
特に強度が良好であつた。
化アルミニウム膜の構成を有するマスク保持体は
特に強度が良好であつた。
実施例 ３
シリコンウエハー１の片面側の酸化シリコン膜
２上に、ポリイミド膜３のかわりに、蒸着法によ
り2μｍ厚のパリレン膜を形成することを除き、
実施例１と同様の工程を行なつた。
２上に、ポリイミド膜３のかわりに、蒸着法によ
り2μｍ厚のパリレン膜を形成することを除き、
実施例１と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のパリレン膜及び窒化アル
ミニウム膜の積層体からなるＸ線リソグラフイー
用マスク保持体を得た。
により固定された状態のパリレン膜及び窒化アル
ミニウム膜の積層体からなるＸ線リソグラフイー
用マスク保持体を得た。
本実施例において得られたパリレン膜；窒化ア
ルミニウム膜の構成を有するマスク保持体は特に
強度が良好であつた。
ルミニウム膜の構成を有するマスク保持体は特に
強度が良好であつた。
実施例 ４
実施例１の工程において、ポリイミド膜３及び
窒化アルミニウム膜４を形成した後に、窒化アル
ミニウム膜４上にフオトレジストCMS（クロロメ
チル化ポリスチレン、東洋ソーダ社製）の層を形
成した。
窒化アルミニウム膜４を形成した後に、窒化アル
ミニウム膜４上にフオトレジストCMS（クロロメ
チル化ポリスチレン、東洋ソーダ社製）の層を形
成した。
次に、エレクトロンビーム描画装置を用いてマ
スクパターンの描画を行なつた後に規定の処理を
行ない、レジストパターンを得た。
スクパターンの描画を行なつた後に規定の処理を
行ない、レジストパターンを得た。
次に、エレクトロンビーム蒸着機を用いて上記
レジストパターン上にニツケル（Ni）を0.5μｍ
厚に蒸着した。
レジストパターン上にニツケル（Ni）を0.5μｍ
厚に蒸着した。
次に、リムーバーを用いてレジストを除去し、
ニツケル膜パターンを得た。
ニツケル膜パターンを得た。
次に、ニツケル膜パターンを有する窒化アルミ
ニウム膜上に保護のためのタール系塗料層を形成
した。
ニウム膜上に保護のためのタール系塗料層を形成
した。
以下、実施例１と同様の工程を行ない、リング
フレーム及びシリコンウエハーにより固定された
状態のポリイミド膜と窒化アルミニウム膜との積
層体からなるマスク保持体を用いたＸ線リソグラ
フイー用マスクを得た。
フレーム及びシリコンウエハーにより固定された
状態のポリイミド膜と窒化アルミニウム膜との積
層体からなるマスク保持体を用いたＸ線リソグラ
フイー用マスクを得た。
本実施例において得られたＸ線リソグラフイー
用マスクにおけるポリイミド膜；窒化アルミニウ
ム膜の構成を有するマスク保持体は特に強度が良
好であつた。
用マスクにおけるポリイミド膜；窒化アルミニウ
ム膜の構成を有するマスク保持体は特に強度が良
好であつた。
実施例 ５
実施例２の工程において、ポリエステル膜及び
窒化アルミニウム膜を形成した後に、窒化アルミ
ニウム膜上にフオトレジストCMSの層を形成し
た。
窒化アルミニウム膜を形成した後に、窒化アルミ
ニウム膜上にフオトレジストCMSの層を形成し
た。
以下、実施例４と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のポリエステル膜及び窒化
アルミニウム膜の積層体からなるマスク保持体を
用いたＸ線リソグラフイー用マスクを得た。
により固定された状態のポリエステル膜及び窒化
アルミニウム膜の積層体からなるマスク保持体を
用いたＸ線リソグラフイー用マスクを得た。
本実施例において得られたＸ線リソグラフイー
用マスクにおけるポリエステル膜；窒化アルミニ
ウム膜の構成を有するマスク保持体は特に強度が
良好であつた。
用マスクにおけるポリエステル膜；窒化アルミニ
ウム膜の構成を有するマスク保持体は特に強度が
良好であつた。
実施例 ６
実施例３の工程において、パリレン膜及び窒化
アルミニウム膜を形成した後に、窒化アルミニウ
ム膜上にフオトレジストCMSの層を形成した。
アルミニウム膜を形成した後に、窒化アルミニウ
ム膜上にフオトレジストCMSの層を形成した。
以下、実施例３と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のパリレン膜及び窒化アル
ミニウム膜の積層体からなるマスク保持体を用い
たＸ線リソグラフイー用マスクを得た。
