JPH0619546Y2 - 加熱硬化装置 - Google Patents
加熱硬化装置Info
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- JPH0619546Y2 JPH0619546Y2 JP1989106355U JP10635589U JPH0619546Y2 JP H0619546 Y2 JPH0619546 Y2 JP H0619546Y2 JP 1989106355 U JP1989106355 U JP 1989106355U JP 10635589 U JP10635589 U JP 10635589U JP H0619546 Y2 JPH0619546 Y2 JP H0619546Y2
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- Japan
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- heating
- sample member
- heat
- partition plate
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
Landscapes
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はＩＣ、ＬＳＩ等の半導体製品の製造工程で用い
る加熱硬化装置に係り、リードフレーム、基板、パッケ
ージ等のベース材とシリコン等のチップとの接合に用い
た接着剤を熱硬化させる加熱硬化装置に関する。
る加熱硬化装置に係り、リードフレーム、基板、パッケ
ージ等のベース材とシリコン等のチップとの接合に用い
た接着剤を熱硬化させる加熱硬化装置に関する。
「従来の技術〕 前記半導体製品の製造では、ベース材に導電性樹脂接着
剤を介してチップを接着し、次いで、加熱硬化装置を用
いて前記ベース材を加熱して接着剤を熱硬化させ、該ベ
ース材とチップとの接合を強固にしている。
剤を介してチップを接着し、次いで、加熱硬化装置を用
いて前記ベース材を加熱して接着剤を熱硬化させ、該ベ
ース材とチップとの接合を強固にしている。
この場合、ベース材の加熱は、加熱硬化装置の、予め所
定の温度に昇温された複数のヒートブロックに、順次ベ
ース材を載置していくことによって行われる。この際、
前記導電性樹脂接着剤は、有機質性の成分を含有してい
るので、前記ベース材を加熱すると有害ガスが発生し、
この有害ガスがベース材、チップ及び加熱硬化装置に付
着して悪影響を与える。
定の温度に昇温された複数のヒートブロックに、順次ベ
ース材を載置していくことによって行われる。この際、
前記導電性樹脂接着剤は、有機質性の成分を含有してい
るので、前記ベース材を加熱すると有害ガスが発生し、
この有害ガスがベース材、チップ及び加熱硬化装置に付
着して悪影響を与える。
そこで、加熱処理中のベース材及びチップに汚染防止用
の高温ガスを吹き付けて、該高温ガスに前記有害ガスを
同伴させて加熱硬化装置の外部に排出することが行われ
ている。
の高温ガスを吹き付けて、該高温ガスに前記有害ガスを
同伴させて加熱硬化装置の外部に排出することが行われ
ている。
しかしながら、従来は、高温ガスの流し方に十分な配慮
をしていなかった為、前記有害ガスによる悪影響を確実
に除去できないという欠点があった。
をしていなかった為、前記有害ガスによる悪影響を確実
に除去できないという欠点があった。
本考案はこのような事情に鑑みてなされたもので、加熱
時に於ける接着剤からの有害ガスを確実に排除し、Ｉ
Ｃ、ＬＳＩ等の半導体製品の品質及び生産能率を向上で
きる加熱硬化装置を提供することを目的とする。
時に於ける接着剤からの有害ガスを確実に排除し、Ｉ
Ｃ、ＬＳＩ等の半導体製品の品質及び生産能率を向上で
きる加熱硬化装置を提供することを目的とする。
本考案は、前記目的を達成する為に、側板と底板と天板
とによって箱型に形成されたケーシングの内部を、該ケ
ーシングの長手方向に沿って所定の間隔でスリットを形
成してなる仕切板によって上下に区画し、該仕切板の上
部に高温ガスを供給するガス供給室を、下部に加熱時に
有害ガスが発生する試料部材を加熱する加熱室を形成す
ると共に、該加熱室内に前記仕切板のスリットに対応さ
