JPH046645A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｕ鬼及五遣１ 本発明代　特定の金属膜を有する光磁気記録媒体に関し
　さらに詳しく　ＩＬ　　記録パワーの線速依存性が小
さく、かつソリが小さいなど機械的特性に優へ　しかも
記録感度に優れるとともに記録パワーのマージンが広い
光磁気記録媒体に関する。

Ｈの 鉄、コバルトなどの遷移金属と、テルビウム（Ｔｂ）、
カドリニウム（Ｇｄ）などの希土類元素との合金からな
る光磁気記録膜は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有
し　一方向に全面磁化された膜面にこの全面磁化方向と
は逆向きのかさな反転磁区を形成することができること
が知られている。この反転磁区の有無を「１」、　「０
」に対応させることによって、上記のような光磁気記録
膜にデジタル信号を記録させることが可能となる。

このような遷移金属と希土類元素とからなる光磁気記録
膜としては、たとえば特公昭５７−２０６９１号公報に
１５〜３０原子％のＴｂを含むＴｂ−Ｆｅ系光磁気記録
膜が開示されている。またＴｂ−Ｆｅに第３の金属を添
加してなる光磁気記録膜も用いられている。さらにＴｂ
−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ０系などの光磁気記録膜も知
られている。

このようなＴｂ−Ｆｅ爪　Ｔｂ−Ｃｏ系などの光磁気記
録膜中に、この薄膜の耐酸化性を向上させるためレミ　
第３の金属を添加する方法が種々試みられている。

このような光磁気記録膜を基板上に積層してなる光磁気
記録媒体で１４　　ソ・りが／ＩＸさいなど機械的特性
に優れていることが望まれている。

またこのような光磁気記録膜を基板上に積層してなる光
磁気記録媒体（表　耐酸化性および記録感度（Ｃ／Ｎ比
）の向上も望まれていた さらにこのような光磁気記録媒体に情報を書込む際に（
戴　記録パワーマージンが広く、しかも記録パワーの線
速依存性が小さいことが望まれている。ここで情報を書
込む際の記録パワーマージンが広いとは、光磁気記録媒
体にレーザ光などによって情報を書込む際へ　書込み光
としてのレーザ光のパワーが多少変化しても正確に光磁
気記録媒体に情報を書込むことができることを意味し　
記録パワーの線速依存性が外さいと頃　光磁気記録媒体
にレーザ光などによって情報を書込む際く記録媒体の内
周部と外周部とで書込み光としてのレーザ光の最適記録
パワーの変化のしかたが小さいことを意味している。

このようにソリが／ｌ）さく耐酸化性に優ね　しがもＣ
／Ｎ比が高く、かつ記録パワーマージンが広く、その上
記録パワーの線速依・存性が小さいような光磁気記録媒
体の出現が望まれている。

本発明者らは、このような従来技術に鑑みて鋭意検討し
たところ、基板上番ミ　保護膜と、光磁気記録膜と、ニ
ッケル合金膜と、アルミニウム合金膜とをこの順序で積
層してなる光磁気記録媒体は、ソリが／Ｊ′Ｓさく機械
的特性に便法　記録パワーの線速依存性が小さく、かつ
記録パワーマージンが広く、しかも耐酸化性および記録
感度に優れていることを見いだして、本発明を完成する
に至ったｉ囲二ｌ濃 本発明は、ソリが小さいなど機械的特性に優へかつ記録
パワーマージンが広く、シかも記録パワーの線速依存性
が小さく、かっＣ／Ｎ比が高いような光磁気記録媒体を
提供することを目的としている。

只１１！ｕ果 本発明に係る光磁気記録媒体は、基板上＆へ　保護膜と
、光磁気記録膜と、ニッケル合金膜と、アルミニウム合
金膜とがこの順序で積層されてなることを特徴としてい
る。

このような本発明に係る光磁気記録媒体は、ソリが不さ
いなど機械的特性に便法　記録パワーの線速依存性が小
さく、かつ記録パワーマージンが広く、しかも耐酸化性
および記録感度に優れている。

兄護しと外廓」９【功 以下、本発明に係る光磁気記録媒体について具体的に説
明する。

本発明の光磁気記録媒体１０は、たとえば第１図に示す
よう＆−基板１上に、保護ＩＸ２と、光磁気記録膜３と
、ニッケル合金膜４と、アルミニウム合金膜５とがこの
順序で積層されて形成されている。

以下、基板１１　　保護膜２、光磁気記録膜３、ニッケ
ル合金膜４、アルミニウム合金膜５について順次説明す
る。

善−一一本 本発明で頃　基板１の材質は特に限定されないが、基板
ｌ側（矢印Ａ）がらレーザ光が入射する場合には、透明
基板であることが好ましく、具体的には、ガラスやアル
ミニウム等の無機材料の他９へ　ポリメチルメタクリレ
ート、ポリカーボネート、ポリカーボネートとポリスチ
レンのポリマーアロイ、米国特許第４．６１４．７７８
号明細書に開示しであるような環状オレフィンランダム
共電合本　以下に説明するような環状オレフィンランダ
ム共電合本　ポリ４〜メチル−１−ペンテン、エポキシ
樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリ
エーテルイミド等の有機材料を用いることができる。こ
の中では、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネー
ト、米国特許第４．６１４．７７８号明細書に記載のよ
うな共重合体および下記の環状オレフィンランダム共重
合体が好ましい。

本発明において、基板として特に好ましい材料として代
　特に保護膜あるいは記録膜との密着性が良く、複屈折
率が小さいという観点から、エチレンと、下記一般式［
工］または［Ｉ’］で表される環状オレフィンとの共重
合体からなる環状オレフィンランダム共重合体が挙げら
れる。

一般式［ｒ］ 一般式〔Ｉ′］ （式中、ｎはＯまたは１であり、ｍは０または正の整数
であって、 Ｒｌ　、　ＲＩ・６戯　それぞれ独立＆−水素原子、ハ
ロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる原
子もしくは基を表狐 ＲＩ　Ｓ−ＲＩ・は、互いに結合して単環または多環を
形成していてもよく、かつ該単環または多環が二重結合
を有していてもよく、 また、ＲＩＢとＲ１６とで、またはＲ”とＲ１１とでア
ルキリデン基を形成していてもよい）。

（式［！′］中、ｐは０または１以上の整数であり、ｑ
およびｒｌ戴０、　ｌまたは２であり、Ｒ１〜ＲＩｓは
それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水
素基　芳香族炭化水素基　およびアルコキシ基よりなる
群から原子もしくは基を表ＬＲｓ（またはＲｅ）とＲ９
（またはＲ？）と代　炭素数１〜３のアルキレン基を介
して結合していてもよく、また何の基も介さずに直接結
合していてもよい。　〕 ただ獣　上記式［Ｉコにおいて、ｎは０または１であり
、好ましくはＯである。また、ｍは０または正の整数で
あり、好ましくはＯ〜３である。

また上記式［工’］において、ｐはＯまたは１以上の整
数であり、好ましくは０〜３の整数である。

そして、Ｒ１−Ｒ１８（式［Ｉ］）、またはＲ１−Ｒ１
５（式［１’］）ＩＬ　　それぞれ独立く　水素原子、
ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ばれる
原子もしくは基を表す。ここで、ハロゲン原子としては
、たとえば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨ
ウ素原子を挙げることができる。

