JPH0497549A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH0497549A
JPH0497549A JP2216084A JP21608490A JPH0497549A JP H0497549 A JPH0497549 A JP H0497549A JP 2216084 A JP2216084 A JP 2216084A JP 21608490 A JP21608490 A JP 21608490A JP H0497549 A JPH0497549 A JP H0497549A
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JP
Japan
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lead
resin
semiconductor device
sealed semiconductor
collector
Prior art date
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Pending
Application number
JP2216084A
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English (en)
Inventor
Junichi Matsuki
松木　純一
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NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に超高周波用
の樹脂封止型半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
第３図（ａ）は従来の樹脂封止型トランジスタの平面図
、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である
。
放熱板を兼ねるコレクタリード３の幅広部にトランジス
タベレット４を搭載し、トランジスタベレットのベース
電極、エミッタ電極をそれぞれベースリード６、エミッ
タリード２とボンディングワイヤ５−１．５−２で結線
し、樹脂封止している。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の樹脂封止型半導体装１ではリード間を封
止樹脂で充填しているが、この封止樹脂として多用され
ているエポキシ樹脂の比誘電率が３．５〜５．０と大き
いのでリード間、特にベースリードとコレクタリード間
に寄生容量を持ち高周波特性を悪化させるという欠点が
ある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、複数のリードを備えた樹脂封止型半導体装置
において、隣接する前記リード間に低誘電率領域が設け
られているというものである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例である表面実装用
の樹脂封止型半導体装置の平面図、第１図（ｂ）は第１
図（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
この実施例では、ベースリード６とコレクタリード３の
間に封止樹脂１ａの裏面からコレクタリードの厚さと同
程度の渭７ａを入れる等によって形成された空気層から
なる低比誘電率領域を設けている。これにより、ベース
リード・コレクタリード間の寄生容量を１／３〜１／２
程度に低減できる。
第２図（ａ）は本発明の第２の実施例を示す平面図、第
２図（ｂ）は第２図（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
この実施例は、ベースリード６とコレクタリード３の間
だけでなくエミッタリード２のコレクタリード３との間
にそれぞれ溝７ｂ−１，７ｂ−２が設けられている。又
、これらの溝は機械的強度の低下を防ぐため封止樹脂１
ｂを完全には横断していない。パッケージによるコレク
タ・ベース間及びコレクタ・エミッタ間両方の寄生容量
の低減を図っているなめ更に高周波特性が向上できると
いう利点がある。
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は隣接するリード間に低誘電
率領域を設けることによりパッケージ寄生容量の低減が
でき、半導体装置の高周波特性を向上できる効果がある
。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の平面図、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）のＸ−Ｘ線断面図、第２図（ａ）
は第２の実施例の平面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）
のＸ−Ｘ線断面図、第３図（ａ）は従来例の平面図、第
３図（ｂ）は第３図（ａ＞のＸ−Ｘ線断面図である。 １、ｌａ、ｌｂ・・・封止樹脂、２・・・エミッタリー
ド、３・・・コレクタリード、４・・・トランジスタペ
レット、５−１．５−２・・・ボンディングワイヤ、６
・・・ベースリード、７　ａ　、　　７　ｂ　−１、７
ｂ　　２−溝。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数のリードを備えた樹脂封止型半導体装置において、
    隣接する前記リード間に低誘電率領域が設けられている
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
JP2216084A 1990-08-16 1990-08-16 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH0497549A (ja)

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JPH0497549A true JPH0497549A (ja) 1992-03-30

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019187183A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 アオイ電子株式会社 半導体装置

Cited By (3)

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WO2019187183A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 アオイ電子株式会社 半導体装置
JP2019176066A (ja) * 2018-03-29 2019-10-10 アオイ電子株式会社 半導体装置
CN111937142A (zh) * 2018-03-29 2020-11-13 青井电子株式会社 半导体装置

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