JPH048426U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH048426U JPH048426U JP4923790U JP4923790U JPH048426U JP H048426 U JPH048426 U JP H048426U JP 4923790 U JP4923790 U JP 4923790U JP 4923790 U JP4923790 U JP 4923790U JP H048426 U JPH048426 U JP H048426U
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- JP
- Japan
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- wafer
- sectional
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- Pending
Links
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- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
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- -1 ion ion Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
Description
第１図Ａは一実施例の平面図、ＢはそのＡ−Ａ
′線位置での断面図、第２図は他の実施例を示す
平面図である。第３図は第１図の実施例の製造方
法を示す工程図であり、Ａはレジストパターンが
形成された状態の平面図、ＢはそのＡ−Ａ′線位
置での断面図、Ｃはイオン注入工程を示す断面図
、Ｄはレジストを除去した状態の平面図、ＥはＤ
のＢ−Ｂ′線位置での断面図、第４図は第１図の
実施例の他の製造方法を示す正面図、第５図は第
２図の実施例の製造方法を示す工程図であり、Ａ
はインゴツトにイオン注入された状態の斜視図、
Ｂはスライスされた後のウエハの平面図である。
第６図は熱波技術によりウエハの不純物注入領域
を検出する装置を示す概略構成図、第７図は第６
図で得られる検出信号を示す図、第８図は比抵抗
の差を検出して不純物注入領域を検出する装置を
示すブロツク図、第９図は第８図で得られる検出
信号を示す図である。 ２……ウエハ、４，６……不純物注入領域、８
……レジスト。
′線位置での断面図、第２図は他の実施例を示す
平面図である。第３図は第１図の実施例の製造方
法を示す工程図であり、Ａはレジストパターンが
形成された状態の平面図、ＢはそのＡ−Ａ′線位
置での断面図、Ｃはイオン注入工程を示す断面図
、Ｄはレジストを除去した状態の平面図、ＥはＤ
のＢ−Ｂ′線位置での断面図、第４図は第１図の
実施例の他の製造方法を示す正面図、第５図は第
２図の実施例の製造方法を示す工程図であり、Ａ
はインゴツトにイオン注入された状態の斜視図、
Ｂはスライスされた後のウエハの平面図である。
第６図は熱波技術によりウエハの不純物注入領域
を検出する装置を示す概略構成図、第７図は第６
図で得られる検出信号を示す図、第８図は比抵抗
の差を検出して不純物注入領域を検出する装置を
示すブロツク図、第９図は第８図で得られる検出
信号を示す図である。 ２……ウエハ、４，６……不純物注入領域、８
……レジスト。
Claims (1)
- 一部分に位置合わせマークとして不純物注入領
域が形成されている半導体ウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4923790U JPH048426U (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4923790U JPH048426U (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH048426U true JPH048426U (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=31566754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4923790U Pending JPH048426U (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH048426U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024009590A1 (ja) * | 2022-07-07 | 2024-01-11 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP4923790U patent/JPH048426U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024009590A1 (ja) * | 2022-07-07 | 2024-01-11 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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