JPH0494564A - 半導体装置製造用リードフレーム - Google Patents
半導体装置製造用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0494564A JPH0494564A JP21240690A JP21240690A JPH0494564A JP H0494564 A JPH0494564 A JP H0494564A JP 21240690 A JP21240690 A JP 21240690A JP 21240690 A JP21240690 A JP 21240690A JP H0494564 A JPH0494564 A JP H0494564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- island
- internal
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造に用いるリードフレームに関
し、特にその内部リードの構造に関する。
し、特にその内部リードの構造に関する。
［従来の技術］
従来、半導体装置の製造に用いるリードフレームは、通
常、エツチング加工により形成される。
常、エツチング加工により形成される。
第３図は従来のリードフレーム製造法による内部リード
先端部のエツチング加工状態図を示すものであるが、こ
の図が示すように、内部リードｌのパターンは素材板の
表裏両面にレジストパターン２を互いに対向させて塗布
し、素材板の表裏双方から同時にエツチングするパター
ニング手法によって、アイランド、タイバー、外部リー
ドその他のパターン（いずれも図示しない）と共に一工
程で形成される。従って、従来のリードフレームでは、
内部リードｌの全てがアイランド近傍の先端部からタイ
バーに至る全ての部分についてそれぞれ−様な板厚をも
つのが通常である。
先端部のエツチング加工状態図を示すものであるが、こ
の図が示すように、内部リードｌのパターンは素材板の
表裏両面にレジストパターン２を互いに対向させて塗布
し、素材板の表裏双方から同時にエツチングするパター
ニング手法によって、アイランド、タイバー、外部リー
ドその他のパターン（いずれも図示しない）と共に一工
程で形成される。従って、従来のリードフレームでは、
内部リードｌの全てがアイランド近傍の先端部からタイ
バーに至る全ての部分についてそれぞれ−様な板厚をも
つのが通常である。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、かかるエツチング加工技術にはレジスト
の解像度、エツチング液の侵食性などの要因によって決
まる加工限界が存在するので、板厚が厚（なると微細加
工が困難となる。
の解像度、エツチング液の侵食性などの要因によって決
まる加工限界が存在するので、板厚が厚（なると微細加
工が困難となる。
従って、リードピッチが微細化されて来ると、従来のリ
ードフレームは極めて薄い板厚のものとなり機械的強度
が著しく低下する。
ードフレームは極めて薄い板厚のものとなり機械的強度
が著しく低下する。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、フレームの機械的
強度を弱めることな（内部リードピッチのみを微細化し
得るようにした半導体装置製造用リードフレームを提供
することである。
強度を弱めることな（内部リードピッチのみを微細化し
得るようにした半導体装置製造用リードフレームを提供
することである。
ｃ問題を解決するための手段］
本発明によれば、半導体装置製造用リードフレームは、
アイランドと、前記アイランドの周辺に先端部を配列す
る内部リードと、前記内部リードにつながる外部リード
と、前記内部リードと外部リードとの間に置かれるタイ
バーとを含んで成る半導体装置製造用リードフレームに
おいて、前記内部リードは前記先端部のみをリードフレ
ーム素材板よりも薄い板厚に設定して、前記アイランド
に対し互いに上下方向に千鳥状配置されることを含んで
構成される。
アイランドと、前記アイランドの周辺に先端部を配列す
る内部リードと、前記内部リードにつながる外部リード
と、前記内部リードと外部リードとの間に置かれるタイ
バーとを含んで成る半導体装置製造用リードフレームに
おいて、前記内部リードは前記先端部のみをリードフレ
ーム素材板よりも薄い板厚に設定して、前記アイランド
に対し互いに上下方向に千鳥状配置されることを含んで
構成される。
［作 用 １
本発明によれば、内部リードは先端部のみをアイランド
の周辺に互いに上下方向に千鳥状に配設して配列される
。従って、リードピッチの微細化は内部リードの先端部
のみを素材板の板厚よりも薄くするだけで達成されるの
で、従来のリードピッチ微細化に伴うフレームの機械的
強度の低下問題は解決される。
の周辺に互いに上下方向に千鳥状に配設して配列される
。従って、リードピッチの微細化は内部リードの先端部
のみを素材板の板厚よりも薄くするだけで達成されるの
で、従来のリードピッチ微細化に伴うフレームの機械的
強度の低下問題は解決される。
［実施例］
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を形成するための内部リード
先端部のエツチング加工状態図である。本実施例によれ
ば、本発明のリードフレームは、アイランドの周辺にワ
イヤボンディング面を備える先端部のみを互いに上下方
向に千鳥状に配設した内部リードｌの配列を含む、かか
る構造のリードフレームは、内部リードｌの先端部のみ
が素材板の板厚の約坏とされ、先端部からタイバーに至
る間およびアイランド、タイバー、外部リードその他の
