JPH0485722A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0485722A JPH0485722A JP2199993A JP19999390A JPH0485722A JP H0485722 A JPH0485722 A JP H0485722A JP 2199993 A JP2199993 A JP 2199993A JP 19999390 A JP19999390 A JP 19999390A JP H0485722 A JPH0485722 A JP H0485722A
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- JP
- Japan
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- ferrite
- magnetic
- powder
- phase
- recording medium
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気テープや磁気ディスクなどの磁気記録媒体
に関する。
に関する。
この種の磁気記録媒体において、その記録再生特性を向
上させるために、磁性粉として板状六方晶フェライト粉
を用いた垂直磁気記録媒体の開発が行われている。
上させるために、磁性粉として板状六方晶フェライト粉
を用いた垂直磁気記録媒体の開発が行われている。
板状六方晶フェライト粉としては、従来より、水熱法な
どの方法で合成される置換型のM相マグネトプランバイ
ト型13aフェライト粉がよく用いられている。
どの方法で合成される置換型のM相マグネトプランバイ
ト型13aフェライト粉がよく用いられている。
しかるに、上記公知の板状六方晶フェライト粉は、飽和
磁化(σS)が約55emu/g程度と低いため、これ
を用いた磁気記録媒体は記録再生の出力が充分に得られ
ないという欠点があった。
磁化(σS)が約55emu/g程度と低いため、これ
を用いた磁気記録媒体は記録再生の出力が充分に得られ
ないという欠点があった。
また、上記磁性粉はその電気抵抗が高いためこれを用い
て磁気記録媒体を作製するには、磁性層中に導電性フィ
ラーを多く添加したり、導電性下塗り層などを形成する
必要があり、コストが高くなったり、製造工程が複雑に
なるという欠点もあった。
て磁気記録媒体を作製するには、磁性層中に導電性フィ
ラーを多く添加したり、導電性下塗り層などを形成する
必要があり、コストが高くなったり、製造工程が複雑に
なるという欠点もあった。
本発明は、上記従来の欠点を解消し、出力特性や電気抵
抗の面で信転性にすぐれた磁気記録媒体を得ることを目
的としている。
抗の面で信転性にすぐれた磁気記録媒体を得ることを目
的としている。
本発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検討し
た結果、3種類のフェライト構成からなる特定の結晶構
造を有する板状六方晶フェライト粉が高い飽和磁化と低
い電気抵抗を有して、これを磁性粉として用いた磁気記
録媒体の出力特性や表面電気抵抗の低減に非常に良好な
結果をもたらすものであることを知り、本発明を完成す
るに至った。
た結果、3種類のフェライト構成からなる特定の結晶構
造を有する板状六方晶フェライト粉が高い飽和磁化と低
い電気抵抗を有して、これを磁性粉として用いた磁気記
録媒体の出力特性や表面電気抵抗の低減に非常に良好な
結果をもたらすものであることを知り、本発明を完成す
るに至った。
すなわち、本発明は、非磁性基体上に磁性粉および結合
剤を含む磁性層を設けた磁気記録媒体において、上記の
磁性粉として、スピネルフェライトおよびM相マグネト
プランバイト型フェライトをそれぞれ3〜50重量%含
み、残部がW相マグネトプランバイト型フェライトであ
る板状六方晶フェライト粉を用いたことを特徴とする磁
気記録媒体に係るものである。
剤を含む磁性層を設けた磁気記録媒体において、上記の
磁性粉として、スピネルフェライトおよびM相マグネト
プランバイト型フェライトをそれぞれ3〜50重量%含
み、残部がW相マグネトプランバイト型フェライトであ
る板状六方晶フェライト粉を用いたことを特徴とする磁
気記録媒体に係るものである。
本発明に用いる板状六方晶フェライト粉は、W相マグネ
トプランバイト型フェライトを主体としたものであるが
、このW相マグネトプランバイト型フェライトとは、つ