また、炭化水素基としてＩＬ　　それぞれ独立番−通常
は炭素原子数１〜６のアルキル基　炭素原子数３〜６の
シクロアルキル基を挙げることができ、アルキル基の具
体的な例としては、メチル基　エチル基　イソプロピル
基　イソブチル基　アミル基をあげることができ、シク
ロアルキル基の具体的な例として＋４　　シクロヘキシ
ル基　シクロプロピル基　シクロブチル基　シクロペン
チル基を挙げることができる。

また上記式［Ｉ°］において　ＲＩ（またはＲＩ）とＲ
９（またはＲ’ｌ）とｉＬ　　炭素数１〜３のアルキレ
ン基を介して結合していてもよく、また何の基も介さず
に直接結合していてもよい。

さら＆ミ　上記式［ｌ］において、Ｒ１１ｉ−ＲＩＢは
互いに結合して（共同して）単環または多環を形成して
いてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を有して
いてもよい。また、Ｒ１％とＲ１６とで、またはＲ１７
とＲ１８とでアルキリデン基を形成していてもよい。こ
のようなアルキリデン基Ｉｔ　　通常は炭素原子数２〜
４のアルキリデン基をあげることができ、その具体的な
例として瓜　エチリデン基　プロピリデン基　イソプロ
ピリデン基およびインブチリデン基をあげることができ
る。

前記式［ｌ］または［Ｉ°］で表される環状オレフィン
ＩＬ　　シクロペンタジェン類と、相応するオレフィン
類あるいは環状オレフィン類とをディールス・アルダ−
反応により縮合させることにより容易に製造することが
できる。

前記式［Ｉ］または［工°］で表される環状オレフィン
としては、 具体的には、 たとえば下記のよ うな化合物を挙げることができる。

（以下余白） ン ７−メチルビシクロ［２ などのようなビシクロ［２，２，１１ ヘプト−２− エン誘 導体； ン ５．１０−ジメチルテトラ ＣＨ。

Ｈａ ＨＪ ２、７．９−　トリメチルテ ン ９−インブチル−２，７− ９，１１，１２−）ジメチル ９−エチル−１１，１２−ジメ ９−イソブチル−１１，１２ ８−メチルテトラシフ ８−エチルテトラシフ ｌ］−３−ドデセン ８−へキシルテトラシ ＣＩＩＨｓ？ Ｉ＠］−３−ドデセン ５、８．９．１０−テトラメチ １＠］−３−ドデセン ８−メチル−９−エチルテ ８−クロロテトラシフ −３−ドデセン ８−プロモチトラシフ ８−フルオロテトラシ １・］−］３−ドデセ ン１・］−３ ドデセン ５．１７・１ｅコー３−ドデセン ン ８−エチリデン−９−イソ ＋＠］−３−ドデセン ドデセン −３−ドデセン 、１２ ６．１７０＠］−３−ドデセ ン 、＋＠］−３−ドデセン ６．１７ 目コ ３−ドデセン 、１２ Ｓ、１７．Ｉ＠］−３−ドデセ ８−ｎ−プロピリデン ン ードデセン −ｎ プロピリデン−９ ８−イソプロピリデン ［４，４，０，１２、＠ ＋９］−３ −ドデセン 一ドデセン ｌツー３−ドデセン ドデセン ８−ｎ−プロピリデン−９ ［４，４，０，１”、１？−１ｓコー３−ドデセン ードデセン などのテトラシクロ［４，４，０，１２ｓ、１） ＋ｅ］−３−ドデセ ン誘導体： （以下余白） ８−イソプロピリデン −ｔ’−ｒで７ １２−メチルへキサシフ ＋　３　、　Ｑ２ ７、Ｑ９．＋４コー４−ヘプ タデセン などのへキサシクロ［６，６，１，１３、６、１１ｍ＋
　３　、　Ｑ２　、　？　、　ＱＱ タデセ ン１４コー４−ヘプタデセン誘導体； デセン トコセン ヘプタデセン ２、ピコ−５〜トコセン １５−エチルオクタシフ などのオクタシクロ［８，８，０，１２・９．１４・）
、１１１・１８．１１３　、　Ｉ　ｅ　、　Ｑ３・＠　
、　Ｑｌ　２・＋７コー５−トコセン誘導体；などのペ
ンタシクロ［６，６，１，１’６．０２・）、０ｅ Ｉａ］−４− ヘキサデセン誘導体； ヘプタシクロ［８，７，０ コセン などのへブタシクロ−５−イコセン誘導体あるし）はへ
ブタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体トリシクロ［４
，３，０，１ などのトリシクロ［４，４，０，１２ ５］−３−ウンデセン誘導 体： ５−メチル−トリシクロ などのトリシクロ［４，３，０，１２・６］−３デセン
誘導体 １．６−シメチルベンタ メチル置換ペンタシ １４、１５−ジメチルベン などのペンタシクロ ［４，７，０，１２ Ｓ、Ｑｌｌ、＋３，１ｉ１ １２コ −３−ペンタデセン誘導体； などのペンタシクロ［６，５，１，１３ｓ、０２．ｔ、
０＊ １３コー４− コセン ペンタデセン誘導体 １５］ −４−エイコセン などのジエン化合物 などのへブタシクロ ［７，８，０，１”、０２ ｔ１１＋ｓ １５］ ＝４−エイコセン誘導体； そしてさらに告 ５−フェニル−ビシクロ［ ，２１，１＋３４１．Ｑｌｌｌｌ、１１５・鵞自］−５
−ベンタコセン ＣＨ’　　　　１ｆｆｉ１．Ｑｌ４．ｌ＠、１１１１＠
］−５−ベンタコセン などツノナシクロ［９，１０，１，１４・）、０３．・
Ｑｌ　、　ｌ　＠　、　Ｑｌ　２．２１．１１３．２１
．ＱＩＪ、Ｉ・１＋１．１・］−］５−ベンタコセン誘
導体を挙げることができる。

（以下余白） を挙げることができる。

（以下余白） ■ 上記のようなエチレンと、−数式［ｒｌまたは［Ｉ゛］
で表される環状オレフィンとの共重合体としてＩＬ　　
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ηコが０．
０５〜１０ａａ　／　ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭ
Ａ）が７０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重
合体（以下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］と
いう）が好ましく用いられる。また所望により、環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ａ］へ　エチレンと、下
記式［ｒｌまたは［工°］で表される環状オレフィンと
の共重合体であって、１３５℃のデカリン中で測定した
極限粘度［ηコが０．０５〜５４Ｑ／ｇの範囲にあり、
軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状オレフィン
系ランダム共重合体（以下環状オレフィン系ランダム共
重合体［Ｂ］　という）を配合して用いてもよい。

上記のような環状オレフィン類とエチレンとの共重合体
である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］および
［Ｂ］ＩＬ　　エチレンおよび前記環状オレフィンを必
須成分とするものであるが、該必須の二成分の他に本発
明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合
可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。任意に
共重合されていてもよい該不飽和単量体として、具体的
には、たとえば生成するランダム共重合体中のエチレン
成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、ｌ−ブテン
、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ｔク
テン、　１−デセン、　１−ドデセン、　１−テトラデ
セン、１−へキサデセン、１−オクタデセン、ニーエイ
コセンなどの炭素原子数が３〜２０のａ−オレフィンな
どを例示することができる。

