JPH0493342A - 耐衝撃性改良剤 - Google Patents
耐衝撃性改良剤Info
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- JPH0493342A JPH0493342A JP21031190A JP21031190A JPH0493342A JP H0493342 A JPH0493342 A JP H0493342A JP 21031190 A JP21031190 A JP 21031190A JP 21031190 A JP21031190 A JP 21031190A JP H0493342 A JPH0493342 A JP H0493342A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、新規な耐衝撃性改良剤に関する。
(従来の技術及び発明が解決しようとする課題)ポリ塩
化ビニル樹脂(以下、PVCと略す)は安価でバランス
の取れた物性を有するため多方面に応用されている。し
かし、他の樹脂に比べて耐衝撃性が悪いという欠点を有
している。衝撃強度を向上させるために例えば次の様な
方法が行なわれている。
化ビニル樹脂(以下、PVCと略す)は安価でバランス
の取れた物性を有するため多方面に応用されている。し
かし、他の樹脂に比べて耐衝撃性が悪いという欠点を有
している。衝撃強度を向上させるために例えば次の様な
方法が行なわれている。
即ち、アクリロニトリル−ブタジェン−スチレン共重合
体(ABS)、メチルメタアクリレート−ブタジェン−
スチレン共重合体(MBS)等のゴム成分を添加する方
法、あるいは、塩化ビニルモノマーをエチレン−酢酸ビ
ニル共重合体(EVA)にグラフト共重合させる方法で
ある。ところが、前者のゴム成分を添加する方法は、衝
撃強度は向上するが、PVCの剛性が低下する。また、
後者のEVAと共重合する方法も、衝撃強度の向上に伴
い熱変形温度が低下する。
体(ABS)、メチルメタアクリレート−ブタジェン−
スチレン共重合体(MBS)等のゴム成分を添加する方
法、あるいは、塩化ビニルモノマーをエチレン−酢酸ビ
ニル共重合体(EVA)にグラフト共重合させる方法で
ある。ところが、前者のゴム成分を添加する方法は、衝
撃強度は向上するが、PVCの剛性が低下する。また、
後者のEVAと共重合する方法も、衝撃強度の向上に伴
い熱変形温度が低下する。
この様に従来の技術に示される衝撃強度の改良方法は、
PVCの耐衝撃性の改良と同時に、pvcの剛性または
耐熱変形性を低下させるという欠点を有する。従って、
剛性または耐熱変形性を低下させることなく、PVCの
衝撃強度を向上させる添加剤の開発が強く望まれていた
。
PVCの耐衝撃性の改良と同時に、pvcの剛性または
耐熱変形性を低下させるという欠点を有する。従って、
剛性または耐熱変形性を低下させることなく、PVCの
衝撃強度を向上させる添加剤の開発が強く望まれていた
。
(課題を解決するための手段)
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を続け
てきた。その結果、特定のアルキル鎖を有する環状ジア
ルキルシロキサンを塩素化した化合物は、PVCの剛性
および耐熱変形性を低下させることなく衝撃強度を著し
く向上させることを見出し、本発明を提案するに至った
。
てきた。その結果、特定のアルキル鎖を有する環状ジア
ルキルシロキサンを塩素化した化合物は、PVCの剛性
および耐熱変形性を低下させることなく衝撃強度を著し
く向上させることを見出し、本発明を提案するに至った
。
即ち、本発明は、下記一般式(1)
で示され、分子中に含まれる塩素原子と水素原子〜0.
8である塩素化環状ジアルキルシロキサンよりなる耐衝
撃性改良剤である。
8である塩素化環状ジアルキルシロキサンよりなる耐衝
撃性改良剤である。
前記一般式〔I〕中、R’およびR2は、塩素原子で置
換されていてもよい炭素数5〜16のアルキル基である
。炭素数が5未満のときは耐衝撃性改良効果が小さく、
炭素数が16を越えるときは、得られる化合物の合成収
率が低下するために好ましくない。炭素数5〜16のア
ルキル基としては、具体的には、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウ
ンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル
基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基が挙げられる。こ
れらのアルキル基は、後述するように本発明で用いる塩
素化環状ジアルキルシロキサン中に含まれる塩素原子と
水素原子の数を夫々mいう)が0.005〜0.8の範
囲となるように塩素原子で置換されている。従って、前
記一般式CIE中、R1およびR2で表わされる塩素原
子で置換されていてもよい炭素数5〜16のアルキル基
は、一般弐で次のように表わされる。
換されていてもよい炭素数5〜16のアルキル基である
。炭素数が5未満のときは耐衝撃性改良効果が小さく、
炭素数が16を越えるときは、得られる化合物の合成収
率が低下するために好ましくない。炭素数5〜16のア
ルキル基としては、具体的には、ペンチル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウ
ンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル
基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基が挙げられる。こ
れらのアルキル基は、後述するように本発明で用いる塩
素化環状ジアルキルシロキサン中に含まれる塩素原子と
水素原子の数を夫々mいう)が0.005〜0.8の範
囲となるように塩素原子で置換されている。従って、前
記一般式CIE中、R1およびR2で表わされる塩素原
子で置換されていてもよい炭素数5〜16のアルキル基
は、一般弐で次のように表わされる。
CxHzX−+−ycIl y
塩素原子の置換位置は、後述する本発明で用いる化合物
の製造方法b)のように、塩素化オレフィンにジクロル
シランを付加させ、次いで加水分解して縮合させる方法
において、原料の塩素化オレフィンとして塩素の置換位
置の明確なものを使用した場合には原料から特定可能で
ある。一方、後述する本発明で用いる化合物の製造方法
