JPH0487315A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH0487315A JPH0487315A JP20322590A JP20322590A JPH0487315A JP H0487315 A JPH0487315 A JP H0487315A JP 20322590 A JP20322590 A JP 20322590A JP 20322590 A JP20322590 A JP 20322590A JP H0487315 A JPH0487315 A JP H0487315A
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- Japan
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- aqueous solution
- solid electrolytic
- electrolytic capacitor
- lead hydroxide
- lead
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体電解コンデンサ、特に二酸化鉛からなる半
導体層を有する固体電解コンデンサの製造方法に関する
。
導体層を有する固体電解コンデンサの製造方法に関する
。
電子機器の軽薄短小化に伴い、使用する電子部品の１っ
であるコンデンサにおいても高周波性能が良好なものが
要求されている。従来の高周波性能が良好なコンデンサ
としてセラミックコンデンサ、フィルムコンデンサがあ
るが、高容量なものではコストが多くかかるため、容量
を大きく取ることのできる電解コンデンサについて高周
波性能が良好なものを製作する努力かなされてきた。そ
の１つとして、本発明者等によって提案された二酸化鉛
を半導体層とする固体電解コンデンサ（特開昭６２−１
１４２１．０号公報等）は容量が大きく高周波性能が良
好なものであった。
であるコンデンサにおいても高周波性能が良好なものが
要求されている。従来の高周波性能が良好なコンデンサ
としてセラミックコンデンサ、フィルムコンデンサがあ
るが、高容量なものではコストが多くかかるため、容量
を大きく取ることのできる電解コンデンサについて高周
波性能が良好なものを製作する努力かなされてきた。そ
の１つとして、本発明者等によって提案された二酸化鉛
を半導体層とする固体電解コンデンサ（特開昭６２−１
１４２１．０号公報等）は容量が大きく高周波性能が良
好なものであった。
しかしながら、従来の手法では、半導体層を形成するに
際して、たとえば四酢酸鉛等の酸性溶成に酸化皮膜を形
成した弁作用を有する金属を接触させて、二酸化鉛から
なる半導体層を形成するために、金属の一部が劣化し、
その結果作製した固体電解コンデンサの漏れ電流値が高
くなるという問題点があった。
際して、たとえば四酢酸鉛等の酸性溶成に酸化皮膜を形
成した弁作用を有する金属を接触させて、二酸化鉛から
なる半導体層を形成するために、金属の一部が劣化し、
その結果作製した固体電解コンデンサの漏れ電流値が高
くなるという問題点があった。
従って本発明は、容量が大きく、高周波性能が良好で、
漏れ電流値の小さい固体電解コンデンサの製造方法を提
供することを目的とする。
漏れ電流値の小さい固体電解コンデンサの製造方法を提
供することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するためになされたもので、弁
作用を有する金属の表面に酸化皮膜を形成し、該酸化皮
膜上に、水酸化鉛のアンモニア水溶液に酸化剤を加えた
反応母液より二酸化鉛からなる半導体層を形成し、さら
にその上に導電体層を形成する工程を含んでなる固体電
解コンデンサの製造方法にある。
作用を有する金属の表面に酸化皮膜を形成し、該酸化皮
膜上に、水酸化鉛のアンモニア水溶液に酸化剤を加えた
反応母液より二酸化鉛からなる半導体層を形成し、さら
にその上に導電体層を形成する工程を含んでなる固体電
解コンデンサの製造方法にある。
弁作用を有する金属としては、アルミニウム、タンタル
、ニオブ、チタン及びこれらをバ質とする合金等を用い
ることができる。
、ニオブ、チタン及びこれらをバ質とする合金等を用い
ることができる。
弁作用金属の表面に設けられる酸化皮膜は、弁作用金属
と同一金属の酸化物、あるいは弁作用金属の表面上に設
けられた他の誘電体酸化物を用いることができるか、弁
作用金属と同一金属の酸化物からなる層であることが好
ましい。何れの場合も、弁作用金属の表面に酸化皮膜を
設けるには公知の方法を用いることができる。
と同一金属の酸化物、あるいは弁作用金属の表面上に設
けられた他の誘電体酸化物を用いることができるか、弁
作用金属と同一金属の酸化物からなる層であることが好
ましい。何れの場合も、弁作用金属の表面に酸化皮膜を
設けるには公知の方法を用いることができる。
酸化皮膜上には二酸化鉛からなる半導体層が形成される
。これは、水酸化鉛のアンモニア水溶液に酸化剤を加え
た反応母液から形成することが肝要である。
。これは、水酸化鉛のアンモニア水溶液に酸化剤を加え
た反応母液から形成することが肝要である。
