JPH0488346A - レジスト組成物 - Google Patents
レジスト組成物Info
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- JPH0488346A JPH0488346A JP2205678A JP20567890A JPH0488346A JP H0488346 A JPH0488346 A JP H0488346A JP 2205678 A JP2205678 A JP 2205678A JP 20567890 A JP20567890 A JP 20567890A JP H0488346 A JPH0488346 A JP H0488346A
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- acid
- polymer
- weight
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/04—Chromates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はポジ型／ネガを両用のレジスト材料に関する。
より詳しくは、本発明は印刷版、フォトレジストとして
有用な新規なレジスト組成物に関する。
有用な新規なレジスト組成物に関する。
（従来の技術）
レジスト組成物にはネガ型（光照射した部分が硬化する
もの）とポジを（光照射した部分が現像液で溶出するも
の）との２種類がある。
もの）とポジを（光照射した部分が現像液で溶出するも
の）との２種類がある。
特開昭５９−４５４３９号公報にはｔ−ブチルエステル
やｔ−ブチルカルボネートなどの反復基を有するポリス
チレンのような重合体を光重合開始剤と組み合わせて用
いることが開示されている。
やｔ−ブチルカルボネートなどの反復基を有するポリス
チレンのような重合体を光重合開始剤と組み合わせて用
いることが開示されている。
この組成物に紫外線を照射すると、光重合開始剤から酸
が発生し、これが前記ｔ−ブチルエステルやｔ−ブチル
カルボネート基を対応する塩基可溶性フェノールまたは
塩基可溶性カルボン酸に変化する。これにより塩基可溶
な生成物、すなわちポジ槃レジストとなる。また、この
組成物の光照射していない部分はｎ−ヘキサンと塩化メ
チレンの混合物に可溶であるが、光照射した部分は可溶
でなくなることから、ネガ型レジストとしても使用する
ことができる。
が発生し、これが前記ｔ−ブチルエステルやｔ−ブチル
カルボネート基を対応する塩基可溶性フェノールまたは
塩基可溶性カルボン酸に変化する。これにより塩基可溶
な生成物、すなわちポジ槃レジストとなる。また、この
組成物の光照射していない部分はｎ−ヘキサンと塩化メ
チレンの混合物に可溶であるが、光照射した部分は可溶
でなくなることから、ネガ型レジストとしても使用する
ことができる。
しかしながら、ネガをレジストとして用いた場合には、
重合体の極性（溶解度）の相違により光照射していない
部分を除去するが、光照射した部分は架橋構造をとらず
、耐薬品性やその他の性質に劣る。
重合体の極性（溶解度）の相違により光照射していない
部分を除去するが、光照射した部分は架橋構造をとらず
、耐薬品性やその他の性質に劣る。
（発明が解決しようとする課題）
本発明はネガ型／ポジ型両用のレジスト組成物であり、
いずれの場合（ポジ型あるいはネガ型）においても、残
存被膜が優れた耐薬品性等の物理的性能を有しているも
のを提供する。
いずれの場合（ポジ型あるいはネガ型）においても、残
存被膜が優れた耐薬品性等の物理的性能を有しているも
のを提供する。
（課題を解決するための手段）
すなわち、本発明は（ａ）＃に対して不安定な反復的に
存在する枝分れした基を有する重合体２０〜９０重量％
、 （ｂ）酸による成分（ａ）の基の分解によって生じた基
と加熱下に反応する基を有する重合体１０〜７０重量％
、および （ｃ）光照射に対し酸を生ずる光重合開始剤を上記成分
（ａ）および（ｂ）の総重量に対しＯ２１〜５０重量％ を含有するレジスト組成物を提供する。
存在する枝分れした基を有する重合体２０〜９０重量％
、 （ｂ）酸による成分（ａ）の基の分解によって生じた基
と加熱下に反応する基を有する重合体１０〜７０重量％
、および （ｃ）光照射に対し酸を生ずる光重合開始剤を上記成分
（ａ）および（ｂ）の総重量に対しＯ２１〜５０重量％ を含有するレジスト組成物を提供する。
また本発明は（ｄ）酸に対して不安定な枝分れした基、
および該枝分れした基の酸による分解によって生じた基