a)のように環状ジアルキルシロキサンを塩素化する方
法を採用した場合には、塩素原子がランダムに導入され
るために塩素原子の置換位置を厳密に決定することは困
難であるが、+3c−核磁気共鳴スペクトル(以下、
” C−NMRと略す)によりR’ およびR2中の塩
素原子の数およびその部分構造をある程度決定すること
ができる。即ち、塩素化度が0.025程変のとき塩素
化されたアルキル基中に含まれる塩素原子は0又は1個
であり、唯1つの−C−Cj2ユニットの存在が確認で
きる。塩素化度が0.075程度のとき塩素化されたア
ルキル基中には複数の−C−CIユニットが含まれるよ
うにl なるが、−〇−ユニットは見られない。さらにl 塩素化度が0.16程度になると、塩素化されたアルキ
ル基中に一〇−ユニットが含まれるようになる。
の製造方法b)のように、塩素化オレフィンにジクロル
シランを付加させ、次いで加水分解して縮合させる方法
において、原料の塩素化オレフィンとして塩素の置換位
置の明確なものを使用した場合には原料から特定可能で
ある。一方、後述する本発明で用いる化合物の製造方法
a)のように環状ジアルキルシロキサンを塩素化する方
法を採用した場合には、塩素原子がランダムに導入され
るために塩素原子の置換位置を厳密に決定することは困
難であるが、+3c−核磁気共鳴スペクトル(以下、
” C−NMRと略す)によりR’ およびR2中の塩
素原子の数およびその部分構造をある程度決定すること
ができる。即ち、塩素化度が0.025程変のとき塩素
化されたアルキル基中に含まれる塩素原子は0又は1個
であり、唯1つの−C−Cj2ユニットの存在が確認で
きる。塩素化度が0.075程度のとき塩素化されたア
ルキル基中には複数の−C−CIユニットが含まれるよ
うにl なるが、−〇−ユニットは見られない。さらにl 塩素化度が0.16程度になると、塩素化されたアルキ
ル基中に一〇−ユニットが含まれるようになる。
前記一般式(工〕中のR
およびR2で示され
る塩素原子で置換されていてもよい炭素数5〜16のア
ルキル基は、炭素数、置換されている塩素原子数および
その置換位置が同一であっても異なっていてもよく、ま
た、−分子中に存在する複数個のR1およびR2は、各
R1および各R2の間で炭素数、置換されている塩素原
子数およびその置換位置が同一であっても異なっていて
もよい。
ルキル基は、炭素数、置換されている塩素原子数および
その置換位置が同一であっても異なっていてもよく、ま
た、−分子中に存在する複数個のR1およびR2は、各
R1および各R2の間で炭素数、置換されている塩素原
子数およびその置換位置が同一であっても異なっていて
もよい。
前記一般式〔I〕中のβは3または4である。
lが2以下および5以上の化合物は合成困難である。
本発明で用いる塩素化環状ジアルキルシロキサンは、分
子中に含まれる塩素原子と水素原子の数が0.005〜
0.8の範囲である。塩素化度が0.005未満のとき
はPVCのゲル化が遅延され好ましくなく、また、塩素
化度が0.8を越えるときは耐衝撃性改良効果が小さく
好ましくない。耐衝撃性改良効果を特に良く発揮される
ためには、上記の塩素化度は0.02〜0.5の範囲で
あることが好ましい。
子中に含まれる塩素原子と水素原子の数が0.005〜
0.8の範囲である。塩素化度が0.005未満のとき
はPVCのゲル化が遅延され好ましくなく、また、塩素
化度が0.8を越えるときは耐衝撃性改良効果が小さく
好ましくない。耐衝撃性改良効果を特に良く発揮される
ためには、上記の塩素化度は0.02〜0.5の範囲で
あることが好ましい。
本発明で用いる化合物の構造は、次の様な方法で確認す
ることができる。
ることができる。
(1)赤外吸収スペクトル(以下、IRと略す)の測定
本発明で用いる塩素化環状ジアルキルシロキサンのIR
を測定すると、3,000〜2,850 c+s−’付
近に脂肪族の炭素−水素結合に基づく吸収が現れる。
を測定すると、3,000〜2,850 c+s−’付
近に脂肪族の炭素−水素結合に基づく吸収が現れる。
さらに塩素化環状ジアルキルシロキサンが環状3量体で
あるときには1,005 c+g−’に、また環状4量
体であるときには1,080 cm−’に5i−0結合
に基づく吸収が現れる。
あるときには1,005 c+g−’に、また環状4量
体であるときには1,080 cm−’に5i−0結合
に基づく吸収が現れる。
(2)元素分析
本発明で用いる塩素化環状ジアルキルシロキサンの元素
分析を行うことにより、炭素、水素および塩素の重量百
分率がわかる。
分析を行うことにより、炭素、水素および塩素の重量百
分率がわかる。
(3) ”C−NMR
本発明で用いる塩素化環状ジアルキルシロキサンのIf
fC−NMRを測定すると、テトラメチルシラン基準、
低磁場を正で表わした場合、10〜40ppm付近に側
鎖の炭素の吸収が現れる。また、40が現れる。さらに
、40〜70ppm付近に現れる吸収ピークの分裂の挙
動から、一般式CI〕で示される塩素化環状ジアルキル
シロキサンの側鎖塩素化アルキル基中に含まれる一C=
CZユニットの数に関する情報が得られる。
fC−NMRを測定すると、テトラメチルシラン基準、
低磁場を正で表わした場合、10〜40ppm付近に側
鎖の炭素の吸収が現れる。また、40が現れる。さらに
、40〜70ppm付近に現れる吸収ピークの分裂の挙
動から、一般式CI〕で示される塩素化環状ジアルキル
シロキサンの側鎖塩素化アルキル基中に含まれる一C=
CZユニットの数に関する情報が得られる。
又、後述する製造方法a)により本発明で用いる塩素化
環状ジアルキルシロキサンを製造した場合には、10〜
40ppm付近に現れる吸収ピークの位置およびピーク
の積分強度から、塩素化反応中にアルキル基の切断が起
っていないことが確認できる。
環状ジアルキルシロキサンを製造した場合には、10〜
40ppm付近に現れる吸収ピークの位置およびピーク
の積分強度から、塩素化反応中にアルキル基の切断が起
っていないことが確認できる。
(4) ”St−核磁気共鳴スペクトル(以下、29
31NMRと略す) 本発明で用いる塩素化環状ジアルキルシロキサンの ”
Si NMRと測定すると、テトラメチルシラン基準
、低磁場を正として表わした場合、−9〜−23ppm
の間にシロキサン環状3量体又はシロキサン環状4量体
のケイ素による単一のピークが現れる。
31NMRと略す) 本発明で用いる塩素化環状ジアルキルシロキサンの ”
Si NMRと測定すると、テトラメチルシラン基準