反応母液中の水酸化鉛の濃度は、０．０４モル／ｇから
飽和濃度の範囲であることが好ましい。水酸化鉛の濃度
が０．０４モル／Ωより低い場合には、１回の二酸化鉛
形成反応で酸化皮膜との接る性の良好な二酸化鉛層を形
成させることができないため、塗布回数を多くしなけれ
ばならないという難点かある。
飽和濃度の範囲であることが好ましい。水酸化鉛の濃度
が０．０４モル／Ωより低い場合には、１回の二酸化鉛
形成反応で酸化皮膜との接る性の良好な二酸化鉛層を形
成させることができないため、塗布回数を多くしなけれ
ばならないという難点かある。
酸化剤の使用量は、前述した水酸化鉛の使用量とのモル
比が０．１から３の範囲内であることが望ましい。酸化
剤のモル比が水酸化鉛に対して３倍より大きいときは、
コンデンサの８二がそれ以上大きくならずに一定となる
ためコスト高となり、また酸化剤のモル比が水酸化鉛に
対して０．１倍より小さいと、コンデンサの容量が小さ
くなり、漏れ電流値も高くなるため、性能の良好な固体
電解コンデンサを得ることができない。
比が０．１から３の範囲内であることが望ましい。酸化
剤のモル比が水酸化鉛に対して３倍より大きいときは、
コンデンサの８二がそれ以上大きくならずに一定となる
ためコスト高となり、また酸化剤のモル比が水酸化鉛に
対して０．１倍より小さいと、コンデンサの容量が小さ
くなり、漏れ電流値も高くなるため、性能の良好な固体
電解コンデンサを得ることができない。
酸化剤としては、例えばキノン、クロラニル、ピリジン
−Ｎ−オキシド、過酸化水素、次亜坦素酸塩、亜塩素酸
塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、クロム酸、クロ
ム酸塩、過マンガン酸塩、酸化バナジウム、過酸化ベン
ゾイル、セレンオキシド、ジメチルスルフォキサイド、
過塩素酸、過ヨウ素酸、過酸化塩等が挙げられる。これ
らの酸化剤は２種以上使用してもよい。
−Ｎ−オキシド、過酸化水素、次亜坦素酸塩、亜塩素酸
塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、クロム酸、クロ
ム酸塩、過マンガン酸塩、酸化バナジウム、過酸化ベン
ゾイル、セレンオキシド、ジメチルスルフォキサイド、
過塩素酸、過ヨウ素酸、過酸化塩等が挙げられる。これ
らの酸化剤は２種以上使用してもよい。
反応母液のｐｎは６から９未満となるように調節される
。ｐＨが９より高いと漏れ電流値が高くなり、ｐｌ）が
６より低いと反応母液中の水酸化鉛が不溶となり、半導
体層が形成されにくくなる。酸化皮膜を有する弁作用金
属の表面に上記半導体層を形成させるには、水酸化鉛の
アンモニア水溶液に酸化剤を加えた反応母液に接触させ
るか、あるいは酸化皮膜を有する弁作用金属に、水酸化
鉛のアンモニア水溶液あるいは酸化剤を接触させた状態
で酸化剤または水酸化鉛のアンモニア水溶液を加え、反
応母液を作製すると同時に弁作用金属と反応母液を接触
させる方法が採用される。
。ｐＨが９より高いと漏れ電流値が高くなり、ｐｌ）が
６より低いと反応母液中の水酸化鉛が不溶となり、半導
体層が形成されにくくなる。酸化皮膜を有する弁作用金
属の表面に上記半導体層を形成させるには、水酸化鉛の
アンモニア水溶液に酸化剤を加えた反応母液に接触させ
るか、あるいは酸化皮膜を有する弁作用金属に、水酸化
鉛のアンモニア水溶液あるいは酸化剤を接触させた状態
で酸化剤または水酸化鉛のアンモニア水溶液を加え、反
応母液を作製すると同時に弁作用金属と反応母液を接触
させる方法が採用される。
半導体層の上には（イ）金属層または（ロ）カーボン層
を形成するか、あるいはＣ９カーボン層を形成したその
上に金属層を形成し導電体層とする。二酸化鉛の半導体
層の上にカーボン層を設ける方法は、格別限定されず、
従来公知の方法例えばカーボンペーストを塗布する方法
が採用される。
を形成するか、あるいはＣ９カーボン層を形成したその
上に金属層を形成し導電体層とする。二酸化鉛の半導体
層の上にカーボン層を設ける方法は、格別限定されず、
従来公知の方法例えばカーボンペーストを塗布する方法
が採用される。
本発明において、半導体層またはカーボン層の上に金属
層を設ける方法としては、例えば銀、アルミニウム、銅
等を含んだペーストを塗布する方法、銀、アルミニウム
、銅等を蒸若する方法、またはニッケル、銅等をメツキ
する方法が挙げられる。前記弁作用金属に陽極リード端
子並びに導電体層に陰極リード端子を取り付ける方法は
特に制限されず、従来公知の方法を用いることができる
。
層を設ける方法としては、例えば銀、アルミニウム、銅
等を含んだペーストを塗布する方法、銀、アルミニウム
、銅等を蒸若する方法、またはニッケル、銅等をメツキ
する方法が挙げられる。前記弁作用金属に陽極リード端
子並びに導電体層に陰極リード端子を取り付ける方法は
特に制限されず、従来公知の方法を用いることができる
。
例えば、アルミ箔の陽極の場合には、かしめ付は高周波
溶接等の方法が採用される。陰極には、例えば、導電ペ
ーストを使用して取付ける方法、半田付による方法など
が採用される。
溶接等の方法が採用される。陰極には、例えば、導電ペ
ーストを使用して取付ける方法、半田付による方法など