と加熱下に反応する基を有する重合体、および （ｃ）光照射に対し酸を生じる光重合開始剤を上記成分
（ｄ）に対し０．１〜５０重量％を含有するレジスト組
成物を提供する。
および該枝分れした基の酸による分解によって生じた基
と加熱下に反応する基を有する重合体、および （ｃ）光照射に対し酸を生じる光重合開始剤を上記成分
（ｄ）に対し０．１〜５０重量％を含有するレジスト組
成物を提供する。
本発明中の酸に対して不安定な枝分れした基とはカルボ
ン酸のｔ−ブチルエステルおよびフェノールのｔ−ブチ
ルカルボネート等がもっとも好適であるが、トリチル、
ベンジルなどベンズヒドリルによる変性体等も含む。
ン酸のｔ−ブチルエステルおよびフェノールのｔ−ブチ
ルカルボネート等がもっとも好適であるが、トリチル、
ベンジルなどベンズヒドリルによる変性体等も含む。
本発明の成分（ａ）である酸に対して不安定な反復的に
存在する枝分れした基を有する重合体は、上記酸に対し
て不安定な枝分れした基を有する重合性の化合物の単独
重合体または共重合体である。
存在する枝分れした基を有する重合体は、上記酸に対し
て不安定な枝分れした基を有する重合性の化合物の単独
重合体または共重合体である。
酸に対して不安定な枝分れした基を有する重合性化合物
の例としてはｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−ａ−
メチルスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシス
チレン、Ｅ−ブチル−ｐ−ビニルベンシュート、ｔ−ブ
チル−ｐ−イソプロペニルフェニルオキシアセテートお
よびＬ−ブチルメタクリレート等が挙げられる。
の例としてはｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−ａ−
メチルスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシス
チレン、Ｅ−ブチル−ｐ−ビニルベンシュート、ｔ−ブ
チル−ｐ−イソプロペニルフェニルオキシアセテートお
よびＬ−ブチルメタクリレート等が挙げられる。
上記単量体と共重合体しうる単量体の例としてはモノオ
レフィンおよびジオレフィン炭化水素類、即ち水素原子
および炭素原子のみを有する単量体、例えハ、スチレン
、ａ−メチルスチレン、ａ−エチルスチレン、エチレン
、プロピレン、ブチレン、アミシン、ヘキシレン、ブタ
ジェン−１，３、イソプレン等；ハロゲン化モノオレフ
ィンおよびジオレフィン炭化水素類、即ち、炭素原子、
水素原子および１個以上のハロゲン原子を有する単量体
、例エバ、σ−クロロスチレン、ａ−ブロモスチレン、
２．５−ジクロロスチレン、２．５−ジプロモスチレン
、３．４−ジクロロスチレン、有機および無機酸のエス
テル類、例えば、ビニルアセテート、ビニルベンゾエ−
ト、ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニル
バレレート、ビニルカプロエート、ビニルアセテート、
ビニルベンゾエート、ビニルトルエート、ビニル−ｐ−
クロロベンゾエート、ヒニルー〇−クロロベンゾエート
、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピル
アクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルアク
リレート、インブチルアクリレート、アミルアクリレー
ト、ヘキシルアクリレート、２−エチルへキシルアクリ
レート、ヘプチルアクリレート、オクチルアクリレート
、３，５．５−）ジメチルへキシルアクリレート、デシ
ルアクリレートおよびドデシルアクリレート；アリルク
ロライド、アリルシアナイド、アリルブロマイド、アリ
ルフルオライド、アリルヨーシト、アリルクロライドカ
ーボネート；ジメチルマレエート、ジエチルマレエート
、ジアリルマレエート、ジメチルフマレート、ジエチル
フマレート、ジアリルマレエトおよびジエチルゲルタコ
ネート；有機ニトリル類、例えば、アクリロニトリノ呟
メタクリロニトリル、エタクリロニトリル、３−オクテ
ンニトリル、クロトニトリル、オレオニトリル等が挙げ
られる。
レフィンおよびジオレフィン炭化水素類、即ち水素原子
および炭素原子のみを有する単量体、例えハ、スチレン
、ａ−メチルスチレン、ａ−エチルスチレン、エチレン
、プロピレン、ブチレン、アミシン、ヘキシレン、ブタ
ジェン−１，３、イソプレン等；ハロゲン化モノオレフ
ィンおよびジオレフィン炭化水素類、即ち、炭素原子、