、低磁場を正として表わした場合、−9〜−23ppm
の間にシロキサン環状3量体又はシロキサン環状4量体
のケイ素による単一のピークが現れる。
IRおよび”Si−NMRの結果より、本発明で用いる
塩素化環状ジアルキルシロキサンが環状構造を持つこと
が確認される。
塩素化環状ジアルキルシロキサンが環状構造を持つこと
が確認される。
(5) ゲルパーミュージョンクロマトグラフィー(
以下、GPCと略す) 本発明で用いる塩素化環状ジアルキルシロキサンのGP
Cを測定すると、分子長500〜7,000の間に吸収
が現れる。
以下、GPCと略す) 本発明で用いる塩素化環状ジアルキルシロキサンのGP
Cを測定すると、分子長500〜7,000の間に吸収
が現れる。
本発明で用いる塩素化環状ジアルキルシロキサンの製造
方法は特に限定されるものではない。代表的な製造方法
を以下に2つ例示する。
方法は特に限定されるものではない。代表的な製造方法
を以下に2つ例示する。
(1)一般式(n)
R21
で示される環状ジアルキルシロキサンを塩素化すること
により前記一般式[■]で示される塩素化環状ジアルキ
ルシロキサンを製造する方法。
により前記一般式[■]で示される塩素化環状ジアルキ
ルシロキサンを製造する方法。
上記一般式[■]で示される化合物は次の方法によって
得ることができる。
得ることができる。
一般式〔■〕
R’ CH=CHz (III )で示
される同種又は異種のオレフィンと、ジクロルシランを
塩化白金酸を触媒として反応させて一般式〔■〕 で示される化合物を得、次いで、一般式(IV)で示さ
れる化合物を水又は塩酸と接触させる方法である。
される同種又は異種のオレフィンと、ジクロルシランを
塩化白金酸を触媒として反応させて一般式〔■〕 で示される化合物を得、次いで、一般式(IV)で示さ
れる化合物を水又は塩酸と接触させる方法である。
一般式〔■〕で示されるオレフィンとジクロルシランと
の反応は、一般に無溶媒で行なわれるが、溶媒が存在し
てもさしつかえない。触媒として使用する塩化白金酸の
量はジクロルシラン1モルに対し1〜10−8モルの範
囲が好ましい。また、反応温度は一般に一20°C〜2
00°Cから選ばれる。
の反応は、一般に無溶媒で行なわれるが、溶媒が存在し
てもさしつかえない。触媒として使用する塩化白金酸の
量はジクロルシラン1モルに対し1〜10−8モルの範
囲が好ましい。また、反応温度は一般に一20°C〜2
00°Cから選ばれる。
一般式(IV)で示される化合物と水又は塩酸との反応
において、これら両者の反応比率は特に制約はないが、
一般に10=1〜1:10(モル比)の範囲が好ましい
。この反応は、−]1に有機溶媒を用いるのが好ましい
。該溶媒として好適に使用されるものを例示すれば、ジ
エチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジローブチ
ルエーテル等のエーテル類;ジエチルケトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトフヱノン
、シクロヘキサノン等のケトン類;ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、石油エーテル、クロ
ロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン等の芳香族又は
脂肪族の炭化水素類あるいはハロゲン化炭化水素があり
、特にエーテル、ケトン類等の極性非水溶液が好適であ
る。また、2種以上の溶媒を混合して使用してもさしつ
かえない。
において、これら両者の反応比率は特に制約はないが、
一般に10=1〜1:10(モル比)の範囲が好ましい
。この反応は、−]1に有機溶媒を用いるのが好ましい
。該溶媒として好適に使用されるものを例示すれば、ジ
エチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジローブチ
ルエーテル等のエーテル類;ジエチルケトン、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトフヱノン
、シクロヘキサノン等のケトン類;ベンゼン、トルエン
、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、石油エーテル、クロ
ロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン等の芳香族又は
脂肪族の炭化水素類あるいはハロゲン化炭化水素があり
、特にエーテル、ケトン類等の極性非水溶液が好適であ
る。また、2種以上の溶媒を混合して使用してもさしつ
かえない。
反応温度は、一般に0〜100°Cの範囲から採用され
る。
る。
この反応においては、反応時間が得られる化合物の構造
を決定する。即ち、一般式(I[)で示される化合物中
、!=3の化合物は反応時間を2時間以内、β=4の化
合物は反応時間を48時間以上とすることにより収率よ
く得られる。
を決定する。即ち、一般式(I[)で示される化合物中
、!=3の化合物は反応時間を2時間以内、β=4の化
合物は反応時間を48時間以上とすることにより収率よ
く得られる。
また、この反応においては副生物が生成することがあり
、この副生物が後の反応を阻害する場合には、溶媒抽出
や蒸留等の方法によって副生物を除去することが好まし
い。
、この副生物が後の反応を阻害する場合には、溶媒抽出
や蒸留等の方法によって副生物を除去することが好まし
い。
次にこの様にして得られた一般式〔■]で示される化合
物を塩素化して本発明で用いる塩素化環状ジアルキルシ
ロキサンを製造する方法について述べる。
物を塩素化して本発明で用いる塩素化環状ジアルキルシ
ロキサンを製造する方法について述べる。
この塩素化の方法としては、アルキル基を塩素化できる
方法であれば特に限定されることなく用いることができ
る。
方法であれば特に限定されることなく用いることができ
る。
塩素化試剤についても特に限定されるものではないが、
一般には溶媒中で塩素ガスを用い、ラジカル開始剤の存
在下又は光によって塩素化する方法が採用される。
一般には溶媒中で塩素ガスを用い、ラジカル開始剤の存
在下又は光によって塩素化する方法が採用される。
この塩素化反応において用いられる溶媒は、般式(IN
で示される化合物を溶解もしくは懸濁させるものであれ
ば特に限定されないが、一般には、四塩化炭素、テトラ
クロルエチレン、クロロホルム、フロン類などの脂肪族
