JPS6347917A - 固体電解コンデンサ - Google Patents

固体電解コンデンサ

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JPS6347917A
JPS6347917A JP19249986A JP19249986A JPS6347917A JP S6347917 A JPS6347917 A JP S6347917A JP 19249986 A JP19249986 A JP 19249986A JP 19249986 A JP19249986 A JP 19249986A JP S6347917 A JPS6347917 A JP S6347917A
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JP
Japan
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lead
silver
solid electrolytic
electrolytic capacitor
layer
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Pending
Application number
JP19249986A
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English (en)
Inventor
一美 内藤
正二 矢部
荒川 美明
隆 池崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高周波性能の良好な固体電解コンデンサに関す
る。
〔従来の技術〕
一般に固体電解コンデンサの素子は、弁作用金属からな
る陽極基体に酸化皮膜層を形成し、この酸化皮膜層の外
面に対向電極として二酸化マンガンなどの半導体層を形
成する。ざらに接触抵抗を減じるためにグラファイト層
を介在させて順次銀ペースト層、はんだ層を設けて導電
体層を形成している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら導電体層に利用される銀ペーストは、極め
て高価であるため廉価なペーストを得る努力がなされて
きた。例えば、銅ペースト、ニッケルペーストが開発さ
れているが、前当は酸化安定性、接台は導電性にそれぞ
れ問題があり銀ペーストの代替には至っていない。
本発明者等は、上記の問題点を解決すべく鋭意研究した
結果、銀コートした銅粉および/または銀コートしたニ
ッケル粉からなるペースト層を導電体層にした固体コン
デンサは、銀ペーストを導電体層としたものと同等の酸
化安定性、損失係数を示し、ざらに、粉体の粒をによっ
て高周波性能が数置されることを発見した。
本発明は、上記の発見に基づいてなされたもので、酸化
安定性、損失係数が、銀ペーストを用いたコンデンサと
同等で、しかも高周波性能がよく、かつ廉価な固体電解
コンデンサを提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、上記の目的を達成すべくなされたもので、そ
の要旨は、弁作用金属からなる陽極基体に順次誘電体酸
化皮膜、半導体層、導電体層を形成してなる固体電解コ
ンデンサにおいて、上記導電体層が、銀コートした粒径
15μm以下の銅粉および/または銀コートした粒径1
5μm以下のニッケル粉からなるペースト層である固体
電解コンデンサにある。
(発明の具体的構成および作用] 以下、本発明の固体電解コンデンサについて説明する。
本発明の固体電解コンデンサの陽極として用いられる弁
金属基体としては、例えばアルミニウム、タンタル、ニ
オブ、チタン及びこれらを基質とする合金等、弁作用を
有する金属がいずれも使用できる。
陽極基体表面の酸化皮膜層は、陽極基体表層部分に設け
られた陽極基体自体の酸化物K・1であってもよく、あ
るいは、陽極基体の表面上に設けられた他のJ 電体酸
化物の層であってもよいが、特に陽極弁金属自体の酸化
物からなる層であることが望ましい。いずれの場合にも
酸化物層を設ける方法としては、従来公知の方法を用い
ることができる。
また、本発明において使用する半導体層の組成及び作製
方法に特にa111限はないが、コンデンサの性能を高
めるためには二酸化鉛もしくは、二酸化鉛と硫酸鉛を主
成分として、従来公知の化学的析出法、或は電気化学的
析出法で作製するのが好ましい。
化学的析出法としては、例えば、鉛含有化合物と酸化剤
を含んだ溶液から化学的に析出させる方法が挙げられる
鉛含有化合物としては、例えばオキシン、アセチルアセ
トン、ピロメコン酸、サリチル酸、アリザリン、ポリ酢
酸ビニル、ポルフィリン系化合物、クラウン化合物、ク
リブデート化合物等のキレート形成性化合物に鉛の原子
が配位結合もしくはイオン結合している鉛含有化合物、
クエン酸鉛、酢酸鉛、塩基性酢酸鉛、塩化鉛、臭化鉛、
過塩素酸鉛、塩素酸鉛、リードサルファメイト、六弗化
ケイ素鉛、臭素酸鉛、ホウフッ化鉛、酢酸鉛水和物、硝
酸鉛等があげられる。これらの鉛含有化合物IJ 。
反応母液に使用する溶剤によって適宜選択される。
また、これらの鉛含有化合物は2種以上混合して使用し
ても良い。
反応は液中の鉛含有化合物の濃度は、飽和溶解度を与え
る濃度から0.05モル/Jの範囲であり、好ましくは
飽和溶解度を与える濃度から0.1モル/ノの範囲内で
あり、より好ましくは飽和溶解度を与える濃度から0.
