JPH0483351A - キュア装置 - Google Patents
キュア装置Info
- Publication number
- JPH0483351A JPH0483351A JP2197030A JP19703090A JPH0483351A JP H0483351 A JPH0483351 A JP H0483351A JP 2197030 A JP2197030 A JP 2197030A JP 19703090 A JP19703090 A JP 19703090A JP H0483351 A JPH0483351 A JP H0483351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature gas
- gas
- activated
- high temperature
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はリードフレーム等の板状部材に塗布された銀ペ
ースト等の熱硬化接合剤を乾燥させるキュア装置に関す
る。
ースト等の熱硬化接合剤を乾燥させるキュア装置に関す
る。
［従来の技術］
半導体装置の製造工程には、リードフレームに熱硬化接
合剤を介してチップがボンディングされたワークをキュ
ア装置によって加熱し、熱硬化接合剤を乾燥させてリー
ドフレームにチップを固着させる工程がある。前記キュ
ア装置では、ワークを加熱するのにと一ドブロックが使
用されている。ところで、かかるキュア装置では、加熱
により熱硬化接合剤が硬化時に有機ガスを発生し、これ
が周囲の低温度雰囲気に接すると固化して不純物となり
、チップの表面に堆積してチップの性能を低下、劣化損
傷させる。このため、最近では、特にキュア装置にはチ
ップの厳密な清浄度、つまりクリーン度が要求されてき
た。
合剤を介してチップがボンディングされたワークをキュ
ア装置によって加熱し、熱硬化接合剤を乾燥させてリー
ドフレームにチップを固着させる工程がある。前記キュ
ア装置では、ワークを加熱するのにと一ドブロックが使
用されている。ところで、かかるキュア装置では、加熱
により熱硬化接合剤が硬化時に有機ガスを発生し、これ
が周囲の低温度雰囲気に接すると固化して不純物となり
、チップの表面に堆積してチップの性能を低下、劣化損
傷させる。このため、最近では、特にキュア装置にはチ
ップの厳密な清浄度、つまりクリーン度が要求されてき
た。
従来、このクリーン度を維持するために、例えば特開昭
６３−３１６４４３号公報及び特開昭６３−３１６４４
４号公報に記載のように、ワーク表面付近に上部より高
温の不活性ガスを供給し、これを装置外部へ排気して前
記熱分解生成有機物質を除去することが行われている。
６３−３１６４４３号公報及び特開昭６３−３１６４４
４号公報に記載のように、ワーク表面付近に上部より高
温の不活性ガスを供給し、これを装置外部へ排気して前
記熱分解生成有機物質を除去することが行われている。
［発明が解決しようとする課Ｉｔ］
最近の大型半導体集積回路は益々パターンが高密度化し
、チップ表面の清浄度が厳密に要求されるようになり、
このクリーン度対策が重要な課題となってきた。
、チップ表面の清浄度が厳密に要求されるようになり、
このクリーン度対策が重要な課題となってきた。
しかしながら、従来のキュア装置では、供給ガスの温度
により不純物凝固を抑制し、物理的な排気の流れでチッ
プ上に堆積した粒子を除去するのみで、既にチップ表面
に堆積した不純物を完全に除去することができなかった
。
により不純物凝固を抑制し、物理的な排気の流れでチッ
プ上に堆積した粒子を除去するのみで、既にチップ表面
に堆積した不純物を完全に除去することができなかった
。
本発明の目的は、ワークのクリーン度が著しく保たれる
キュア装置を提供することにある。
キュア装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的は、板状部材に熱硬化接合剤を介してダイかボ
ンディングされたワークをヒートブロー。
ンディングされたワークをヒートブロー。
りによって加熱すると共に、ヒートブロックの上方より
ワークに高温ガスを供給するキュア装置において、前記
供給される高温ガスを活性化させる活性化手段を備えた
構成により達成される。
ワークに高温ガスを供給するキュア装置において、前記
供給される高温ガスを活性化させる活性化手段を備えた
構成により達成される。
［作用］
高温ガスは、活性化手段によって活性化されてワークに
供給される。この活性化された高温ガスは、熱硬化接合
剤の高温硬化時に発生した有機物ガス及び粒子とラジカ
ル反応して外部に除去される。
供給される。この活性化された高温ガスは、熱硬化接合
剤の高温硬化時に発生した有機物ガス及び粒子とラジカ
ル反応して外部に除去される。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
キュア室ｌは、一定幅のスリット２を有して平行に配設
された仕切板３によってワーク加熱室４と高温ガス供給
室５とに形成されている。ワーク加熱室４には、複数の
ヒートブロック６が一定の隙間７を有して平行に配設さ
れている。ここで、前記スリット２はヒートブロック６
上ト対応して設けられている。高温ガス供給室５の両側
には、ヒータ８によって加熱された不活性高温ガス９を
高温ガス供給室５内に供給するバイブ１０が接続されて
いる。また高温ガス供給室５の上部には、大型紫外線ラ
ンプ（ＵＶランプ）１１が配設されている。
された仕切板３によってワーク加熱室４と高温ガス供給
室５とに形成されている。ワーク加熱室４には、複数の
ヒートブロック６が一定の隙間７を有して平行に配設さ
れている。ここで、前記スリット２はヒートブロック６
上ト対応して設けられている。高温ガス供給室５の両側
には、ヒータ８によって加熱された不活性高温ガス９を
高温ガス供給室５内に供給するバイブ１０が接続されて
いる。また高温ガス供給室５の上部には、大型紫外線ラ
ンプ（ＵＶランプ）１１が配設されている。
次に作用について説明する。リードフレーム１５にＡｇ
ペースト等よりなる熱硬化接合剤１６を介してチップ１
７がチップボンディングされたワ−り１８は、ヒートブ