ぎの一般式; %式% で表される分子式を有するもので、式中のAはBa *
S r 、p b 、 Caの中から選ばれる少
なくとも1種の元素、Mはl’;’e、Co、Ni、Z
n、Cu、Mgの中から選ばれる少なくとも1種の二価
金属イオンである。
トプランバイト型フェライトを主体としたものであるが
、このW相マグネトプランバイト型フェライトとは、つ
ぎの一般式; %式% で表される分子式を有するもので、式中のAはBa *
S r 、p b 、 Caの中から選ばれる少
なくとも1種の元素、Mはl’;’e、Co、Ni、Z
n、Cu、Mgの中から選ばれる少なくとも1種の二価
金属イオンである。
このようなW相マグネトプランバイト型フェライトは、
従来より、M相マグネトプランバイト型フェライトに比
べて飽和磁化が高いということで、その合成が試みられ
てきたが、W相が生成する温度は1,300〜1,40
0℃程度と高いため、粒子成長が避けられず、微粒子を
得ることが困難であった。
従来より、M相マグネトプランバイト型フェライトに比
べて飽和磁化が高いということで、その合成が試みられ
てきたが、W相が生成する温度は1,300〜1,40
0℃程度と高いため、粒子成長が避けられず、微粒子を
得ることが困難であった。
本発明では、上記問題の克服のために、W相マグネトプ
ランバイト型フェライト中にM相マグネトプランバイト
型フェライトを少量含有させてみたところ、比較的低温
で合成が可能となって、微粒子でかつ粒度分布のそろっ
た磁性粉が得られることを見い出したものである。
ランバイト型フェライト中にM相マグネトプランバイト
型フェライトを少量含有させてみたところ、比較的低温
で合成が可能となって、微粒子でかつ粒度分布のそろっ
た磁性粉が得られることを見い出したものである。
ここで、M相マグネトプランバイト型フェライトは、W
相マグネトプランバイト型フェライトと比較すると、ス
ピネルブロックSとBa(その他前記式のA金属)の入
ったブロックRを有するという点で共通点を有するが、
その配列が、W相ではS S RS’S’R′であるの
に対し、M相ではS RS’R′であるという点で結晶
構造上明確な差異を有している〔「磁気工学の基礎IJ
P192〜193(昭和48年共立出版株式会社発行;
太田恵造著)を参照〕。
相マグネトプランバイト型フェライトと比較すると、ス
ピネルブロックSとBa(その他前記式のA金属)の入
ったブロックRを有するという点で共通点を有するが、
その配列が、W相ではS S RS’S’R′であるの
に対し、M相ではS RS’R′であるという点で結晶
構造上明確な差異を有している〔「磁気工学の基礎IJ
P192〜193(昭和48年共立出版株式会社発行;
太田恵造著)を参照〕。
一方、この両マグネトプランバイト型フェライトは、共
に電気抵抗が高いという欠点がある。そこで、本発明で
は、この両フェライトに対してさらに少量のスピネルフ
ェライトを含有させて上記欠点を回避するようにしたも
のである。
に電気抵抗が高いという欠点がある。そこで、本発明で
は、この両フェライトに対してさらに少量のスピネルフ
ェライトを含有させて上記欠点を回避するようにしたも
のである。
すなわち、このスピネルフェライトは、スピネル形結晶
構造を持ったMO−Fez○3(Mは前記と同じ)で表
わされる分子式を有する立方晶のフェライトであって、
その電気抵抗が103程度と低いため、これを含ませる
ことにより粉末全体の電気抵抗の低減に大きく寄与させ
ることができるのである。
構造を持ったMO−Fez○3(Mは前記と同じ)で表
わされる分子式を有する立方晶のフェライトであって、
その電気抵抗が103程度と低いため、これを含ませる
ことにより粉末全体の電気抵抗の低減に大きく寄与させ
ることができるのである。
このように、本発明の板状六方晶フェライト粉は、W相
マグネトプランバイト型フェライトを主体とし、これに
M相マグネトプランバイト型フェライトおよびスピネル
フェライトを含有させたことにより、微粒子で飽和磁化
が高く、かつ電気抵抗が低いという特徴を有し、特にス
ピネルフェライトを磁性粉の表面に局在させた場合に電
気抵抗の低減に大きな効果が得られるものである。
マグネトプランバイト型フェライトを主体とし、これに
M相マグネトプランバイト型フェライトおよびスピネル
フェライトを含有させたことにより、微粒子で飽和磁化
が高く、かつ電気抵抗が低いという特徴を有し、特にス
ピネルフェライトを磁性粉の表面に局在させた場合に電
気抵抗の低減に大きな効果が得られるものである。