部分（いずれも図示しない）は全て素材板と同じ板厚で
形成されるので、フレームの機械的強度を弱めることな
く内部リードピッチの微細化を達成する、二とができる
。
先端部のエツチング加工状態図である。本実施例によれ
ば、本発明のリードフレームは、アイランドの周辺にワ
イヤボンディング面を備える先端部のみを互いに上下方
向に千鳥状に配設した内部リードｌの配列を含む、かか
る構造のリードフレームは、内部リードｌの先端部のみ
が素材板の板厚の約坏とされ、先端部からタイバーに至
る間およびアイランド、タイバー、外部リードその他の
部分（いずれも図示しない）は全て素材板と同じ板厚で
形成されるので、フレームの機械的強度を弱めることな
く内部リードピッチの微細化を達成する、二とができる
。
第１図の製造工程図に従うと、かかる構造の内部リード
配列を形成することは極めて容易である。すなわち、内
部リード１の先端部を形成すべき素材板の表裏領域上に
ホトレジストパターン２を交互に位置するよう形成し従
来と同一手法でエツチング加工すればよい。但し、先端
部を除くその他の部分のホトレジストパターン（図示し
ない）は全て従来と同じく互いに対向したパターンのま
まとする。上記の状態でエツチング加工すると、内部リ
ード１の先端部は一方向からのみのエツチング加工で形
成されるので、互いに上下方向に千鳥状に微細配置され
た構造のものとなる。従って、先端部にそれぞれコイニ
ング処理を施して平坦化すればワイヤボンディング工程
を容易に実施し得る。
配列を形成することは極めて容易である。すなわち、内
部リード１の先端部を形成すべき素材板の表裏領域上に
ホトレジストパターン２を交互に位置するよう形成し従
来と同一手法でエツチング加工すればよい。但し、先端
部を除くその他の部分のホトレジストパターン（図示し
ない）は全て従来と同じく互いに対向したパターンのま
まとする。上記の状態でエツチング加工すると、内部リ
ード１の先端部は一方向からのみのエツチング加工で形
成されるので、互いに上下方向に千鳥状に微細配置され
た構造のものとなる。従って、先端部にそれぞれコイニ
ング処理を施して平坦化すればワイヤボンディング工程
を容易に実施し得る。
第２図は本発明の他の実施例を形成するための内部リー
ド先端部のエツチング加工状態図である。本実施例によ
れば、本発明のリードフレームは、アイランド周辺にワ
イヤボンディング面を備える先端部のみを互いに上下方
向に長さを交互に異ならしめて千鳥状に配設した内部リ
ードｌの配列を含む。本実施例では、リード先端部が交
互に前または後に位置し、それに伴いボンディング面も
交互に前または後になるので５内部リードのピッチを更
に微細化し得る。
ド先端部のエツチング加工状態図である。本実施例によ
れば、本発明のリードフレームは、アイランド周辺にワ
イヤボンディング面を備える先端部のみを互いに上下方
向に長さを交互に異ならしめて千鳥状に配設した内部リ
ードｌの配列を含む。本実施例では、リード先端部が交
互に前または後に位置し、それに伴いボンディング面も
交互に前または後になるので５内部リードのピッチを更
に微細化し得る。
このリード配列は、ボンディングツールが隣接する内部
リードと接触するおそれがないので、特に問題となるこ
とはない。
リードと接触するおそれがないので、特に問題となるこ
とはない。
本実施例の内部リード構造は第２図に示す製造工程図に
従えば前実施例と同様にきわめて容易である。この際、
形成すべきホトレジストパターン２の形状が異なる点を
除けば、エツチング加工条件に同等相違するところはな
い。
従えば前実施例と同様にきわめて容易である。この際、
形成すべきホトレジストパターン２の形状が異なる点を
除けば、エツチング加工条件に同等相違するところはな
い。
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明によれば、内部リー
ドの先端部のみを素材板の繕の板厚とし、アイランドの
上下方向に互いに千鳥状配置するので、フレーム強度を
弱めることなく、従来よりリードピッチの微細なリード
フレームを提供することができる。例えば、素材板とし
て従来−船釣に用いられている０、１５ｍ＋＊厚の４２
アロイ材を使用した場合、従来構造のリードフレームで
は加工限界上０．２ｍｍ程度までのリードピッチしか得
られないが、本発明によればフレーム強度を損なうこと
なく、リードピッチを０．１５ｍｍ程度まで微細化する
ことが可能である。
ドの先端部のみを素材板の繕の板厚とし、アイランドの
上下方向に互いに千鳥状配置するので、フレーム強度を
弱めることなく、従来よりリードピッチの微細なリード
フレームを提供することができる。例えば、素材板とし
て従来−船釣に用いられている０、１５ｍ＋＊厚の４２
アロイ材を使用した場合、従来構造のリードフレームで
は加工限界上０．２ｍｍ程度までのリードピッチしか得
られないが、本発明によればフレーム強度を損なうこと
なく、リードピッチを０．１５ｍｍ程度まで微細化する
ことが可能である。
第１図は本発明の一実施例を形成するための内部リード
先端部のエツチング加工状態図、第２図は本発明の他の
実施例を形成するための内部リード先端部のエツチング
加工状態図、第３図は従来のリードフレーム製造法によ
る内部リード先端部のエツチング加工状態図である。 １−・・内部リード。 ２−・・ホトレジストパターン。 本型
先端部のエツチング加工状態図、第２図は本発明の他の
実施例を形成するための内部リード先端部のエツチング
加工状態図、第３図は従来のリードフレーム製造法によ
る内部リード先端部のエツチング加工状態図である。 １−・・内部リード。 ２−・・ホトレジストパターン。 本型
Claims (1)