により固定された状態のパリレン膜及び窒化アル
ミニウム膜の積層体からなるマスク保持体を用い
たＸ線リソグラフイー用マスクを得た。
本実施例において得られたＸ線リソグラフイー
用マスクにおけるパリレン膜；窒化アルミニウム
膜の構成を有するマスク保持体は特に強度が良好
であつた。
用マスクにおけるパリレン膜；窒化アルミニウム
膜の構成を有するマスク保持体は特に強度が良好
であつた。
実施例 ７
第２図ａに示される様に、直径10cmの円形のシ
リコンウエハー１の両面に1μｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
リコンウエハー１の両面に1μｍ厚の酸化シリコ
ン膜２を形成した。
次に、第２図ｂに示される様に、シリコンウエ
ハー１の片面側の酸化シリコン膜２上にPIQ液
（ポリイミド前駆体）をスピンコートした後に、
50〜350℃で４時間のキユアーを行なつて2μｍ厚
のポリイミド膜３を形成した。
ハー１の片面側の酸化シリコン膜２上にPIQ液
（ポリイミド前駆体）をスピンコートした後に、
50〜350℃で４時間のキユアーを行なつて2μｍ厚
のポリイミド膜３を形成した。
次に、第２図ｃに示される様に、リアクテイブ
スパツタ法により、アルミニウム（Al）ターゲ
ツト、アルゴン（Ar）：窒素（N2）＝１：１のガ
ス、ガス圧５×10-3Torr、放電電力100Wで、ポ
リイミド膜３の上に1μｍ厚の窒化アルミニウム
膜４を形成した。
スパツタ法により、アルミニウム（Al）ターゲ
ツト、アルゴン（Ar）：窒素（N2）＝１：１のガ
ス、ガス圧５×10-3Torr、放電電力100Wで、ポ
リイミド膜３の上に1μｍ厚の窒化アルミニウム
膜４を形成した。
次に、第２図ｄに示される様に、窒化アルミニ
ウム膜４上に上記と同様にして2μｍ厚のポリイ
ミド膜５を形成した。
ウム膜４上に上記と同様にして2μｍ厚のポリイ
ミド膜５を形成した。
次に、第２図ｅに示される様に、露出している
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
てを除去した。尚、この際、リング状に酸化シリ
コン膜２を残すため、その部分に保護のためのア
ピエゾンワツクス（シエル化学社製）の層６を形
成し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、
該ワツクス層６を除去した。
酸化シリコン膜２の直径7.5cmの円形の中央部分
をフツ化アンモニウムとフツ酸との混合液を用い
てを除去した。尚、この際、リング状に酸化シリ
コン膜２を残すため、その部分に保護のためのア
ピエゾンワツクス（シエル化学社製）の層６を形
成し、酸化シリコン膜の中央部分を除去した後、
該ワツクス層６を除去した。
次に、第２図ｆに示される様に、３％フツ酸水
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
溶液中で電解エツチング（電流密度0.2A／ｄm2）
を行ない、シリコンウエハー１の露出している直
径7.5cmの円形の中央部分を除去した。
次に、第２図ｇに示される様に、フツ化アンモ
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
ニウムとフツ酸との混合液を用いて、露出部分の
酸化シリコン膜２を除去した。
次に、第２図ｈに示される様に、リングフレー
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）７の一面にエポキシ系接着剤８を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
ポリイミド膜３，５及び窒化アルミニウム膜４形
成面側と反対の面を接着した。
ム（パイレツクス製、内径7.5cm、外径９cm、厚
さ５mm）７の一面にエポキシ系接着剤８を塗布
し、該接着剤塗布面に上記シリコンウエハー１の
ポリイミド膜３，５及び窒化アルミニウム膜４形
成面側と反対の面を接着した。
かくしてリングフレーム７及びシリコンウエハ
ー１により固定された状態のポリイミド膜３，５
及び窒化アルミニウム膜４の積層体からなるＸ線
リソグラフイー用マスク保持体を得た。
ー１により固定された状態のポリイミド膜３，５
及び窒化アルミニウム膜４の積層体からなるＸ線