炭化水素のハロゲン化物が好適である。
で示される化合物を溶解もしくは懸濁させるものであれ
ば特に限定されないが、一般には、四塩化炭素、テトラ
クロルエチレン、クロロホルム、フロン類などの脂肪族
炭化水素のハロゲン化物が好適である。
この時、一般式(n)で示される化合物の濃度は0.1
〜80重量%の範囲であれば良いが、1〜50重量%の
範囲が好適である。
〜80重量%の範囲であれば良いが、1〜50重量%の
範囲が好適である。
又、この塩素化反応においては、塩素ラジカルを発生さ
せるために、ラジカル開始剤を添加するか、又は光を照
射することが一般に行なわれる。
せるために、ラジカル開始剤を添加するか、又は光を照
射することが一般に行なわれる。
ラジカル開始剤として好適に使用されるものを例示すれ
ば、過酸化t−ブチル、過酸化ベンゾイル、過酸化アセ
チルなとの過酸化物;過酢酸t−ブチル、過安息香酸t
−ブチル、過フェニル酢酸t−ブチルなとの過酸エステ
ル類;あるいは、フェニルアゾトリフェニルメタン、ア
ゾインブチロニトリルなどのアゾ化合物があげられる。
ば、過酸化t−ブチル、過酸化ベンゾイル、過酸化アセ
チルなとの過酸化物;過酢酸t−ブチル、過安息香酸t
−ブチル、過フェニル酢酸t−ブチルなとの過酸エステ
ル類;あるいは、フェニルアゾトリフェニルメタン、ア
ゾインブチロニトリルなどのアゾ化合物があげられる。
この時、ラジカル開始剤の量は一般式(II)で示され
る化合物に対して0.1〜50重量%の範囲であれば良
いが、1〜10重量%の範囲が好適である。
る化合物に対して0.1〜50重量%の範囲であれば良
いが、1〜10重量%の範囲が好適である。
この塩素化反応における塩素ガスの流量は、反応のスケ
ールによって異なるが、一般式〔lI)で示される化合
物のモル当りの塩素流量で表わせば0、001〜100
taol /sinの範囲であるが、反応時間および塩
素の反応効率等を考慮すると0.01〜1mol/si
nの範囲が好適である。
ールによって異なるが、一般式〔lI)で示される化合
物のモル当りの塩素流量で表わせば0、001〜100
taol /sinの範囲であるが、反応時間および塩
素の反応効率等を考慮すると0.01〜1mol/si
nの範囲が好適である。
反応温度は0〜200 ”Cの範囲であれば良いが、2
0〜100°Cの範囲が好適である。
0〜100°Cの範囲が好適である。
反応時間は製造したい塩素化環状ジアルキルシロキサン
に含まれる塩素量に応じて決定すればよい。反応温度お
よび塩素流量が上記好適範囲であれば、塩素はほぼ定量
的に反応する。
に含まれる塩素量に応じて決定すればよい。反応温度お
よび塩素流量が上記好適範囲であれば、塩素はほぼ定量
的に反応する。
b)本発明で用いる塩素化環状ジアルキルシロキサンを
製造する第2の方法は、一般弐(V)R1# C1−5i−CI I:V)R2# で示されるビスクロルアルキルジクロルシランを水また
は塩酸と接触させる方法である。
製造する第2の方法は、一般弐(V)R1# C1−5i−CI I:V)R2# で示されるビスクロルアルキルジクロルシランを水また
は塩酸と接触させる方法である。
上記一般式〔VIで示される化合物は、次の方法によっ
て得ることができる。
て得ることができる。
一般式〔■〕
C,R2,XCf、 CVI )で示
され、末端に炭素−炭素二重結合を有する同種又は異種
のオレフィンとジクロルシランを塩化白金酸を触媒とし
て反応させる方法である。
され、末端に炭素−炭素二重結合を有する同種又は異種
のオレフィンとジクロルシランを塩化白金酸を触媒とし
て反応させる方法である。
この時、一般式〔■]で示される化合物は同種であって
も異種であってもよいが、得られる塩素化環状ジアルキ
ルシロキサンの塩素化度が0.005〜0.8の範囲と
なるように、一般式(Vl)で示される化合物の塩素含
有量を決定すればよい。
も異種であってもよいが、得られる塩素化環状ジアルキ
ルシロキサンの塩素化度が0.005〜0.8の範囲と
なるように、一般式(Vl)で示される化合物の塩素含
有量を決定すればよい。
なお、この方法は、前述した本発明で用いる塩素化環状
ジアルキルシロキサンを製造するa〕の方法において、
一般式〔f[[]で示される化合物から一般式(IV)
で示される化合物を得る時の方法と同様にして行うこと
ができる。
ジアルキルシロキサンを製造するa〕の方法において、
一般式〔f[[]で示される化合物から一般式(IV)
で示される化合物を得る時の方法と同様にして行うこと
ができる。
この様にして得られた一般式〔V)で示される化合物を
原料にして、前述の一般式(IV)の化合物から一般式
(II)の化合物を得るのと同様の方法で本発明で用い
る塩素化環状ジアルキルシロキサンを得ることができる
。
原料にして、前述の一般式(IV)の化合物から一般式
(II)の化合物を得るのと同様の方法で本発明で用い
る塩素化環状ジアルキルシロキサンを得ることができる
。
(効 果)
本発明の耐衝撃性改良剤は、PVCの衝撃強度を著しく
向上させるという特異な効果を有する。
向上させるという特異な効果を有する。
さらに、その際にPVCの耐熱変形性および剛性を低下
させることはない。この効果は、PVCに限られるもの
ではなく熱可塑性樹脂全般について得られるが、特にP
VC又は塩素化塩化ビニル樹脂(以下、cpvcという
)のときに顕著である。
させることはない。この効果は、PVCに限られるもの
ではなく熱可塑性樹脂全般について得られるが、特にP
VC又は塩素化塩化ビニル樹脂(以下、cpvcという
)のときに顕著である。
本発明の耐衝撃性改良剤は、熱可塑性樹脂に単独もしく
は安定剤および無機充填剤などの他の物性改良剤ととも
に用いることができる。この時、耐衝撃性改良剤の配合
量は、熱可塑性樹脂100重量部に対して0.05〜5
0重量部の範囲であればよいが、操作性を勘案すると0
.1〜20重量部の範囲が好ましい。
は安定剤および無機充填剤などの他の物性改良剤ととも
に用いることができる。この時、耐衝撃性改良剤の配合
量は、熱可塑性樹脂100重量部に対して0.05〜5
0重量部の範囲であればよいが、操作性を勘案すると0
.1〜20重量部の範囲が好ましい。
具体的には、一般式(T)においてR1およびR2の炭
素数が8、lが3であり、塩素化度が0.16である塩
素化環状ジアルキルシロキサンをPVC100重量部に
対して3重量部添加すると、添加したPVCのシャルピ
ー衝撃強度は、無添加PVCの約1.7倍に向上する。