このような板状六方晶フェライト粉において、M相マグ
ネトプランバイト型フェライトおよびスピネルフェライ
トの含有量は、それぞれ3〜50重量%、好ましくは5
〜30重量%の範囲内とすべきである。それぞれが3重
量%未満となると効果がなく、またそれぞれが50重量
%を超えると飽和磁化が低くなる。なお、この飽和磁化
を高くするという観点から、M相マグネトプランバイト
型フェライトおよびスピネルフェライトの合計量が、好
ましくは50重量%以下、特に30重量%以下であるの
がよい。
ネトプランバイト型フェライトおよびスピネルフェライ
トの含有量は、それぞれ3〜50重量%、好ましくは5
〜30重量%の範囲内とすべきである。それぞれが3重
量%未満となると効果がなく、またそれぞれが50重量
%を超えると飽和磁化が低くなる。なお、この飽和磁化
を高くするという観点から、M相マグネトプランバイト
型フェライトおよびスピネルフェライトの合計量が、好
ましくは50重量%以下、特に30重量%以下であるの
がよい。
このように構成される本発明の板状六方晶フェライト粉
において、その保磁力は、200〜2.000エルステ
ツドの範囲にあるのが好ましい。200工ルステツド未
満になると高密度記録が良好に行えず、2,000エル
ステツドを超えると磁気記録媒体用として適さない。
において、その保磁力は、200〜2.000エルステ
ツドの範囲にあるのが好ましい。200工ルステツド未
満になると高密度記録が良好に行えず、2,000エル
ステツドを超えると磁気記録媒体用として適さない。
また、このフェライト粉の平均粒子径としては、0.0
2〜0.5μmであるのが好ましい。0.02μm未満
では十分な磁性が得られず、0.5μmを超えると磁性
層の表面平滑性を十分に向上させることができず高密度
記録が行えない。
2〜0.5μmであるのが好ましい。0.02μm未満
では十分な磁性が得られず、0.5μmを超えると磁性
層の表面平滑性を十分に向上させることができず高密度
記録が行えない。
本発明に用いる上記の板状六方晶フェライト粉は、たと
えば以下のようにして合成することができる。まず、目
的とする組成のフェライトを構成する元素を含む化合物
、たとえばBa、Sr、PbおよびFe、Co、N+な
どの塩化物などの水溶液をアルカリ水溶液中に添加し、
沈澱物を得る。
えば以下のようにして合成することができる。まず、目
的とする組成のフェライトを構成する元素を含む化合物
、たとえばBa、Sr、PbおよびFe、Co、N+な
どの塩化物などの水溶液をアルカリ水溶液中に添加し、
沈澱物を得る。
つぎに、この沈澱物を水洗、ろ過したのち、これにNa
C1などのフラックスを加えて、1.100〜]、、
400℃に数時間加熱焼成する。冷却後、フラックスを
除去することによって、上記の板状六方晶フェライト粉
が得られる。
C1などのフラックスを加えて、1.100〜]、、
400℃に数時間加熱焼成する。冷却後、フラックスを
除去することによって、上記の板状六方晶フェライト粉
が得られる。
このフェライト粉の合成において、スピネルフェライト
およびM相マグネトプランバイト型フェライトの含有量
については、仕込み組成、加熱温度、加熱時間を変える
ことにより、任意にコントロールできる。
およびM相マグネトプランバイト型フェライトの含有量
については、仕込み組成、加熱温度、加熱時間を変える
ことにより、任意にコントロールできる。
また、特にスピネルフェライトを含有させる方法として
は、上記以外に下記■、■の方法も有効である。
は、上記以外に下記■、■の方法も有効である。
■ 焼成によりM相マグネトプランバイト型フェライト
を含むW相マグネトプランバイト型フェライト粉を合成
したのち、フラックスを除去し、これを水素などの還元
性雰囲気中で150〜400℃で0.5〜2時間加熱す
ることにより、表面層のみスピネルフェライトに変成さ
せる。
を含むW相マグネトプランバイト型フェライト粉を合成
したのち、フラックスを除去し、これを水素などの還元
性雰囲気中で150〜400℃で0.5〜2時間加熱す
ることにより、表面層のみスピネルフェライトに変成さ
せる。
■ 焼成によりM相マグネトプランバイト型フェライト
を含むW相マグネトプランバイト型フェライト粉を合成
したのち、フラックスを除去し、これをアルカリ溶液中
に分散し、これにp e 2+Co”などのスピネルフ
ェライト構成イオン溶液を添加後、40〜90℃で1〜
6時間加熱撹拌し、反応後、洗浄、ろ過、乾燥すること
