JPH0487519A - 雷サージ保護装置 - Google Patents
雷サージ保護装置Info
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- JPH0487519A JPH0487519A JP2195659A JP19565990A JPH0487519A JP H0487519 A JPH0487519 A JP H0487519A JP 2195659 A JP2195659 A JP 2195659A JP 19565990 A JP19565990 A JP 19565990A JP H0487519 A JPH0487519 A JP H0487519A
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、雷サージ保護装置に関する。特に、装置のプ
リント基板上に配設の容易な装置に関する。 一例として、ケーブルテレビジョン（ｉ’ＡＴＶ）シス
テムにおける保安器や増幅器に用いられる。
リント基板上に配設の容易な装置に関する。 一例として、ケーブルテレビジョン（ｉ’ＡＴＶ）シス
テムにおける保安器や増幅器に用いられる。
従来、雷サージ保護装置の一例として、例えばＣＡＴＶ
システムにふいて、テレビジョン受信器に信号ケーブル
を介してサージ電流や漏洩電流が侵入することを防止す
るために、受信者の家屋の軒先において設値された保安
器が知られている。 この保安器の保護回路は、基本的には、高周波を通過す
る回路と、ＤＣ−ＡＣ成分をアースすると共に出力側の
１対の信号線を入力側に対して直流的に絶縁する回路と
、サージを吸収するためのアレスタで構成されたもので
ある。 この保安器として、本出願人による実開平１−１２３４
３０号公報に記載されたものが知られている。
システムにふいて、テレビジョン受信器に信号ケーブル
を介してサージ電流や漏洩電流が侵入することを防止す
るために、受信者の家屋の軒先において設値された保安
器が知られている。 この保安器の保護回路は、基本的には、高周波を通過す
る回路と、ＤＣ−ＡＣ成分をアースすると共に出力側の
１対の信号線を入力側に対して直流的に絶縁する回路と
、サージを吸収するためのアレスタで構成されたもので
ある。 この保安器として、本出願人による実開平１−１２３４
３０号公報に記載されたものが知られている。
上記のような保安器を一例とする雷サージ保護回路では
、アレスタをその画電極に対してリード線で接続してい
るため、アレスタの自己静電容量の他に、そのリード線
によって生じる分布インダクタンスが発生する。 このことが、雷サージ保護回路を用いた場合に、保安器
や増幅器等の高周波特性を劣化させる原因となっていた
。 また、このアレスタの自己静電容量を補償するためにイ
ンダクタンスを高周波信号線に挿入することが必要であ
った。 このように、高周波特性が良くないばかりでなく、装置
への実装時に個別的素子で組付ける必要がある。雷サー
ジ保護を目的とし、実装が容易な１つの機能素子は提供
されていない。
、アレスタをその画電極に対してリード線で接続してい
るため、アレスタの自己静電容量の他に、そのリード線
によって生じる分布インダクタンスが発生する。 このことが、雷サージ保護回路を用いた場合に、保安器
や増幅器等の高周波特性を劣化させる原因となっていた
。 また、このアレスタの自己静電容量を補償するためにイ
ンダクタンスを高周波信号線に挿入することが必要であ
った。 このように、高周波特性が良くないばかりでなく、装置
への実装時に個別的素子で組付ける必要がある。雷サー
ジ保護を目的とし、実装が容易な１つの機能素子は提供
されていない。
本発明の第１の特徴は、第１のストリップ導体の形成さ
れた絶縁基板と、一方の電極がｊｌＥｌのストリップ導
体と電気的に接続されて配設されたアレスタと、絶縁基
板に形成、されたストリップ導体と接続され、その絶縁
基板から立ち上がり、アレスタの上部にある他方の電極
に接続されたのち、絶縁基板に向かって立ち下がり、絶
縁基板に形成されたストリップ導体と接続され、その立
ち上がり及び立ち下り部分は、絶縁基板との間隔が狭く
なる程、幅が狭くなるように形成された第２のストリッ
プ導体と、絶縁基板に形成された第１のストリップ導体
と、他のス） ＩＪツブ導体とに、それぞれ接続された
リードピンと、絶縁基板の少なくとも上部、アレスタ及
び第２のスｌ−Ｕツブ導体を覆う樹脂モールドとで構成
したことである。 又、本発明の第２の特徴は、第１のストリップ導体の形
成された絶縁基板と、第１のス） ＩＪツブ導体に接続
された第１のリードピンと、一方の電極が第１のス）
ＩＪツブ導体と電気的に接続されて配設されたアレスタ