素数が8、lが3であり、塩素化度が0.16である塩
素化環状ジアルキルシロキサンをPVC100重量部に
対して3重量部添加すると、添加したPVCのシャルピ
ー衝撃強度は、無添加PVCの約1.7倍に向上する。
しかも、このときのPVCのビーカット軟化温度および
引張弾性率は、無添加PVCに比べて変化しない。
引張弾性率は、無添加PVCに比べて変化しない。
この様な特異な効果は、後述する実施例及び比較例の対
比で明らかな様に本発明の塩素化環状ジアルキルシロキ
サンよりなる耐衝撃性改良剤に特有な効果である。
比で明らかな様に本発明の塩素化環状ジアルキルシロキ
サンよりなる耐衝撃性改良剤に特有な効果である。
(実施例)
本発明を更に具体的に説明するため、以下、実施例およ
び比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例
になんら限定されるものではない。
び比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例
になんら限定されるものではない。
なお、実施例および比較例中に示した樹脂の物性は次の
方法で評価した。
方法で評価した。
(1) シャルピー衝撃強度 JIS X7111(
2)引張弾性率 JISに71工3(3)ビー
カット軟化温度 JIS X7206 B法(4)ゲ
ル化時間 下記の条件で測定した。
2)引張弾性率 JISに71工3(3)ビー
カット軟化温度 JIS X7206 B法(4)ゲ
ル化時間 下記の条件で測定した。
条件:設定温度180°C1余熱時間5分樹脂量61g
、ローター回転数30r、p、m製造例1 1−オクテン226gに塩化白金酸のイソプロピルアル
コール溶液(HzPtCL I X 10−’履oj2
/イソプロピルアルコール111!!、)を0.1nl
加えた。この液を30°Cに加熱した後、ジクロルシラ
ン101gを5時間かけて導入し、1−オクテンとジク
ロルシランを反応させ、液状反応物327gを得た。
、ローター回転数30r、p、m製造例1 1−オクテン226gに塩化白金酸のイソプロピルアル
コール溶液(HzPtCL I X 10−’履oj2
/イソプロピルアルコール111!!、)を0.1nl
加えた。この液を30°Cに加熱した後、ジクロルシラ
ン101gを5時間かけて導入し、1−オクテンとジク
ロルシランを反応させ、液状反応物327gを得た。
メチルイソブチルケトン(以下MIBKと略す)1!お
よび3規定の塩酸水溶液500+f!を60°Cに加熱
した。この混合溶液に前記操作で得た1オクテンとジク
ロルシランの反応物327gを撹拌しながら約5分間で
添加し、更に60°Cで30分間撹拌をつづけ、加水分
解を行なった。室温まで冷却後、MrBに層を取り出し
純水で中性になるまで洗浄した。MIBKを除去した後
、反応生成物にアセトン11およびメチルアルコール1
1を加えた。
よび3規定の塩酸水溶液500+f!を60°Cに加熱
した。この混合溶液に前記操作で得た1オクテンとジク
ロルシランの反応物327gを撹拌しながら約5分間で
添加し、更に60°Cで30分間撹拌をつづけ、加水分
解を行なった。室温まで冷却後、MrBに層を取り出し
純水で中性になるまで洗浄した。MIBKを除去した後
、反応生成物にアセトン11およびメチルアルコール1
1を加えた。
50°Cに加熱して10分間撹拌し、室温まで冷却し、
静置すると2層に分離した。下層を取り出し減圧乾燥し
、反応生成物189gを得た。該化合物は下記の種々の
測定結果により、ヘキサオクチルシクロトリシロキサン
(以下、0ctIhと略す)であることを確認した。
静置すると2層に分離した。下層を取り出し減圧乾燥し
、反応生成物189gを得た。該化合物は下記の種々の
測定結果により、ヘキサオクチルシクロトリシロキサン
(以下、0ctIhと略す)であることを確認した。
(1)IR
3000cm” ’〜2850cm−’に脂肪族に炭素
−水素結合に基づく吸収、10010O5’にシロキサ
ンの環状3量体に特有の5i−0結合に基づく吸収が現
れる。
−水素結合に基づく吸収、10010O5’にシロキサ
ンの環状3量体に特有の5i−0結合に基づく吸収が現
れる。
(2) ’H−NMR(テトラメチルシラン基準、低
磁場を正として表した。) 0、56 ppmに5i−CHz−(CHz) 6−C
H3の5i−C)12−の吸収、0.88 ppmに5
i−CHz−(CHz) 6−CH3の−CFI3の吸
収、1.29ppmに5i−CFlz−(CHz) 6
−CH3の=(CH2)6の吸収が現れる。
磁場を正として表した。) 0、56 ppmに5i−CHz−(CHz) 6−C
H3の5i−C)12−の吸収、0.88 ppmに5
i−CHz−(CHz) 6−CH3の−CFI3の吸
収、1.29ppmに5i−CFlz−(CHz) 6
−CH3の=(CH2)6の吸収が現れる。
(3) ”Si−NMR(テトラメチルシラン基準、
低磁場を正として表した) −10,7ppn+に単一の環状シロキサンに基づく吸
収が現れる。
低磁場を正として表した) −10,7ppn+に単一の環状シロキサンに基づく吸
収が現れる。
(4)C,Pに
の化合物の重量平均分子量(以下、Mwという)は82
0であり、数平均分子量(以下、Mnという)も820
であった。
0であり、数平均分子量(以下、Mnという)も820
であった。
(5)元素分析
この化合物の元素分析値は炭素70.93 wt%、水
素12.42 wt%であり、0ctD3の理論値であ
る炭素71.04 ivt%、水素12.67 wt%
とよく一致した。
素12.42 wt%であり、0ctD3の理論値であ
る炭素71.04 ivt%、水素12.67 wt%
とよく一致した。
なお以下の製造例における生成物の構造も上記と同様な
手法で決定した。
手法で決定した。
製造例2
製造例1において、使用するオレフィンを170gの1
−ヘキセンとする以外はすべて製造例1と同様の操作を
行い、反応生成物148gを得た。
−ヘキセンとする以外はすべて製造例1と同様の操作を
行い、反応生成物148gを得た。
このものの元素分析値は炭素67.15 imt%、水
素12.18 wt%であり、ヘキサヘキシルシクロト
リシロキサンの理論値である炭素67.23 wt%、
水素12.22 wt%とよ(一致した。また、このも
のの分子量をGPCで測定したところMw、Mnとも6
40であった。さらにI R,’H−NMR,”Si−