によって、表面にスピネルフェライトを形成する。
を含むW相マグネトプランバイト型フェライト粉を合成
したのち、フラックスを除去し、これをアルカリ溶液中
に分散し、これにp e 2+Co”などのスピネルフ
ェライト構成イオン溶液を添加後、40〜90℃で1〜
6時間加熱撹拌し、反応後、洗浄、ろ過、乾燥すること
によって、表面にスピネルフェライトを形成する。
上記■、■の方法では、スピネルフェライトが六方晶フ
ェライト粉の表面に存在し、また電気伝導度を向上させ
るFe”+を多量に含有させることが可能となるため、
電気抵抗の低減に対して特に好ましい結果が得られる。
ェライト粉の表面に存在し、また電気伝導度を向上させ
るFe”+を多量に含有させることが可能となるため、
電気抵抗の低減に対して特に好ましい結果が得られる。
なお、上記の方法にて合成される六方晶フェライト粉に
おいて、スピネルフェライト、M相マグネトプランバイ
ト型フェライトの含有量は、X線回折法によって求める
ことができる。
おいて、スピネルフェライト、M相マグネトプランバイ
ト型フェライトの含有量は、X線回折法によって求める
ことができる。
このような板状六方晶フェライト粉を用いて磁気記録媒
体を製造するには、常法に準じて行えばよく、たとえば
このフェライト粉を結合剤樹脂、有機溶剤などとともに
混合分散して磁性塗料を調製し、この磁性塗料をポリエ
ステルフィルムなどの非磁性基体上に任意の塗布手段に
よって塗布し、乾燥すればよい。
体を製造するには、常法に準じて行えばよく、たとえば
このフェライト粉を結合剤樹脂、有機溶剤などとともに
混合分散して磁性塗料を調製し、この磁性塗料をポリエ
ステルフィルムなどの非磁性基体上に任意の塗布手段に
よって塗布し、乾燥すればよい。
なお、このような板状六方晶フェライト粉を含む磁性塗
料は、非磁性基体上に塗布したのち、磁性層面に対して
垂直方向に磁場を印加して磁場配向を行うと、磁化容易
方向がより良好に垂直方向に配向されるとともに磁性層
の表面平滑性も良好となるため、このような磁場配向を
行うのが好ましい。
料は、非磁性基体上に塗布したのち、磁性層面に対して
垂直方向に磁場を印加して磁場配向を行うと、磁化容易
方向がより良好に垂直方向に配向されるとともに磁性層
の表面平滑性も良好となるため、このような磁場配向を
行うのが好ましい。
ここに用いる結合剤樹脂としては、塩化ビニル酢酸ビニ
ル系共重合体、ポリビニルブチラール樹脂、繊維素系樹
脂、ポリウレタン系樹脂、イソシアネート化合物、放射
線硬化型樹脂など従来汎用の結合剤樹脂が広く用いられ
る。
ル系共重合体、ポリビニルブチラール樹脂、繊維素系樹
脂、ポリウレタン系樹脂、イソシアネート化合物、放射
線硬化型樹脂など従来汎用の結合剤樹脂が広く用いられ
る。
また、有機溶剤としては、トルエン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テト
ラヒドロフラン、酢酸エチルなど従来汎用されている有
機溶剤が単独でまたは2種以上混合して使用される。
ン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テト
ラヒドロフラン、酢酸エチルなど従来汎用されている有
機溶剤が単独でまたは2種以上混合して使用される。
なお、磁性塗料中には、通常使用されている各種の添加
剤、たとえば分散剤、潤滑剤、帯電防止剤などを任意に
添加使用してもよい。
剤、たとえば分散剤、潤滑剤、帯電防止剤などを任意に
添加使用してもよい。
以上のように、本発明では、特定の板状六方晶フェライ
ト粉を使用したことにより、大きな出力を有するととも
に、表面電気抵抗の低い磁気記録媒体を提供することが
できる。
ト粉を使用したことにより、大きな出力を有するととも
に、表面電気抵抗の低い磁気記録媒体を提供することが
できる。
つぎに、本発明の実施例を記載してより具体的に説明す
る。なお、以下において部とあるのは重量部を意味する
。
る。なお、以下において部とあるのは重量部を意味する
。
実施例I
BaCj!2 H2Hz O29g
FeC/!z ・ 6H20503g
ZnCl2 2.7gを水5Il
に溶解し、これを2規定のNaOH水溶液51と混合し
て沈澱物を得た。この沈澱物を水洗後、沈澱物の重量に
対して1.5倍のNaCfを添加混合したのち、空気中
1,280℃で8時間加熱した。さらに温度を1,05
0℃とし、N2ガスを流して、4時間加熱後、室温に取
り出し、フラックスを除去して、磁性粉を得た。