上記のような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
で頃　エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）Ｌ　　４
０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル％の範囲で
存在しており、また該環状オレフィンに由来する繰り返
し単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましくは２５〜５
０モル％の範囲で存在しており、エチレンに由来する繰
り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰
り返し単位（ｂ）　ｌ戴　　ランダムに実質上線状に配
列している。なお、エチレン組成および環状オレフィン
組成は＋３Ｃ−ＮＭＲによって測定した　この環状オレ
フィン系ランダム共重合体が実質上線状であり、ゲル状
架橋構造を有していないことは、該共重合体が１３５℃
のデカリン中に完全に溶解することによって確認できる
。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［ｌ］（戴　
０．０５〜１０（ＬＩｌ／ｇ１　　好ましくは０．０８
〜５ａｖ／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）　ｉＬ　　７０℃以ム　好ましくは９０〜２５０
℃、さらに好ましくは１００〜２００℃の範囲にある。

なお軟化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製Ｔｈｅｒｍｏ
ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｅｒを用いて厚さ
ｌｌ１ｌのシートの熱変形挙動により測定した　すなわ
ちシート上に石英製針をのせ、荷重４９ｇをかけ、５℃
／分で昇温していき、針が０．６３５．、侵入した温度
をＴＭＡとしｆ、　　また、該環状オレフィン系ランダ
ム共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）Ｌ　　通常５０〜
２３０℃、好ましくは７０〜２１０℃の範囲にあること
が望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度（戴０〜１０％、
好ましくは０〜７％、とくに好ましくは０〜５％の範囲
である。

本発明では、また上記のような軟化温度（ＴＭＡ）が７
０℃以上である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ
］に、 エチレンと、上記式［Ｉ］または［Ｉ°］で表わされる
環状オレフィンとの共重合体であって、１３５℃のデカ
リン中で測定した極限粘度［Ｖ］が０、０５〜５　ａ　
／　ｇノ範囲にあり、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃未満
である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］を配合
してなる環状オレフィン系ランダム共重合体組成物から
基板を形成することが好ましい。

上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未満である環状
オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］では、エチレンに
由来する繰り返し単位（ａ）は、６０〜９８モル％、好
ましくは６０〜９８モル％の範囲で存在しており、また
該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）は２〜
４０モル％、好ましくは５〜４０モル％の範囲で存在し
ており、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）および
該環状オレフィンに由来する繰り返し単位（ｂ）　鷹　
　ランダムに実質上線状に配列している。なお、エチレ
ン組成および環状オレフィン組成は＋３ｃｍＮＭＲによ
って測定した　この環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ｂ］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有してい
ないこと代　該共重合体が１３５℃のデカリン中に完全
に溶解することによって確認できる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［１］　ＩＬ
　　０．０５〜５ａ　７ｇ、　　好ましくは０．０８〜
３ａ／ｇの範囲にある。

また環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のサーマ
ル・メカニカル・アナライザーで測定した軟化温度（Ｔ
ＭＡ）　ＩＬ　　７０℃未諏　好ましくは一１０〜６０
℃、さらに好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。さら
く　該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］のガラ
ス転移温度（Ｔｇ）は、通常−３０〜６０℃、好ましく
は一２０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

また、この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
Ｘ線回折法によって測定した結晶化度ＩＬＯ〜１０％、
好ましくは０〜７％、　とくに好ましくは０〜５％の範
囲である。

本発明において、基板として環状オレフィンランダム共
重合体［Ａ］および［Ｂ］を用いる場合に檄　該環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００１０．１〜
１００／１０、好ましくは１００１０．３〜１００／７
、とくに好ましくは１００１０．５〜１００１５の範囲
であることが望ましい。　［Ｂ］酸成分この範囲で［Ａ
］酸成分配合することによって基板自体の優れた透明性
と表面平滑性を維持したままで本発明で用いる反射膜と
の苛酷な条件下での密着性が［Ａ］酸成分みの場合に比
べさらに向上するという効果があり、　［Ａ］　と［Ｂ
］とのブレンドよりなるこの上記の環状オレフィンラン
ダム共重合体組成物を基板に用いれば本発明で用いる反
射膜との優れた密着性は高温、高温条件下放置後におい
てさえも変化がないという特性を有している。

本発明における基板を構成する上記の環状オレフィン共
重合体［Ａ］および［Ｂ］ＩＬ　　特開昭６０−１６８
７０８号公私　特開昭６１−１２０８１６号公転　特開
昭６１−１１５９１２号公転　特開昭６１−１１５９１
６号公転　特開昭６２−２５２４０６号公私　特開昭６
２−２５２４０７号公転　特開昭６１−２７１３０８号
公転　特開昭６１−２７２２１６号公報などにおいて本
出願人が提案した方法に従い適宜条件を選択することに
より、製造することができる。

このような環状オレフィン系ランダム共重合体中におい
て、前記式［Ｉ］または［Ｉ°］で表さ、れる環状オレ
フィンから導かれる構成単位（ｂ）は下記式［■］また
は［■°］で表される構造の繰り返し単位を形成してい
ると考えられるカー　一部の構成単位（ｂ）が開環重合
によって結合している場合もあり、また必要に応じて水
素添加することも可能である。

・・・［ｎコ （式［■コ中、ｍ、ｎおよびＲＩ、　Ｒｌ　＠は前記式
［１，］における定義と同様である。）・・　［■°］ （式［■°］中、ｐ、　　ｑ、　　ｒおよびＲ１−Ｒ１
５は前記式［Ｉ’］における定義と同様である。）本発
明に係る光磁気記録媒体の基板としては、前述したとお
り、上記のエチレンと環状オレフィンとのランダム共重
合体のほか＆へ　同種または異種の環状オレフィン単量
体を開環して得られる環状オレフィン開環重合体　開環
共重合体またはそれらの水素添加物を用いることもでき
る。このような環状オレフィン開環重合体　開環共重合
体およびこれらの水素添加物について、前記式［Ｉ］で
表される環状オレフィンを例にして説明すると、以下に
記載するように反応して開環共重合体およびこれらの水
素添加物を構成していると考えられる。

↓開環 ↓水素添加 このような重合体の例として、テトラシクロドデセンと
ノルボルネン及びそれらの誘導体との開環共重合化　及
びその水素添加物をあげることができる。

なお、本発明においては上記のような開環重合木　開環
共重合倣　これらの水素添加物および環状オレフィン系
ランダム共重合体の一部が無水マレイン酸等の不飽和カ
ルボン酸等で変性されていてもよい。このような変性物
は、上記のような環状オレフィン系樹脂と、不飽和カル
ボン酸、これらの無水物、および不飽和カルボン酸のア
ルキルエステル等の誘導体とを反応させることにより製
造することができる。なお、この場合の環状オレフィン
系樹脂の変性物中における変性剤から導かれる構成単位
の含有率は、通常は５０〜１０モル％以下である。この
ような環状オレフィン系樹脂変性物は、所望の変性率に
なるように環状オレフィン系樹脂に変性剤を配合してグ
ラフト重合させて製造することもできるし、予め高変性
率の変性物を調製し　次いでこの変性物と未変性の環状
オレフィン系樹脂とを混合することによっても製造する
ことができる。