NMR等の機器分析の結果を勘案し、該生成物がヘキサ
ヘキシルシクロトリシロキサン(以下、FiexD3と
略す)であることを確認した。
素12.18 wt%であり、ヘキサヘキシルシクロト
リシロキサンの理論値である炭素67.23 wt%、
水素12.22 wt%とよ(一致した。また、このも
のの分子量をGPCで測定したところMw、Mnとも6
40であった。さらにI R,’H−NMR,”Si−
NMR等の機器分析の結果を勘案し、該生成物がヘキサ
ヘキシルシクロトリシロキサン(以下、FiexD3と
略す)であることを確認した。
製造例3
1−へキサデセン228gに製造例1で使用したのと同
一濃度の塩化白金酸のイソブロビルアルコール溶液を0
.05mj!加えた。この液を30°Cに加熱した後、
ジクロルシラン50gを3時間で導入し、1−へキサデ
センとジクロルシランを反応させ、反応生成物278g
を得た。
一濃度の塩化白金酸のイソブロビルアルコール溶液を0
.05mj!加えた。この液を30°Cに加熱した後、
ジクロルシラン50gを3時間で導入し、1−へキサデ
センとジクロルシランを反応させ、反応生成物278g
を得た。
MIBKIlおよび3規定の塩酸水溶液500m1を9
0°Cに加熱した。この混合溶液に前記操作で得た1−
へキサデセンとジクロルシランの反応物278gを撹拌
下に約5分間で加えた。90分後、AIBN層を取り出
し、中性になるまで約60℃以上の温水で洗浄した。A
IBN層を室温まで冷却すると、固体が析出したので濾
別し、減圧乾燥し、固体の生成物197gを得た。この
ものの元素分析値は炭素77.59 wt%、水素13
.36 wt%であり、ヘキサヘキサデシルクロトリシ
ロキサンの理論値である炭素77.65 wt%、水素
13.44 wt%とよく一致した。
0°Cに加熱した。この混合溶液に前記操作で得た1−
へキサデセンとジクロルシランの反応物278gを撹拌
下に約5分間で加えた。90分後、AIBN層を取り出
し、中性になるまで約60℃以上の温水で洗浄した。A
IBN層を室温まで冷却すると、固体が析出したので濾
別し、減圧乾燥し、固体の生成物197gを得た。この
ものの元素分析値は炭素77.59 wt%、水素13
.36 wt%であり、ヘキサヘキサデシルクロトリシ
ロキサンの理論値である炭素77.65 wt%、水素
13.44 wt%とよく一致した。
また、このものの分子量をGPCで測定したところMw
は1500であり、Mnも1500であった。さらにI
R,II−NMR,”Si−NMR等の機器分析の結
果を勘案し、該生成物かへキサヘキサデシルシクロトリ
シロキサン(以下、HexdD3と略す)であることを
確認した。
は1500であり、Mnも1500であった。さらにI
R,II−NMR,”Si−NMR等の機器分析の結
果を勘案し、該生成物かへキサヘキサデシルシクロトリ
シロキサン(以下、HexdD3と略す)であることを
確認した。
製造例4
n−ヘキサン300n+fをO″Cに冷却した後、ジク
ロルシランlo1gを導入した。この液に製造例1と同
一濃度の塩化白金酸のイソプロピルアルコール溶液を0
.1n+f加えた。反応器内の温度ヲ0 ’C〜8°C
の間に保ちつつ1−オクテン112gを3時間で滴下し
た。次に反応器内の温度を20°C〜30℃に保ちつつ
、1−ヘキセン84gを3時間で滴下した。反応終了後
n−ヘキサンを除去し、1−ヘキセンおよび1−オクテ
ンとジクロルシランの反応物を297g得た。
ロルシランlo1gを導入した。この液に製造例1と同
一濃度の塩化白金酸のイソプロピルアルコール溶液を0
.1n+f加えた。反応器内の温度ヲ0 ’C〜8°C
の間に保ちつつ1−オクテン112gを3時間で滴下し
た。次に反応器内の温度を20°C〜30℃に保ちつつ
、1−ヘキセン84gを3時間で滴下した。反応終了後
n−ヘキサンを除去し、1−ヘキセンおよび1−オクテ
ンとジクロルシランの反応物を297g得た。
阿IBKINおよび3規定の塩酸水溶液500I111
を60°Cに加熱した。この混合溶液に前記操作で得た
1−ヘキセンおよび1−オクテンとジクロルシランの反
応物297gを撹拌下に約5分間で加え、加水分解を行
った。AIBN層を取り出し純水で中性になるまで洗浄
した。MIBKを除去した後、反応生成物にアセトン1
2およびメタノール11を加えた。50℃に加熱し、1
0分間撹拌した。静置すると2層に分離した。下層を取
り出して減圧乾燥し、反応生成物167gを得た。この
ものの元素分析値は炭素69.28 wt%、水素12
.38 wt%であり、L3,5− )リヘキシル−1
,3,5−トリオクチルシクロテトラシロキサンの理論
値である炭素69.36 wt%、水素12.47 w
t%とよく一致した。また、このものの分子量をGPC
で測定したところMwは740であり、Mnも740で
あった。
を60°Cに加熱した。この混合溶液に前記操作で得た
1−ヘキセンおよび1−オクテンとジクロルシランの反
応物297gを撹拌下に約5分間で加え、加水分解を行
った。AIBN層を取り出し純水で中性になるまで洗浄
した。MIBKを除去した後、反応生成物にアセトン1
2およびメタノール11を加えた。50℃に加熱し、1
0分間撹拌した。静置すると2層に分離した。下層を取
り出して減圧乾燥し、反応生成物167gを得た。この
ものの元素分析値は炭素69.28 wt%、水素12
.38 wt%であり、L3,5− )リヘキシル−1
,3,5−トリオクチルシクロテトラシロキサンの理論
値である炭素69.36 wt%、水素12.47 w
t%とよく一致した。また、このものの分子量をGPC
で測定したところMwは740であり、Mnも740で
あった。
I R,’H−NMR,”Si−NMRの結果も合せて
勘案し、この化合物が1.3.5−1−リヘキシルー1
.3.5−トリトクチルシクロテトラシロキサン(以下
、Heχ0ctD3と略す)であることを確認した。
勘案し、この化合物が1.3.5−1−リヘキシルー1
.3.5−トリトクチルシクロテトラシロキサン(以下
、Heχ0ctD3と略す)であることを確認した。
製造例5
製造例1において使用するオレフィンを170gの1−
ヘキセンとし、さらにジクロルシランとの反応物を加水
分解させる時間を72時間とする以外はすべて製造例1
と同様の操作を行ない、反応生成物150gを得た。こ
のものの元素分析値は炭素67.18 wt%、水素1
2.21 wt%であり、オクタヘキシルテトラシロキ
サンの理論値である炭素67.23圓t%、水素12.
