JPH0717159Y2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0717159Y2 JPH0717159Y2 JP1985045672U JP4567285U JPH0717159Y2 JP H0717159 Y2 JPH0717159 Y2 JP H0717159Y2 JP 1985045672 U JP1985045672 U JP 1985045672U JP 4567285 U JP4567285 U JP 4567285U JP H0717159 Y2 JPH0717159 Y2 JP H0717159Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resin
- semiconductor device
- heat
- heat dissipation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は樹脂封止型半導体装置、詳しくはペレットから
の放熱量改善に関し、特に大電力用のトランジスタやサ
イリスタ等の樹脂封止型半導体装置に関する。
の放熱量改善に関し、特に大電力用のトランジスタやサ
イリスタ等の樹脂封止型半導体装置に関する。
従来の技術 従来この種大電力用トランジスタにあっては、第3,4図
に示すごとく、コレクタとなるたとえばＮ層ａの上部に
ベースとなるＰ層ｂを形成し、さらにこのＰ層ｂの上部
にエミッタとなるＮ層ｃを形成すると共に、前記Ｎ層ｃ
及びＰ層ｂの表面の一部にワイヤボンディングのための
電極となるアルミニウムの薄膜d,dを形成し、これら電
極d,d以外の表面部分は酸化膜ｅで被覆して内部を保護
していた。
に示すごとく、コレクタとなるたとえばＮ層ａの上部に
ベースとなるＰ層ｂを形成し、さらにこのＰ層ｂの上部
にエミッタとなるＮ層ｃを形成すると共に、前記Ｎ層ｃ
及びＰ層ｂの表面の一部にワイヤボンディングのための
電極となるアルミニウムの薄膜d,dを形成し、これら電
極d,d以外の表面部分は酸化膜ｅで被覆して内部を保護
していた。
そして、コレクタ側のＮ層ａ下部全面に導電膜ｆを形成
し、この導電膜ｆ側をリードフレームｇに接着させると
共に、ベレット全体を樹脂ｈでモールドしていた。
し、この導電膜ｆ側をリードフレームｇに接着させると
共に、ベレット全体を樹脂ｈでモールドしていた。
考案が解形しようとする問題点 ところで、最近では、トランジスタ等半導体装置の消費
電力がより一層増大する傾向にあり、この消費電力増大
に伴ない、トランジスタ等における発熱量も大きなもの
となってきており、トランジスタ等を安定的に動作させ
るためには、この大きな発熱量を効率よく放熱させるこ
とが重要課題となってきている。
電力がより一層増大する傾向にあり、この消費電力増大
に伴ない、トランジスタ等における発熱量も大きなもの
となってきており、トランジスタ等を安定的に動作させ
るためには、この大きな発熱量を効率よく放熱させるこ
とが重要課題となってきている。
しかし、従来の上記したごとき半導体装置にあっては、
酸化膜ｅ部分の熱伝導率が低く、モールドした樹脂層ｈ
側への放熱はほとんど図ることが期待できず、しかも樹
脂層ｈも熱放散性が悪く、もっぱらリードフレーム側へ
のみ放熱がなされていた。したがって、これでは出力ア
ップに伴なう大きな発熱量をより一層効率よく放熱して
しまうことはできず、半導体装置の動作が不安定となり
易く、大きな障害となっていた。
酸化膜ｅ部分の熱伝導率が低く、モールドした樹脂層ｈ
側への放熱はほとんど図ることが期待できず、しかも樹
脂層ｈも熱放散性が悪く、もっぱらリードフレーム側へ
のみ放熱がなされていた。したがって、これでは出力ア
ップに伴なう大きな発熱量をより一層効率よく放熱して
しまうことはできず、半導体装置の動作が不安定となり
易く、大きな障害となっていた。