本発明において、上記の開環重合機　開環共重合倣　こ
れらの水素添加物および環状オレフィン系ランダム共重
合体ならびにその変性物頃　単独で、あるいは組み合わ
せて使用することができる。

さらに、本発明においては、上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体を製造するに際して、得られる重
合体等の物性を損なわない範囲で、前記式［Ｉ］または
［Ｉ°］で表される環状オレフィン以外の環状オレフィ
ンを重合させることもできる。このような環状オレフィ
ンとして１表　　たとえ！ｆ１ シクロブチ′ン、 シクロペンテン、 シクロヘキセン、 ３．４−ジメチルシクロヘキセン、 ３−メチルシクロヘキセン、 ２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、２、
３．３ａ、　７ａ−テトラヒトＯ−４，７−メタノ−Ｉ
Ｈ−インデン、 ３ａ、　５．６．７ａ−テトラヒトＯ−４，７−メタノ
−ＩＨ−インデンなどをあげることができる。このよう
な他の環状オレフィンは単独で、あるいは組み合わせて
使用することができ、通常、０〜５０モル％の量で用い
られる。

また本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、上記［Ａ
］および［Ｂ］酸成分他へ　衝撃強度を向上させるため
のゴム成分を配合したりζ　耐熱安定舷　耐候安定舷　
帯電防止舷　スリップ舷　アンチブロッキング斉Ｌ　防
曇舷　清純　染料、顔料、天然源　合成法　ワックスな
どを配合することができ、その配合割合は適宜量である
。たとえ番！、任意成分として配合される安定剤として
具体的には、テトラキス［メチレン−３（３，５−ジ−
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート
コメタン、β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシフェニル）プロピオン酸アルキルエステル、２．２
’−オキザミドビス［エチル−３（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシフェニル）コプロピオネートなど
のフェノール系酸化防止舷　ステアリン酸亜鉛、ステア
リン酸カルシウム、１２−ヒドロキシステアリン酸カル
シウムなどの脂肪酸金属塩、グリセリンモノステアレー
ト、グリセリンモノラウレート、グリセリンジステアレ
ート、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタ
エリスリトールジステアレート、ペンタエリスリトール
トリステアレート等の多価アルコールの脂肪酸エステル
などを挙げることができる。これらは単独で配合しても
よい力（、組み合わせて配合してもよく、たとえば、テ
トラキス［メチレン−３（３゜５−ジ−ｔ−ブチル−４
−ヒドロキシフェニル）プロピオネートコメタンとステ
アリン酸亜鉛およびグリセリンモノステアレートとの組
合せ等を例示することができる。

本発明では特番ミ　フェノール系酸化防止剤および多価
アルコールの脂肪酸エステルとを組み合わせて用いるこ
とが好ましく、該多価アルコールの脂肪酸エステルは３
価以上の多価アルコールのアルコール性水酸基の一部が
エステル化された多価アルコール脂肪酸エステルである
ことが好ましい。

このような多価アルコールの脂肪酸エステルとしては、
具体的に檄　グリセリンモノステアレート、　グリセリ
ンモノラウレート、グリセリンモノミリステート、グリ
セリンモノパルミテート、グリセリンジステアレート、
グリセリンジラウレート等のグリセリン脂肪酸エステル
、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリ
スリトールモノラウレート、ペンタエリスリトールジラ
ウレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペン
タエリスリトールトリステアレート等のペンタエリスリ
トールの脂肪酸エステルが用いられる。

このようなフェノール系酸化防止剤は、前記［Ａ］酸成
分よび［Ｂ］酸成分合計重量１００重量部に対して０〜
１０重量部好ましくは０〜５重量部さらに好ましくは０
〜２重量部の量で用いら汰　また多価アルコールの脂肪
酸エステルは［Ａ］酸成分よび［Ｂ］酸成分合計重量１
００重量部に対して０〜１０重量服　好ましくは０〜５
重量部の量で用いられる。

本発明に係る光磁気記録媒体の基板には、本発明の目的
を損なわない範囲で、シリカ、ケイ藻土、アルミナ、酸
化チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、軽石バルーン、
水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、塩基性炭酸
マグネシウム、ドロマイト、硫酸カルシウム、チタン酸
カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、タルク、
クレーマイカ、アスベスト、ガラス繊紙　ガラスフレー
ク、ガラスピーズ、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイ
ト、ベントナイト、グラファイト、アルミニウム粉、硫
化モリブデン、ボロン織縁　炭化ケイ素織縁　ポリエチ
レン繊紘　ポリプロピレン繊維、ポリエステル繊維、ポ
リアミド繊維等の充填剤を配合してもよい。

本発明において、基板として上記のような環状オレフィ
ン系ランダム共重合体または環状オレフィン系ランダム
共重合体組成物を用いると、理由は定かではないが、記
録感度が特に優れているという特長を有する。またこの
環状オレフィン系ランダム共重合体または該共重合体を
含む組成物からなる基板と記録層積層体とは密着性に優
れており、したがって記録膜は長期安定性に優れるとと
もに記録膜の酸化が効果的に防止される。したがってこ
の環状オレフィン系ランダム共重合体からなる基板上に
記録膜を積層してなる光記録媒体哄記録感度に優へ　ま
た耐久性および長期安定性にも優れている。また本発明
に係る光記録媒体は反りがなく割れが生ずることがない
。

このような基板１の厚みは特に限定されないが、好まし
くは０．５〜５ｕ特に好ましくは１〜２１である。

保」１勝 本発明に係る光磁気記録媒体１０で用いられる保護膜２
１ｆ、ＳｉＮ、、、Ｚ　ｎ　ＳＳＺ　ｎ　Ｓ　ｅ、　　
Ｃｄ　Ｓ。

Ｓｉ、ＡＱＮなとで示される組成の膜から形成されてお
り、このうちＳｉＮ、膜が特に好ましい。

ＳｉＮ、で示される保護膜で１４０＜ｘ≦４７３である
ことが好ましく、具体的には、５１３Ｎ４（四窒化三ケ
イ素）などの窒化ケイ素膜あるいはＯくｘ＜４／３とな
るようにＳｉ、ＮｊとＳｉとを混合した混合膜が特に好
ましく用いられる。このようなＳｉＮ、で示される保護
膜は、たとえばターゲットとして、　Ｓｉ、Ｎ４または
、　Ｓ　１ａＮ４とＳｉとを用いて、スパッタリング法
により成膜することができる。このようなＳｉＮｘから
なる保護膜２鷹　通常２．０以上の屈折率を有している
ことが好ましく、後述する光磁気記録膜３を酸化などか
ら保護する働き、あるいは光磁気記録膜の記録特性を高
めるエンハンス膜としての働き、あるいはその両方の働
きをしている。またＳ　１Ｎｘ（０（ｘ≦４７３）から
なる保護膜は、特に耐クラツク性に優れている。