せ、かつ、加熱室の底面から間隙を形成して前記試料部
材を加熱するための複数の角柱状のヒートブロックを設
け、これらのヒートブロック上に順次前記試料部材を載
置していく搬送手段を設け、加熱室の底部に排気系に連
通するガス排気口を設けたことを特徴とする。
とによって箱型に形成されたケーシングの内部を、該ケ
ーシングの長手方向に沿って所定の間隔でスリットを形
成してなる仕切板によって上下に区画し、該仕切板の上
部に高温ガスを供給するガス供給室を、下部に加熱時に
有害ガスが発生する試料部材を加熱する加熱室を形成す
ると共に、該加熱室内に前記仕切板のスリットに対応さ
せ、かつ、加熱室の底面から間隙を形成して前記試料部
材を加熱するための複数の角柱状のヒートブロックを設
け、これらのヒートブロック上に順次前記試料部材を載
置していく搬送手段を設け、加熱室の底部に排気系に連
通するガス排気口を設けたことを特徴とする。
本考案によれば、試料部材は搬送手段によってヒートブ
ロック上を搬入口側から搬出口側に向けて順次載置され
て加熱される。試料部材がヒートブロックに載置され加
熱されると同時に、ガス供給室からの高温ガスが仕切板
のスリットを介して試料部材の表面に均一に吹き付けら
れる。試料部材の表面に吹き付けられた高温ガスは、試
料部材の導電性樹脂接着剤から発生した有害ガスを同伴
し、各ヒートブロック相互の間及び各ヒートブロックと
加熱室の底面との間に形成されるガス排気通路を介して
加熱室の底部のガス排気口から外部に排出される。この
ように、有害ガスを同伴した高温ガスは、直ちに前記ガ
ス排気通路を介して加熱室の外部に排出され、他のヒー
トブロック上の試料部材に接触することがないので、有
害ガスを同伴した高温ガスによって他のヒートブロック
上の試料部材の二次汚染を防止することができる。
ロック上を搬入口側から搬出口側に向けて順次載置され
て加熱される。試料部材がヒートブロックに載置され加
熱されると同時に、ガス供給室からの高温ガスが仕切板
のスリットを介して試料部材の表面に均一に吹き付けら
れる。試料部材の表面に吹き付けられた高温ガスは、試
料部材の導電性樹脂接着剤から発生した有害ガスを同伴
し、各ヒートブロック相互の間及び各ヒートブロックと
加熱室の底面との間に形成されるガス排気通路を介して
加熱室の底部のガス排気口から外部に排出される。この
ように、有害ガスを同伴した高温ガスは、直ちに前記ガ
ス排気通路を介して加熱室の外部に排出され、他のヒー
トブロック上の試料部材に接触することがないので、有
害ガスを同伴した高温ガスによって他のヒートブロック
上の試料部材の二次汚染を防止することができる。
以下添付図面に従って本考案に係る加熱硬化装置の好ま
しい実施例を詳説する。
しい実施例を詳説する。
第１図乃至第５図は本考案に係る加熱硬化装置の実施例
を示すもので、加熱硬化装置のケーシング１０は、四方
を囲む側板１２、１２…と、底板１４と、天板１６とに
よって長方形の箱型に形成されている。
を示すもので、加熱硬化装置のケーシング１０は、四方
を囲む側板１２、１２…と、底板１４と、天板１６とに
よって長方形の箱型に形成されている。
この箱型のケーシング１０の内部は、該ケーシング１０
の長手方向（図面で左右方向）に沿って所定の間隔でガ
ス通過間隙用の８個のスリット２４ａ、２４ａ…を形成
してなる仕切板で上下に区画されている。そして、仕切
板の上部には汚染防止用の高温ガスを供給するガス供給
室２０が、下部には第５図に例示した試料部材２８を加
熱する加熱室２２が形成されている。尚、前記試料部材
２８は、第５図のように長方形の板状のリードフレーム
４６上に導電性樹脂接着剤４８、４８…を介して４個の
シリコンチップ５０、５０…を所定の間隔で接合したも
のである。また、前記仕切板は、第２図、第３図に示す
ように、９枚の長方形の板状物２４、２４…の両端が側
板１２の内面１２ａに固着してケーシング１０の長手方
向に所定の間隔で並べて形成され、これによって各板状
物２４、２４…の間に前記スリット２４ａ、２４ａ…を
形成したものである。
の長手方向（図面で左右方向）に沿って所定の間隔でガ
ス通過間隙用の８個のスリット２４ａ、２４ａ…を形成
してなる仕切板で上下に区画されている。そして、仕切
板の上部には汚染防止用の高温ガスを供給するガス供給
室２０が、下部には第５図に例示した試料部材２８を加