水素原子および１個以上のハロゲン原子を有する単量体
、例エバ、σ−クロロスチレン、ａ−ブロモスチレン、
２．５−ジクロロスチレン、２．５−ジプロモスチレン
、３．４−ジクロロスチレン、有機および無機酸のエス
テル類、例えば、ビニルアセテート、ビニルベンゾエ−
ト、ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニル
バレレート、ビニルカプロエート、ビニルアセテート、
ビニルベンゾエート、ビニルトルエート、ビニル−ｐ−
クロロベンゾエート、ヒニルー〇−クロロベンゾエート
、メチルアクリレート、エチルアクリレート、プロピル
アクリレート、イソプロピルアクリレート、ブチルアク
リレート、インブチルアクリレート、アミルアクリレー
ト、ヘキシルアクリレート、２−エチルへキシルアクリ
レート、ヘプチルアクリレート、オクチルアクリレート
、３，５．５−）ジメチルへキシルアクリレート、デシ
ルアクリレートおよびドデシルアクリレート；アリルク
ロライド、アリルシアナイド、アリルブロマイド、アリ
ルフルオライド、アリルヨーシト、アリルクロライドカ
ーボネート；ジメチルマレエート、ジエチルマレエート
、ジアリルマレエート、ジメチルフマレート、ジエチル
フマレート、ジアリルマレエトおよびジエチルゲルタコ
ネート；有機ニトリル類、例えば、アクリロニトリノ呟
メタクリロニトリル、エタクリロニトリル、３−オクテ
ンニトリル、クロトニトリル、オレオニトリル等が挙げ
られる。
本発明の（ｂ）成分は成分（ａ）の酸による分解によっ
て生じた基（具体的には、カルボキシル基またはフェノ
ール酸基）と加熱下に反応する基を有する重合体である
。この重合体は上述の酸に対して不安定な枝分れした基
が酸により分解して生じた基と加熱下に反応する基を有
する単量体の単独重合体または上述の他の単量体との共
重合体であってもよい。そのような加熱下に反応する基
は具体的にはヒドロキシル基、オキシラン基、インシア
ネート基等が挙げられる。加熱下に反応する基を有する
単量体の具体的な例としては２−ヒドロキシエチル（メ
タ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）ア
クリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、アリー
ルグリシジルエーテル、ビニルイソシアネート、（メタ
）アクリロイルイソシアネート等が挙げられる。
て生じた基（具体的には、カルボキシル基またはフェノ
ール酸基）と加熱下に反応する基を有する重合体である
。この重合体は上述の酸に対して不安定な枝分れした基
が酸により分解して生じた基と加熱下に反応する基を有
する単量体の単独重合体または上述の他の単量体との共
重合体であってもよい。そのような加熱下に反応する基
は具体的にはヒドロキシル基、オキシラン基、インシア
ネート基等が挙げられる。加熱下に反応する基を有する
単量体の具体的な例としては２−ヒドロキシエチル（メ
タ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）ア
クリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、アリー
ルグリシジルエーテル、ビニルイソシアネート、（メタ
）アクリロイルイソシアネート等が挙げられる。
本発明では上記２つの基（酸に対して不安定な枝分れし
た基とそれと加熱下に反応する基）の両者を含む重合体
（ｂ）を用いてもよい。そのような重合体は酸に対して
不安定な枝分れした基を有する単量体とそれと加熱下に
反応する基を有する単量体および必要に応じて前述の他
の単量体等を反応することにより製造する。
た基とそれと加熱下に反応する基）の両者を含む重合体
（ｂ）を用いてもよい。そのような重合体は酸に対して
不安定な枝分れした基を有する単量体とそれと加熱下に
反応する基を有する単量体および必要に応じて前述の他
の単量体等を反応することにより製造する。
上述の単独重合体または共重合体の反応は当業者に知ら
れており、ここに特に述べる必要はないと思われるが、
一般的に条件を述べると、重合は溶媒の存在下または不
存在下に反応温度５０〜２００℃の条件下で行う。
れており、ここに特に述べる必要はないと思われるが、
一般的に条件を述べると、重合は溶媒の存在下または不
存在下に反応温度５０〜２００℃の条件下で行う。
本発明の光照射により酸を生じる光重合開始剤（ｃ）は
一般的にオニウム塩で従来より知られている。代表的な
光重合開始剤の例としてはジアリールヨードニウム塩、