本発明において、保護膜２の膜厚は５００〜２０００＾
、好ましくは８００〜１５００人程度であることが望ま
しい。

本発明においては、保護膜の膜厚を上記のような範囲に
することによって、良好なＣ／Ｎ比と広い記録パワーマ
ージンを有する光磁気記録媒体を得ることができる。

光ｍ之葭！ 光磁気記録膜３１戴　（ｉ）３ｄ遷移金属から選ばれる
少なくとも１種と、　（ｉｉｉ）希土類から選ばれる少
なくとも１種の元素とからなるか、あるいは（ｉ）３ｄ
遷移金属から選ばれる少なくとも１種と、　（ｉｉ）耐
腐食性金属と、　（１ｉｉ）希土類から選ばれる少なく
とも１種の元素とからなっている。

このうち（ｊ）３ｄ遷移金属から選ばれる少なくとも１
種と、　（ｉｌ）耐腐食性金属と、　（ｉｉｉ）希土類
から選ばれる少なくとも１種の元素とからなる光磁気記
録膜が好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移金属としてＩＩ　　Ｆｅ、　　Ｃｏ、　
　Ｔｉ。

ＶＳ　ＣｒＳ　Ｍｎ、Ｎｉ、　ＣｕＳ　Ｚｎなどが用い
られる７５−　このうちＦｅまたはＣｏあるいはこの両
者であることが好ましい。

この３ｄ遷移金属は、光磁気記録膜中に好ましくは２０
〜９０原子％、より好ましくは３０〜８５ｇ、子％、と
くに好ましくは３５〜８０厚子％の量で存在している。

（１１）耐腐食性金属は、光磁気記録膜に含ませること
によって、この光磁気記録膜の耐酸化性を高めることが
できる。このような耐腐食性金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ
、Ｔｉ、ＺｒＳ　Ｔａ１　Ｎｂなどが用いられる八　こ
のうちＰｔＳ　ＰｄＸ　Ｔｉが好ましく、とくにＰｔま
たはＰｄあるいはこの両者であることが好ましい。

この耐腐食性金属１戴　光磁気記録膜中Ｇ：、　　３０
原子％以下、好ましくは５〜２５ｗ、子％、とくには１
０〜２５Ｗ、千％、さらに好ましくは１０〜２０原子％
の量で存在している。

希土類元素として頃　下記のような元素が挙げられる。

Ｇｄ、　　Ｔｂ、　　Ｄｙ、　　Ｈｏ、　　Ｅｒ１　Ｔ
ｍ、　　Ｙｂ。

Ｌｕ、、　Ｌａ、　　Ｃｅ、　　Ｐｒ、　　ＮｄＳ　Ｐ
ｍ、　　Ｓｍ。

ｕ こ（Ｆ）うちＧｄＳ　’ｒｂ、Ｄｙ１　Ｈｏ、ＮｄＳ　
Ｓ亀Ｐｒが好ましく用いられる。

上記のような群から選ばれる少なくとも１種の希土類元
素は、光磁気記録膜中は　好ましくは５〜５０ｆｆｉ子
％、さらに好ましくは８〜４５原子％とくに好ましくは
１０〜４０ＪｌｌＫ子％の量で存在している。

本発明で版　光磁気記録膜カー　特へ　下記に記載する
ような組成を有することが好ましい。

（ｉ）３ｄ遷移元素 本発明に係る光磁気記録膜中に汰　（ｉ）３ｄ遷移元素
として、好ましくはＦｅまたはＣｏあるいはこの両者が
含まれており、Ｆｅおよび／またはＣｏ１４４０原子％
以上８０原子％以下、好ましくは４０原子％以上７５原
子％未鳳　さらに好ましくは４０原子％以上５９原子％
以下の量で存在していることが望ましい。

さらにＦｅおよび／またはＣＯは、Ｃｏ／（Ｆｅ＋ＣＯ
）比［原子比］が０以上０．３以下、好ましくは０以上
０．２以下、さらに好ましくは０．０１以上０．２以下
であるような量で、光磁気記録膜中に存在していること
が望ましい。

Ｆｅおよび／またはＣｏの量が４０ｙ！、子％以上で８
０原子％以下の範囲にあると、耐酸化性に優汰かつ膜面
に垂直な方向に磁化容易軸をもった光磁気記録膜が得ら
れるという利点を有する。

ところで光磁気記録膜中Ｅ、Ｃｏを添加すると、（イ）
光磁気記録膜のキュリー点が上昇し　また（口）カー回
転角（θｋ）が大きくなるという現象が認めら瓢　その
結Ｌ　ＣＯの添加量により、光磁気記録膜の記録感度を
調整することができ、しかもＣＯの添加により、再生信
号のキャリアレベルを増加することができる。本発明に
係る光磁気記録膜では、ノイズレベル、Ｃ／Ｎ比の点か
らＣｏ／　（Ｆｅ＋Ｃｏ）比［原子比コは０以上０．３
以下、好ましくは０以上０．２以下、さらに好ましくは
０．０１以上０．２以下であることが望ましい。

このような本発明に用いる光磁気記録膜中　記録および
消去を繰り返し行なっても、膜変質が生ずることはない
。たとえば本発明に係るＰ　ｉ　１３Ｔ　ｂ２＊Ｆ　ｅ
ｓｓＣ０６なる組成を有する光磁気記録膜１１０Ｔ回の
記録および消去を繰り返し行なってもＣ／Ｎ比の低下は
認められない。

（１１）耐腐食性金属 本発明に用いる光磁気記録膜中にＩＩ　　（ｉｉ）耐腐
食性金属として、好ましくはｐｔまたはＰｄあるいはこ
の両者が含まれており、Ｐｔおよび／またはＰ　ｄ　Ｌ
Ｌ　　光磁気記録膜中に５〜３０厚子％、好ましくは１
０原子％を超えて３０原子％以下、さらに好ましくは１
０ｍ子％を超えて２０５子％未鳳　最も好ましくは１１
Ｍ子％以上１９原子％以下の量で存在していることが望
ましい。

光磁気記録膜中のＰｔおよび／またはＰｄの量が！ＩＦ
Ｉ子％以ム　特に１０原子％を超えて存在すると、光磁
気記録膜の耐酸化性に便法　長期間使用しても孔食が発
生せず、Ｃ／Ｎ比も劣化しないという利点を有する。

たとえばＰ　ｔ’ｓ　Ｔ　ｂａａ　Ｆ　ｅｓｉ　ＣＯｓ
あるいはＰ　ｄ＋２Ｔ　ｂ２ｓＦ　ｅｓ、ＣＯ？で示さ
れる組成を有する本発明に係る光磁気記録膜は、相対湿
度８５９６．　８０℃の環境下に１０００時間保持して
も、Ｃ／Ｎ比は全く変化しない。これに対してｐｔまた
はＰｄを含まないＴｂ２ｓＦｅ＠・Ｃｏ、で示される組
成を有する光磁気記録膜中　相対湿度８５％、８０℃の
環境下に１０００時間保持すると、Ｃ／Ｎ比は大きく低
下する。