5モル/Jの範囲である。反応母液中の鉛含有化合物の
濃度が0.05モル/J未満では、性能の良好な固体“
電解コンデンサを得ることができない。また反応母液中
の鉛含有化合物の濃度が飽和溶解度を越える場合は、増
量添加によるメリットが認められない。
酸化剤としては、例えばキノン、クロラニル、ピリジン
−N−オキサイド、ジメチルスルフォキサイド、クロム
酸、過マンガン酸カリ、セレンオキサイド、酢酸水銀、
酸化バナジウム、塩素酸ナトリウム、塩化第二鉄、過酸
化水素、過酸化ベンゾイル、次亜塩素酸カルシウム、亜
塩素酸カルシウム、塩素酸カルシウム、過塩素酸カルシ
ウム等があげられる。これらの酸化剤は、使用する溶剤
によって適宜に選択すればよい。また酸化剤は、2種以
上混合して使用してもよい。
酸化剤の使用割合は、鉛含有化合物の使用上ル吊の5〜
0.1倍モルの範囲内であることが好ましい。酸化剤の
使用割合が鉛化合物の使用モル最の5倍モルより多い場
合は、コスト的にメリットはなく、また0、1倍モルよ
り少ない場合は、性能の良好な固体Ti解コンデンナが
得られない。
二酸化鉛を主成分とする半導体層を形成する方法として
は、例えば鉛含有化合物を溶かした溶液と酸化剤を溶か
した溶液を混合して反応母液を調製した後、反応母液に
前記した酸化皮膜を設けた陽極基体を浸漬して化学的に
析出させる方法があげられる。
一方、電気化学的析出法としては、例えば本発明者等が
先に提案した高濃度の鉛イオンを含んだ電解液中で電解
酸化により二酸化鉛を析出させる方法等が挙げられる(
特願昭6l−26952)。
また、半導体層を本来、半導体の役割を果たす二酸化鉛
と絶縁物質である硫酸鉛を主成分とする層で構成すると
硫酸鉛の配合により、コンデンサの漏れ電流値を低減せ
しめることができる。一方、硫酸鉛の配合により半導体
層の電気伝導度が低くなるため損失係数値が大きくなる
が、従来の固体電解コンデンサと比較しても高水準の性
能を維持発現することが本発明により見出された。従っ
て、半導体層を、二酸化鉛と硫酸鉛の混合物で構成する
場合、二酸化鉛を10m節部以上100重量部未満に対
して硫酸鉛を90重Q部以下という広範囲の組成で良好
なコンデンサ性能を維持発現することができるが、好ま
しくは二酸化鉛20〜50重吊部に缶部て硫酸鉛80〜
50重徂部、より好ましくは二酸化鉛25〜35重吊部
に缶部て硫酸鉛75〜65重量部の範囲で漏れ電流値と
損失係数値のバランスが良好となる。二酸化鉛が10重
缶部未満であると導電性が悪くなるために損失係数が大
きくなり、また容ωが充分出現しない。
二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする半導体層は、例えば鉛
イオン及び過硫酸イオンを含んだ水溶液を反応母液とし
て化学的析出によって形成することができる。又、″A
硫酸イオンを含まない適当な酸化剤を加えてもよい。
母液中の鉛イオンQBは、飽和溶解度を与える濃度から
0.05モル/J1好ましくは飽和溶解度を与える濃度
から0.1モル/J1より好ましくは飽和溶解度を与え
る濃度から0.5モル/Jの範囲内である。鉛イオンの
濃度が飽和溶解度より高い場合には、増r添加によるメ
リットがない。
また、鉛イオンの濃度が0.05モル/Jより低い場合
には、母液中の鉛イオンが博すきるため塗布回数を多く
しなければならないという難点がある。
一方、母液中の過硫酸イオン濃度は鉛イオンに対してモ
ル比で5から0.05の範囲内である。
過硫酸イオンの濃度が鉛イオンに対してモル比で5より
多いと、未反応の過硫酸イオンが残るためコスト高とな
り、また過硫酸イオンの濃度が鉛イオンに対してモル比
で0.05より少ないと、未反応の鉛イオンが残り導電
性が悪くなるので好ましくない。
鉛イオン種を与える化合物としては、例えばクエン酸鉛
、過塩素酸鉛、硝酸鉛、酢酸鉛、塩基性酢酸鉛、塩素酸
鉛、リードサルファメイト、六弗化ケイ素泊、臭素酸鉛
、塩化鉛、臭化鉛等が挙げられる。これらの鉛イオン種
を与える化合物は2種以上混合して使用してもよい。一
方、過硫酸イオン種を与える化合物としては、例えば過
硫酸力す、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム等が
挙げられる。これらの過硫酸イオン種を与える化合物は
、2種以上混合して使用してもよい。
一方、酸化剤としては、例えば過酸化水素、次亜塩素酸
カルシウム、亜塩素酸カルシウム、塩素酸カルシウム、