リソグラフイー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られたポリイミド膜；窒化
アルミニウム膜；ポリイミド膜の構成を有するマ
スク保持体は特に強度及び耐薬品性が良好であつ
た。
アルミニウム膜；ポリイミド膜の構成を有するマ
スク保持体は特に強度及び耐薬品性が良好であつ
た。
実施例 ８
シリコンウエハー１の片面側の酸化シリコン膜
２上に、ポリイミド膜３，５のかわりに、蒸着法
により2μｍ厚のポリエステル膜を形成すること
を除いて、実施例７と同様の工程を行なつた。
２上に、ポリイミド膜３，５のかわりに、蒸着法
により2μｍ厚のポリエステル膜を形成すること
を除いて、実施例７と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のポリエステル膜及び窒化
アルミニウム膜の積層体からなるＸ線リソグラフ
イー用マスク保持体を得た。
により固定された状態のポリエステル膜及び窒化
アルミニウム膜の積層体からなるＸ線リソグラフ
イー用マスク保持体を得た。
本実施例において得られたポリエステル膜；窒
化アルミニウム膜；ポリエステル膜の構成を有す
るマスク保持体は特に強度及び耐薬品性が良好で
あつた。
化アルミニウム膜；ポリエステル膜の構成を有す
るマスク保持体は特に強度及び耐薬品性が良好で
あつた。
実施例 ９
シリコンウエハー１の片面側の酸化シリコン膜
２上に、ポリイミド膜３，５のかわりに、蒸着法
により2μｍ厚のパリレン膜を形成することを除
き、実施例７と同様の工程を行なつた。
２上に、ポリイミド膜３，５のかわりに、蒸着法
により2μｍ厚のパリレン膜を形成することを除
き、実施例７と同様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態のパリレン膜及び窒化アル
ミニウム膜の積層体からなるＸ線リソグラフイー
用マスク保持体を得た。
により固定された状態のパリレン膜及び窒化アル
ミニウム膜の積層体からなるＸ線リソグラフイー
用マスク保持体を得た。
本実施例において得られたパリレン膜；窒化ア
ルミニウム膜；パリレン膜の構成を有するマスク
保持体は特に強度及び耐薬品性が良好であつた。
ルミニウム膜；パリレン膜の構成を有するマスク
保持体は特に強度及び耐薬品性が良好であつた。
実施例 10
実施例７の工程において、ポリイミド膜３，５
及び窒化アルミニウム膜４を形成した後に、ポリ
イミド膜５上にスピンコートによりポジ型フオト
レジストAZ−1370（シプレー社製）の層を1μｍ厚
に形成した。
及び窒化アルミニウム膜４を形成した後に、ポリ
イミド膜５上にスピンコートによりポジ型フオト
レジストAZ−1370（シプレー社製）の層を1μｍ厚
に形成した。
次に、石英マスクを用いて遠紫外光によりをレ
ジストの焼付を行なつた後に規定の処理を行な
い、マスクに対しネガ型のレジストパターンを得
た。
ジストの焼付を行なつた後に規定の処理を行な
い、マスクに対しネガ型のレジストパターンを得
た。
次に、エレクトロンビーム蒸着機を用いて上記
レジストパターン上にタンタル（Ta）を0.5μｍ
厚に蒸着した。
レジストパターン上にタンタル（Ta）を0.5μｍ
厚に蒸着した。
次に、リムーバーを用いてレジストを除去し、
リフトオフ法によりタンタル膜パターンを得た。
リフトオフ法によりタンタル膜パターンを得た。
次に、ポリイミド膜５上に更に保護のための
2μｍ厚のポリイミド膜を形成した。
2μｍ厚のポリイミド膜を形成した。
以下、実施例７と同様の工程を行ない、リング
フレーム及びシリコンウエハーにより固定された
状態の窒化アルミニウム膜とポリイミド膜との積
層体からなるマスク保持体を用いたＸ線リソグラ
フイー用マスクを得た。
フレーム及びシリコンウエハーにより固定された
状態の窒化アルミニウム膜とポリイミド膜との積
層体からなるマスク保持体を用いたＸ線リソグラ
フイー用マスクを得た。
本実施例において得られたＸ線リソグラフイー
用マスクにおけるポリイミド膜；窒化アルミニウ
ム膜；ポリイミド膜の構成を有するマスク保持体
は特に強度が良好であつた。
用マスクにおけるポリイミド膜；窒化アルミニウ
ム膜；ポリイミド膜の構成を有するマスク保持体
は特に強度が良好であつた。
実施例 11
実施例７と同様の方法により、シリコンウエハ
ー上にポリイミド膜（1μｍ厚）；窒化アルミニウ
ム膜（1μｍ厚）；ポリイミド膜（3μｍ厚）；窒化