に溶解し、これを2規定のNaOH水溶液51と混合し
て沈澱物を得た。この沈澱物を水洗後、沈澱物の重量に
対して1.5倍のNaCfを添加混合したのち、空気中
1,280℃で8時間加熱した。さらに温度を1,05
0℃とし、N2ガスを流して、4時間加熱後、室温に取
り出し、フラックスを除去して、磁性粉を得た。
この磁性粉は、X線回折の結果、10重蓋%のM相マグ
ネトプランバイト型フェライトおよび15重量%のスピ
ネルフェライトを含み、残りがW相マグネトプランバイ
ト型フェライトからなる板状六方晶Baフェライト粉で
あった。
ネトプランバイト型フェライトおよび15重量%のスピ
ネルフェライトを含み、残りがW相マグネトプランバイ
ト型フェライトからなる板状六方晶Baフェライト粉で
あった。
このようにして得た磁性粉を用いて、下記のようにして
磁気ディスク(フロッピーディスク)を作製した。
磁気ディスク(フロッピーディスク)を作製した。
磁性粉 1,000部α−AI
lzOx粉 100部メチルイソブチルケ
トン 800部トルエン
800部上記の組成物をボールミルにて3日間部合
分散したのち、オレイルオレート80部、3官能性イソ
シアネ一ト化合物(日本ポリウレタン社製のコロネート
L)25部を加え、さらに2時間混合分散して磁性塗料
を調製した。
lzOx粉 100部メチルイソブチルケ
トン 800部トルエン
800部上記の組成物をボールミルにて3日間部合
分散したのち、オレイルオレート80部、3官能性イソ
シアネ一ト化合物(日本ポリウレタン社製のコロネート
L)25部を加え、さらに2時間混合分散して磁性塗料
を調製した。
この磁性塗料を厚さ75μmのポリエステルフィルムの
両面に塗布乾燥して磁性層を形成した。
両面に塗布乾燥して磁性層を形成した。
ついで、平滑処理を行ったのち、所定の径の円板状に打
抜きフロッピーディスクを作製した。平滑化処理後の磁
性層の厚さは3μmであった。
抜きフロッピーディスクを作製した。平滑化処理後の磁
性層の厚さは3μmであった。
実施例2
実施例1における磁性粉の合成において、1,050℃
でN2ガス中4時間加熱する工程のみを行わずに、まず
M相マグネトプランバイト型フェライトを15重量%含
み残部がW相マグネトプランバイト型フェライトからな
る板状六方晶Baフェライト粉を合成した。
でN2ガス中4時間加熱する工程のみを行わずに、まず
M相マグネトプランバイト型フェライトを15重量%含
み残部がW相マグネトプランバイト型フェライトからな
る板状六方晶Baフェライト粉を合成した。
つぎに、このフェライト粉10gを2規定のNaOH水
溶液200 cc中に分散後、Fe50.−7Hz03
.OgとC0SO4・7H200,6gを水20gに溶
解した水溶液を添加し、60℃で6時間加熱後、洗浄、
ろ過、乾燥し、表面に9重量%のスピネルフェライトが
形成された板状六方晶Baフェライトからなる磁性粉を
得た。
溶液200 cc中に分散後、Fe50.−7Hz03
.OgとC0SO4・7H200,6gを水20gに溶
解した水溶液を添加し、60℃で6時間加熱後、洗浄、
ろ過、乾燥し、表面に9重量%のスピネルフェライトが
形成された板状六方晶Baフェライトからなる磁性粉を
得た。
この磁性粉を用いて、以下実施例1と同様にして、フロ
ッピーディスクを作製した。
ッピーディスクを作製した。
実施例3
実施例2で途中段階の磁性粉として合成したM相マグネ
トプランバイト型フェライトを15重量%含み残部がW
相マグネトプランバイト型フェライトからなる板状六方
晶Baフェライト粉を、280℃で2時間水蒸気を含有
するH2気流中で加熱後、室温に取り出し、表面層が8
重量%だけスピネルフェライトに変成された板状六方晶
f3aフェライトからなる磁性粉を得た。
トプランバイト型フェライトを15重量%含み残部がW
相マグネトプランバイト型フェライトからなる板状六方
晶Baフェライト粉を、280℃で2時間水蒸気を含有
するH2気流中で加熱後、室温に取り出し、表面層が8
重量%だけスピネルフェライトに変成された板状六方晶
f3aフェライトからなる磁性粉を得た。
この磁性粉を用いて、以下実施例1と同様にして、フロ
ッピーディスクを作製した。
ッピーディスクを作製した。
比較例1
実施例1における磁性粉の合成において、FeCl2・
6H20の使用量を432gとし、かつZnCj!2
の使用量を27gに変え、さらに加熱温度を1,380
℃に変えた以外は、実施例1と同様にして、W相マグネ
トプランバイト型フェライトのみからなる単相の板状六