と、絶縁基板に平行に配設され、アレスタの上部にある
他方の電極と接続され、アレスタによる分布容量、分布
インダクタンスを補償する形状に構成された平板状の第
２のストリップ導体と、第２のストリップ導体に接続さ
れた第２のリードピンと、側面にふいて、第２のり一ド
ピンが絶縁された状態で貫通され、絶縁基板の第１のス
トリップ導体と電気的に接続され、絶縁基板の上方から
第２のストリップ導体及びアレスタを覆った金属ケース
とで構成したことである。 又、本発明の第３の特徴は、リードフレームと、リード
フレームの１つのランドに一方の電極が接続されて配設
されたアレスタと、リードフレームの他の１つのランド
に接続され、そのランドから立ち上がり、アレスタの上
部にある他方の電極、に接続されたのち、リードフレー
ムに向かって立ち下がり、リードフレームの他のランド
に接続され、その立ち上がり及び立ち下り部分は、リー
ドフレームとの間隔が狭くなる程、幅が狭くなるように
形成されたストリップ導体と、リードフレームのリード
ピンを突出させた状態で、リードフレーム、アレスタ及
びストリップ導体を覆う樹脂モールドとで構成したこと
である。
れた絶縁基板と、一方の電極がｊｌＥｌのストリップ導
体と電気的に接続されて配設されたアレスタと、絶縁基
板に形成、されたストリップ導体と接続され、その絶縁
基板から立ち上がり、アレスタの上部にある他方の電極
に接続されたのち、絶縁基板に向かって立ち下がり、絶
縁基板に形成されたストリップ導体と接続され、その立
ち上がり及び立ち下り部分は、絶縁基板との間隔が狭く
なる程、幅が狭くなるように形成された第２のストリッ
プ導体と、絶縁基板に形成された第１のストリップ導体
と、他のス） ＩＪツブ導体とに、それぞれ接続された
リードピンと、絶縁基板の少なくとも上部、アレスタ及
び第２のスｌ−Ｕツブ導体を覆う樹脂モールドとで構成
したことである。 又、本発明の第２の特徴は、第１のストリップ導体の形
成された絶縁基板と、第１のス） ＩＪツブ導体に接続
された第１のリードピンと、一方の電極が第１のス）
ＩＪツブ導体と電気的に接続されて配設されたアレスタ
と、絶縁基板に平行に配設され、アレスタの上部にある
他方の電極と接続され、アレスタによる分布容量、分布
インダクタンスを補償する形状に構成された平板状の第
２のストリップ導体と、第２のストリップ導体に接続さ
れた第２のリードピンと、側面にふいて、第２のり一ド
ピンが絶縁された状態で貫通され、絶縁基板の第１のス
トリップ導体と電気的に接続され、絶縁基板の上方から
第２のストリップ導体及びアレスタを覆った金属ケース
とで構成したことである。 又、本発明の第３の特徴は、リードフレームと、リード
フレームの１つのランドに一方の電極が接続されて配設
されたアレスタと、リードフレームの他の１つのランド
に接続され、そのランドから立ち上がり、アレスタの上
部にある他方の電極、に接続されたのち、リードフレー
ムに向かって立ち下がり、リードフレームの他のランド
に接続され、その立ち上がり及び立ち下り部分は、リー
ドフレームとの間隔が狭くなる程、幅が狭くなるように
形成されたストリップ導体と、リードフレームのリード
ピンを突出させた状態で、リードフレーム、アレスタ及
びストリップ導体を覆う樹脂モールドとで構成したこと
である。
本発明の第１の特徴において、雷サージを吸収するアレ
スタの活線電極に接続されるストリップ導体は、アレス
タの配設される基板に対して、その基板から立ち上がり
、その基板に向かって立ち下がる形状をし、立ち上がり
及び立ち下り部分は、基板との間隔が狭くなる程、幅が
狭くなるように形成されている。このようにストリップ
導体を基板に対して架橋するように形成し、その幅を基
板との間隔に応じて設計しているので、アレスタの浮遊
容量を効率良く補償することができる。 その結果、雷サージ保護回路の高周波特性を良好に改善
することができた。又、本装置は樹脂モールドで封止さ
れ、樹脂モールドからリードピンが突出された形状をし
ているので、保安器、増幅器等の各種の装置のプリント
基板等に容易に装着できるという利点がある。 又、本発明の第２の特徴では、アレスタの一方の電極を
第１のストリップ導体と接続した状態で配設し、他の電
極に電気的に接続された第２のストリップ導体を絶縁基
板に平行に配設されている。 第２のストリップ導体の形状はアレスタによる浮遊容量
と浮遊インダクタンスとを補償するように構成されてい
るので、雷サージ保護回路の高周波特性を良好に改善す
ることができる。又、金属ケースを用いているので、回
路のシールド効果も高く、金属ケースから突出した第１
のリードピンにより、他の装置のプリント基板等に容易
に装着できるという効果がある。 又、本発明の第３の特徴では、アレスタをリードフレー