トリアリールスルホニウム塩またはトリアリールセレニ
ウム塩が挙げられる。
一般的にオニウム塩で従来より知られている。代表的な
光重合開始剤の例としてはジアリールヨードニウム塩、
トリアリールスルホニウム塩またはトリアリールセレニ
ウム塩が挙げられる。
好適な対アニオンはテトラフルオロホウ酸塩、トリフル
オロメタンスルホン酸塩、ヘキサフルオロアンチモン酸
塩、ヘキサフルオロ砒酸塩およびへキサフルオロリン酸
塩などの錯体金属ハロゲン化合物である。これらの光重
合開始剤は光照射に対して強い酸を生じ、これが酸に対
して不安定な枝分れした基を攻撃して分解させ、カルボ
キシル基やフェノール酸基等を生じさせる。本発明にお
いて用いられる光重合開始剤の量は重合体の量（成分（
ａ）および成分（ｂ）の合計量または成分（ｄ）の量）
に対して０．１〜５０重量％、好ましくは１〜３０重量
％である。
オロメタンスルホン酸塩、ヘキサフルオロアンチモン酸
塩、ヘキサフルオロ砒酸塩およびへキサフルオロリン酸
塩などの錯体金属ハロゲン化合物である。これらの光重
合開始剤は光照射に対して強い酸を生じ、これが酸に対
して不安定な枝分れした基を攻撃して分解させ、カルボ
キシル基やフェノール酸基等を生じさせる。本発明にお
いて用いられる光重合開始剤の量は重合体の量（成分（
ａ）および成分（ｂ）の合計量または成分（ｄ）の量）
に対して０．１〜５０重量％、好ましくは１〜３０重量
％である。
レジスト組成物を紫外線から可視光線までのより長い波
長に対して感応させる為に、光増感剤を配合してもよい
。光増感剤はピレン及びペリレンの如き、多環式の芳香
族であってもよい。又アクリジン等の他の染料も用いら
れる。光増感剤の配合量は重合体成分に基づいて０．０
１〜ｌＯ重量％、好ましくは０．１〜５重量％である。
長に対して感応させる為に、光増感剤を配合してもよい
。光増感剤はピレン及びペリレンの如き、多環式の芳香
族であってもよい。又アクリジン等の他の染料も用いら
れる。光増感剤の配合量は重合体成分に基づいて０．０
１〜ｌＯ重量％、好ましくは０．１〜５重量％である。
本発明の組成物は、重合体又は共重合体及び酸を生じる
光重合開始剤をそのまま、又は必要ならば溶媒中で冷暗
所で混合する。使用しうる溶媒はケトン類、例えばアセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等；エス
テル類、例えば酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリ
コールアセテート等；エーテル類、例えばテトラヒドロ
フラン、ジオキサン等が挙げられる。
光重合開始剤をそのまま、又は必要ならば溶媒中で冷暗
所で混合する。使用しうる溶媒はケトン類、例えばアセ
トン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等；エス
テル類、例えば酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリ
コールアセテート等；エーテル類、例えばテトラヒドロ
フラン、ジオキサン等が挙げられる。
本発明のポジ型レジストの場合は、組成物を支持体上に
塗布乾燥しｔ；後、ポジフィルムを用いて露光及び現像
する。塗布は回転塗布、ワイヤーバー塗布、デイツプ塗
布、ロール塗布の方法により行なわれる。光照射の光源
は、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ
、キセノンランプ、低圧水銀灯等の光源がある。現像は
アルカリ現像液、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、メタケイ酸ナ
トリウム、メタケイ酸カリウム等を用いる。
塗布乾燥しｔ；後、ポジフィルムを用いて露光及び現像
する。塗布は回転塗布、ワイヤーバー塗布、デイツプ塗
布、ロール塗布の方法により行なわれる。光照射の光源
は、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ
、キセノンランプ、低圧水銀灯等の光源がある。現像は
アルカリ現像液、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、メタケイ酸ナ
トリウム、メタケイ酸カリウム等を用いる。
このものの濃度は０．１〜１０重量％の範囲で用いる。
ネガ型レジストの場合は、組成物を支持体上に塗布乾燥
した後、ネガフィルムを用いて露光、加熱しＩ；後現像
する。塗布光源はポジ型レジストと同様である。加熱は