熱する加熱室２２が形成されている。尚、前記試料部材
２８は、第５図のように長方形の板状のリードフレーム
４６上に導電性樹脂接着剤４８、４８…を介して４個の
シリコンチップ５０、５０…を所定の間隔で接合したも
のである。また、前記仕切板は、第２図、第３図に示す
ように、９枚の長方形の板状物２４、２４…の両端が側
板１２の内面１２ａに固着してケーシング１０の長手方
向に所定の間隔で並べて形成され、これによって各板状
物２４、２４…の間に前記スリット２４ａ、２４ａ…を
形成したものである。
また、前記天板１６には、前記スリット２４ａ、２４ａ
…に対応して複数の温度監視孔１６、１６ａ…がケーシ
ング１０の長手方向に沿って３列設けられている。３列
の温度監視孔１６ａ、１６ａ…の上には、各列毎に蓋板
１８、１８、１８が着脱可能に設けられており、これに
よって、３列の温度監視孔１６ａ、１６ａ…は３枚の蓋
板１８、１８、１８により開閉可能になっている。
…に対応して複数の温度監視孔１６、１６ａ…がケーシ
ング１０の長手方向に沿って３列設けられている。３列
の温度監視孔１６ａ、１６ａ…の上には、各列毎に蓋板
１８、１８、１８が着脱可能に設けられており、これに
よって、３列の温度監視孔１６ａ、１６ａ…は３枚の蓋
板１８、１８、１８により開閉可能になっている。
前記ガス供給室２０には、ヒータ２７を内蔵した一対の
ガス導入管２６、２６が連設される。該ガス導入管２６
の他端は図示しないガス供給源、例えば圧縮空気源に連
設され、該ガス供給源からのガスは、前記ヒータ２７で
所定の温度の昇温されて高温ガスとなり、ガス導入管２
６の開口端部に近接して設けられたガス拡散板２９で拡
散されてガス供給室２０内に導入される。ガス供給室２
０内に導入された高温ガスは、仕切板の前記８個のスリ
ット２４ａ、２４ａ…を介して層状に下方に流れ、加熱
室２２内に供給される。尚、前記ガス拡散板２９は必要
に応じ設けられる。
ガス導入管２６、２６が連設される。該ガス導入管２６
の他端は図示しないガス供給源、例えば圧縮空気源に連
設され、該ガス供給源からのガスは、前記ヒータ２７で
所定の温度の昇温されて高温ガスとなり、ガス導入管２
６の開口端部に近接して設けられたガス拡散板２９で拡
散されてガス供給室２０内に導入される。ガス供給室２
０内に導入された高温ガスは、仕切板の前記８個のスリ
ット２４ａ、２４ａ…を介して層状に下方に流れ、加熱
室２２内に供給される。尚、前記ガス拡散板２９は必要
に応じ設けられる。
加熱室２２は、ケーシング１０の長手方向の一方（第２
図中右側）に前述した試料部材２８の搬入口３０を、他
方（第２図中左側）に搬出口３２を有すると共に、底板
１４（第２図中）に排気系に連通するガス排気口４４が
設けられる。
図中右側）に前述した試料部材２８の搬入口３０を、他
方（第２図中左側）に搬出口３２を有すると共に、底板
１４（第２図中）に排気系に連通するガス排気口４４が
設けられる。
また、加熱室２２内には、発熱量を自動制御できるヒー
タ等の加熱手段を有し、その表面を所定の温度に設定で
きる８個の角柱状のヒートブロック３４、３４…が設け
られる。８個のヒートブロック３４、３４…は、第２
図、第３図に示すように、その長手方向の両端を側板１
２の内面１２ａに固着してケーシング１０の長手方向に
沿って所定の間隔で、且つ底板１４と所定の間隙を形成
して設けられ、この際、各ヒートブロック３４、３４…
は、その長手方向が仕切板の各スリット２４ａ、２４ａ
に対応して配設される。これによって、各スリット２４
ａ、２４ａから下方に導出する高温ガスは、各ヒートブ
ロック３４、３４の表面に均一に、且つ層状に吹き付け
られ、その後は各ヒートブロック３４相互の間、及びヒ
ートブロック３４と加熱室２２の底面との間に形成され
るガス排気通路４２を流れてガス排気口４４から加熱室
２０の外部に排出される。尚、搬出口３２には、前記ヒ
ートブロック３４以外に、必要に応じ非加熱ブロック４
０が設置される。
タ等の加熱手段を有し、その表面を所定の温度に設定で
きる８個の角柱状のヒートブロック３４、３４…が設け
られる。８個のヒートブロック３４、３４…は、第２
図、第３図に示すように、その長手方向の両端を側板１
２の内面１２ａに固着してケーシング１０の長手方向に
沿って所定の間隔で、且つ底板１４と所定の間隙を形成