ム上に配設して、立ち上がり及び立ち下り部分が、リー
ドフレームとの間隔が狭くなる程、幅が狭くなるように
形成され、アレスタを架橋するストリップ導体を設け、
樹脂モールドにより本装置を形成したものである。従っ
て、高周波特性は本発明の第１の特徴と同様な良好な効
果が得られ、且つ、本装置はプリント基板上の実装が容
易な−の機能装置とすることできる。
スタの活線電極に接続されるストリップ導体は、アレス
タの配設される基板に対して、その基板から立ち上がり
、その基板に向かって立ち下がる形状をし、立ち上がり
及び立ち下り部分は、基板との間隔が狭くなる程、幅が
狭くなるように形成されている。このようにストリップ
導体を基板に対して架橋するように形成し、その幅を基
板との間隔に応じて設計しているので、アレスタの浮遊
容量を効率良く補償することができる。 その結果、雷サージ保護回路の高周波特性を良好に改善
することができた。又、本装置は樹脂モールドで封止さ
れ、樹脂モールドからリードピンが突出された形状をし
ているので、保安器、増幅器等の各種の装置のプリント
基板等に容易に装着できるという利点がある。 又、本発明の第２の特徴では、アレスタの一方の電極を
第１のストリップ導体と接続した状態で配設し、他の電
極に電気的に接続された第２のストリップ導体を絶縁基
板に平行に配設されている。 第２のストリップ導体の形状はアレスタによる浮遊容量
と浮遊インダクタンスとを補償するように構成されてい
るので、雷サージ保護回路の高周波特性を良好に改善す
ることができる。又、金属ケースを用いているので、回
路のシールド効果も高く、金属ケースから突出した第１
のリードピンにより、他の装置のプリント基板等に容易
に装着できるという効果がある。 又、本発明の第３の特徴では、アレスタをリードフレー
ム上に配設して、立ち上がり及び立ち下り部分が、リー
ドフレームとの間隔が狭くなる程、幅が狭くなるように
形成され、アレスタを架橋するストリップ導体を設け、
樹脂モールドにより本装置を形成したものである。従っ
て、高周波特性は本発明の第１の特徴と同様な良好な効
果が得られ、且つ、本装置はプリント基板上の実装が容
易な−の機能装置とすることできる。
以下、本考案を具体的な実施例に基づいて説明する。
第１実施例
第１図、第２図は実施例に係る雷サージ保護装置を示し
た図である。 絶縁基板２０上面及び裏面に、アースである第１のスト
リップ導体２１ａ、 ２１ｂとが形成されている。 そして、それらのストリップ導体２１ａ、 ２１ｂは、
多数の箇所で絶縁基板２０を貫通したはんだ２６により
電気的に接続されている。 又、絶縁基板２０の上面には、高周波信号を伝搬させる
活線であるストリップ導体２２ａ、 ２３ａが形成され
ている。そのストリップ導体２２ａ、 ２３ａは、はん
だ２７により絶縁基板２０の裏面に形成されたストリッ
プ導体２２ｂ、 ２３ｂに電気的に接続されている。 アレスタＡＲＲの一方の電極のリード線２４は第１のス
トリップ導体２１ａと絶縁基板２０キその裏面に形成さ
れた第１のストリップ導体２１ｂとを貫通し、裏面の第
１ス） ＩＪツブ導体２１ｂとはんだにより接続されて
いる。 一方、端部３１が絶縁基板２０上に配設されたストリッ
プ導体２２ａにはんだにより接合し、他方の端部３２が
ストリップ導体２３ａにはんだにより接合した第２のス
トリップ導体３０がアレスタＡＲＲを架橋するように配
設されている。 即ち、第２のストリップ導体３０は絶縁基板２０に対し
て端部３１から立ち上がり、端部３２に向けて立ち下が
る形状に形成されている。 そして、その第２のストリップ導体３０の中央部では、
アレスタＡＲＲの他方の電極のリード線２５が貫通し、
リード線２５と第２のストリップ導体３０とがはんだで
電気的に接合されている。 この第２のストリップ導体３０は、第３図に示す展開図
から明らかなように、絶縁基板２０からの高さが低くな
るに連れて、幅が狭くなるように形成されている。即ち
、容量の増加に伴いインダクタンスも増加させて、イン
ピーダンス整合をとっている。 一方、絶縁基板２０の裏面に形成された第１のストリッ
プ導体２１ｂには、第２のリードピン２８．２９が接続
されている。又、絶縁基板２０の裏面に形成された第２
のストリップ導体２２ｂ、 ２３ｂには、第１のリード
ピン３３．３４が接続されている。そして、絶縁基板２
０、リードピン２８．２９．３０．３１の根本部、アレ
スタＡＲＲ、第２のストリップ導体３０を覆うように樹
脂モールド３５が配設されている。この樹脂モールド３
５の底部から第１のリードピン３３．３４、第２のリー
ドピン２８．２９が突出している。 これらのリードピン３３．３４．２８．２９を装置のプ
