JPH049031Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH049031Y2 JPH049031Y2 JP1984087091U JP8709184U JPH049031Y2 JP H049031 Y2 JPH049031 Y2 JP H049031Y2 JP 1984087091 U JP1984087091 U JP 1984087091U JP 8709184 U JP8709184 U JP 8709184U JP H049031 Y2 JPH049031 Y2 JP H049031Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- support
- support rods
- spray device
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Coating Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、透光性ガラス板に遮光性薄膜を被着
したフオトマスク基板や、半導体基板に半導体酸
化物を被着したものにそれぞれフオトレジストを
塗布した後、そのフオトレジストを所定のパター
ンで露光されたこれ等基板のパターン形成工程に
おける現像工程、エツチング工程等に使用される
スプレー装置、特に、基板を設置する支持具を改
良したスプレー装置に関する。
したフオトマスク基板や、半導体基板に半導体酸
化物を被着したものにそれぞれフオトレジストを
塗布した後、そのフオトレジストを所定のパター
ンで露光されたこれ等基板のパターン形成工程に
おける現像工程、エツチング工程等に使用される
スプレー装置、特に、基板を設置する支持具を改
良したスプレー装置に関する。
従来のスプレー装置は、第１図に示すように、
基板１の各種サイズ（例えば、６，５，４及び３
インチ）に応じて、その４隅を支持する支持具２
を使用している。すなわち、この支持具２は、最
も大きい基板１の端面との当接面３とその底面と
の載置面４とをもつて、支持部を構成し、基板１
のサイズが小さくなるに従つて、当接面５と載置
面６、当接面７と載置面８及び当接面９と載置面
１０とからなる各支持部を階段状に深くするよう
に形成している。
基板１の各種サイズ（例えば、６，５，４及び３
インチ）に応じて、その４隅を支持する支持具２
を使用している。すなわち、この支持具２は、最
も大きい基板１の端面との当接面３とその底面と
の載置面４とをもつて、支持部を構成し、基板１
のサイズが小さくなるに従つて、当接面５と載置
面６、当接面７と載置面８及び当接面９と載置面
１０とからなる各支持部を階段状に深くするよう
に形成している。
一方、このスプレー装置は、モーターによつて
回転される回転軸１１により、連結具１２を介し
て支持具２と共に基板１を回転させた状態で、チ
ヤンバー１３の天井に設置された噴出孔１４から
現像液又はエツチング液等の噴出液１５を基板１
に向けて噴出する。その際、噴出液１５は、基板
１の静止時において、例えば、同図ｂに示すよう
に基板１の対角線方向に向かつて両弧により形成
された断面両凸レンズ形状の被噴出領域１６（被
噴出領域１６の中心は回転軸ｌと一致している）
内に分布しているので、基板１の回転により基板
１の全表面を均一に噴出するようになつている。
回転される回転軸１１により、連結具１２を介し
て支持具２と共に基板１を回転させた状態で、チ
ヤンバー１３の天井に設置された噴出孔１４から
現像液又はエツチング液等の噴出液１５を基板１
に向けて噴出する。その際、噴出液１５は、基板
１の静止時において、例えば、同図ｂに示すよう
に基板１の対角線方向に向かつて両弧により形成
された断面両凸レンズ形状の被噴出領域１６（被
噴出領域１６の中心は回転軸ｌと一致している）
内に分布しているので、基板１の回転により基板
１の全表面を均一に噴出するようになつている。
しかしながら、基板１のサイズを変えて、例え
ば最も小さな基板１′を設置した場合、設置位置
が高さ方向で異なるため、被噴出領域１６の中心
軸が元の中心軸ｌより△ｌだけずれてしまうこと
から、前述した噴出の均一性を歪めることにな
り、これを原因として、基板１′のパターン形成
工程において、均一な線幅のパターンを形成する
ことができなかつた。
ば最も小さな基板１′を設置した場合、設置位置
が高さ方向で異なるため、被噴出領域１６の中心
軸が元の中心軸ｌより△ｌだけずれてしまうこと
から、前述した噴出の均一性を歪めることにな
り、これを原因として、基板１′のパターン形成
工程において、均一な線幅のパターンを形成する
ことができなかつた。
本考案は、上記した欠点を除去するためになさ
れたものであり、基板のサイズが変わつても、そ
の表面に現像液やエツチング液等の噴出液を均一
に噴出させて、均一な線幅のパターンを形成する
ことができるスプレー装置を提供することを目的
とする。
れたものであり、基板のサイズが変わつても、そ
の表面に現像液やエツチング液等の噴出液を均一