が採用される。
以上述べた本発明の方法によって作製された固体電解コ
ンデンサ素子は、例えば樹脂モールド、樹脂ケース、金
属製の外装ケース、樹脂のディッピング、ラミネートフ
ィルムなどの外装により各種用途の汎用コンデンサ製品
とすることができる。
ンデンサ素子は、例えば樹脂モールド、樹脂ケース、金
属製の外装ケース、樹脂のディッピング、ラミネートフ
ィルムなどの外装により各種用途の汎用コンデンサ製品
とすることができる。
以下実施例および比較例を示して本発明をさらに詳しく
説明する。
説明する。
実施例 １
タンタルの焼結体をリン酸水溶液中で化成処理し表面に
誘電体酸化皮膜層（Ｔａ２０．）を形成した（３Ｘ２Ｘ
０．５關、６μＦ）。このタンタル焼結体を別に用意し
た水酸化鉛のアンモニア水溶液（１モル／ρ、ｐＨ８）
に水酸化鉛の３倍モルの過塩素酸アンモニウム水溶液を
酸化剤として加えた反応母液に浸漬して６０℃で３０分
放置した。形成された二酸化鉛からなる半導体層にカー
ボンペストおよび銀ペーストを順に積層して導電体層を
形成した。ついでエポキシ樹脂で外装して固体電解コン
デンサを作製した。
誘電体酸化皮膜層（Ｔａ２０．）を形成した（３Ｘ２Ｘ
０．５關、６μＦ）。このタンタル焼結体を別に用意し
た水酸化鉛のアンモニア水溶液（１モル／ρ、ｐＨ８）
に水酸化鉛の３倍モルの過塩素酸アンモニウム水溶液を
酸化剤として加えた反応母液に浸漬して６０℃で３０分
放置した。形成された二酸化鉛からなる半導体層にカー
ボンペストおよび銀ペーストを順に積層して導電体層を
形成した。ついでエポキシ樹脂で外装して固体電解コン
デンサを作製した。
実施例 ２
実施例１で水酸化鉛の３倍モルの過塩素酸アンモニウム
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の等モルの
過塩素酸アンモニウム水溶液を酸化剤として使用した以
外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製し
た。
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の等モルの
過塩素酸アンモニウム水溶液を酸化剤として使用した以
外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製し
た。
実施例 ３
実施例１で水酸化鉛の３倍モルの過塩素酸アンモニウム
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の０．２倍
モルの過塩素酸アンモニウム水溶液を酸化剤として使用
した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の０．２倍
モルの過塩素酸アンモニウム水溶液を酸化剤として使用
した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
実施例 ４
実施例１で水酸化鉛の３倍モルの過塩素酸アンモニウム
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の０．１倍
モルの過塩素酸アンモニウム水溶液を酸化剤として使用
した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の０．１倍
モルの過塩素酸アンモニウム水溶液を酸化剤として使用
した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
実施例 ５
実施例１で水酸化鉛の３倍モルの過塩素酸アンモニウム
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の２倍モル
の過酸化水素水を酸化剤として使用した以外は実施例１
と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の２倍モル
の過酸化水素水を酸化剤として使用した以外は実施例１
と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
実施例 ６
実施例１て水酸化鉛の３倍モルの過塩素酸アンモニウム
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の２倍モル
の過硫酸アンモニウム水溶液を酸化剤として使用した以
外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製し
た。
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の２倍モル
の過硫酸アンモニウム水溶液を酸化剤として使用した以
外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製し
た。
実施例 ７
実施例１で水酸化鉛の３倍モルの過塩素酸アンモニウム
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の０．５倍
モルの過マンガン酸カリウム水溶液を酸化剤として使用
した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の０．５倍