アルミニウム膜（1μｍ厚）；ポリイミド膜（1μｍ
厚）の５層からなる積層体を形成した。
ー上にポリイミド膜（1μｍ厚）；窒化アルミニウ
ム膜（1μｍ厚）；ポリイミド膜（3μｍ厚）；窒化
アルミニウム膜（1μｍ厚）；ポリイミド膜（1μｍ
厚）の５層からなる積層体を形成した。
以下、実施例７と同様の工程を行ないシリコン
ウエハー及び酸化シリコン膜の円形の中央部分を
除去し、更にヒドラジン系溶剤により露出部分の
ポリイミド膜を除去し、次いで実施例７と同様に
してリングフレームを接着した。
ウエハー及び酸化シリコン膜の円形の中央部分を
除去し、更にヒドラジン系溶剤により露出部分の
ポリイミド膜を除去し、次いで実施例７と同様に
してリングフレームを接着した。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の窒化アルミニウム膜
（1μｍ厚）；ポリイミド膜（3μｍ厚）；窒化アルミ
ニウム膜（1μｍ厚）の３層の積層体からなるＸ
線リソグラフイー用マスク保持体を得た。
により固定された状態の窒化アルミニウム膜
（1μｍ厚）；ポリイミド膜（3μｍ厚）；窒化アルミ
ニウム膜（1μｍ厚）の３層の積層体からなるＸ
線リソグラフイー用マスク保持体を得た。
本実施例により得られた窒化アルミニウム膜；
ポリイミド膜；窒化アルミニウム膜の構成を有す
るマスク保持体は特に放熱性が良好であつた。
ポリイミド膜；窒化アルミニウム膜の構成を有す
るマスク保持体は特に放熱性が良好であつた。
実施例 12
ポリイミド膜のかわりに、蒸着法によりポリエ
ステル膜を形成することを除いて、実施例11と同
様の工程を行なつた。
ステル膜を形成することを除いて、実施例11と同
様の工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の窒化アルミニウム膜；ポ
リエステル膜；窒化アルミニウム膜の３層の積層
体からなるＸ線リソグラフイー用マスク保持体を
得た。
により固定された状態の窒化アルミニウム膜；ポ
リエステル膜；窒化アルミニウム膜の３層の積層
体からなるＸ線リソグラフイー用マスク保持体を
得た。
本実施例により得られた窒化アルミニウム膜；
ポリエステル膜；窒化アルミニウム膜の構成を有
するマスク保持体は特に放熱性が良好であつた。
ポリエステル膜；窒化アルミニウム膜の構成を有
するマスク保持体は特に放熱性が良好であつた。
実施例 13
ポリイミド膜のかわりに、蒸着法によりパリレ
ン膜を形成することを除いて、実施例11と同様の
工程を行なつた。
ン膜を形成することを除いて、実施例11と同様の
工程を行なつた。
かくしてリングフレーム及びシリコンウエハー
により固定された状態の窒化アルミニウム膜；パ
リレン膜；窒化アルミニウム膜の３層の積層体か
らなるＸ線リソグラフイー用マスク保持体を得
た。
により固定された状態の窒化アルミニウム膜；パ
リレン膜；窒化アルミニウム膜の３層の積層体か
らなるＸ線リソグラフイー用マスク保持体を得
た。
本実施例により得られた窒化アルミニウム膜；
パリレン膜；窒化アルミニウム膜の構成を有する
マスク保持体は特に放熱性が良好であつた。
パリレン膜；窒化アルミニウム膜の構成を有する
マスク保持体は特に放熱性が良好であつた。
［発明の効果］
以上の如き本発明によれば、マスク保持体の構
成要素として用いられる窒化アルミニウムはＸ線
透過率及び可視光線透過率が高く（1μｍ厚の光
学濃度が約0.01）、熱膨張率が低く（３〜４×
10-6／℃）、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好
であるなどの特長を有するので、以下の様な効果
が得られる。
成要素として用いられる窒化アルミニウムはＸ線
透過率及び可視光線透過率が高く（1μｍ厚の光
学濃度が約0.01）、熱膨張率が低く（３〜４×
10-6／℃）、熱伝導率が高く、且つ成膜性が良好
であるなどの特長を有するので、以下の様な効果
が得られる。
(1) 窒化アルミニウムはＸ線透過率が高いので比
較的厚くしても比較的高いＸ線透過量が得られ
るので、マスク保持体の製造を容易且つ良好に
行なうことができる。
較的厚くしても比較的高いＸ線透過量が得られ
るので、マスク保持体の製造を容易且つ良好に
行なうことができる。
(2) 窒化アルミニウムは成膜性が良好であるので