リント基板の溝に挿入することで、雷サージ保護装置１
を容易に配設することができる。 このような構成の雷サージ保護回路について、伝送特性
を測定した結果、第４図に示す特性が得られた。この測
定結果から明らかなように、挿入損失は１００１００Ｏ
を越えても、０．６ｄＢよりも大きくならない。又、反
射損失は１００１００Ｏを越えても、測定上限の２００
０ＭＨｚまで、２０ｄＢ以上である。 尚、比較のために、従来の回路の伝送特性を測定した。 円筒型のアレスタＡＲＲを第７図に示すように配置して
伝送特性を測定した。この時、アレスタＡＲＲのリード
線は極力短くされている。その結果を第５図に示す。挿
入損失は１４００Ｍ１（ｚ以上では、０．５ｄＢ以上と
なり、反射損失も６００ＭＨｚ以上で２０ｄＢ以下とな
り、１４００ＭＨｚ以上では１０ｄＢ以下となる。 又、この方法も、従来行われているが、第８図に示すよ
うに、第７図に示すアレスタＡＲＲの配置に加えて、イ
ンダクタンス補償回路Ｌｌ、Ｌ２を設けた場合の伝送特
性は、第６図に示すようになった。 １５００ＭＨｚ以上で、挿入損失が０．６ｄＢ以上とな
り、反射損失が２０ｄＢ以下となる。 このように、本発明の雷サージ保護回路では、２０００
ＭＨｚの高帯域まで、挿入損失、反射損失共に良好な特
性を示した。 樹脂モールド３５の内部に配設される絶縁基板２０、ア
レスタＡＲＲ、第２のストリップ導体３０は、次に示す
構成とすることも可能である。 又、第９図に示すように、アレスタＡＲＲを螺子綿めに
より立設しても良い。即ち、絶縁基板２０の上面に形成
された第１のストリップ導体２１ａに対して導電性の台
座５０がはんだで接続されており、その台座５０の内面
には螺子が切られている。アレスタＡＲＲのアース電極
５工はリング状にアレスタの側周部に形成されており、
それには、螺子が切られている。そして、これらの螺子
の螺合により、アレスタＡＲＲが絶縁基板２ｏに立設さ
れる。 又、第１０図に示すように、アレスタＡＲＲの活線電極
５８と第２のストリップ導体５５とを接合させても良い
。即ち、アレスタＡＲＲの電極５８は皿状に形成され、
第２のス） ＩＪツブ導体５５の平坦部５６に凸部５７
が形成されている。そして、凸部５７が皿状の電極５８
に嵌合されることで、アレスタ＾ＲＲと第２のスｌ−Ｉ
Ｊツブ導体５５の電気的かつ機械的な接続が行われる。 又、上記実施例ではアレスタＡＲＲは円筒形状のものを
使用したが、第１１図に示すように、ネオン管型のアレ
スタを使用しても良い。 又、アレスタＡＲＲを架橋する第２のストリップ導体の
下には、アレスタＡＲＲの他、ダイオード等の他の素子
を配置しても良い。 尚、上記の実施例では、第２のス） ＩＪツブ導体３０
、４０．５５を高周波信号の通る活線としたが、第２の
ストリップ導体３０．４０．５５をアース、第１のスト
リップ導体２１ａ、 ２１ｂを高周波信号の通る活線と
しても良い。 第２実施例 第１２図において、第１実施例と同様に絶縁基板６０の
上にアースである第１のストリップ導体６１が配設され
ている。その第１のストリップ導体６１の上には、アレ
スタＡＲＲがそのアース電極６２が接合されて立設され
ている。他方、アレスタＡＲＲの活線電極６３は、高周
波信号が通る平板状の第２のストリップ導体６４が接合
されている。その第２のストリップ導体６４は第１３図
に示すように、アレスタＡＲＲの上部Ｗでの幅は、その
周辺部ｘ、Ｙに比べて細くなっている。このような形状
とすることで、アレスタＡＲＲによる浮遊容量及び浮遊
インダクタンスを良好に補償し、高周波特性を向上させ
ることができる。 一方、絶縁基板６０は金属製の平板状の基台６６の上に
載置されている。第１のリードビン６５ａ、 ６５ｂは
、絶縁基板６０及び基台６６を貫通してアースの第１の
ストリップ導体６１と電気的に接合されている。 又、絶縁基板６０は上方向から金属ケース６７で覆われ
ており、その金属ケース６７は基台６６の周辺部におい
て接合されている。 第２のストリップ導体６４の両端には第２のリードピン
６８ａ、 ６８ｂが接合されており、その第２のリード
ピン６８ａ、 ６８ｂは金属ケース６７と絶縁された状
態で、その金属ケース６７の側面を貫通して外側に突出
されている。第２のリードピン６８ａは高周波信号の入
力用のリードピンとなり、第２のリードピン６８ｂは高
周波信号の出力用のリードピンとなる。 上記構造の雷サージ保護装置では、第２のストリップ導
体６４とアースである第１のストリップ導体６１及び金
属ケース６７の上面６７ａとの間で補償のための容量が
形成さ、第２のス） ＩＪツブ導体６４の第１３図に示
す形状により補償のためのインダクタンスが形成される
ことになる。従って、この実施例の場合には、第２のス
トリップ導体６４はアースの第１のストリップ導体６１