ロック６上をタクト送りにより順次搬送されてキユアリ
ングされる。この場合、ワーク１８の表面上には、高温
ガス供給室５内の高温ガス９ａがスリット２を通して吹
き付けられ、この高温ガス９ａはヒートブロック６の隙
間７を通って下方に排気される。このため、ワーク１８
表面付近の不純物ガスは前記高温ガス９ａと共に下方へ
排気される。
ペースト等よりなる熱硬化接合剤１６を介してチップ１
７がチップボンディングされたワ−り１８は、ヒートブ
ロック６上をタクト送りにより順次搬送されてキユアリ
ングされる。この場合、ワーク１８の表面上には、高温
ガス供給室５内の高温ガス９ａがスリット２を通して吹
き付けられ、この高温ガス９ａはヒートブロック６の隙
間７を通って下方に排気される。このため、ワーク１８
表面付近の不純物ガスは前記高温ガス９ａと共に下方へ
排気される。
ところで、パイプｌＯより高温ガス供給室５内に供給さ
れた高温ガス９は、紫外線ランプ１１により紫外線が照
射されて活性化され、この活性化された高温ガス９ａが
スリット２を通してワーク１８に供給される。このよう
に、高温ガスは活性化しているので、熱硬化接合剤より
発生した有機物とラジカルに化学反応して化学的に安定
な大型分子となってチップ表面及びその周辺からのガス
排気により外部に除去される。この場合、チップ表面の
有機物の物理的堆積より活性ガスとの反応が遥かに強い
ので、チップ表面より剥離される状態で分離され、チッ
プのクリーン度が著しく保たれる。
れた高温ガス９は、紫外線ランプ１１により紫外線が照
射されて活性化され、この活性化された高温ガス９ａが
スリット２を通してワーク１８に供給される。このよう
に、高温ガスは活性化しているので、熱硬化接合剤より
発生した有機物とラジカルに化学反応して化学的に安定
な大型分子となってチップ表面及びその周辺からのガス
排気により外部に除去される。この場合、チップ表面の
有機物の物理的堆積より活性ガスとの反応が遥かに強い
ので、チップ表面より剥離される状態で分離され、チッ
プのクリーン度が著しく保たれる。
なお、本実施例においては、各ワーク１８に対応してス
リット２を設けたが、仕切板３に多数の孔を設けてもよ
い、しかし、本実施例のように、各ワーク１８に対応し
てスリット２を設けると、高温ガス９ ａ、はスリット
２の開口部に沿って直線状にワーク１８のみに直上から
吹き付けることができ、高温ガス９ａの供給に無駄な経
路がない。
リット２を設けたが、仕切板３に多数の孔を設けてもよ
い、しかし、本実施例のように、各ワーク１８に対応し
てスリット２を設けると、高温ガス９ ａ、はスリット
２の開口部に沿って直線状にワーク１８のみに直上から
吹き付けることができ、高温ガス９ａの供給に無駄な経
路がない。
またスリット２は仕切板３を並べた簡単な構造で形成で
きるので、装置の低廉化が図れる。
きるので、装置の低廉化が図れる。
［発明の効果１
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、活性
化された高温ガスがワークに供給されてキユアリングさ
れるので、ワークのクリーン度が著しく保たれる。
化された高温ガスがワークに供給されてキユアリングさ
れるので、ワークのクリーン度が著しく保たれる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は第１
図の概略構成斜視図である。 ｌ：キュア室、 ４：ワーク加熱室、５：高温
ガス供給室、 ６：ヒートブロック。 ９．９ａ：高温ガス、 １１ １５：リードフレーム、１６ １７：チップ、 １８
図の概略構成斜視図である。 ｌ：キュア室、 ４：ワーク加熱室、５：高温
ガス供給室、 ６：ヒートブロック。 ９．９ａ：高温ガス、 １１ １５：リードフレーム、１６ １７：チップ、 １８
Claims (2)
- （１）板状部材に熱硬化接合剤を介してダイがボンディ
ングされたワークをヒートブロックによって加熱すると
共に、ヒートブロックの上方よりワークに高温ガスを供
給するキュア装置において、前記供給される高温ガスを
活性化させる活性化手段を備えたことを特徴とするキュ
ア装置。 - （２）請求項１において、前記活性化手段は、紫外線ラ
ンプよりなることを特徴とするキュア装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197030A JP2835980B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | キュア装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2197030A JP2835980B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | キュア装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0483351A true JPH0483351A (ja) | 1992-03-17 |
| JP2835980B2 JP2835980B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=16367576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2197030A Expired - Fee Related JP2835980B2 (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | キュア装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2835980B2 (ja) |
-
1990
- 1990-07-25 JP JP2197030A patent/JP2835980B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2835980B2 (ja) | 1998-12-14 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |