JPH0485944A - フィルムキャリアテープ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はそのリードに半導体チップが接合されてフィル
ムキャリア半導体装置を構成するフィルムキャリアテー
プ及びその製造方法に関する。

［従来の技術］ 第４図は従来のフィルムキャリアテープを示す平面図、
第５図は同じくその断面図である。

ベースフィルム１はポリイミド等の絶縁フィルムを帯状
にしたものであり、その両側縁部には搬送及び位置決め
用のスプロケットホール２が一定の間隔で設けられてい
る。また、ベースフィルム１の幅方向中央部には、矩形
に開口されたデバイスホール３がベースフィルム１の長
手方向に所定のピッチで設けられている。各デバイスホ
ール３の周囲にはり−ド４が配置されている。このり一
ド４は、例えば、ベースフィルム１上に銅等の金属箔を
接着し、フォトレジスト法等を使用して、この金属箔を
選択的にエツチングして所定の形状に成形したものであ
り、リード４のデバイスホール３側の端部はデバイスホ
ール３内に延在し、リード４の他端部にはリード４と同
時に形成された電気選別用パッド５が形成されている。

デバイスホール３の周囲には絶縁フィルムの枠であるサ
スペンダー６が設けられており、このサスペンダー６の
外側には○ＬＢホール（アウタリードボンディングホー
ル）３ａが設けられている。

その先端部がデバイスホール３内に突出しているリード
４は、その中間部がサスペンダー６に支持されることに
より、変形が防止されている。

次に、従来のフィルムキャリアテープの製造方法の１例
について説明する。

先ず、ポリイミド等のベースフィルム１上に、無電解め
っき法又は蒸着法によりＣｕ層を形成する。次に、フォ
トレジスト法により、このＣｕ層上に所定のパターンで
レジスト膜を形成した後、電解めっき法により、レジス
ト膜が被着されていないＣｕ層上にＣｕを選択的に析出
させて、リード４及びバッド５を形成する。その後、フ
ォトレジスト法により、ベースフィルム１を選択的にエ
ツチングして、デバイスホール３、ＯＬＢホール３ａ及
びスプロケットホール２等を形成する。次いで、前記レ
ジスト膜を除去した後、Ｃｕを全体的にエツチングして
、リード４間等に残存するＣｕ層を除去する。そして、
リード４等に所定のめっきを施す。これにより、フィル
ムキャリアテープが完成する。

次に、フィルムキャリアテープを使用したフィルムキャ
リア半導体装置の製造方法について説明する。

フィルムキャリアテープのデバイスホール３の中央には
、半導体チップ７が配置される。この半導体チップ７に
はその電極端子上に金属突起物であるバンプ７ａが形成
されている。そして、このバンプ７ａとリード４とを熱
圧着法又は共晶法等によるインナーリードボンディング
（以下、■ＬＢという）により接続する。

このようにして、デバイスホール３に半導体チップ７を
配置し、リード４及びバンプ７ａを介して半導体チップ
７をフィルムキャリアテープに固定した後、第６図に示
すように、半導体チップ７の表面に、所謂ポツティング
法により液状の樹脂８ａを滴下する。そして、この樹脂
８ａを硬化させることにより、半導体チップ８ａの表面
を樹脂封止する。

その後、半導体チップ７がフィルムキャリアテープに搭
載された状態で、電気選別用パッド５に接触子を接触さ
せることにより、半導体チップ７の電気選別試験及びバ
イアス試験を実施して、不良品を取り除（。これにより
、フィルムキャリア半導体装置が゛完成する。

このフィルムキャリア半導体装置は、第７図に示すよう
にして、プリント基板１０上に実装する。

即ち、先ず、リード４を所望の長さに切断して、半導体
チップ７をフィルムキャリアテープから分離する。そし
て、この半導体チップ７を接着剤８ｂによりプリント基
板１０上に固着する。次に、リード４をプリント基板１
０上のポンディングパッド９にアウタリードボンディン
グ（以下、ＯＬＢという）する。これにより、フィルム
キャリア半導体装置のプリント基板１０への実装が完了
する。

フィルムキャリアテープを使用したフィルムキャリア半
導体装置は、バンブ７ａ及びリード４の数が多くても、
全てのバンプ７ａ及びリード４を同時にボンディングす
ることができるため、ＩＬＢに要する時間が短いという
利点を有すると共に、フィルムキャリアテープを使用す
るため、作業の自動化が容易である等の利点も有してい
る。

ところで、フィルムキャリア半導体装置は、Ａｕ−Ａｕ
の熱圧着、Ａｕ−８ｎの共晶法、導電性接着剤及び半田
を使用したろう付は等によりプリント基板に実装される
。また、抵抗、コンデンサ及び半導体チップをプラスチ
ックパッケージ又はセラミックパッケージに封止した半
導体装置等の部品は、一般的に、半田を使用したろう付
けによりプリント基板に実装される。

この場合に、先ず、印刷法等により、プリント基板のポ
ンディングパッド上に半田ペーストを塗布し、次に、接
着剤を使用して半導体装置及び抵抗等の部品をプリント
基板上の所定位置に接着侃止めし、次いで、赤外線加熱
炉、熱風加熱炉及び加熱蒸気槽等にプリント基板を挿入
し前記半田ペーストを溶融して、半導体装置及び抵抗等
の部品をプリント基板に実装する。このような半田リフ
ロー法による実装は、多くの部品を同時に実装すること
ができ、作業効率が良好である等の利点がある。

しかしながら、フィルムキャリア半導体装置の場合には
、半田リフロー法により実装を行うと、前述の如く、サ
スペンダー６が絶縁フィルムで形成されているため、実
装時の熱のためにこのサスペンダー６が変形して、ＯＬ
Ｂ側のリード先端部の高さにバラツキが発生してしまう
。このため、半田リフロー法でフィルムキャリア半導体
装置を実装する場合には、実装時にリード先端部をプリ
ント基板に向けて押圧しておく必要がある。従って、フ
ィルムキャリア半導体装置の実装は、加熱ツールをリー
ドに押し当てながら行う方法が一般的である。

また、一般的なプリント基板は、ガラスエポキシ又はガ
ラスフェノール等の樹脂を主成分としているため、耐熱
性が比較的低く　Ｎ　Ａ　ｕ　−Ａ　ｕ熱圧着法及びＡ
ｕ−８ｎ共品法による実装は適していない。このため、
ガラスエポキシ又はガラスフェノール等の樹脂を主成分
とするプリント基板に半導体装置等の部品を実装する場
合は、導電性接着剤又は半田を使用して接続されること
が多い。

なお、導電性接着剤は、フィルムキャリア半導体装置の
ＯＬＢに広く使用されているが、接続電気抵抗が高いと
いう欠点があり、使用できる半導体装置が制約される。

例えば、メモリ、マイコン及びゲートアレイ等の高速で
動作する半導体装置には導電性接着剤で実装する方法は
適していない。

これらの半導体装置は、半田により実装することが好ま
しい。

ところで、フィルムキャリア半導体装置の場合は、リー
ドにＡｕ１Ｓｎ又は半田等の金属がめっきされている。

Ｓｎ又は半田めっきされたリードは、半田付けにより半
導体装置を実装する場合に好適である。しかし、Ｓｎめ
っきしたリードにはＳｎホイスカーが発生しやすいとい
う欠点がある。

一方、半田めっきしたリードには、工ＬＢ時に接続部（
ボンディング部）近傍の半田めっき層の半田が溶解し、
この半田が接続部に集中して半田玉が形成され、この半
田玉によりリードと半導体チップとが接続されるという
虞れがある。従って、このような事態を回避するために
は、半田めっき層の厚さが約１μｍと薄くなるようにめ
っき条件を管理すると共に、ＩＬＢ条件も適正に管理す
る必要がある。しかし、このように半田めっき層の厚さ
を管理したとしても、ＯＬＢ時においては、半田めっき
層の厚さが１μｍ程度と薄いために、安定してＯＬＢを
行うことができない。

また、リードにＡｕがめっきされている場合は、リード
と半導体チップとを容易に且つ安定して接合することが
できる。しかし、Ａｕめっき層の厚さが厚い場合は、半
田によるＯＬＢ時に、Ａｕめっき層と半田との接続界面
において、Ａｕ及びＳｎ等の拡散により金属間化合物が
生成され、接続強度が著しく減少する。例えば、約２．
０μｍを超える厚さでＡｕをめっきしたリードを半田に
よりプリント基板に接続すると、当初、接続部は、５０
乃至１００　ｇ又はそれ以上の十分な強度を有している
。しかし、このプリント基板に接続した半導体装置を、
温度が１５０℃の条件で２００乃至３００時間加速試験
を行うと、接続部の強度が１０ｇ以下にまで劣化してし
まう。

このような接続部の強度の劣化は、接続部に発生する金
属間化合物が原因であり、Ａｕの量が多いほど加速され
る。従って、従来は、半田により実装されるフィルムキ
ャリア半導体装置用のフィルムキャリアテープは、Ａｕ
めっき層の厚さを管理して製造されている。この場合に
、接続部における半田に対するＡｕの割合は、約２重量
％を上限とすることが好ましいということが知られてい
る。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来のフィルムキャリアテープには以下
に示す問題点がある。

即ち、近時、フィルムキャリア半導体装置を含む半導体
装置は多ピン化の傾向が著しく、その結果、リードピッ
チは０．５ｍｍ以下というように狭ピッチになっている
。このため、リードと基板との接続面積が減少し、ＯＬ
Ｂ時に、リードにめっきされたＡｕに対して、半田の量
が十分ではないことがある。リードのＡｕめっき層の厚
さを減少することにより接続部におけるＡｕと半田との
割合を調整することも考えられるが、ＩＬＢにおける半
導体チップとリードとの安定した接続を得ると共に、Ｏ
ＬＢにおける接続部の初期強度を確保するために、めっ
き厚の減少にも限度がある。

つまり、フィルムキャリア半導体装置においては、リー
ドのＩＬＢ側の部分には特定の厚さ以上でＡｕめっき層
が形成されているか、又は特定の厚さ以下で半田めっき
層が形成されていることが好ましく、一方、リードのＯ
ＬＢ側の部分には特定の厚さ以下でＡｕめっき層が形成
されているか、又は特定の厚さ以上で半田めっき層が形
成されていることが好ましい。換言すると、フィルムキ
ャリアテープのリードの厚さを部分的に変化させるか、
２種以上の金属により部分的に異種金属をめっきするこ
とが好ましい。

プラスチックパッケージの半導体装置の場合は、機械的
マスキングによりリードに部分的にめっきを行うことも
ある。しかし、フィルムキャリアテープの場合は、−船
釣に、リードは厚さが約３５μｍ、幅が約１００μｍの
Ｃｕからなり、機械的強度が比較的低く、リード変形が
発生しやすいため、機械的マスキングを使用した部分め
っきによりリードのＩＬＢ側とＯＬＢ側とのめっき厚さ
が異なるようにすることは困難である。また、フォトレ
ジスト法によりマスキングを繰り返してリードを保護し
つつ、部分めっき又は異種めっきを施すことも考えられ
るが、そうすると、製造工程が増加し、且つ複雑化して
、フィルムキャリアテープの製造が極めて煩雑になる。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
製造が容易であると共に、リードピッチが小さい場合も
ＩＬＢ及び半田によるＯＬＢを確実に行うことができて
、信頼性が高いフィルムキャリアテープ及びその製造方
法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明に係るフィルムキャリアテープは、スプロケット
ホール及びデバイスホールが設けられたベースフィルム
と、このベースフィルムの一方の面に前記デバイスホー
ルに延出して設けられその両面に金属めっきが施された
リードとを有し、前記リードの一方の面のめっき層及び
他方の面のめっき層は同種の金属からなりその厚さが相
互に異なることを特徴とする。

本発明に係る第１のフィルムキャリアテープの製造方法
は、絶縁性のベースフィルム上に金属層を形成する工程
と、この金属層上に所定のパターンの開口部を有するレ
ジスト膜を設ける工程と、このレジスト膜をマスクとし
て前記金属層上に前記所定のパターンで金属を析出させ
てリードを形成する工程と、前記レジスト膜をマスクと
してこのリード上に第１のめっき層を形成する工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と、前記ベースフィルム
にデバイスホールを設ける工程と、前記リードに対しめ
っきを施して第２のめっき層を形成する工程とを存する
ことを特徴とする。

また、本発明に係る第２のフィルムキャリアテープの製
造方法は、絶縁性のベースフィルムにデバイスホールを
設ける工程と、このベースフィルム上に金属箔を接合す
る工程と、前記ベースフィルムの両面にレジスト膜を被
着する工程と、前記金属箔上の前記レジスト膜を所定の
パターンに成形する工程と、このレジスト膜をマスクと
して前記金属箔をエツチングすることによりリードを得
る工程と、このリード上の前記レジスト膜を除去する工
程と、前記リードにめっきを施して第１のめっき層を形
成する工程と、残存している前記レジスト膜を除去する
工程と、前記リードにめっきを施して第２のめっき層を
形成する工程とを宵することを特徴とする。

［作用コ 本発明においては、リードの両面に形成されているめっ
き層の厚さが相互に異なっている。これにより、例えば
、めっき金属がＡｕの場合は、Ａｕめっき層の層厚が厚
い一方の面でリードを半導体チップに接合し、八しめっ
き層の層厚が薄い他方の面でリードをプリント基板に接
合することにより、ｒＬＢ及びＯＬＢとも良好な接合状
態で接続することができる。また、例えばめっき金属が
半田の場合は、半田めっき層の層厚が厚い一方の面でリ
ードをプリント基板に接続するようにし、半田めっき層
の層厚が薄い他方の面でリードを半導体チップに接続す
るようにすることにより、ＩＬＢ及びＯＬＢとも良好な
接続状態を得ることができる。

ＩＬＢ及びＯＬＢ時に好ましいめっき厚さは、リードピ
ッチ及びプリント基板のボンディングサイズ等により異
なる。リードにめっきされためっき金属がＡｕの場合に
は、ＩＬＢ側の面のめっき厚さをＯＬＢ側の面のめっき
厚さに比して厚くする必要がある。そして、リードと半
導体チップとを良好な状態で接続するためには、ＩＬＢ
側の面のＡｕめっき厚さが０．２μｍ以上であることが
好ましい。また、ＯＬＢ側の面のＡｕめっき厚さが２．
０μｍを超えると、ＯＬＢ時に半田とＡｕとの金属間化
合物が生成されて、接続部の強度が低下するため、ＯＬ
Ｂ側の面のめっき厚さは２．０μｍ以下であることが好
ましい。

これと同様に、リードにめっきされためっき金属が半田
の場合は、ＩＬＢ側の面のめっき厚さをＯＬＢ側の面の
めっき厚さに比して薄くする必要がある。そして、リー
ドと半導体チップとを良好な状態で接合するためには、
ＩＬＢ側の面の半田めっき厚さが３．０μｍ以下である
ことが好ましい。

また、ＯＬＢ側の面の半田めっき厚さは、良好な接合状
態でＯＬＥを行うために、２．０μｍ以上であることが
好ましい。

また、本発明の第１の製造方法においては、レジスト膜
を使用してベースフィルム上に所定のパターンでリード
を形成し、その後前記レジスト膜を使用して、前記リー
ド上に第１のめっき層を形成する。そして、前記ベース
フィルムにデバイスホール等を設けて前記リードの裏面
を露出させた後、前記リードにめっきを施して第２のめ
っき層を形成する。これにより、リードの上面には２層
のめっき層が設けられ、下面には１層のめっき層が設け
られて、表裏面でめっき層の厚さが異なるリードを得る
ことができる。この場合に、第１のめっき層はリード形
成時のレジスト膜をそのまま使用するので、製造工程数
の増加を抑制できる。

更に、本発明の第２の製造方法においては、先ず、ベー
スフィルムにデバイスホール等を設けた後に、このベー
スフィルム上に金属箔を接合する。

ソシテ、ベースフィルムの両面にレジスト膜を被着し、
前記金属箔上の前記レジスト膜をパターニングした後、
このレジスト膜をマスクとし前記金属箔をエツチングし
てリードを得る。次に、コノリード上のレジスト膜を除
去し、前記リードにめっきを施して第１のめっき層を形
成する。次いで、残存しているレジストを完全に除去し
た後、前記リードに対しめっきを施して、第２のめっき
層を形成する。これにより、表裏面でめっき層の厚さが
異なるリードを得ることができる。

［実施例コ 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。

第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第１の実施例に係る
フィルムキャリアテープの製造方法を工程順に示す断面
図である。

先ず、第１図（ａ）に示すように、無電解めっき法又は
蒸着法により、ポリイミド等からなるベースフィルム１
１上にＣｕ層１２を形成する。

次に、第１図（ｂ）に示すように、フォトレジスト法に
より、００層１２上にリード等のパターンが開口された
レジストＭ　１３　ａを設ける。そして、電解めっき法
により、００層１２上にＣｕを選択的に析出させて、リ
ード１４を形成する。その後、このリード１４上にＡｕ
をめっきして、第１のＡｕめっき層１５ａを形成する。

次に、ベースフィルム１１の上面にデバイスホール、Ｏ
ＬＢホール及びスプロケットホール等のパターンが開口
されたレジストｊ！１３ｂを！ける。

次に、第１図（Ｃ）に示すように、レジスト膜１３ｂｔ
−マスクとしてベースフィルム１１に対シエッチングを
施し、スプロケットホール１６ａ１０ＬＢホール１６ｂ
及びデバイスホール１６ｃ等を形成する。

次に、第１図（ｄ）に示すように、レジスト膜１３ａ、
１３ｂを除去した後、Ｃｕを全体的にエツチングする。

これにより、ベースフィルム１１に接触していない部分
のＣｕ層１２が除去される。

その後、電解めっき法により、リード１４にＡｕをめっ
きして、第２のＡｕめっき層１５ｂを形成する。

このようにして製造したフィルムキャリアテープは、リ
ード１４の上面に２層のＡｕめっき層１５ａ、１５ｂが
設けられており、リード１４の下面には１層のＡｕめっ
き層１５ｂが設けられている。従って、リード１４の上
面のＡｕめっき層は下面のＡｕめっき層よりも厚くなっ
ている。また、本実施例においては、リード１４の形成
に使用したレジスト膜１３ａを使用して、第１のＡｕめ
っき層１５ａをリード１４上に選択的に形成するため、
従来の製造方法に比して、製造工程数の増加が少ない。

更に、リード１４がベースフィルム１１上に固定されて
いる状態でＡｕめっきを施すため、めっき工程における
リードの変形を抑制することができる。更にまた、本実
施例方法は、従来の部分厚めつき及び異種めっきの場合
と異なり、サスペンダーが設けられていないフィルムキ
ャリアテープにも適用することができる。

第２図は本実施例のフィルムキャリアテープを使用した
半導体装置の実装方法を示す断面図である。

先ず、リード１４の２層のＡｕめっき層を有する一方の
面を半導体チップ７のバンプ７ａに接触させ、熱圧着法
又は共晶法等により、ＩＪ−）’１４と半導体チップ７
とを接合する。そして、この接合部を含む半導体チップ
７のバンプ７ａ形成面を樹脂８ａで封止する。次に、各
リード１４をＯＬＢホール１６ｂの外縁部側で切断し、
ＩＪ−）’１４をＡｕめっき層が１層である他方の面で
プリント基板１０のパッド９に接触させて、例えば半田
でリード１４とパッド９とを接合する。

この場合に、リード１４と半導体チップ７との接合は、
２層のＡｕめっき層が設けられて比較的厚いＡｕめっき
層を有する側の面で行うため、■ＬＢを良好な状態で行
うことができる。また、ＯＬＢ側の面のＡｕめっき層の
層厚は比較的薄いため、ＯＬＢにおいてＡｕと半田との
金属間化合物が生成されに＜＜、良好な状態でＯＬＢを
行うことができる。

なお、良好な接合状態でＩＬＢを行うためには、ＩＬＢ
側の面のＡｕめっき層の総厚は０．２μｍ以上、より好
ましくは０．５μｍ以上にする。また、ＯＬＢ側の面の
適正なＡｕめっき層の厚さは、プリント基板のポンディ
ングパッドサイズ及びＯＬＢ時に接合部に供給される半
田の量により異なる。

しかし、良好な接合状態でＯＬＢを行うために、ＯＬＢ
側の面のＡｕめっき層の厚さは２．０μｍ以下、より好
ましくは０．５μｍ以下にする。

また、上述の実施例は、リードにＡｕをめっきする場合
のものであるが、リードにめっきする金属はこれにより
限定されるものではなく、例えば半田であってもよい。

リードに半田をめっきする場合は、良好な接合状態でＩ
ＬＢ及びＯＬＥを行うために、ＩＬＢ側の面のめっき厚
さをＯＬＢ側の面のめっき厚さよりも薄く、且つ、ＩＬ
Ｂ側の面の半田めっき層の厚さは３．０μｍ以下とし、
ＯＬＢ側の面の半田めっき層の厚さは２．０μｍ以上に
制御する。

第３図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の第２の実施例に係る
フォルムキャリアテープの製造方法を工程順に示す断面
図である。

先ず、第３図（ａ）に示すように、テープ接着剤２２が
塗布されたベースフィルム２１に、ノザンチング加工等
により、スプロケットホール２６ａ。

ＯＬＢホール２６ｂ及びデバイスホール２６ｃ等を形成
する。その後、このベースフィルム２１上にＣｕ箔２４
ａを接着する。

次に、ベースフィルム２１の両面にレジスト膜２３ａ、
２３ｂを塗布する。即ち、Ｃｕ箔２４ａ上にレジスト膜
２３ａを塗布すると共に、スプロケットホール２６ａ、
ＯＬＢホー／ｌ／　２６　ｂ及びデバイスホール２６ｃ
等を埋め込むようにしてレジスト膜２３ｂを塗布する。

次に、第３図（Ｃ）に示すように、フォトレジスト法に
より、レジスト膜２３ａを所定のパターンで開口し、Ｃ
ｕ箔２４ａを選択的にエツチングすることにより、リー
ド２４等を形成する。

次に、第３図（ｄ）に示すように、リード２４が形成さ
れた側のレジスト膜２３ａのみを選択的に除去する。こ
のためには、例えば、リード２４形成側のレジスト膜２
３ａとデバイスホール２６０等に埋め込むレジスト膜２
３ｂとを異なる種類のレジストで形成し、レジスト膜２
３ａを適切な溶剤等で除去する。これにより、レジスト
膜２３ａのみを選択的に除去することができる。次に、
Ａｕめっきを行って、リード２４上に第１のＡｕめっき
層２５ａを形成する。

次いで、第３図（ｅ）に示すように、レジスト膜２３ｂ
を除去する。その後、Ａｕめっきを行って、ベースフィ
ルム２１に接触していない部分のり−ド２４に第２のＡ
ｕめっき層２５ｂを被着する。

このようにして製造したキャリアフィルムテープは、リ
ード２４の両面に形成されたＡｕめっき層の厚さが相互
に異なっている。従って、第１の実施例において説明し
たように、Ａｕめっき層の総厚が厚い面でリードと半導
体チップとを接合すると、良好な接合状態でＩＬＢを行
うことができると共に、Ａｕめっき層の厚さが薄い面で
半田によるＯＬＥを行うと、Ａｕと半田との金属間化合
物の生成が抑制できるため、良好な接合状態を得ること
ができる。

なお、本実施例においても、第１の実施例で説明したよ
うに、リードに、Ａｕに替えて半田をめっきしてもよい
。

また、本実施例においては、リード２４の上面のレジス
ト膜２３ａをデバイスホール２６等を埋め込んだレジス
ト膜２３ｂよりも先に除去したが、第３図（ｂ）に示す
工程の後、レジスト膜２３ｂを除去し、リード２４をデ
バイスホール２６側からＡｕめっきして、その後、レジ
スト膜２３を除去し、再びＡｕめっきを行ってもよい。

これにより、リード２４の上面のＡｕめっき層が下面の
Ａｕめっき層に比して薄いフィルムキャリアテープを製
造することができる。

更に、Ａｕめっき層２５ａを形成する前に、下地めっき
として、リード２４の表面にＮｉをめっきしてもよい。

［発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、リードに被着され
ためっきの厚さがリードの両面で相互に異なっているか
ら、ＩＬＢ及びＯＬＢを夫々別個のリード面で行うこと
により、半導体チップとリード及び基板のパッドとリー
ドとをいずれも良好な状態で接合することができる。