に噴出させて、均一な線幅のパターンを形成する
ことができるスプレー装置を提供することを目的
とする。
本考案のスプレー装置は、基板１７をチヤンバ
ー１３内の支持具１８に設置し、前記チヤンバー
１３に設けられた噴出孔１４から前記基板１７に
向けて噴出液１５を噴出するスプレー装置におい
て、 前記支持具１８は、 互いに交叉し、その中心が回転軸１１と一致す
る２本の支持棒１９，２０と、 この支持棒１９，２０の前記交叉方向における
前記基板１７の端面部分に当接する当接面２６と
該端面近傍の底面部分に載置する載置面２７とを
有して前記支持棒１９，２０に取付けられる４個
の固定台３０と を備え、 前記支持棒１９，２０は、前記交叉する点を中
心にした一対の穴２１，２１，２２，２２，２
３，２３，２４，２４，２５，２５，２６，２
６，２７，２７，２８，２８が前記基板１７の各
種サイズに応じて複数個形成され、 前記一対の穴２１，２１，２２，２２，２３，
２３，２４，２４，２５，２５，２６，２６，２
７，２７，２８，２８にネジ２９を通して前記固
定台３０を支持棒１９，２０上の前記基板１７の
各種サイズに応じた位置に固定し、かつ、前記固
定台３０を、前記載置面２７がいずれの前記位置
においても実質的に同一平面となるように保持す
ることを特徴としている。ここで、基板とは透光
性ガラス板に遮光性薄膜を被着したフオトマスク
基板や、Si等半導体基板にSiO2等半導体酸化物
を被着した基板であり、通常、それぞれフオトレ
ジストを塗布した後、所定のパターンでそのフオ
トレジストが露光されたものが含まれる。噴出液
とは、現像工程で使用する場合はフオトレジスト
専用液、エツチング工程で使用する場合は所定の
エツチング液（例えば、硝酸第２セリウムアンモ
ン165ｇ＋過塩素酸50mlを純水で合計１とした
混合液）、洗浄工程で使用する場合は所定の洗浄
液（例えば、純水）であり、また、フオトレジス
トの塗布工程で使用する場合はフオトレジスト液
である。
ー１３内の支持具１８に設置し、前記チヤンバー
１３に設けられた噴出孔１４から前記基板１７に
向けて噴出液１５を噴出するスプレー装置におい
て、 前記支持具１８は、 互いに交叉し、その中心が回転軸１１と一致す
る２本の支持棒１９，２０と、 この支持棒１９，２０の前記交叉方向における
前記基板１７の端面部分に当接する当接面２６と
該端面近傍の底面部分に載置する載置面２７とを
有して前記支持棒１９，２０に取付けられる４個
の固定台３０と を備え、 前記支持棒１９，２０は、前記交叉する点を中
心にした一対の穴２１，２１，２２，２２，２
３，２３，２４，２４，２５，２５，２６，２
６，２７，２７，２８，２８が前記基板１７の各
種サイズに応じて複数個形成され、 前記一対の穴２１，２１，２２，２２，２３，
２３，２４，２４，２５，２５，２６，２６，２
７，２７，２８，２８にネジ２９を通して前記固
定台３０を支持棒１９，２０上の前記基板１７の
各種サイズに応じた位置に固定し、かつ、前記固
定台３０を、前記載置面２７がいずれの前記位置
においても実質的に同一平面となるように保持す
ることを特徴としている。ここで、基板とは透光
性ガラス板に遮光性薄膜を被着したフオトマスク
基板や、Si等半導体基板にSiO2等半導体酸化物
を被着した基板であり、通常、それぞれフオトレ
ジストを塗布した後、所定のパターンでそのフオ
トレジストが露光されたものが含まれる。噴出液
とは、現像工程で使用する場合はフオトレジスト
専用液、エツチング工程で使用する場合は所定の
エツチング液（例えば、硝酸第２セリウムアンモ
ン165ｇ＋過塩素酸50mlを純水で合計１とした
混合液）、洗浄工程で使用する場合は所定の洗浄
液（例えば、純水）であり、また、フオトレジス
トの塗布工程で使用する場合はフオトレジスト液
である。
次に、フオトマスク基板の現像工程において使
用する場合の実施例を挙げて、本考案を説明す
る。
用する場合の実施例を挙げて、本考案を説明す
る。
第２図は、本考案の特徴である基板１７とその
支持具１８及びその関連部分の構造を示し、同図
ａは支持具１８の組立斜視図、同図ｂは固定台３
０の拡大詳細図、同図ｃは基板１７を載置した状
態の平面図、同図ｄは同図ｃのＸ−Ｘ線箇所断面
図である。なお、スプレー装置の全体構造は、第
２図ｄに示す回転軸１１，連結具１２，基板１７
及び支持具１８を前述した第１図において互いに
対応する構成部分と置換することをもつて、その
説明に代える。
支持具１８及びその関連部分の構造を示し、同図
ａは支持具１８の組立斜視図、同図ｂは固定台３
０の拡大詳細図、同図ｃは基板１７を載置した状
態の平面図、同図ｄは同図ｃのＸ−Ｘ線箇所断面
図である。なお、スプレー装置の全体構造は、第
２図ｄに示す回転軸１１，連結具１２，基板１７
及び支持具１８を前述した第１図において互いに
対応する構成部分と置換することをもつて、その
説明に代える。
本例の基板１７は、石英ガラス板にクロム膜
（膜厚：800Å）を被着し、その上にフオトレジス
ト（米国Hoechst製AZ1350，膜厚：4000Å）を