- アイランドと、前記アイランドの周辺に先端部を配列す
る内部リードと、前記内部リードにつながる外部リード
と、前記内部リードと外部リードとの間に置かれるタイ
バーとを含んで成る半導体装置製造用リードフレームに
おいて、前記内部リードは前記先端部のみをリードフレ
ーム素材板よりも薄い板厚に設定して、前記アイランド
に対し互いに上下方向に千鳥状配置されることを特徴と
する半導体装置製造用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21240690A JPH0494564A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体装置製造用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21240690A JPH0494564A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体装置製造用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494564A true JPH0494564A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16622061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21240690A Pending JPH0494564A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体装置製造用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0494564A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7102216B1 (en) * | 2001-08-17 | 2006-09-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62216257A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP21240690A patent/JPH0494564A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62216257A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7102216B1 (en) * | 2001-08-17 | 2006-09-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10330910A5 (ja) | シャドーマスクの製造方法 | |
| JPH10330911A5 (ja) | ||
| JPS63318141A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02260598A (ja) | 立体配線板の製造方法 | |
| JP2918073B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH03120747A (ja) | フィルムキャリア製造用のフィルム材およびフィルムキャリアの製造方法 | |
| JPS6248053A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JP3269391B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPH04180661A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
| JPS62216257A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPS5824020B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2923012B2 (ja) | プリント配線板 | |
| JPH03283645A (ja) | リードフレームおよびその製造方法 | |
| JPH073637Y2 (ja) | ボンディングパターン | |
| JP3899598B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH0621297A (ja) | リードフレーム | |
| JPH04239753A (ja) | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 | |
| JPS60240148A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH06132436A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH07211849A (ja) | リードフレーム | |
| JPH0828448B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPH03178155A (ja) | Ｉｃパッケージ | |
| JPH02125648A (ja) | 半導体装置パッケージ | |
| JPS63254756A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPH01162349A (ja) | 半導体装置の製造方法 |