22 wt%とよく一致した。また、このものの分子量
をGPCで測定したところ、Mw、Mnとも860であ
った。また、IRにおいて108108O’に環状4量
体の5i−0結合に基づくピークが現れた。さらに”
”S i −NMRにおいて−21,9ppmに環状4
量体のケイ素に基づく単一のピークが現れた。その他’
H−NMRの結果等も勘案し、該生成物がオクタヘキシ
ルテトラシロキサン(以下、11exD、と略す)であ
ることを確認した。
ヘキセンとし、さらにジクロルシランとの反応物を加水
分解させる時間を72時間とする以外はすべて製造例1
と同様の操作を行ない、反応生成物150gを得た。こ
のものの元素分析値は炭素67.18 wt%、水素1
2.21 wt%であり、オクタヘキシルテトラシロキ
サンの理論値である炭素67.23圓t%、水素12.
22 wt%とよく一致した。また、このものの分子量
をGPCで測定したところ、Mw、Mnとも860であ
った。また、IRにおいて108108O’に環状4量
体の5i−0結合に基づくピークが現れた。さらに”
”S i −NMRにおいて−21,9ppmに環状4
量体のケイ素に基づく単一のピークが現れた。その他’
H−NMRの結果等も勘案し、該生成物がオクタヘキシ
ルテトラシロキサン(以下、11exD、と略す)であ
ることを確認した。
製造例6
製造例5において使用するオレフィンを226gの1−
オクテンとする他は全く同様の操作を行ない反応生成物
191gを得た。
オクテンとする他は全く同様の操作を行ない反応生成物
191gを得た。
製造例5と同様の確認方法によりこのものがオクタオク
チルテトラシロキサン(以下、0ctDnと略す)であ
ることを確認した。
チルテトラシロキサン(以下、0ctDnと略す)であ
ることを確認した。
製造例7
製造例1で得られた0ctDz 40 g、アゾビスイ
ソブチロニトリル(以下、AIBNと略す)0.4gお
よび四塩化炭素500mfから成る溶液に70℃撹拌下
で塩素ガスを608cc/minの流速で吹き込み1時
間反応を行った。反応終了後、反応液を濃縮し、過剰量
のメタノールに撹拌上展開した後、撹拌を停止し、静止
させたところ2層に分離した。
ソブチロニトリル(以下、AIBNと略す)0.4gお
よび四塩化炭素500mfから成る溶液に70℃撹拌下
で塩素ガスを608cc/minの流速で吹き込み1時
間反応を行った。反応終了後、反応液を濃縮し、過剰量
のメタノールに撹拌上展開した後、撹拌を停止し、静止
させたところ2層に分離した。
この時未反応のAIBNはメタノール層に抽出される。
下層の生成物を分液後、減圧乾燥して室温で粘稠液体で
ある塩素化物を43.3 g得た。このものの構造は以
下の方法で確認した。
ある塩素化物を43.3 g得た。このものの構造は以
下の方法で確認した。
(1)IR
3,000〜2,850 cm−’に脂肪族の炭素−水
素結合に基づく吸収、LOO5cra−’に環状3量体
の5i−0結合に基づく吸収が現れる。
素結合に基づく吸収、LOO5cra−’に環状3量体
の5i−0結合に基づく吸収が現れる。
(2) ”Si−NMR(テトラメチルシラン基準、
低磁場を正として表わした) −10,8ppmに環状3量体のケイ素に帰因する単一
のピークが現れる。IRおよび29Si−NMRの結果
から、このものは塩素化反応後もシロキサンの環状3量
体構造を維持していることが確認される。
低磁場を正として表わした) −10,8ppmに環状3量体のケイ素に帰因する単一
のピークが現れる。IRおよび29Si−NMRの結果
から、このものは塩素化反応後もシロキサンの環状3量
体構造を維持していることが確認される。
(3) ”C−NMR(テトラメチルシラン基準、低
磁場を正として表わした) 下記に示すように各種炭素の吸収に対応する吸収が現れ
る。
磁場を正として表わした) 下記に示すように各種炭素の吸収に対応する吸収が現れ
る。
(a) (b) (C) (d) (e)
(f) (g) (h)c−c−c−c−c−c−
c−c 5i−0− Cs H+ 7 結合している原子が水素原子のみである炭素原子のケミ
カルシフト (a) 16.8 ppm (b) 23.3ppm (C) 32.3 ppm (d) 29.7 ppm (e) 29.7 ppm (f) 34.0 ppm (g) 22.8ppm (h) 14.lppm また、10〜40ppm付近に上記(a)〜(5)以外
の炭素に帰因する吸収が現れなかったことから、塩素化
反応中に一般式[■]中の側鎖アルキル基の切断が起き
ていないことが確認される。
(f) (g) (h)c−c−c−c−c−c−
c−c 5i−0− Cs H+ 7 結合している原子が水素原子のみである炭素原子のケミ
カルシフト (a) 16.8 ppm (b) 23.3ppm (C) 32.3 ppm (d) 29.7 ppm (e) 29.7 ppm (f) 34.0 ppm (g) 22.8ppm (h) 14.lppm また、10〜40ppm付近に上記(a)〜(5)以外
の炭素に帰因する吸収が現れなかったことから、塩素化
反応中に一般式[■]中の側鎖アルキル基の切断が起き
ていないことが確認される。
塩素原子が1つ結合している炭素原子のケミカルシフト
(a) 50.5pp涌
(b) 58.0ppm
(c) 65. Oppn+
(d) 63.0 ppm
(よ 58.0ppra
(h) 44.4ppm
このことから、塩素原子は側鎖アルキル基の炭素の位1
に依らずランダムに存在することが確認される。
に依らずランダムに存在することが確認される。
(4)GPに
のもののMwおよびMnはともに910であった。
(5)元素分析結果
このものの元素分析結果は、塩素11.60 wt%、
炭素63.’OOwt%、水素10.91 wt%であ
った。この結果からこのものの塩素化度は0.03であ
ることが確認される。
炭素63.’OOwt%、水素10.91 wt%であ
った。この結果からこのものの塩素化度は0.03であ
ることが確認される。
製造例8〜15
下表に示す条件で製造例7と同様の手順で反応を行った
。結果を表−1に示した。
。結果を表−1に示した。
これらの物質の構造は製造例7と同様の方法で確認した
。
。
実施例1
pvc (第1塩ビ販売11SA800B) 100
g ニスズ系安定剤(日東化成TVS1320) 3
g、ヘキストワックスOP(ヘキスト製)0.2g、ヘ
キストワックスE(ヘキスト製) 0.1 gおよび製
造例7で得られた塩素化環状ジアルキルシロキサン3g
を加え混合した。得られた混合粉体のうち61gを使用
してゲル化時間を測定したところ、ゲル化時間は13分
11秒であった。
g ニスズ系安定剤(日東化成TVS1320) 3
g、ヘキストワックスOP(ヘキスト製)0.2g、ヘ
キストワックスE(ヘキスト製) 0.1 gおよび製
造例7で得られた塩素化環状ジアルキルシロキサン3g
を加え混合した。得られた混合粉体のうち61gを使用
してゲル化時間を測定したところ、ゲル化時間は13分
11秒であった。