また光磁気記録膜中にＰｔおよび／またはＰｄを上記の
ような範囲の量で添加することにより、光磁気記録膜に
情報を記録したりあるいは情報を読比す際に、小さなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られる。小さなバ
イアス磁界で充分に高いＣ／Ｎ比が得られると、バイア
ス磁界発生用のマグネットを小さくすることができ、し
かもマグネットからの発熱も押えることができるため、
光磁気記録膜を有する光ディスクのドライブ装置を簡素
化することができる。しかもかさなバイアス磁界で充分
に大きなＣ／Ｎ比が得られるため、オーバーライド可能
な磁界変調記録用のマグネットの設計も容易となる。

（１ｉｉ）希土類元素（ＲＥ） 本発明に係る光磁気記録膜中にＧ転　希土類元素（ＲＥ
）が含まれており、この希土類元素としてｉ４　　Ｎｄ
５５ｍ、　　Ｐｒ、　　Ｃｅ、　　Ｅｕ、　　Ｇｄ、　
　Ｔｂ。

ＤｙまたはＨｏが用いられる。

これらの中でＬ　　Ｎｄ、ＰｒＳ　Ｇｄ、Ｔｂ。

ＤＹが好ましく用いら法　特にＴｂが好ましい。

また希土類元素は２種以上併用してもよく、この場合に
Ｔｂを希土類元素のうち５０原子％以上含有しているこ
とが好ましい。

この希土類元素は、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
った光磁気を得るという点からＲＥ／（ＲＥ＋Ｆｅ＋Ｃ
ｏ）比［ｆＸ子比コをＸで表わした場合！、　　０．１
５≦Ｘ≦０．４５、好ましくは０．２０≦Ｘ≦０．４で
あるような量で光磁気記録膜中に存在していることが望
ましい。

本発明においては、光磁気記録膜に種々の元素を少量添
加して、キュリー温度や補償温度あるいは保磁力Ｈｅや
カー回転角θにの改善あるいは低コスト化を計ることも
できる。これらの元素１戴　記録膜を構成する全原子数
に対してたとえば１０原子％未満の割合で用いることが
できる。

併用できる他の元素の例としては、以下のような元素が
挙げられる。

（１）Ｆｅ、Ｃｏ以外の３ｄ遷移元素 具体的には、Ｓｃ、　　Ｔｉ、　　Ｖ、　　Ｃｒ、　　
Ｍｎ。

Ｎ１、　Ｃｕ、Ｚｎが用いられる。

これらのうち、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、　　Ｚｎなどが好ま
しく用いられる。

（ｎ）Ｐｄ以外の４ｄ遷移元素 具体的には、Ｙ、　　Ｚｒ、　、Ｎｂ、　　Ｍｏ５Ｔｃ
。

ＲｕＳ　Ｒｈ、Ａｇ、Ｃｄが用いられる。

このうちＺｒＳ　Ｎｂが好ましく用いられる。

（ｍ）Ｐｔ以外の５ｄ遷移元素 具体的に！Ｌ　　Ｈｆ、　　Ｔａ５Ｗ、　　Ｒｅ、　　
Ｏｓ。

Ｉｒ、Ａｕ、Ｈｇが用いられる。

このうちＴａが好ましく用いられる。

（ｒｖ）ｍＢ族元素 具体的にｉ４　　Ｂ、　　ＡＱ、　　Ｇａ、　　Ｉｎ５
ＴＱが用いられる。

このうちＢ、ＡＱ、Ｇａが好ましく用いられる。

（ｖ）ｒｖＢ族元素 具体的には、ＣＳ　Ｓｉ、ＧｅＳ　Ｓｎ、Ｐｂが用いら
れる。

このうち、Ｓｉ、Ｇｅ、　　Ｓｎ、Ｐｂが好ましく用い
られる。

（Ｖｌ）ＶＢ族元素 具体的には、ＮＳ　Ｐ、ＡｓＳ　Ｓｂ、Ｂｉが用いられ
る。

このうちｓｂが好ましく用いられる。

（■）ＶＩＢ族元素 具体的に代　ＳＳ　Ｓｅ、ＴｅＳ　Ｐｏが用いられる。

このうちＴｅが好ましく用いられる。

上記のような組成を有する光磁気記録可能　膜面に垂直
な磁化容易軸を有し　多くはカー・ヒステリシスが良好
な角形ループを示す垂直磁気および光磁気記録可能な非
晶質薄膜となることカー　広角Ｘ線回折などにより確か
められる。

なお本明細書において、カー・ヒステリシスが良好な角
形ループを示すと１戴　最大外部磁場におけるカー回転
角である飽和カー回転角（θに＋）と外部磁場ゼロにお
けるカー回転角である残留カー回転角（θに２）との比
θに２／θに、が０．８以上であることを意味している
。

この光磁気記録膜の膜厚は１００〜６００人、好ましく
は１００〜４００人、　より好ましくは１５０〜３００
人程度である。

三］！札水イｕ１勝 本発明に係る光磁気記録媒体１０では、上記のような光
磁気記録膜３上に、ニッケル合金Ｍ４が設けられている
。

このニッケル合金膜４屯　ニッケルと、ニッケル以外の
少なくとも１種の元素を含んで構成されている。

このようなニッケル合金としては　具体的にｉＬ下記の
ような合金を用いることができる。

Ｎｉ−Ｃｒ系合金（たとえば３０〜９９原子％Ｎｉ、１
〜７０遼子％Ｃｒ、　　特に好ましくは７゜〜９５９５
原子ｉ、５〜３０３０原子ｒ）Ｎｉ−３ｉ系合金（たと
えば８５ＪＩＩｉ（子％Ｎｉ１１０原子％Ｓｉ、３原子
％Ｃｕ、２ｊｌｉ（子％Ａ）Ｎｉ−Ｃｕ系合金（たとえ
ば６３原子％Ｎｉ。

２９〜３０Ｗ、子％Ｃｕ、　　０．９〜２ＪＩｉ（子％
Ｆ　ｅ。

０．１〜４ｉ子％Ｓｉ、Ｏ〜２．７５原子％Ａ）Ｎｉ−
Ｍｏ−Ｆｅ系合金（たとえば６０〜６５原子％Ｎｉ１２
５〜３５７１１子％Ｍｏ、５ｆｆ子％Ｆｅ） Ｎ　ｉ　−Ｍ　ｏ　−Ｆ　ｅ　−Ｃｒ系合金（たとえば
５５〜６０原子％Ｎｉ、１５〜２０原子％Ｍｏ、６Ｊ］
ｉ（子％Ｆｅ１１２〜１６ｉ子％Ｃｒ、５原子％Ｗ）Ｎ
ｉ−Ｍｏ−Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｕ系合金（たとえば６０ｙｉ
、子％Ｎｉ、５ｊ［子％Ｍｏ、８原子％Ｆ　ｅ。

２１原子％Ｃｒ、３Ｎ子％Ｃｕ、ＩＪ］ｔ［子％５ｉ１
１原子％Ｍｎ、１原子％Ｗ１　　あるいは４４〜４７原
子％Ｎｉミ　５．５〜７．５ｆｆｉ子％ＭＯ１２１〜２
３原子％Ｃｒ、０．１５原子％Ｃｕ、１原子％Ｓｔ、１
〜２原子％Ｍｎ、２．５Ｊｉ（子％Ｃｏ、１原子％Ｗ、
１．７〜２．５Ｎ子％Ｎｂ、残部Ｆｅ）Ｎｉ−Ｃｒ−Ｃ
ｕ−Ｍｏ系合金（たとえば５６〜５７ｙ！、子％Ｎｉ、
　　２３〜２４Ｊ］Ｆ［千％Ｃｒ、８ｙＩ。