極めて薄い膜からなるマスク保持体を製造する
ことができ、これによりＸ線透過量を高め焼付
のスループツトを向上させることができる。
極めて薄い膜からなるマスク保持体を製造する
ことができ、これによりＸ線透過量を高め焼付
のスループツトを向上させることができる。
(3) 窒化アルミニウムは可視光線の透過率が高い
ため、Ｘ線リソグラフイーにおいて可視光線を
用いて目視により容易且つ正確にアラインメン
トができる。
ため、Ｘ線リソグラフイーにおいて可視光線を
用いて目視により容易且つ正確にアラインメン
トができる。
(4) 窒化アルミニウムの熱膨張係数はＸ線リソグ
ラフイーにおけるシリコンウエハー焼付基板の
熱膨張係数（２〜３×10-6／℃）とほぼ同じ値
であるから、極めて高精度の焼付けが可能とな
る。
ラフイーにおけるシリコンウエハー焼付基板の
熱膨張係数（２〜３×10-6／℃）とほぼ同じ値
であるから、極めて高精度の焼付けが可能とな
る。
(5) 窒化アルミニウムの熱伝導性が高いため、Ｘ
線照射による温度上昇を防止でき、特に真空中
での焼付けの際に効果が大である。
線照射による温度上昇を防止でき、特に真空中
での焼付けの際に効果が大である。
(6) 窒化アルミニウムと有機物との積層体を用い
ることにより、上記の如き窒化アルミニウムの
特性に加えて該有機物の有する特性を付加した
マスク保持体とすることができる。即ち、本発
明に係るマスク保持体は窒化アルミニウムから
なるマスク保持体のもつ効果に加えて、強度が
大きく、実質的にストレスがないといつた効果
を有する。
ることにより、上記の如き窒化アルミニウムの
特性に加えて該有機物の有する特性を付加した
マスク保持体とすることができる。即ち、本発
明に係るマスク保持体は窒化アルミニウムから
なるマスク保持体のもつ効果に加えて、強度が
大きく、実質的にストレスがないといつた効果
を有する。
第１図ａ〜ｈ及び第２図ａ〜ｈは本発明による
Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の製造工程を
示す図である。 １：シリコンウエハー、２：酸化シリコン膜、
３，５：ポリイミド膜、４：窒化アルミニウム
膜、６：ワツクス層、７：リングフレーム、８：
接着剤、１０：タール系塗料層。
Ｘ線リソグラフイー用マスク保持体の製造工程を
示す図である。 １：シリコンウエハー、２：酸化シリコン膜、
３，５：ポリイミド膜、４：窒化アルミニウム
膜、６：ワツクス層、７：リングフレーム、８：
接着剤、１０：タール系塗料層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 窒化アルミニウムと有機物との積層体からな
る保持体により保持されたマスクを用いることを
特徴とする、Ｘ線リソグラフイー法。 ２ 窒化アルミニウムと有機物との積層体からな
ることを特徴とする、Ｘ線リソグラフイー用マス
ク保持体。 ３ 有機物がポリイミドである、特許請求の範囲
第２項のＸ線リソグラフイー用マスク保持体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59237615A JPS61117545A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | Ｘ線リソグラフイ−法及びｘ線リソグラフイ−用マスク保持体 |
| US06/794,180 US4677042A (en) | 1984-11-05 | 1985-11-01 | Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method |
| DE19853539201 DE3539201A1 (de) | 1984-11-05 | 1985-11-05 | Maskenstruktur fuer die lithografie, verfahren zu ihrer herstellung und lithografieverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59237615A JPS61117545A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | Ｘ線リソグラフイ−法及びｘ線リソグラフイ−用マスク保持体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117545A JPS61117545A (ja) | 1986-06-04 |