発生したカルボキシル基又はフェノール酸の如き酸と反
応架橋する基との反応を促進する為であり、１００℃〜
２５０℃の温度範囲、好ましくは１５０〜２００℃の加
熱温度を必要とする。この場合の現像は未架橋部を溶出
する溶媒、即ち先述の重合体を溶かした溶媒を使用する
。更に組成物を支持体上に塗布乾燥した後、ポジフィル
ムを用いて露光し、アルカリ現像した後、残存しＩ；レ
ジスト組成物を光熱することにより再び膜中に酸を発生
させ加熱することにより架橋させネガ型レジスト組成物
となる。
した後、ネガフィルムを用いて露光、加熱しＩ；後現像
する。塗布光源はポジ型レジストと同様である。加熱は
発生したカルボキシル基又はフェノール酸の如き酸と反
応架橋する基との反応を促進する為であり、１００℃〜
２５０℃の温度範囲、好ましくは１５０〜２００℃の加
熱温度を必要とする。この場合の現像は未架橋部を溶出
する溶媒、即ち先述の重合体を溶かした溶媒を使用する
。更に組成物を支持体上に塗布乾燥した後、ポジフィル
ムを用いて露光し、アルカリ現像した後、残存しＩ；レ
ジスト組成物を光熱することにより再び膜中に酸を発生
させ加熱することにより架橋させネガ型レジスト組成物
となる。
発明の効果
本発明によれば、レジスト組成物は優れた感度を優し、
かつ高解像性のポジ型／ネガ型兼用しジスト組底物を得
ることができる。
かつ高解像性のポジ型／ネガ型兼用しジスト組底物を得
ることができる。
（実施例）
本発明を実施例により更に詳細に説明する。本発明はこ
れら実施例に限定されない。
れら実施例に限定されない。
合成例１
０．５ｇのアゾビスインブチロニトリルを含む５０ｇの
キシレン中にｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート５０ｇを
加え、窒素気流中で６０℃で１０時間加熱撹拌を行った
。冷却後反応生成物をテトラヒドロ７ランで稀釈し、石
油エーテルを加えて樹脂を析出させた。白色の樹脂を石
油エーテルとメタノールで洗浄した。重合体は４１．７
９（収率８３．４％）で数平均分子量（ｃｐｃ）は５０
０００であった。
キシレン中にｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート５０ｇを
加え、窒素気流中で６０℃で１０時間加熱撹拌を行った
。冷却後反応生成物をテトラヒドロ７ランで稀釈し、石
油エーテルを加えて樹脂を析出させた。白色の樹脂を石
油エーテルとメタノールで洗浄した。重合体は４１．７
９（収率８３．４％）で数平均分子量（ｃｐｃ）は５０
０００であった。
合成例２
０．３ｇのアゾビスイソブチロニトリルを含む５０ｇの
キシレン中にｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレ
ン５０９を加え、窒素気流中で７５℃で１０時間加熱撹
拌を行った。冷却後反応生成物をジクロルメタンで稀釈
し、石油エーテルを加えて樹脂を析出させた。白色の樹
脂を石油エーテルとメタノールで洗浄した。その重合体
は３９．８ｇ（収率７９．６％）で数平均分子量（ｃ、
ｐＣ）は４１゜０００であった。
キシレン中にｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレ
ン５０９を加え、窒素気流中で７５℃で１０時間加熱撹
拌を行った。冷却後反応生成物をジクロルメタンで稀釈
し、石油エーテルを加えて樹脂を析出させた。白色の樹
脂を石油エーテルとメタノールで洗浄した。その重合体
は３９．８ｇ（収率７９．６％）で数平均分子量（ｃ、
ｐＣ）は４１゜０００であった。
合成例３
０．５ｇのアゾビスイソブチロニトリルを含む５０ｇの
キシレン中に２−ヒドロキシエチルメタクリレート５０
９を加え、窒素気流中で７０℃で７時間加熱撹拌を行っ
た。冷却後、反応生成物を合成例１と同様に処理し、得
られた重合体は４４゜５９（収率８９．０％）で数平均
分子量（ＧＰＣ）は４８．０００であった。
キシレン中に２−ヒドロキシエチルメタクリレート５０
９を加え、窒素気流中で７０℃で７時間加熱撹拌を行っ
た。冷却後、反応生成物を合成例１と同様に処理し、得
られた重合体は４４゜５９（収率８９．０％）で数平均
分子量（ＧＰＣ）は４８．０００であった。
合成例４
０．５９のアゾビスイソブチロニトリルを含む５０ｇの
キシレン中にｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート２５９と
２−ヒドロキシエチルメタクリレート２５ｇを加え、窒
素気流中で７０°Ｃで８時間加熱撹拌を行った。冷却後
、合成例１と同様に処理し、得られた重合体は４３．６