子％Ｃｕ、４原子％Ｍｏ、２原子％Ｗ、　　１原子％Ｓ
ｉまたはＭ　ｎ　） Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ系合金（たとえば７９．５原子％Ｎｉ
Ｓ　１３原子％Ｃｕ、６．５原子％Ｆ　ｅ。

０．２原子％Ｃｕ、　　あるいは３０〜３４原子％Ｎｉ
。

１９〜２２ｆｆｌ子％Ｃｒ、０．５原子％Ｃｕ、１原子
％Ｓｉ１１．５．［子％Ｍｎ、　　残部Ｆｅ）これらの
うち特にＮｉ−Ｃｒ系合金膜が好ましく用いられる。

このようなニッケル合金膜４の膜厚は、２００〜５００
０人好ましくは３００〜３０ｏＯ人さらに好ましくは５
００〜２０００人程度であることが望ましい。

上記のようなニッケル合金膜４を有する光磁気記録媒体
ｊＬ　　ソリが小さいなど機械的特性に優れている。

アルミニウムム 本発明に係る光磁気記録媒体１０では、上記のようなニ
ッケル合金膜４上く　アルミニウム合金膜５が設けられ
ている。

このアルミニウム合金８５１１　　アルミニウムと、ア
ルミニウム以外の少なくとも１種の元素を含んで構成さ
れている。

このようなアルミニウム合金としては、具体的には以下
のようなものが例示できる。

Ａｇ−Ｃｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｔｒ−Ｃｕ合金（Ｃｕ含有量０．１〜１０ｆｆｉ子％）
、Ａａ−Ｍｎ合金（Ｍｎ含有量０．１〜１０原子％）、
Ａｇ−Ｈｆ合金（Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
１１−Ｎｂ合金（Ｎｂ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
ｎ−Ｂ合金（Ｂ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＭ　−
Ｔ　ｉ合金（Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ９−
Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ含有量０．１〜５原子９６Ｓ　Ｎ
ｂ含有量０．１〜５原子％）、Ａｆｆ　−Ｔ　ｉ−Ｈｆ
合金（Ｔｉ含有量０．１〜５ｙ！、予知　Ｈｆ含有量０
．１〜１０原子％）、Ａｓ−Ｃ１−Ｈｆ合金（Ｃｒ含有
量０．１〜５　ｉ子覧、Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％
）、ＡＱ−Ｃｒ−Ｔｉ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５原子
％、Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｓ−Ｃｒ−Ｚ
ｒ合金（Ｃｒ含有量０．１〜５　ＪＪＸ子％、Ｚｒ含有
量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｔｉ−Ｎｂ合金（Ｔｉ
含有量０．１〜５Ｘ子％、Ｎｂ含有量０．１〜５原子％
）、 ＡＱ−Ｎｉ合金（Ｎｉ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
Ｑ−Ｍｇ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１ＯＮ、子％）、Ａ
Ｍ−Ｍｇ−Ｔｉ合金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、
Ｔｉ含有量０．１〜１０原子％）、ＡＱ−Ｍｇ−Ｃｒ合
金（Ｍｇ含有量０．１〜１０原子％、Ｃｒ含有量０．１
〜１０原子％）、ＡＱ−Ｍｇ−Ｈｆ合金（Ｍｇ含有量０
．１〜１０原子％、）Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）
、ＡＱ−３ｅ合金（Ｓｅ含有量０．１〜１０原千％）、
Ａ９−Ｚｒ合金（Ｚｒ含有量０．１〜１０原子％）、Ａ
９−Ｔａ合金（Ｔａ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｎ
−Ｔａ−Ｈｆ合合金金Ｔａ含有量０．１〜１０原子％、
Ｈｆ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌ１−Ｓｉ合金（
Ｓｉ含有量０．１〜１０原千％）、ＡＱ−Ａｇ合金（Ａ
ｇ含有量０．１〜１０原子％）、Ａｌｌ　−Ｐ　ｄ合金
（Ｐｄ含有量０．１〜１０原千％）、Ａｎ　−Ｐ　を合
金（Ｐｔ含有量０．１〜１ＯＮ子％）。

アルミニウム合金としては、特に以下のようなもの抵　
記録媒体の線速依存性がｔＪ）さく、かつ耐腐食性に優
れているので好ましい。

ハフニウム０．１〜１０原子％を含むアルミニウム合金
、 ニオブ０．１〜１０原子％を含むアルミニウム合金、チ
タン０．５〜５厚子％とハフニウム０．５〜５厘子％を
含八　チタンとハフニウムの合計含有量が１〜５．５７
Ｊｔ子％であるアルミニウム合金、クロム０．１〜５Ｗ
、千％とチタン０．１〜９．５厘子％を含八　クロムと
チタンの合計含有量が１０Ｗ、千％以下であるアルミニ
ウム合金、 クロム０．１〜５ｆｆ千％とチタン０．１〜９．５厘子
％とハフニウム０．１〜９．５厘子％とを古木　クロム
とチタンとハフニウムの合計含有量が１０原子％以下で
あるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とクロム０．１〜１０
ＪＩ’ｆ子％を合本　マグネシウムとクロムの合計含有
量が１５厘子％以下であるアルミニウム合金、クロム０
．１〜５厘子％とハフニウム０．１〜９．５厘子％ｔ−
ｆ次　　クロムとハフニウムの合計含有量が１０原子％
以下であるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とハフニウム０．１〜
１０Ｗ、子％を含八　マグネシウムとハフニウムの合計
含有量が１５厘子％以下であるアルミニウム合金、クロ
ム０．１〜５厘子％とジルコニウム０．１〜９．５厘子
％を含ヘ　　クロムとジルコニウムの合計含有量が１０
原子％以下であるアルミニウム合金、タンタル０．１〜
１０原子％とハフニウム０．１〜１０原子％とを含７１
ｂ　　タンタルとハフニウムの合計含有量が１５厘子％
以下であるアルミニウム合金、チタン０．５〜５厘子％
とニオブ０．５〜５原千原子合本　チタンとニオブの合
計含有量が１〜５．５厘子％であるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０ｙ！、子％とチタン０．１〜
１０１１Ｎ子％を合本　マグネシウムとチタンの合計含
有量が１５厘子％以下であるアルミニウム合金、マグネ
シウム０．１〜１０原子％とチタン０．１〜１０原子％
とを含永　かつマグネシウムとチタンの合計含有量が１
５Ｗ、千％以下であるアルミニウム合金、マグネシウム
０゜１〜１０原子％とハフニウム０．１〜１０原子％と
チタン０．１〜１０原子％とを含べ　かつマグネシウム
とハフニウムとチタンの合計含有量が１５厘子％以下で
あるアルミニウム合金、マグネシウム０．１〜１０原子
％とハフニウム０．１〜１０ｙＸ子％とクロム１０原子
％以下とを合本　かつマグネシウムとハフニウムとクロ
ムとの合計含有量が１５厘子％以下であるアルミニウム
合金、マグネシウム０．１〜１０原子％とチタン０．１
〜１０厚千％とクロム１０Ｗ子％以下とを古木　かつマ
グネシウムとチタンとクロムとの合計含有量が１５厘子
％以下であるアルミニウム合金、 マグネシウム０．１〜１０原子％とハフニウム０．１〜
１０原子％とチタン０．１〜１０原子％とクロム１０Ｗ
、子％以下とを合本　かつマグネシウムとハフニウムと
チタンとクロムとの合計含有量が１５厘子％以下である
アルミニウム金色 また上記のようなアルミニウム合金膜は、それぞれのア
ルミニウム合金膜を構成する金属以外に下記のような金
属（元素）を１種または２種以上含ませることもできる
。このような金属としては、たとえば、チタン（Ｔｉ）
、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ
）、銅（Ｃｕ）、タングステン（ＷＬ　　ジルコニウム
（Ｚ　ｒ　Ｌ　　マンガン（Ｍｎ）、マグネシウム（Ｍ
　ｇ　Ｌ　　バナジウム（Ｖ）などが挙げら蜆　このよ
うな他の金属は通常５原子％以下好ましくは２ｙ！、子
％以下の量で含まれる。　（ただし　アルミニウム合金
膜には、上記に例示するような金属（元素）のうち、既
にアルミニウム合金膜に含まれている金属（元素）をさ
らに上記の量で重ねて含ませることはないものとする。