また、同様にしてこの混合粉体を165°Cのロール機
で5分間混練した。さらにこの混練物を185°Cで5
分間予熱後、同温度で180 kgG/cn+”の圧力
で5分間プレスした。得られた成型板から試料を作成し
シャルピー衝撃強度、引張弾性率、ビーカット軟化温度
を測定したところ、シャルピーa”J強度&* 5.8
kgf/cm” 、引張弾性率は300kgf/ar
m” 、ビーカット軟化温度は77.4°Cであった。
で5分間混練した。さらにこの混練物を185°Cで5
分間予熱後、同温度で180 kgG/cn+”の圧力
で5分間プレスした。得られた成型板から試料を作成し
シャルピー衝撃強度、引張弾性率、ビーカット軟化温度
を測定したところ、シャルピーa”J強度&* 5.8
kgf/cm” 、引張弾性率は300kgf/ar
m” 、ビーカット軟化温度は77.4°Cであった。
実施例2〜9
実施例1において添加する塩素化環状ジアルキルシロキ
サンを表−2に示す塩素化環状ジアルキルシロキサンに
変える以外は同様にしてシャルピー衝撃強度、引張弾性
率、ビーカット軟化温度およびゲル化温度を測定した。
サンを表−2に示す塩素化環状ジアルキルシロキサンに
変える以外は同様にしてシャルピー衝撃強度、引張弾性
率、ビーカット軟化温度およびゲル化温度を測定した。
結果を実施例1を含めて表−2に示す。なお、シャルピ
ー衝撃強度、引張弾性率およびビーカット軟化温度の値
は、後述する比較例1の塩素化環状ジアルキルシロキサ
ン無添加のPVCの各物性値をそれぞれ1とした場合の
相対値で示した。
ー衝撃強度、引張弾性率およびビーカット軟化温度の値
は、後述する比較例1の塩素化環状ジアルキルシロキサ
ン無添加のPVCの各物性値をそれぞれ1とした場合の
相対値で示した。
比較例1
PVC(第1塩ビ販売■5A800B) l OOgに
スズ系安定剤(日東化成TVS1320) 3 g、ヘ
キストワックスOP(ヘキスト製)0.2g、ヘキスト
ワックスE(ヘキスト製) 0.1 gを加え混合した
。この混合粉体を実施例1と同様の方法で成型しシャル
ピー衝撃強度、引張弾性率およびビーカット軟化温度を
測定した。その結果は、シャルピー衝撃強度3.5 k
gf/cm” 、引張弾性率302kgf/ll1m”
ビーカット軟化温度、77.4 ’Cであった。
スズ系安定剤(日東化成TVS1320) 3 g、ヘ
キストワックスOP(ヘキスト製)0.2g、ヘキスト
ワックスE(ヘキスト製) 0.1 gを加え混合した
。この混合粉体を実施例1と同様の方法で成型しシャル
ピー衝撃強度、引張弾性率およびビーカット軟化温度を
測定した。その結果は、シャルピー衝撃強度3.5 k
gf/cm” 、引張弾性率302kgf/ll1m”
ビーカット軟化温度、77.4 ’Cであった。
比較例2
実施例1において、添加する塩素化ポリジアルキルシロ
キサンを、メチルメタアクリレート−ブタジェン−スチ
レン共重合体(異層化学工業■BTA731)に変えた
ことの他は同様にして、シャルピー衝撃強度、引張弾性
率およびビーカット軟化温度を測定した。その結果、上
記比較例1の耐衝撃改良剤無添加のPVCの各物性値を
1とした場合の相対値で示して、シャルピー衝撃強度が
1.94、引張弾性率が0.88、ビーカット軟化温度
が0.99であった。
キサンを、メチルメタアクリレート−ブタジェン−スチ
レン共重合体(異層化学工業■BTA731)に変えた
ことの他は同様にして、シャルピー衝撃強度、引張弾性
率およびビーカット軟化温度を測定した。その結果、上
記比較例1の耐衝撃改良剤無添加のPVCの各物性値を
1とした場合の相対値で示して、シャルピー衝撃強度が
1.94、引張弾性率が0.88、ビーカット軟化温度
が0.99であった。
Claims (1)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、R^1およびR^2は、塩素原子で置換されて
いてもよい炭素数5〜16のアルキル基であり、lは3
または4であり、各R^1および各R^2はそれぞれ同
一であっても異なっていてもよい。〕 で示され、分子中に含まれる塩素原子と水素原子の数を
夫々mとnとしたとき、[m]/[m+n]が0.00
5〜0.8である塩素化環状ジアルキルシロキサンより
なる耐衝撃性改良剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2210311A JP2564027B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 耐衝撃性改良剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2210311A JP2564027B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 耐衝撃性改良剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0493342A true JPH0493342A (ja) | 1992-03-26 |
| JP2564027B2 JP2564027B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=16587312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2210311A Expired - Lifetime JP2564027B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 耐衝撃性改良剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2564027B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102939131B1 (ko) | 2021-01-18 | 2026-03-13 | 주식회사 엘지화학 | 염화비닐계 비그라프트 중합체의 제조방법 및 염화비닐계 비그라프트 중합체 복합체의 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50123754A (ja) * | 1974-01-16 | 1975-09-29 |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP2210311A patent/JP2564027B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50123754A (ja) * | 1974-01-16 | 1975-09-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2564027B2 (ja) | 1996-12-18 |
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