９（収率８７．２％）で数平均分子量（ＧＰＣ）は５０
．０００であった。
キシレン中にｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート２５９と
２−ヒドロキシエチルメタクリレート２５ｇを加え、窒
素気流中で７０°Ｃで８時間加熱撹拌を行った。冷却後
、合成例１と同様に処理し、得られた重合体は４３．６
９（収率８７．２％）で数平均分子量（ＧＰＣ）は５０
．０００であった。
実施例１
合成例１の重合体１０９と合成例３の重合体１０ｇとを
テトラヒドロフランに固型物が２０重量％になる様に溶
解し、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチ
モネートを重合体に対して２０重量％加える。この溶液
を金属支持体上に２０００ ｒｐｍの回転塗布すること
により２．０μの厚さを有するレジストの被膜が形成さ
れた。その被膜が１００℃で１０分間乾燥した。ポジマ
スクをあて紫外線の照射を１０ ＯｍＪ ７ｃｍ”で露
光した。
テトラヒドロフランに固型物が２０重量％になる様に溶
解し、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチ
モネートを重合体に対して２０重量％加える。この溶液
を金属支持体上に２０００ ｒｐｍの回転塗布すること
により２．０μの厚さを有するレジストの被膜が形成さ
れた。その被膜が１００℃で１０分間乾燥した。ポジマ
スクをあて紫外線の照射を１０ ＯｍＪ ７ｃｍ”で露
光した。
更に１００°Ｃで５分間加熱したあと、１％メタケイ酸
ソーダ水溶液で４５°Ｃで６０秒間現像することにより
高解像力を有するポジ型の像が得られた。
ソーダ水溶液で４５°Ｃで６０秒間現像することにより
高解像力を有するポジ型の像が得られた。
更にこの膜を再び紫外線照射で１０ ＯｍＪ ７ｃｍ”
露光したあと、１５０℃で３０分間加熱すると、このポ
ジ像は架橋硬化し、耐薬品性の良好なる膜となった。
露光したあと、１５０℃で３０分間加熱すると、このポ
ジ像は架橋硬化し、耐薬品性の良好なる膜となった。
同様にレジスト被膜にネガマスクをあてて紫外線のｌ
ＯＯｍＪ ７ｃｍ”で露光し、更に１７０℃で３０分間
加熱し、その後、テトラヒドロフラン中で３５℃で６０
秒間現像することによりネガ型の像が得られ、架橋構造
故に耐薬品性が良好であった。
ＯＯｍＪ ７ｃｍ”で露光し、更に１７０℃で３０分間
加熱し、その後、テトラヒドロフラン中で３５℃で６０
秒間現像することによりネガ型の像が得られ、架橋構造
故に耐薬品性が良好であった。
実施例２
合成例２の重合体１６ｇと合成例３の重合体４ｇとをテ
トラヒドロフランに固型物が２０重量％になる様に溶解
し、ジフェニルヨードニウム・ヘキサフルオロアルセネ
ートを重合体に対して２０重量％及び３重量％のピレン
を加える。実施例２と同様に２．３μの厚さを有するレ
ジストの被膜を形成した。この被膜を１００℃で１０分
間乾燥した。ポジマスクをあてて紫外線の照射を１５０
ｍＪ／ｃｍ”で露光した。更に１００℃で５分間加熱し
たあと、１％メタケイ酸ソーダ水溶液で３５°Ｃで６０
秒間現像することによりポジ型の像が得られｔ：。
トラヒドロフランに固型物が２０重量％になる様に溶解
し、ジフェニルヨードニウム・ヘキサフルオロアルセネ
ートを重合体に対して２０重量％及び３重量％のピレン
を加える。実施例２と同様に２．３μの厚さを有するレ
ジストの被膜を形成した。この被膜を１００℃で１０分
間乾燥した。ポジマスクをあてて紫外線の照射を１５０
ｍＪ／ｃｍ”で露光した。更に１００℃で５分間加熱し
たあと、１％メタケイ酸ソーダ水溶液で３５°Ｃで６０
秒間現像することによりポジ型の像が得られｔ：。
同様にレジスト被膜にネガマスクをあてて紫外線の２０
ＯｍＪ ／ｃｒｎ”で露光し、更に１８０℃で３０分
間加熱し、その後、ミクロヘキサン中で３５℃で６０秒
間現像することによりネガ像が得られＩこ。
ＯｍＪ ／ｃｒｎ”で露光し、更に１８０℃で３０分
間加熱し、その後、ミクロヘキサン中で３５℃で６０秒
間現像することによりネガ像が得られＩこ。
実施例３
合成例４の重合体２０９をテトラヒドロフランに固型物
が２０重量％になる様に溶解しトリフェニルスルホニウ
ムヘキサフルオロアンチモネートを重合体に対して１５
重量％加える。この溶液を金属支持体上に２．００Ｏｒ
ｐｍの回転塗布することにより２．３μの厚さを有する
レジストの被膜が形成された。この被膜が１００°Ｃで
１０分間乾燥された。実施例１と同様なる処理にてポジ
型・ネガ型兼用のレジストとなった。