塗布し、このレジストに対して所定パターンの露
光（露光量60mj／cm2，水銀ランプ）が行なわれ
ており、この基板１７に対してフオトレジスト専
用液を本例のスプレー装置で噴出させる。
（膜厚：800Å）を被着し、その上にフオトレジス
ト（米国Hoechst製AZ1350，膜厚：4000Å）を
塗布し、このレジストに対して所定パターンの露
光（露光量60mj／cm2，水銀ランプ）が行なわれ
ており、この基板１７に対してフオトレジスト専
用液を本例のスプレー装置で噴出させる。
一方、支持具１８は、第２図ａに示すように互
いに直交させた２本の支持棒１９，２０（テフロ
ン製で、その中心軸を回転軸の中心と一致させた
直交箇所で凹凸部を形成して噛み合わせている）
と、この支持棒１９，２０に６インチ基板用に設
けられた一対の穴２１，２１と２５，２５にそれ
ぞれネジ２９（ステンレス製）を通して固定され
る４個の固定台３０（テフロン製）とからなり、
更に支持棒１９，２０には、５インチ，４インチ
及び３インチ基板用の１対の穴２２，２２と２
６，２６，２３，２３と２７，２７及び２４，２
４と２８，２８が設けられ各サイズの基板に応じ
てこれ等１対の穴を選定し、同様にネジ２９を通
して４個の固定台３０を固定する構造になつてお
り、４個の固定台３０は、基板１７の対角線上の
４隅の端面部分と当接する２つの当接面２６，２
６と、その底面部分を載置する載置面２７が形成
されている。
いに直交させた２本の支持棒１９，２０（テフロ
ン製で、その中心軸を回転軸の中心と一致させた
直交箇所で凹凸部を形成して噛み合わせている）
と、この支持棒１９，２０に６インチ基板用に設
けられた一対の穴２１，２１と２５，２５にそれ
ぞれネジ２９（ステンレス製）を通して固定され
る４個の固定台３０（テフロン製）とからなり、
更に支持棒１９，２０には、５インチ，４インチ
及び３インチ基板用の１対の穴２２，２２と２
６，２６，２３，２３と２７，２７及び２４，２
４と２８，２８が設けられ各サイズの基板に応じ
てこれ等１対の穴を選定し、同様にネジ２９を通
して４個の固定台３０を固定する構造になつてお
り、４個の固定台３０は、基板１７の対角線上の
４隅の端面部分と当接する２つの当接面２６，２
６と、その底面部分を載置する載置面２７が形成
されている。
支持具１８を上記した構造とすることにより、
各種サイズの基板を支持具１８に支持した場合、
回転軸１１をそれぞれその中心軸に一致させて回
転し、かつこれ等基板の平面を同一面上（同一の
程度は各種サイズの基板の厚さ寸法差以内であ
り、通常１mm以内である。）に設置することがで
きることから、噴出を均一にすることができる。
各種サイズの基板を支持具１８に支持した場合、
回転軸１１をそれぞれその中心軸に一致させて回
転し、かつこれ等基板の平面を同一面上（同一の
程度は各種サイズの基板の厚さ寸法差以内であ
り、通常１mm以内である。）に設置することがで
きることから、噴出を均一にすることができる。
基板の形状については、前例の正方形に限ら
ず、第３図に示す基板３１のように円形であつて
もよい。本例の基板３１は、互いに直交する方向
の端面部分が平坦面に研磨され、４個の固定台３
２には、基板３１の平坦面と当接する平面状の当
接面３３と、基板３１の底面部分を載置する載置
面３４とが形成されている。その他の構造につい
ては前例と同様である。
ず、第３図に示す基板３１のように円形であつて
もよい。本例の基板３１は、互いに直交する方向
の端面部分が平坦面に研磨され、４個の固定台３
２には、基板３１の平坦面と当接する平面状の当
接面３３と、基板３１の底面部分を載置する載置
面３４とが形成されている。その他の構造につい
ては前例と同様である。
以上の通り、本考案のスプレー装置によれば、
その支持具に基板サイズを変えて支持しても、何
れの基板に対しても噴出を均一にして、特に、レ
ジスト露光後の現像，エツチング，洗浄の一連の
各工程において使用した場合、均一な線幅のパタ
ーンを形成することができる。
その支持具に基板サイズを変えて支持しても、何
れの基板に対しても噴出を均一にして、特に、レ
ジスト露光後の現像，エツチング，洗浄の一連の
各工程において使用した場合、均一な線幅のパタ
ーンを形成することができる。
第１図は従来のスプレー装置を示し、同図ａは
全体構造図、同図ｂは支持具に基板を設置した状
態の平面図及び同図ｃは支持具の平面図である。
第２図は本考案の実施例によるスプレー装置内の
支持具とその関連部分を示し、同図ａは支持具の
組立図、同図ｂは固定台の拡大図、同図ｃは支持
具に基板を設置した状態の平面図及び同図ｄは同
図ｃのＸ−Ｘ線箇所の断面図、第３図は本考案の
他の実施例によるスプレー装置内の支持具に基板
を設置した状態の平面図、同図ｂは同図ａのＸ−
Ｘ線箇所の断面図、及び同図ｃは固定台の拡大図
である。 １３……チヤンバー、１４……噴出孔、１５…
…噴出液、１７，３１……基板、１８……支持
具、１９，２０……支持棒、２１〜２８……１対
の穴、２９……ネジ、３０，３２……固定台、２
６，３３……当接面、２７，３４……載置面。