に対して平行に構成される。 第３実施例 第３実施例はリードフレーム上にアレスタを配置して樹
脂モールドにより雷サージ保護装置を形成したものであ
る。 第１４図において、リードフレーム７０はアースランド
７１、高周波信号が入力される入力ランドア２、高周波
信号が出力される出力ランドア３、高周波信号の入力端
子となる入力リードビン７４ａ、 ７４ｂと高周波信号
の出力端子となる出力リードビン７５ａ、 ７５ｈ１ア
ースリードビン７６ａ、 ７６ｂとで構成されている。 アースランド７１上には、第１実施例と同様に、アレス
タＡＲＲが、そのアース電極７７が接合されて、立設さ
れている。又、活線電極７８には、ストリップ導体７９
が接合されている。ストリップ導体７９の入力側端部８
０は入力ランドア２にはんだ付けされており、ストリッ
プ導体７９の出力側端部８１は出力ランドア３にはんだ
付けされている。そして、このようにアレスタＡＲＲと
ストリップ導体７９とリードピン７４ａ、 ７４ｂ、
７５ａ、 ７５ｂ、 ７６ａ、 ７６ｂを除くリードフ
レーム７０とをインサート成形して、樹脂モールド８２
が形成される。 このような樹脂成形による雷サージ保護装置は、プリン
ト基板の溝等に容易に装着することができ、１つの機能
素子として提供することが可能となる。 本実施例において、アレスタＡＲＲを架橋するストリッ
プ導体７９は高周波信号の通る活線として構成している
が、架橋するストリップ導体７９の方をアースとし、上
記実施例のアース線を活線として形成することも可能で
ある。
た図である。 絶縁基板２０上面及び裏面に、アースである第１のスト
リップ導体２１ａ、 ２１ｂとが形成されている。 そして、それらのストリップ導体２１ａ、 ２１ｂは、
多数の箇所で絶縁基板２０を貫通したはんだ２６により
電気的に接続されている。 又、絶縁基板２０の上面には、高周波信号を伝搬させる
活線であるストリップ導体２２ａ、 ２３ａが形成され
ている。そのストリップ導体２２ａ、 ２３ａは、はん
だ２７により絶縁基板２０の裏面に形成されたストリッ
プ導体２２ｂ、 ２３ｂに電気的に接続されている。 アレスタＡＲＲの一方の電極のリード線２４は第１のス
トリップ導体２１ａと絶縁基板２０キその裏面に形成さ
れた第１のストリップ導体２１ｂとを貫通し、裏面の第
１ス） ＩＪツブ導体２１ｂとはんだにより接続されて
いる。 一方、端部３１が絶縁基板２０上に配設されたストリッ
プ導体２２ａにはんだにより接合し、他方の端部３２が
ストリップ導体２３ａにはんだにより接合した第２のス
トリップ導体３０がアレスタＡＲＲを架橋するように配
設されている。 即ち、第２のストリップ導体３０は絶縁基板２０に対し
て端部３１から立ち上がり、端部３２に向けて立ち下が
る形状に形成されている。 そして、その第２のストリップ導体３０の中央部では、
アレスタＡＲＲの他方の電極のリード線２５が貫通し、
リード線２５と第２のストリップ導体３０とがはんだで
電気的に接合されている。 この第２のストリップ導体３０は、第３図に示す展開図
から明らかなように、絶縁基板２０からの高さが低くな
るに連れて、幅が狭くなるように形成されている。即ち
、容量の増加に伴いインダクタンスも増加させて、イン
ピーダンス整合をとっている。 一方、絶縁基板２０の裏面に形成された第１のストリッ
プ導体２１ｂには、第２のリードピン２８．２９が接続
されている。又、絶縁基板２０の裏面に形成された第２
のストリップ導体２２ｂ、 ２３ｂには、第１のリード
ピン３３．３４が接続されている。そして、絶縁基板２
０、リードピン２８．２９．３０．３１の根本部、アレ
スタＡＲＲ、第２のストリップ導体３０を覆うように樹
脂モールド３５が配設されている。この樹脂モールド３
５の底部から第１のリードピン３３．３４、第２のリー
ドピン２８．２９が突出している。 これらのリードピン３３．３４．２８．２９を装置のプ
リント基板の溝に挿入することで、雷サージ保護装置１
を容易に配設することができる。 このような構成の雷サージ保護回路について、伝送特性
を測定した結果、第４図に示す特性が得られた。この測
定結果から明らかなように、挿入損失は１００１００Ｏ
を越えても、０．６ｄＢよりも大きくならない。又、反
射損失は１００１００Ｏを越えても、測定上限の２００
０ＭＨｚまで、２０ｄＢ以上である。 尚、比較のために、従来の回路の伝送特性を測定した。 円筒型のアレスタＡＲＲを第７図に示すように配置して
伝送特性を測定した。この時、アレスタＡＲＲのリード
線は極力短くされている。その結果を第５図に示す。挿
入損失は１４００Ｍ１（ｚ以上では、０．５ｄＢ以上と
なり、反射損失も６００ＭＨｚ以上で２０ｄＢ以下とな