が２０重量％になる様に溶解しトリフェニルスルホニウ
ムヘキサフルオロアンチモネートを重合体に対して１５
重量％加える。この溶液を金属支持体上に２．００Ｏｒ
ｐｍの回転塗布することにより２．３μの厚さを有する
レジストの被膜が形成された。この被膜が１００°Ｃで
１０分間乾燥された。実施例１と同様なる処理にてポジ
型・ネガ型兼用のレジストとなった。
特許出願人 日本ペイント株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）酸に対して不安定な反復的に存在する枝分れ
した基を有する重合体２０〜９０重量％、（ｂ）酸によ
る成分（ａ）の基の分解によって生じた基と加熱下に反
応する基を有する重合体１０〜７０重量％、および （ｃ）光照射に対し酸を生ずる光重合開始剤を上記成分
（ａ）および（ｂ）の総重量に対し０．１〜５０重量％ を含有するレジスト組成物。 ２、酸に対して不安定な反復的に存在する枝分れした基
がカルボン酸のｔ−ブチルエステル基またはフェノール
のｔ−ブチルカルボネート基である請求項１記載のレジ
スト組成物。 ３、酸による成分（ａ）の基の分解によつて生じた基と
加熱下に反応する基がヒドロキシル基である請求項１記
載のレジスト組成物。 ４、組成物が更に光増感剤を成分（ａ）および（ｂ）と
の総重量に基づいて０．０１〜１０重量％含有する請求
項１記載の製法。 ５、（ｄ）酸に対して不安定な枝分れした基、および該
枝分れした基の酸による分解によって生じた基と加熱下
に反応する基を有する重合体、および （ｃ）光照射に対し酸を生じる光重合開始剤を上記成分
（ｄ）に対し０．１〜５０重量％ を含有するレジスト組成物。 ６、酸に対して不安定な枝分れした基がカルボン酸のｔ
−ブチルエステル基またはフェノールのｔ−ブチルカル
ボネート基である請求項５記載のレジスト組成物。 ７、枝分れした基の酸による分解によって生じた基と加
熱下に反応する基がヒドロキシル基である請求項５記載
のレジスト組成物。 ８、組成物が更に光増感剤を成分（ｄ）の総重量に基づ
いて０．０１〜１０重量％含有する請求項１記載の製法
。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2205678A JPH0488346A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | レジスト組成物 |
| KR1019910013091A KR920003102A (ko) | 1990-07-31 | 1991-07-30 | 내식막 조성물 |
| DE69124865T DE69124865T2 (de) | 1990-07-31 | 1991-07-31 | Photolackzusammensetzung |
| EP91112888A EP0469584B1 (en) | 1990-07-31 | 1991-07-31 | Resist composition |
| TW080106398A TW212834B (ja) | 1990-07-31 | 1991-08-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2205678A JPH0488346A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | レジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0488346A true JPH0488346A (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=16510882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2205678A Pending JPH0488346A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | レジスト組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0469584B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0488346A (ja) |
| KR (1) | KR920003102A (ja) |
| DE (1) | DE69124865T2 (ja) |