して設けられ、この際、各ヒートブロック３４、３４…
は、その長手方向が仕切板の各スリット２４ａ、２４ａ
に対応して配設される。これによって、各スリット２４
ａ、２４ａから下方に導出する高温ガスは、各ヒートブ
ロック３４、３４の表面に均一に、且つ層状に吹き付け
られ、その後は各ヒートブロック３４相互の間、及びヒ
ートブロック３４と加熱室２２の底面との間に形成され
るガス排気通路４２を流れてガス排気口４４から加熱室
２０の外部に排出される。尚、搬出口３２には、前記ヒ
ートブロック３４以外に、必要に応じ非加熱ブロック４
０が設置される。
更に、加熱室２２には、試料部材２８を搬入口３０から
搬出口３２に向けて順次ヒートブロック３４上に載置し
ていく搬送手段が設けられている。この搬送手段は、第
４図に示すように、ケーシング１０の長手方向に沿って
各ヒートブロック３４の表面に形成した一対の溝３４
ａ、３４ａに配せられる一対のワイヤロープ３６、３６
と、図示しないタクト送り装置とからなる。
搬出口３２に向けて順次ヒートブロック３４上に載置し
ていく搬送手段が設けられている。この搬送手段は、第
４図に示すように、ケーシング１０の長手方向に沿って
各ヒートブロック３４の表面に形成した一対の溝３４
ａ、３４ａに配せられる一対のワイヤロープ３６、３６
と、図示しないタクト送り装置とからなる。
前記ワイヤロープ３６、３８には各々ヒートブロック３
４の間隔毎に図３に示すように係止部材３７、３７…が
設けられ、且つワイヤーロープ３６、３８の各係止部材
３７は互いに対応して設けられている。
４の間隔毎に図３に示すように係止部材３７、３７…が
設けられ、且つワイヤーロープ３６、３８の各係止部材
３７は互いに対応して設けられている。
また、タクト送り装置は、一対のワイヤロープ３６、３
８を第２図に示す矢印Ａ方向、Ｂ方向、Ｃ方向、Ｄ方向
に順に移動させるもので、Ａ方向とＣ方向の移動距離
は、隣合うヒートブロック３４の間隔に一致している。
これによって、一対のワイヤロープ３６、３８の係止部
材３７、３７の間に載置された試料部材２８は、第２図
の矢印Ａ方向の移動によって、搬入口３０側の係止部材
３７に押されて搬出口３２側に搬送され、次いで矢印Ｂ
方向の移動によってヒートブロック３４の表面に載置さ
れる。この後の、矢印Ｃ方向、Ｄ方向に移動によってワ
イヤーロープ３６、３８は初期の位置に復帰するが、試
料部材２８はそのままとされる。この繰り返しによっ
て、試料部材２８は搬出口３０から搬出口３２に向けて
順次ヒートブロック３４上に載置される。
８を第２図に示す矢印Ａ方向、Ｂ方向、Ｃ方向、Ｄ方向
に順に移動させるもので、Ａ方向とＣ方向の移動距離
は、隣合うヒートブロック３４の間隔に一致している。
これによって、一対のワイヤロープ３６、３８の係止部
材３７、３７の間に載置された試料部材２８は、第２図
の矢印Ａ方向の移動によって、搬入口３０側の係止部材
３７に押されて搬出口３２側に搬送され、次いで矢印Ｂ
方向の移動によってヒートブロック３４の表面に載置さ
れる。この後の、矢印Ｃ方向、Ｄ方向に移動によってワ
イヤーロープ３６、３８は初期の位置に復帰するが、試
料部材２８はそのままとされる。この繰り返しによっ
て、試料部材２８は搬出口３０から搬出口３２に向けて
順次ヒートブロック３４上に載置される。
次に、前記の如く構成された加熱硬化装置の動作につい
て説明する。
て説明する。
先ず、前記搬送手段によって搬出口３０側の最初のヒー
トブロック３４に試料部材２８を載置する。この時、ヒ
ートブロック３４は所定の温度に加熱されているので、
該ヒートブロック３４に載置された試料部材２８は加熱
され、導電性樹脂接着剤４８は熱硬化しながら有害ガス
を発生する。試料部材２８をヒートブロック３４上で加
熱すると同時に、ガス供給室２０内の高温ガスを、スリ
ット２４ａを介してヒートブロック３４の表面に吹き付
ける。これによって、スリット２４ａを層状に流れ試料
部材２８の表面に均一に吹き付けられた高温ガスは、試
料部材２８から発生した有害ガスを同伴し、各ヒートブ
ロック３４、３４…間の通路４２ａ及び各ヒートブロッ
ク３４、３４…と底板１４との間に形成される排気通路
４２を介して底板１４のガス排気口４４から外部に搬出
する。
トブロック３４に試料部材２８を載置する。この時、ヒ
ートブロック３４は所定の温度に加熱されているので、