り、１４００ＭＨｚ以上では１０ｄＢ以下となる。 又、この方法も、従来行われているが、第８図に示すよ
うに、第７図に示すアレスタＡＲＲの配置に加えて、イ
ンダクタンス補償回路Ｌｌ、Ｌ２を設けた場合の伝送特
性は、第６図に示すようになった。 １５００ＭＨｚ以上で、挿入損失が０．６ｄＢ以上とな
り、反射損失が２０ｄＢ以下となる。 このように、本発明の雷サージ保護回路では、２０００
ＭＨｚの高帯域まで、挿入損失、反射損失共に良好な特
性を示した。 樹脂モールド３５の内部に配設される絶縁基板２０、ア
レスタＡＲＲ、第２のストリップ導体３０は、次に示す
構成とすることも可能である。 又、第９図に示すように、アレスタＡＲＲを螺子綿めに
より立設しても良い。即ち、絶縁基板２０の上面に形成
された第１のストリップ導体２１ａに対して導電性の台
座５０がはんだで接続されており、その台座５０の内面
には螺子が切られている。アレスタＡＲＲのアース電極
５工はリング状にアレスタの側周部に形成されており、
それには、螺子が切られている。そして、これらの螺子
の螺合により、アレスタＡＲＲが絶縁基板２ｏに立設さ
れる。 又、第１０図に示すように、アレスタＡＲＲの活線電極
５８と第２のストリップ導体５５とを接合させても良い
。即ち、アレスタＡＲＲの電極５８は皿状に形成され、
第２のス） ＩＪツブ導体５５の平坦部５６に凸部５７
が形成されている。そして、凸部５７が皿状の電極５８
に嵌合されることで、アレスタ＾ＲＲと第２のスｌ−Ｉ
Ｊツブ導体５５の電気的かつ機械的な接続が行われる。 又、上記実施例ではアレスタＡＲＲは円筒形状のものを
使用したが、第１１図に示すように、ネオン管型のアレ
スタを使用しても良い。 又、アレスタＡＲＲを架橋する第２のストリップ導体の
下には、アレスタＡＲＲの他、ダイオード等の他の素子
を配置しても良い。 尚、上記の実施例では、第２のス） ＩＪツブ導体３０
、４０．５５を高周波信号の通る活線としたが、第２の
ストリップ導体３０．４０．５５をアース、第１のスト
リップ導体２１ａ、 ２１ｂを高周波信号の通る活線と
しても良い。 第２実施例 第１２図において、第１実施例と同様に絶縁基板６０の
上にアースである第１のストリップ導体６１が配設され
ている。その第１のストリップ導体６１の上には、アレ
スタＡＲＲがそのアース電極６２が接合されて立設され
ている。他方、アレスタＡＲＲの活線電極６３は、高周
波信号が通る平板状の第２のストリップ導体６４が接合
されている。その第２のストリップ導体６４は第１３図
に示すように、アレスタＡＲＲの上部Ｗでの幅は、その
周辺部ｘ、Ｙに比べて細くなっている。このような形状
とすることで、アレスタＡＲＲによる浮遊容量及び浮遊
インダクタンスを良好に補償し、高周波特性を向上させ
ることができる。 一方、絶縁基板６０は金属製の平板状の基台６６の上に
載置されている。第１のリードビン６５ａ、 ６５ｂは
、絶縁基板６０及び基台６６を貫通してアースの第１の
ストリップ導体６１と電気的に接合されている。 又、絶縁基板６０は上方向から金属ケース６７で覆われ
ており、その金属ケース６７は基台６６の周辺部におい
て接合されている。 第２のストリップ導体６４の両端には第２のリードピン
６８ａ、 ６８ｂが接合されており、その第２のリード
ピン６８ａ、 ６８ｂは金属ケース６７と絶縁された状
態で、その金属ケース６７の側面を貫通して外側に突出
されている。第２のリードピン６８ａは高周波信号の入
力用のリードピンとなり、第２のリードピン６８ｂは高
周波信号の出力用のリードピンとなる。 上記構造の雷サージ保護装置では、第２のストリップ導
体６４とアースである第１のストリップ導体６１及び金
属ケース６７の上面６７ａとの間で補償のための容量が
形成さ、第２のス） ＩＪツブ導体６４の第１３図に示
す形状により補償のためのインダクタンスが形成される
ことになる。従って、この実施例の場合には、第２のス
トリップ導体６４はアースの第１のストリップ導体６１
に対して平行に構成される。 第３実施例 第３実施例はリードフレーム上にアレスタを配置して樹
脂モールドにより雷サージ保護装置を形成したものであ
る。 第１４図において、リードフレーム７０はアースランド
７１、高周波信号が入力される入力ランドア２、高周波
信号が出力される出力ランドア３、高周波信号の入力端
子となる入力リードビン７４ａ、 ７４ｂと高周波信号
の出力端子となる出力リードビン７５ａ、 ７５ｈ１ア
ースリードビン７６ａ、 ７６ｂとで構成されている。 アースランド７１上には、第１実施例と同様に、アレス
タＡＲＲが、そのアース電極７７が接合されて、立設さ
れている。又、活線電極７８には、ストリップ導体７９
が接合されている。ストリップ導体７９の入力側端部８