全体構造図、同図ｂは支持具に基板を設置した状
態の平面図及び同図ｃは支持具の平面図である。
第２図は本考案の実施例によるスプレー装置内の
支持具とその関連部分を示し、同図ａは支持具の
組立図、同図ｂは固定台の拡大図、同図ｃは支持
具に基板を設置した状態の平面図及び同図ｄは同
図ｃのＸ−Ｘ線箇所の断面図、第３図は本考案の
他の実施例によるスプレー装置内の支持具に基板
を設置した状態の平面図、同図ｂは同図ａのＸ−
Ｘ線箇所の断面図、及び同図ｃは固定台の拡大図
である。 １３……チヤンバー、１４……噴出孔、１５…
…噴出液、１７，３１……基板、１８……支持
具、１９，２０……支持棒、２１〜２８……１対
の穴、２９……ネジ、３０，３２……固定台、２
６，３３……当接面、２７，３４……載置面。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 基板１７をチヤンバー１３内の支持具１８に
設置し、前記チヤンバー１３に設けられた噴出
孔１４から前記基板１７に向けて噴出液１５を
噴出するスプレー装置において、 前記支持具１８は、 互いに交叉し、その中心が回転軸１１と一致
する２本の支持棒１９，２０と、 この支持棒１９，２０の前記交叉方向におけ
る前記基板１７の端面部分に当接する当接面２
６と該端面近傍の底面部分を載置する載置面２
７とを有して前記支持棒１９，２０に取付けら
れる４個の固定台３０と を備え、 前記支持棒１９，２０は、前記交叉する点を
中心にした一対の穴２１，２１，２２，２２，
２３，２３，２４，２４，２５，２５，２６，
２６，２７，２７，２８，２８が前記基板１７
の各種サイズに応じて複数個形成され、 前記一対の穴２１，２１，２２，２２，２
３，２３，２４，２４，２５，２５，２６，２
６，２７，２７，２８，２８にネジ２９を通し
て前記固定台３０を支持棒１９，２０上の前記
基板１７の各種サイズに応じた位置に固定し、
かつ、前記固定台３０を、前記載置面２７がい
ずれの前記位置においても実質的に同一平面と
なるように保持することを特徴とするスプレー
装置。 (2) 実用新案登録請求の範囲第１項において、前
記基板１７の形状が正方形であり、前記交叉方
向が前記基板１７の対角線方向であることを特
徴とするスプレー装置。 (3) 実用新案登録請求の範囲第１項において、前
記基板３１の形状が円形であり、前記交叉方向
が前記基板３１の互いに直交する方向であり、
かつ前記交叉方向の前記基板３１の端面部分が
平坦状に形成されていることを特徴とするスプ
レー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8709184U JPS614772U (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | スプレ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8709184U JPS614772U (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | スプレ−装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614772U JPS614772U (ja) | 1986-01-13 |
| JPH049031Y2 true JPH049031Y2 (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=30638992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8709184U Granted JPS614772U (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | スプレ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614772U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0325400Y2 (ja) * | 1986-06-30 | 1991-06-03 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5313244Y2 (ja) * | 1973-08-16 | 1978-04-10 | ||
| JPS54167678U (ja) * | 1978-05-16 | 1979-11-26 |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP8709184U patent/JPS614772U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS614772U (ja) | 1986-01-13 |
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