モルの過マンガン酸カリウム水溶液を酸化剤として使用
した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
比較例 １
実施例１で水酸化鉛の３倍モルの過塩素酸アンモニウム
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の０，０８
倍モルの過塩素酸アンモニウム水溶液を酸化剤として使
用した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサ
を作製した。
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の０，０８
倍モルの過塩素酸アンモニウム水溶液を酸化剤として使
用した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサ
を作製した。
比較例 ２
実施例１て水酸化鉛の３倍モルの過塩素酸アンモニウム
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の０．四倍
モルの過塩素酸アンモニウム水溶液を酸化剤として使用
した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
水溶液を酸化剤としたのに代えて、水酸化鉛の０．四倍
モルの過塩素酸アンモニウム水溶液を酸化剤として使用
した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
上記各側で作製した固体電解コンデンサの特性値を表１
に示す。
に示す。
（表 １）
＊ １２０１１ｚでの値
林 １００ｋｌｌｚでの値
ｍ＋ｏｖでの値
実施例 ８
実施例１で水酸化鉛のアンモニア水溶液の濃度を１モル
／ρとしたのに代えて、水酸化鉛のアンモニア水溶液の
濃度を０．５モル／Ｉとした以外は実施例１と同様にし
て固体電解コンデンサを作製した。
／ρとしたのに代えて、水酸化鉛のアンモニア水溶液の
濃度を０．５モル／Ｉとした以外は実施例１と同様にし
て固体電解コンデンサを作製した。
実施例 ９
実施例１で水酸化鉛のアンモニア水溶液の濃度を１モル
／ｐとしたのに代えて、その濃度を０，０８モル／１と
した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
／ｐとしたのに代えて、その濃度を０，０８モル／１と
した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
実施例 １０
実施例１で水酸化鉛のアンモニア水溶液の濃度を１モル
／ρとしたのに代えて、その濃度を０．０４モル／ρと
した以外は実施例］と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
／ρとしたのに代えて、その濃度を０．０４モル／ρと
した以外は実施例］と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
比較例 ３
実施例１で水酸化鉛のアンモニア水溶液の濃度を１モル
／ｇとしたのに代えて、その濃度を０．０３モル／Ωと
した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
／ｇとしたのに代えて、その濃度を０．０３モル／Ωと
した以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサを
作製した。
比較例 ４
実施例１で水酸化鉛のアンモニウム水溶液の濃度を１モ
ル／ρとしたのに代えて、その濃度を０．０１モル／Ω
とした以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサ
を作製した。
ル／ρとしたのに代えて、その濃度を０．０１モル／Ω
とした以外は実施例１と同様にして固体電解コンデンサ
を作製した。
実施例８，９および１０ならびに比較例３および４で作
製した固体電解コンデンサの特性値を表２に示す。
製した固体電解コンデンサの特性値を表２に示す。
（表 ２）
＊ １２０１１ｚでの値
＃ １００ｋｔ＋ｚでの値
柑１０Ｖでの値
実施例 １１
実施例１で反応母液をｐ１１８としたのに代えて、ｐＨ
６，２とした以外は実施例１と同様にして固体電解コン
デンサを作製した。
６，２とした以外は実施例１と同様にして固体電解コン
デンサを作製した。
実施例 １２
実施例］で反応母液をｐ）１８としたのに代えて、ｐＨ
７，３とした以外は実施例１と同様にして固体電解コン
デンサを作製した。
７，３とした以外は実施例１と同様にして固体電解コン
デンサを作製した。
実施例 Ｉ３
実施例１で反応母液をｐｉｇとしたのに代えて、ｐ１１
８゜５とした以外は実施例１と同様にして固体電解コン
デンサを作製した。
８゜５とした以外は実施例１と同様にして固体電解コン
デンサを作製した。
比較例 ５
実施例１で反応母液をｐｌ＋８としたのに代えて、ｐ）
１９とした以外は実施例１と同様にして固体電解コンデ
ンサを作製した。
１９とした以外は実施例１と同様にして固体電解コンデ
ンサを作製した。