０は入力ランドア２にはんだ付けされており、ストリッ
プ導体７９の出力側端部８１は出力ランドア３にはんだ
付けされている。そして、このようにアレスタＡＲＲと
ストリップ導体７９とリードピン７４ａ、 ７４ｂ、
７５ａ、 ７５ｂ、 ７６ａ、 ７６ｂを除くリードフ
レーム７０とをインサート成形して、樹脂モールド８２
が形成される。 このような樹脂成形による雷サージ保護装置は、プリン
ト基板の溝等に容易に装着することができ、１つの機能
素子として提供することが可能となる。 本実施例において、アレスタＡＲＲを架橋するストリッ
プ導体７９は高周波信号の通る活線として構成している
が、架橋するストリップ導体７９の方をアースとし、上
記実施例のアース線を活線として形成することも可能で
ある。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係る雷サージ保護
装置の断面図、第２図は樹脂モールドを除去した状態で
の雷サージ保護装置の平面図、第３図は架橋する第２の
ストリップ導体の展開図、第４図はその保護装置の伝送
特性を示す測定図、第５図、第６図は従来のアレスタ保
護回路の伝送特性を示す測定図、第７図、第８図は、そ
れぞれ、第５図、第６図の伝送特性測定に使用されたア
レスタ保護回路の構成図、第９図は他の変形例に係る保
護装置の断面図、第１０図は他の変形例に係る保護装置
の斜視図、第１１図は他の変形例に係る保護装置の断面
図、第１２図は第２実施例に係る雷サージ保護装置の断
面図、第１３図はその実施例装装置の内部の平面図、第
１４図は第３実施例に係る雷サージ保護装置の斜視図で
ある。 ２０、６０．−絶縁基板 ２１ａ、 ２１ｂ、 ６１−
第１のストリップ導体 ２２ａ、 ２２ｂ、 ２３ａ、
２３ｂ、 ７９−スト３０、４０．５５．６４ ・
−第２のストリップ導体５〇 −台座２ｇ、 ２９．６
５ａ、 ６５ｂ−第１のリードピン３３．３４．６Ｊｌ
ａ、６８ｂ−一第２のリードピン７４ａ、７４ｂ −人
力リードピン７５ａ、 ７５ｂ−出力リードピン７６ａ
、 ７６ｂ・・”°アースリードピンリップ導体
装置の断面図、第２図は樹脂モールドを除去した状態で
の雷サージ保護装置の平面図、第３図は架橋する第２の
ストリップ導体の展開図、第４図はその保護装置の伝送
特性を示す測定図、第５図、第６図は従来のアレスタ保
護回路の伝送特性を示す測定図、第７図、第８図は、そ
れぞれ、第５図、第６図の伝送特性測定に使用されたア
レスタ保護回路の構成図、第９図は他の変形例に係る保
護装置の断面図、第１０図は他の変形例に係る保護装置
の斜視図、第１１図は他の変形例に係る保護装置の断面
図、第１２図は第２実施例に係る雷サージ保護装置の断
面図、第１３図はその実施例装装置の内部の平面図、第
１４図は第３実施例に係る雷サージ保護装置の斜視図で
ある。 ２０、６０．−絶縁基板 ２１ａ、 ２１ｂ、 ６１−
第１のストリップ導体 ２２ａ、 ２２ｂ、 ２３ａ、
２３ｂ、 ７９−スト３０、４０．５５．６４ ・
−第２のストリップ導体５〇 −台座２ｇ、 ２９．６
５ａ、 ６５ｂ−第１のリードピン３３．３４．６Ｊｌ
ａ、６８ｂ−一第２のリードピン７４ａ、７４ｂ −人
力リードピン７５ａ、 ７５ｂ−出力リードピン７６ａ
、 ７６ｂ・・”°アースリードピンリップ導体
Claims (3)
- （１）第１のストリップ導体の形成された絶縁基板と、 一方の電極が前記第１のストリップ導体と電気的に接続
されて配設されたアレスタと、 前記絶縁基板に形成されたストリップ導体と接続され、
その絶縁基板から立ち上がり、前記アレスタの上部にあ
る他方の電極に接続されたのち、前記絶縁基板に向かっ
て立ち下がり、前記絶縁基板に形成されたストリップ導
体と接続され、その立ち上がり及び立ち下り部分は、前
記絶縁基板との間隔が狭くなる程、幅が狭くなるように
形成された第２のストリップ導体と、 前記絶縁基板に形成された前記第１のストリップ導体と
、他のストリップ導体とに、それぞれ接続されたリード
ピンと、 前記絶縁基板の少なくとも上部、前記アレスタ及び前記
第２のストリップ導体を覆う樹脂モールドと から成る雷サージ保護装置。 - （２）第１のストリップ導体の形成された絶縁基板と、 前記第１のストリップ導体に接続された第１のリードピ
ンと、 一方の電極が前記第１のストリップ導体と電気的に接続
されて配設されたアレスタと、 前記絶縁基板に平行に配設され、前記アレスタの上部に
ある他方の電極と接続され、前記アレスタによる分布容
量、分布インダクタンスを補償する形状に構成された平
板状の第２のストリップ導体と、 前記第２のストリップ導体に接続された第２のリードピ
ンと、 側面において、前記第２のリードピンが絶縁された状態
で貫通され、前記絶縁基板の第１のストリップ導体と電