該ヒートブロック３４に載置された試料部材２８は加熱
され、導電性樹脂接着剤４８は熱硬化しながら有害ガス
を発生する。試料部材２８をヒートブロック３４上で加
熱すると同時に、ガス供給室２０内の高温ガスを、スリ
ット２４ａを介してヒートブロック３４の表面に吹き付
ける。これによって、スリット２４ａを層状に流れ試料
部材２８の表面に均一に吹き付けられた高温ガスは、試
料部材２８から発生した有害ガスを同伴し、各ヒートブ
ロック３４、３４…間の通路４２ａ及び各ヒートブロッ
ク３４、３４…と底板１４との間に形成される排気通路
４２を介して底板１４のガス排気口４４から外部に搬出
する。
前記搬送手段によって複数の試料部材２８を連続してヒ
ートブロック３４上で加熱処理したときでも、各試料部
材２８には上方から高温ガスが吹き付けられ、前記同様
に、加熱時に発生した有害ガスが高温ガスに同伴されて
その状態で下方に流れ加熱室の外部に搬出される。この
際、有害ガスを同伴した高温ガスは他のヒートブロック
３４に接触せず、そのまま外部に排気されるので、有害
ガスによる試料部材２８の二次汚染を防止することがで
きる。
ートブロック３４上で加熱処理したときでも、各試料部
材２８には上方から高温ガスが吹き付けられ、前記同様
に、加熱時に発生した有害ガスが高温ガスに同伴されて
その状態で下方に流れ加熱室の外部に搬出される。この
際、有害ガスを同伴した高温ガスは他のヒートブロック
３４に接触せず、そのまま外部に排気されるので、有害
ガスによる試料部材２８の二次汚染を防止することがで
きる。
第６図は、１つの試料部材２８を８個のヒートブロック
３４上に順次載置し加熱処理したときの該試料部材２８
の温度プロファイルの一例で、図のように、試料部材２
８は搬入口３０から搬出口３２に向って段階的に加熱さ
れる。そして、試料部材２８が搬出口３２のブロック４
０に載置されると、図示しないガス供給手段から非高温
ガスが試料部材２８に吹き付けられ試料部材２８は冷却
された後、搬出口３２の外に搬送される。尚、汚染防止
用の高温ガスとして、通常は空気を用いるが、試料部材
２８が酸化され易い材質である場合には、窒素ガス等の
不活性ガスを用いるのが望ましい。
３４上に順次載置し加熱処理したときの該試料部材２８
の温度プロファイルの一例で、図のように、試料部材２
８は搬入口３０から搬出口３２に向って段階的に加熱さ
れる。そして、試料部材２８が搬出口３２のブロック４
０に載置されると、図示しないガス供給手段から非高温
ガスが試料部材２８に吹き付けられ試料部材２８は冷却
された後、搬出口３２の外に搬送される。尚、汚染防止
用の高温ガスとして、通常は空気を用いるが、試料部材
２８が酸化され易い材質である場合には、窒素ガス等の
不活性ガスを用いるのが望ましい。
前記仕切板、天板１６、温度監視孔１６ａ、１６ａ…を
覆う蓋板１８を透明な材料を用いて形成すると、ヒート
ブロック３４上の試料部材２８をケーシング１０の上か
ら目視することができる。これによって、搬送手段によ
るヒートブロック３４上での試料部材２８の位置ずれ、
ヒートブロック３４に内蔵された発熱体の故障、発熱体
を制御する制御手段の故障等による該ヒートブロック３
４の異常加熱等を監視でき、不具合が発生したときは、
試料部材２８の搬送速度を調整したり一時的に停止する
等の処理を行うことができる。
覆う蓋板１８を透明な材料を用いて形成すると、ヒート
ブロック３４上の試料部材２８をケーシング１０の上か
ら目視することができる。これによって、搬送手段によ
るヒートブロック３４上での試料部材２８の位置ずれ、
ヒートブロック３４に内蔵された発熱体の故障、発熱体
を制御する制御手段の故障等による該ヒートブロック３
４の異常加熱等を監視でき、不具合が発生したときは、
試料部材２８の搬送速度を調整したり一時的に停止する
等の処理を行うことができる。
また、本実施例では、天板１６の温度監視孔１６ａ、仕
切板のスリット２４ａ、ヒートブロック３４の表面は同
一線上に位置するので、蓋板１８を外し、温度監視孔１
６ａから熱電対等の測温手段を挿入し、試料部材２８に
接触させることにより試料部材２８の温度を測定するこ
とができ、これによって、ヒートブロック３４による異
常加熱の有無を知ることができる。この場合、熱電対の
先端は試料部材２８に接触するだけなので、熱電対の先