| JPH0481852B2 true JPH0481852B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=17017940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59237615A Granted JPS61117545A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-13 | Ｘ線リソグラフイ−法及びｘ線リソグラフイ−用マスク保持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61117545A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639932A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Hoya Corp | Ｘ線露光用マスク |
| JPH02309A (ja) * | 1987-12-29 | 1990-01-05 | Canon Inc | Ｘ線用マスクとそれをを用いた露光方法 |
| DE10134752B4 (de) * | 2001-07-17 | 2005-01-27 | Epcos Ag | Überspannungsableiter |
-
1984
- 1984-11-13 JP JP59237615A patent/JPS61117545A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61117545A (ja) | 1986-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4677042A (en) | Mask structure for lithography, method for preparation thereof and lithographic method | |
| US4436797A (en) | X-Ray mask | |
| JPH07294700A (ja) | Ｘ線窓 | |
| JPH03204919A (ja) | Ｘ線マスクブランク、ｘ線マスク、及び、その製造方法 | |
| US4253029A (en) | Mask structure for x-ray lithography | |
| JPH0481852B2 (ja) | ||
| JPH0481855B2 (ja) | ||
| JPH0481853B2 (ja) | ||
| JPH0481854B2 (ja) | ||
| JPH0482048B2 (ja) | ||
| JPH0482049B2 (ja) | ||
| JPH0481856B2 (ja) | ||
| JPH0690998B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の製造方法 | |
| JPH0482047B2 (ja) | ||
| JPH0656831B2 (ja) | リソグラフィー用マスク構造体の製造方法、及び薄膜の製造方法 | |
| JPH03105912A (ja) | Ｘ線マスクブランクス及びｘ線マスク構造体 | |
| JPH0481851B2 (ja) | ||
| JPS61249056A (ja) | リソグラフイ−用マスク構造体 | |
| JPS62119924A (ja) | 透過マスクの作製方法 | |
| JPH0423819B2 (ja) | ||
| JP2684105B2 (ja) | Ｘ線マスク構造体及びそれを用いたｘ線露光方法 | |
| JPH0428132B2 (ja) | ||
| JPH0316116A (ja) | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体及びそれを用いたｘ線露光方法 | |
| JPH04315416A (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPH0340935B2 (ja) |