気的に接続され、前記絶縁基板の上方から前記第２のス
トリップ導体及び前記アレスタを覆った金属ケースと から成る雷サージ保護装置。 - （３）リードフレームと、 前記リードフレームの１つのランドに一方の電極が接続
されて配設されたアレスタと、 前記リードフレームの他の１つのランドに接続され、そ
のランドから立ち上がり、前記アレスタの上部にある他
方の電極に接続されたのち、前記リードフレームに向か
って立ち下がり、前記リードフレームの他のランドに接
続され、その立ち上がり及び立ち下り部分は、前記リー
ドフレームとの間隔が狭くなる程、幅が狭くなるように
形成されたストリップ導体と、 前記リードフレームのリードピンを突出させた状態で、
前記リードフレーム、前記アレスタ及び前記ストリップ
導体を覆う樹脂モールドとから成る雷サージ保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195659A JP2737025B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 雷サージ保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2195659A JP2737025B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 雷サージ保護装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0487519A true JPH0487519A (ja) | 1992-03-19 |
| JP2737025B2 JP2737025B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=16344856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2195659A Expired - Fee Related JP2737025B2 (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | 雷サージ保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2737025B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100487723B1 (ko) * | 2000-04-20 | 2005-05-06 | 만네스만 파우데오 아게 | 과전압 보호 장치 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231827U (ja) * | 1976-07-27 | 1977-03-05 | ||
| JPS60111343U (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-27 | 東芝首都圏サ−ビス株式会社 | Ｃａｔｖ用保安器 |
| JPS62166731A (ja) * | 1986-01-18 | 1987-07-23 | 日本電気株式会社 | 通信用保安器 |
| JPS62201024A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-04 | 日本電気株式会社 | 高周波避雷器 |
| JPH0336924A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-18 | Nec Corp | アレスタ回路の実装構造 |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP2195659A patent/JP2737025B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5231827U (ja) * | 1976-07-27 | 1977-03-05 | ||
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| KR100487723B1 (ko) * | 2000-04-20 | 2005-05-06 | 만네스만 파우데오 아게 | 과전압 보호 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2737025B2 (ja) | 1998-04-08 |
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