| TW (1) | TW212834B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006518860A (ja) * | 2002-11-15 | 2006-08-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電子デバイスの二次加工に保護層を用いる方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04258957A (ja) * | 1991-02-14 | 1992-09-14 | Nippon Paint Co Ltd | ポジ型感光性電着樹脂組成物 |
| GR1003420B (el) * | 1999-05-26 | 2000-09-01 | Υλικα και διεργασιες μικρολιθογραφιας με βαση πολυακρυλικους υδροξυαλκυλεστερες | |
| US7323290B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-01-29 | Eternal Technology Corporation | Dry film photoresist |
| US7148265B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Functional polymer |
| US6855738B2 (en) * | 2003-06-06 | 2005-02-15 | Dow Global Technologies Inc. | Nanoporous laminates |
| US20120122031A1 (en) * | 2010-11-15 | 2012-05-17 | International Business Machines Corporation | Photoresist composition for negative development and pattern forming method using thereof |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
| EP0366590B2 (en) * | 1988-10-28 | 2001-03-21 | International Business Machines Corporation | Highly sensitive positive photoresist compositions |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP2205678A patent/JPH0488346A/ja active Pending
-
1991
- 1991-07-30 KR KR1019910013091A patent/KR920003102A/ko not_active Withdrawn
- 1991-07-31 EP EP91112888A patent/EP0469584B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-07-31 DE DE69124865T patent/DE69124865T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-13 TW TW080106398A patent/TW212834B/zh active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006518860A (ja) * | 2002-11-15 | 2006-08-17 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 電子デバイスの二次加工に保護層を用いる方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920003102A (ko) | 1992-02-29 |
| DE69124865T2 (de) | 1997-07-10 |
| TW212834B (ja) | 1993-09-11 |
| DE69124865D1 (de) | 1997-04-10 |
| EP0469584B1 (en) | 1997-03-05 |
| EP0469584A1 (en) | 1992-02-05 |
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