過塩素酸カルシウム等が挙げられる。
また、半導体層上に設けられる導電体層は、銀コートし
た銅粉および/または銀コートしたニッケル粉からなる
ペースト層が使用される。銀コートした銅粉および/ま
たは銀コートしたニッケル粉の作製方法としては、例え
ば銅粉もしくはニッケル粉に銀を無電解メツキすること
によって得る方法が挙げられる。粉体中の銀量は50重
量%未満、好ましくは20重ら1%未満である。銀ji
ltが50重量%を越えても増量によるメリットはない
このように、銅あるいはニッケルに銀をコートすると、
・高価な銀の使用量が大幅に減少し、導電体層を形成す
るためのペーストの製作費が安価となり、しかも、その
電気的特性は、仝聞銀粉を用いた場合と同等となる。
上記銅粉またはニッケル粉は、作製した固体゛iu解コ
ンデンサの高周波性能を良好にするために、粒径が15
μm以下であることが肝要である。また、銅粉およびニ
ッケル粉は導電性ペーストとした場合の尊・重性を良好
ならしめるため、すなわち、ペースト中での粉体と粉体
との接触をよくするため薄片状であることが望ましい。
銀コートした銅粉からなるペースト、或は銀コートした
ニッケル粉からなるペーストの作製方法は、銀コートし
た銅粉或はニッケル粉と、適当な重合体もしくはオリゴ
マーと、溶媒とを混合して得られる。
上記重合体もしくはオリゴマーとしては、公知の導電ペ
ーストに使用される重合体もしくはオリゴマーが使用さ
れ、例えばアクリル樹脂、アルキッド樹脂、フッ素樹脂
、セルロース樹脂、ビニル樹脂、シリコン樹脂、エポキ
シ樹脂、ウレタン樹脂、ノボラック、レゾール等が挙げ
られるが、これらに限定されるものではないことはいう
までもない。
また、使用される溶媒は、これらの重合体もしくはオリ
ゴマーを溶解するものであればよく公知の溶媒が適用さ
れる。この溶媒は導電体層を乾燥中に飛散し、固体コン
デンサのペースト層中には残らない。また、重合体もし
くはオリゴマーが液体の時は溶媒を使用しなくてもよい
。ざらに熱硬化性の重合体もしくはオリゴマーの場合、
公知の硬化剤を加えてもよく、あるいは、硬化剤の入っ
た液を別に作製して使用時に調合して使用してもよい。
ペースト中に占める粉体の割合は、35〜95重量%で
あり、好ましくは65〜95 r、u ;11%である
。粉体の割合が35重湯%未満では、ペーストの導電性
が不十分であり、また95重量%より多い場合は、ペー
ストの接着性が不十分であり、共に固体電解コンデンサ
の性能が悪くなる。
このように構成された本発明の固体電解コンデンサは例
えば樹脂モールド、樹脂ケース、金属製の外装ケース、
樹脂のディッピング、ラミネートフィルムによる外装に
より各種用途の汎用コンデンサ製品とすることができる
〔実施例〕
以下、実施例、比較例を示して、本発明を説明する。
実施例1 長さ2 cm 、幅1 cmのアルミニウム箔を陽極と
し、交流により箔の表面を電気化学的にエツチング処理
した後、エツチングアルミニウム箔に陽極端子をかしめ
付けし、陽極リード線を接続した。次いで、ホウ酸とホ
ウ酸アンモニウムの水溶液中で電気化学的に処理してア
ルミ犬の酸化皮膜を形成し、低圧用エツチングアルミニ
ウム化成箔(約0.5μF / ci )を青た。ざら
に、この化成箔の陽極端子リード線以外の部分を酢酸鉛
三水和物1.0モル/J水溶液に浸iet L/、酢酸
鉛三水和物に対して0.5倍モルの過酸化水素の希釈水
溶液を加え、1時間放置して誘電体皮膜層上に二酸化鉛
層からなる半導体層を形成し、二酸化鉛層を水洗いし未
反応物を除去した後減圧乾燥した。
また、粒径が4μmから7μ汎の間にある銅粉に無電解
銀メツキをほどこした銀m10重量%の銀コート銅粉に
ポリメチルメタクリレートを溶解したt−ブタノール溶
液を加え、ポリメチルメタクリレートが20重電1%、
銀コート粉が80重R)%になるように調合し、銀コー
ト銅粉からなるペーストを作製し、これを上記誘電体皮
膜層上に二酸化鉛層が形成された化成箔に塗布して乾燥
した。
さらにこのベース1〜で陰極端子を接続し、樹脂肩口し
て固体電解コンデンサを作製した。
実施例2 実施例1と同様な化成箔の陽極端子リード線以外の部分
を、酢酸鉛三本和物2.4’ニル/lの水溶液と過硫酸
アンモニウム4′Fニル/Jの水溶液の混合液(反応母
液)に)Ω;ζ■し、80°Cで40分反応させ、誘雷
体駁化皮膜層上に生じた二酸化鉛とlll!I酸鉛から
なるA′右休体を水で充分洗浄した1セ、120℃で減
圧乾燥した。生成した半導体層は二酸化鉛、と硫酸鉛か