端を試料部材２８に接着して測定した正確な温度より
２、３℃低く測温されるが、異常加熱を知るには十分で
ある。
切板のスリット２４ａ、ヒートブロック３４の表面は同
一線上に位置するので、蓋板１８を外し、温度監視孔１
６ａから熱電対等の測温手段を挿入し、試料部材２８に
接触させることにより試料部材２８の温度を測定するこ
とができ、これによって、ヒートブロック３４による異
常加熱の有無を知ることができる。この場合、熱電対の
先端は試料部材２８に接触するだけなので、熱電対の先
端を試料部材２８に接着して測定した正確な温度より
２、３℃低く測温されるが、異常加熱を知るには十分で
ある。
以上説明したように本考案に係る加熱硬化装置によれ
ば、ガス供給室からの高温ガスが仕切板のスリットを介
して加熱室内のヒートブロック上の試料部材に均一に吹
き付けられる構成にすると共に、吹き付け後の高温ガス
が各ヒートブロック相互の間を通って加熱室の底部に形
成した排気口から加熱室の他に搬出するよう構成したの
で、試料部材の接着剤から発生し、前記高温ガスに同伴
された有害ガスが他の試料部材に接触することがなく、
試料部材の品質を向上することができる。
ば、ガス供給室からの高温ガスが仕切板のスリットを介
して加熱室内のヒートブロック上の試料部材に均一に吹
き付けられる構成にすると共に、吹き付け後の高温ガス
が各ヒートブロック相互の間を通って加熱室の底部に形
成した排気口から加熱室の他に搬出するよう構成したの
で、試料部材の接着剤から発生し、前記高温ガスに同伴
された有害ガスが他の試料部材に接触することがなく、
試料部材の品質を向上することができる。
また、前記仕切板及び天板を透明な材質で形成して目視
で監視したり、ガス供給室の温度監視孔から加熱中の試
料部材の温度を測定したりするようにしたので、試料部
材の品質、生産能率を向上することができる。
で監視したり、ガス供給室の温度監視孔から加熱中の試
料部材の温度を測定したりするようにしたので、試料部
材の品質、生産能率を向上することができる。
第１図は本考案に係る加熱硬化装置の実施例を示す一部
透視を含む平面図、第２図は第１図中に於けるＡ−Ａ線
上に沿う断面図、第３図は第２図の要部拡大図、第４図
は第１図中に於けるＢ−Ｂ線上に沿う断面図、第５図は
試料部材の実施例を示す平面図、第６図は本発明に係る
加熱硬化装置で作成された温度プロファイルの実施例を
示す説明図である。 １６ａ……温度監視孔、２０……ガス供給室、 ２２……加熱室、２５……仕切板、 ２４ａ……スリット、２８……試料部材、 ３４……ヒートブロック、 ３６、３８……ワイヤロープ、 ４４……ガス排気口。
透視を含む平面図、第２図は第１図中に於けるＡ−Ａ線
上に沿う断面図、第３図は第２図の要部拡大図、第４図
は第１図中に於けるＢ−Ｂ線上に沿う断面図、第５図は
試料部材の実施例を示す平面図、第６図は本発明に係る
加熱硬化装置で作成された温度プロファイルの実施例を
示す説明図である。 １６ａ……温度監視孔、２０……ガス供給室、 ２２……加熱室、２５……仕切板、 ２４ａ……スリット、２８……試料部材、 ３４……ヒートブロック、 ３６、３８……ワイヤロープ、 ４４……ガス排気口。
Claims (3)
- 【請求項１】側板と底板と天板とによって箱型に形成さ
れたケーシングの内部を、該ケーシングの長手方向に沿
って所定の間隔でスリットを形成してなる仕切板によっ
て上下に区画し、該仕切板の上部に高温ガスを供給する
ガス供給室を、下部に加熱時に有害ガスが発生する試料
部材を加熱する加熱室を形成すると共に、該加熱室内に
前記仕切板のスリットに対応させ、かつ、加熱室の底面
から間隙を形成して前記試料部材を加熱するための複数
の角柱状のヒートブロックを設け、これらのヒートブロ
ック上に順次前記試料部材を載置していく搬送手段を設
け、加熱室の底部に排気系に連通するガス排気口を設け
たことを特徴とする加熱硬化装置。 - 【請求項２】前記仕切板及び天板が透明な材質で形成さ
れていることを特徴とする請求項(1)記載の加熱硬化装
置。 - 【請求項３】前記仕切板のスリットに対応して前記天板
に開閉自在な温度監視孔が形成されたことを特徴とする