方晶Baフエライト粉を得た。
6H20の使用量を432gとし、かつZnCj!2
の使用量を27gに変え、さらに加熱温度を1,380
℃に変えた以外は、実施例1と同様にして、W相マグネ
トプランバイト型フェライトのみからなる単相の板状六
方晶Baフエライト粉を得た。
この磁性粉を用いて、以下実施例1と同様にして、フロ
ッピーディスクを作製した。
ッピーディスクを作製した。
比較例2
磁性粉として、水熱法によりCoT ii換型であるM
相マグネトプランバイト型Baフェライト粉を合成した
。この磁性粉を用いて、以下実施例1と同様にして、フ
ロッピーディスクを作製した。
相マグネトプランバイト型Baフェライト粉を合成した
。この磁性粉を用いて、以下実施例1と同様にして、フ
ロッピーディスクを作製した。
以上の実施例および比較例に係る各磁性粉の特性および
これを用いて作製したフロッピーディスクの特性を、つ
ぎの第1表に示す。
これを用いて作製したフロッピーディスクの特性を、つ
ぎの第1表に示す。
上記第1表の結果から、本発明の実施例1〜3に係る磁
性粉は、飽和磁化が高く、かつ粒子径が小さく、しかも
電気抵抗が低いため、これを用いたフロッピーディスク
は、C/N比が高く、表面電気抵抗も低いことが明らか
である。
性粉は、飽和磁化が高く、かつ粒子径が小さく、しかも
電気抵抗が低いため、これを用いたフロッピーディスク
は、C/N比が高く、表面電気抵抗も低いことが明らか
である。
これに対し、比較例1,2の磁性粉は共に電気抵抗が高
いために、これを用いたフロッピーディスクは表面電気
抵抗が高くて帯電ノイズが大きい。
いために、これを用いたフロッピーディスクは表面電気
抵抗が高くて帯電ノイズが大きい。
また、特に比較例1の磁性粉では高い飽和磁化が得られ
ているが、粒子径が大きいために、これを用いたフロッ
ピーディスクの表面粗さが悪く、C/N比が極端に劣っ
ている。
ているが、粒子径が大きいために、これを用いたフロッ
ピーディスクの表面粗さが悪く、C/N比が極端に劣っ
ている。
特許出願人 日立マクセル株式会社
Claims (1)
- (1)非磁性基体上に磁性粉および結合剤を含む磁性層
を設けた磁気記録媒体において、上記の磁性粉として、
スピネルフェライトおよびM相マグネトプランバイト型
フェライトをそれぞれ3〜50重量%含み、残部がW相
マグネトプランバイト型フェライトである板状六方晶フ
ェライト粉を用いたことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2199993A JPH0485722A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2199993A JPH0485722A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0485722A true JPH0485722A (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=16417016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2199993A Pending JPH0485722A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0485722A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112662127A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-04-16 | 陕西生益科技有限公司 | 一种磁介电树脂组合物、包含其的层压板及其印刷电路板 |
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1990
- 1990-07-27 JP JP2199993A patent/JPH0485722A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112662127A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-04-16 | 陕西生益科技有限公司 | 一种磁介电树脂组合物、包含其的层压板及其印刷电路板 |
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