ら成り、二酸化鉛が約25千M%含まれることを質量分
析、X線分析、赤外分光分析より確認した。
次いで半導体層上に実施例1で作製したのと同様な銀コ
ート銅粉からなるペーストを塗布し乾燥し、実施例1と
同様な方法で陰極を取り出し、樹脂封口して固体電解コ
ンデンサを作製した。
実施例3 実施例2で半導体形成の際の反応母液に、さらに過酸化
水素水を0.05モル/J加えた以外は、実施例1と同
様にして半導体層・を作製した。このときの半導体層は
、二酸化鉛と硫M鉛からなる組成物であって、二酸化鉛
が約50重量%含まれることを確認した。
また、粒径が8μmから14μmの間にあるニッケル粉
に無電解銀メツキをほどこしたlff115重量%の銀
コートニッケル粉70重量%にレゾール30重;」1%
を加えて、銀コートニッケル粉からなるペーストを作製
し、これを上記訓電体皮膜層上に二酸化鉛と硫酸鉛から
なる半導体層が形成された化成箔に塗布し140℃で乾
燥した。さらにこのペーストで陰極端子を接続し140
℃で乾燥した後、樹脂封口して固体電解コンデンサを作
製した。
比較例1 粒径が18μmから30μmの間にある銅粉で銀コート
銅粉を作製した伯は、実施例1と同様にして固体電解コ
ンデンサを作製した。
比較例2 銀の無電解メツキを施さない銅粉を用いた他はし実施例
2と同様にして固体電解コンデンサを作成した。
実施例1〜3、比較例1.2において作製した固体電解
コンデンサの特性値を一括して第1表に示す。
第    1    表 但し、* 120H7での値 一10Vでの値 寧**100KHzでの(直 本ネ本*125℃で500時間放74後の容filを示
す。
第1表から明らかなように、銀コート銅粉および/また
は銀コートニッケル粉を尋′虐体として使用した固体電
解コンデンサは、良好な性質を示すことがわかる。しか
も15μm以下の粒径の粉体を用いたものは、高周波性
能がとりわけ良好である。
なお、本発明において、粒径15μm以下の銀コート銅
粉および/または粒径15μm以下の銀コートニッケル
粉にさらに銀粉を適吊加えたペーストを調合した後、該
ペーストを導電体層として利用した固体電解コンデンサ
を作製した場合、銀粉の加入によるコストアップという
点を除けば、高周波性能を含んで固体電解コンデンサの
性能は良好であり、本発明の一応用例であることは明ら
かである。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明に係るの固体電解コンアンは
、従来の固体電解コンデンサに比してコンデンサ性能が
よく、特に高周波特性に優れ、かつ、廉価である等、の
長所を右する。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)弁作用金属からなる陽極基体に順次誘電体酸化皮
    膜、半導体層、導電体層を形成してなる固体電解コンデ
    ンサにおいて、上記導電体層が、銀コートした粒径15
    μm以下の銅粉および/または銀コートした粒径15μ
    m以下のニッケル粉からなるペースト層であることを特
    徴とする固体電解コンデンサ。
  2. (2)半導体層が二酸化鉛を主成分とする層である特許
    請求の範囲第1項記載の固体電解コンデンサ。
  3. (3)半導体層が二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする層で
    ある特許請求の範囲第1項記載の固体電解コンデンサ。
JP19249986A 1986-08-18 1986-08-18 固体電解コンデンサ Pending JPS6347917A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01294303A (ja) * 1988-05-20 1989-11-28 Showa Denko Kk 導電ペーストおよび固体電解コンデンサ
JPH0457316A (ja) * 1990-06-27 1992-02-25 Hitachi Aic Inc チップ型タンタルコンデンサ
JPH0547610A (ja) * 1991-08-08 1993-02-26 Hitachi Aic Inc タンタル固体電解コンデンサ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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