請求項(1)記載の加熱硬化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989106355U JPH0619546Y2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 加熱硬化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989106355U JPH0619546Y2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 加熱硬化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0345937U JPH0345937U (ja) | 1991-04-26 |
| JPH0619546Y2 true JPH0619546Y2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=31655086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989106355U Expired - Lifetime JPH0619546Y2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 加熱硬化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0619546Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023530706A (ja) * | 2020-06-18 | 2023-07-19 | クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク． | ダイアタッチシステム、フリップチップボンディングシステム、クリップアタッチシステムなどの装置のためのオーブンおよびその関連方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3156500B2 (ja) * | 1994-05-11 | 2001-04-16 | 松下電器産業株式会社 | キュア装置 |
| JP4562231B2 (ja) * | 2000-03-07 | 2010-10-13 | 日立化成工業株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物硬化製品の製造装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS61185990U (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-20 | ||
| JPS63239957A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Nec Corp | 半導体装置製造方法 |
| JPS63316444A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 銀ペ−ストキュア装置における加熱装置 |
| JPS63316443A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 銀ペ−ストキュア装置 |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP1989106355U patent/JPH0619546Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023530706A (ja) * | 2020-06-18 | 2023-07-19 | クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク． | ダイアタッチシステム、フリップチップボンディングシステム、クリップアタッチシステムなどの装置のためのオーブンおよびその関連方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0345937U (ja) | 1991-04-26 |
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