比較例 ６
実施例１で反応母液をｐＨ８としたのに代えて、ｐ）１
１０とした以外は実施例１と同様にして固体電解コンデ
ンサを作製した。
１０とした以外は実施例１と同様にして固体電解コンデ
ンサを作製した。
比較例 ７
実施例１て反応母液をｐ１１８としたのに代えて、ｐｌ
＋ ５．５とした以外は実施例１と同様にして固体電解
コンデンサを作製した。
＋ ５．５とした以外は実施例１と同様にして固体電解
コンデンサを作製した。
実施例ＩＩ、 １２および１３ならびに比較例５，６お
よび７で作製した固体電解コンデンサの特性値を表３に
示す。
よび７で作製した固体電解コンデンサの特性値を表３に
示す。
（表 ３）
＊ １２０１１ｚでの値
＊＊ １００ｋｔ（ｚでの値
ｍ１ＯＶでの値
比較例 ８
実施例１で水酸化鉛のアンモニア水溶液に過塩素酸アン
モニウム水溶液を酸化剤として加えた反応母液に浸漬し
て半導体層を得たのに代えて、特開昭６２−１１４２１
０号公報に従い、四酢酸鉛の飽和酢酸溶液に四酢酸鉛の
０．５倍モルの安息香酸銅二水和物を溶解した酢酸溶液
を加えた反応母液に浸漬して半導体層を得た以外は実施
例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。この
固体電解コンデンサの容量は１２０１１ｚで４．４μＦ
、 ｔａｎδは１２０ Ｈｚで１．２％、ＥＳＲは１
ｏｏｋＨ２て０．５Ω、漏れ電流値はＩＯＶで１．３０
μＡてあった。
モニウム水溶液を酸化剤として加えた反応母液に浸漬し
て半導体層を得たのに代えて、特開昭６２−１１４２１
０号公報に従い、四酢酸鉛の飽和酢酸溶液に四酢酸鉛の
０．５倍モルの安息香酸銅二水和物を溶解した酢酸溶液
を加えた反応母液に浸漬して半導体層を得た以外は実施
例１と同様にして固体電解コンデンサを作製した。この
固体電解コンデンサの容量は１２０１１ｚで４．４μＦ
、 ｔａｎδは１２０ Ｈｚで１．２％、ＥＳＲは１
ｏｏｋＨ２て０．５Ω、漏れ電流値はＩＯＶで１．３０
μＡてあった。
本発明の製法によると、水酸化鉛のアンモニア水溶液に
酸化剤を加えた弱酸性から弱アルカリ性の反応母液から
半導体層を形成させることにより、弁作用金属の劣化が
おこりにくくなる。このことによって８二か大きく、高
周波特性が良好であり、さらに漏れ電流値の小さい固体
電解コンデンサを提１共することかできる。
酸化剤を加えた弱酸性から弱アルカリ性の反応母液から
半導体層を形成させることにより、弁作用金属の劣化が
おこりにくくなる。このことによって８二か大きく、高
周波特性が良好であり、さらに漏れ電流値の小さい固体
電解コンデンサを提１共することかできる。
Claims (1)
- １．弁作用を有する金属の表面に酸化皮膜を形成し、該
酸化皮膜上に、水酸化鉛のアンモニア水溶液に酸化剤を
加えた反応母液より二酸化鉛からなる半導体層を形成し
、さらにその上に導電体層を形成する工程を含んでなる
ことを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20322590A JPH0487315A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20322590A JPH0487315A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0487315A true JPH0487315A (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16470527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20322590A Pending JPH0487315A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0487315A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5357399A (en) * | 1992-09-25 | 1994-10-18 | Avx Corporation | Mass production method for the manufacture of surface mount solid state capacitor and resulting capacitor |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP20322590A patent/JPH0487315A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5357399A (en) * | 1992-09-25 | 1994-10-18 | Avx Corporation | Mass production method for the manufacture of surface mount solid state capacitor and resulting capacitor |
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