たとえば、アルミニウム合金膜を構成するアルミニウム
合金が、上記したＡＱ−Ｔｉ合金、ＡＱ−Ｔｉ−Ｈｆ合
金等である場合に檄　上記の金属（元素）のうちでチタ
ン（Ｔｉ）がさらに上記のような量で上記アルミニウム
合金中に含まれることはない。） このようなアルミニウム合金膜５の膜厚は、１００〜５
０００人好ましくは５００〜３０００人さらに好ましく
は７００〜２０００八程度であることが望ましい。

このアルミニウム合金膜５は、熱良伝導体層としての機
能を果たしており、このアルミニウム合金膜が存在する
ことによって記録層が記録レーザ光によって過度に高温
になることが防止さ瓢　その給気　記録パワーの線速依
存性が／ｌ）さくなると考えられる。

また本発明におけるアルミニウム合金膜は、耐腐食性に
優れているため、長期間使用した後においても、記録媒
体の線速依存性が小さいという特徴を有しており、記録
層に対する保護作用にも優れてい−る。

なお本発明に係る光磁気記録媒体１０で頃　上記のよう
なニッケル合金膜４とアルミニウム合金膜５との開−保
護膜を有していてもよい。このような保護膜としては、
上記したような保護膜２と同様なものが用いられる。

また本発明に係る光磁気記録媒体１０では、上記のよう
な光磁気記録膜３とニッケル合金膜４との間＆ミ　保゛
護膜を有していてもよい。このような保護膜として代　
上記したような保護膜２と同様なものが用いられる。

最外層であるアルミニウム合金層の上にオーバーコート
を施してもよい。オーバーコート剤として檄　紫外線硬
化樹脂、例えばアクリル型紫外線硬化樹脂が用いら瓢　
通常、　１〜１００μｍ程度の膜厚にコートされる。ま
た、保護膜とは反対側の基板上にトップコートを施して
もよい。

本発明に係る光磁気記録媒体１０は、基板上に、保護膜
　光磁気記録膜　ニッケル合金層　アルミニウム合金膜
を、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法あるいは電
子ビーム蒸着法などの成膜法を採用して成膜することに
よって製造することができる。

茜１し五肱濃 本発明に係る光磁気記録媒体頃　基板上に保護膜　光磁
気記録膜　ニッケル合金膜およびアルミニウム合金膜を
有獣　かつ基板上に保護膜　光磁気記録膜　ニッケル合
金層　アルミニウム合金膜がこの順序で積層されている
ので、ソリが小さいなど機械的特性に優へ　記録パワー
の線速依存性が小さく、かつ記録パワーマージンが広り
、シかも耐酸化性および記録感度に優れている。

［実施例コ 以下本発明を実施例によって説明する力ζ　本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。

以下ＤＭＯＮと略記する）の非品性の共重合体（１３Ｃ
−ＮＭＲ分析で測定したエチレン含量５９モル％、ＤＭ
ＯＮ含量４１モル％、１３５℃デカ「Ｌン中で測定した
極限粘度［η］が０．４２ｄｌ／　ｇ、　　軟化温度（
ＴＭＡ）　１５４℃）からなる基板上＆ミ　厚さ１００
０人のＳｉ。

Ｎ４からなる保護膜と、厚さ３００人のＰｔ１８Ｔｂ２
ｓＦｅａｓｃＯａからなる光磁気記録膜とを順次スパッ
タリング法により積層し　この記録層上＆ミニツケルー
クロムの複合ターゲットを用いてスパッタリング法によ
って、厚さ５００人のニッケルークロム合金からなるニ
ッケル合金層を積層した　得られたニッケル合金（層）
中のニッケルの含有量は９０Ｍ子％であり、クロムの含
有量は１０原子％であった　さらに、このニッケル合金
層上にアルミニウムーチタン−ハフニウムの複合ターゲ
ットを用いてスパッタリング法によって、厚さ１０００
人のアルミニウムーチタン−ハフニウム合金からなるア
ルミニウム合金層を積層した　得られたアルミニウム合
金層を構成するアルミニウム合金（層）中のチタンの含
有量は１原子％であり、ハフニウムの含有量は２原子％
であった得られた光磁気記録媒体を、７０℃、相対湿度
８５％の雰囲気下に約４８時間保持した後、この光磁気
記録媒体のソリ（反り）変化を調べたところ、基板（成
膜前）に比べて変化が認められなかつｔら また、この光磁気記録媒体は線速５．７ｍ／ｓｅｃにお
ける最適記録パワーが４．６ｍＷであり、線速１１　、
３　ｍ／ｓｅｃにおける最適記録パワーが６．８ｍＷで
あった また、パワーマージンとＬ　　Ｃ／Ｎ　Ｍａｘ−３ｄＢ
以上が得られる記録パワーの範囲のことであり、ｆ＝３
．７ＭＨｚ、ｄｕｔｙ　３３．３％、線速＝５．７ｍ　
／　ｓｅｃにおいて、パワーマージン（Ｐｍ）は３．３
ｍＷ、Ｃ／Ｎ比は４７．５ｄＢであッタなお、本明細書
において、最適記録パワーとはｆ＝ＩＭＨｚ、、ｄｕｔ
ｙ　５０％の書込み信号に対して再生信号の２次高調波
が最かとなる記録パワーのことを表わｌ−線速による最
適記録パワーの差が小さい程線速依存性が小さい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光磁気記録媒体の断面図である。 １・・・基板　　　　　２・・保護膜 ３・・・光磁気記録ＩＸ　４・・・ニッケル合金膜５・
・・アルミニウム合金膜 ０・・・光磁気記録媒体 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、保護膜と、光磁気記録膜と、ニッケル
   合金膜と、アルミニウム合金膜とがこの順序で積層され
   てなることを特徴とする光磁気記録媒体。