また、本発明方法によれば、リードの一方の面にレジス
ト膜を被着した状態でめっきを行って他方の面に第１の
めっき層を形成し、その後前記レジスト膜を除去してめ
っきを行って前記リードに第２のめっき層を形成するか
ら、上述の構造のフィルムキャリアテープを容易に製造
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第１の実施例に係る
フィルムキャリアテープの製造方法を工程順に示す断面
図、第２図は同じくそのフィルムキャリアテープを使用
した半導体装置の実装方法を示す断面図、第３図（ａ）
乃至（ｅ）は本発明の第２の実施例に係るフォルムキャ
リアテープの製造方法を工程順に示す断面図、第４図は
従来のフィルムキャリアテープを示す平面図、第５図は
同しくその断面図、第６図は同じくそのフィルムキャリ
アテープを使用した半導体装置を示す断面図、第７図は
同じくそのフィルムキャリアテープを使用した半導体装
置の実装方法を示す断面図である。 １．１１，２１；ベースフィルム、２　ｌＩ　Ｅｉ　ａ
　＋２６ａ；スプロケットホール、３，１６　Ｃ，２６
Ｃ；デバイスホール、３ａ、１８ｂ、２６ｂ；ＯＬＢホ
ール、４，１４，２４；　リード、５；パッド、６；サ
スペンダー　７；半導体チップ、７ａ；バンブ、８ａ；
樹脂、８ｂ；接着剤、９：ボンディングパッド、１０；
プリント基板、１２；Ｃｕ層、１３ａ、１３ｂ、２３ａ
＋　２３ｂ；レジスト膜、１５ａ＋　　１５ｂ、２５ａ
、２５ｂ；Ａｕめっき層、２２；テープ接着剤

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）スプロケットホール及びデバイスホールが設けら
   れたベースフィルムと、このベースフィルムの一方の面
   に前記デバイスホールに延出して設けられその両面に金
   属めっきが施されたリードとを有し、前記リードの一方
   の面のめっき層及び他方の面のめっき層は同種の金属か
   らなりその厚さが相互に異なることを特徴とするフィル
   ムキャリアテープ。
2. （２）前記リードにめっきされた前記金属はＡｕであり
   、前記リードの一方の面のめっき層の厚さは０．２μｍ
   以上であり、前記リードの他方の面のめっき層の厚さは
   前記一方の面のめっき層の厚さに比して薄く、且つ２．
   ０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のフ
   ィルムキャリアテープ。
3. （３）前記リードにめっきされた前記金属は半田であり
   、前記リードの一方の面のめっき層の厚さは２．０μｍ
   以上であり、前記リードの他方の面のめっき層の厚さは
   前記一方の面のめっき層の厚さに比して薄く、且つ３．
   ０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のフ
   ィルムキャリアテープ。
4. （４）絶縁性のベースフィルム上に金属層を形成する工
   程と、この金属層上に所定のパターンの開口部を有する
   レジスト膜を設ける工程と、このレジスト膜をマスクと
   して前記金属層上に前記所定のパターンで金属を析出さ
   せてリードを形成する工程と、前記レジスト膜をマスク
   としてこのリード上に第１のめっき層を形成する工程と
   、前記レジスト膜を除去する工程と、前記ベースフィル
   ムにデバイスホールを設ける工程と、前記リードに対し
   めっきを施して第２のめっき層を形成する工程とを有す
   ることを特徴とするフィルムキャリアテープの製造方法
   。
5. （５）絶縁性のベースフィルムにデバイスホールを設け
   る工程と、このベースフィルム上に金属箔を接合する工
   程と、前記ベースフィルムの両面にレジスト膜を被着す
   る工程と、前記金属箔上の前記レジスト膜を所定のパタ
   ーンに成形する工程と、このレジスト膜をマスクとして
   前記金属箔をエッチングすることによりリードを得る工
   程と、このリード上の前記レジスト膜を除去する工程と
   、前記リードにめっきを施して第１のめっき層を形成す
   る工程と、残存している前記レジスト膜を除去する工程
   と、前記リードにめっきを施して第２のめっき層を形成
   する工程とを有することを特徴とするフィルムキャリア
   テープの製造方法。