問題点を解決するための手段 そこで、本考案に係る樹脂封止型半導体装置は、リード
フレーム側のみならず樹脂モールド側への熱伝導をも良
好となし、装置全体として大きな放熱量を確保しようと
するものであり、ペレット表面の一の導電領域上及び他
の導電領域上のボンディング領域を除く領域に、散点島
状の放熱用厚膜層を形成し、高熱伝導性樹脂でモールド
したことを特徴とするものである。
フレーム側のみならず樹脂モールド側への熱伝導をも良
好となし、装置全体として大きな放熱量を確保しようと
するものであり、ペレット表面の一の導電領域上及び他
の導電領域上のボンディング領域を除く領域に、散点島
状の放熱用厚膜層を形成し、高熱伝導性樹脂でモールド
したことを特徴とするものである。
実施例 以下、本考案の実施例を、トランジスタの場合を例とし
て図面に基づいて説明する。
て図面に基づいて説明する。
１はコレクタとなるＮ層であり、２はベースとなるＰ層
であり、３はエミッタとなるＮ層である。
であり、３はエミッタとなるＮ層である。
しかして本実施例にあっては、ベレットＰの電極形成側
のＰ層２及びＮ層３の表面上に形成するアルミニウム薄
膜の電極4,5を、通常のボンディング部分周辺領域41,51
のみならず、Ｐ層２及びＮ層３のほぼ全表面上にわたり
形成すると共に、このアルミニウム電極4,5のうち、ボ
ンディング領域41,51を除く領域に、さらに散点島状の
銀製の厚膜層42,52を放熱用として形成し、これらアル
ミニウム電極4,5部分及び銀製散点島状厚膜42,52部分と
により放熱領域を構成する。
のＰ層２及びＮ層３の表面上に形成するアルミニウム薄
膜の電極4,5を、通常のボンディング部分周辺領域41,51
のみならず、Ｐ層２及びＮ層３のほぼ全表面上にわたり
形成すると共に、このアルミニウム電極4,5のうち、ボ
ンディング領域41,51を除く領域に、さらに散点島状の
銀製の厚膜層42,52を放熱用として形成し、これらアル
ミニウム電極4,5部分及び銀製散点島状厚膜42,52部分と
により放熱領域を構成する。
アルミニウムの薄膜電極4,5部分は通常の薄膜形成のた
めのスパッタリング法により形成し、また、銀製厚膜層
42,52はメッキ法により形成する。銀メッキを施さない
部分にはあらかじめマスキングをしてSiO2の薄膜層（図
示せず）をキャパシタ法により作製しておく。
めのスパッタリング法により形成し、また、銀製厚膜層
42,52はメッキ法により形成する。銀メッキを施さない
部分にはあらかじめマスキングをしてSiO2の薄膜層（図
示せず）をキャパシタ法により作製しておく。
アルミニウム薄膜電極4,5部分の厚さは数μｍ程度とな
す一方、銀製厚膜42,52部分の厚さは30〜50μｍ程度と
なし、凹凸形成による表面積の増大のみならず、体積的
にもある程度の熱量は充分吸収できるようにしておく。
す一方、銀製厚膜42,52部分の厚さは30〜50μｍ程度と
なし、凹凸形成による表面積の増大のみならず、体積的
にもある程度の熱量は充分吸収できるようにしておく。
６はＰ層２とＮ層３とを表面において電気的に隔離させ
るための境界領域上に形成した酸化膜である。
るための境界領域上に形成した酸化膜である。
そして、コレクタ側のＮ層１下部に導電膜７を形成し、
この導電膜７部分をリードフレーム８に固着させると共
に樹脂９でモールドする。
この導電膜７部分をリードフレーム８に固着させると共
に樹脂９でモールドする。
このモールド用の樹脂としては、最近、高熱伝導樹脂と
して開発されているエポキシ樹脂等を用い、樹脂９側か
らの放熱を充分確保できるようになっている。
して開発されているエポキシ樹脂等を用い、樹脂９側か
らの放熱を充分確保できるようになっている。
以上の如く構成した半導体装置にあっては、熱伝導性の
良好なアルミニウム電極部分4,5をＰ層２及びＮ層３の
ほぼ全領域にわたり形成すると共に、銀製厚膜層42,52
をアルミニウム電極層4,5の上部に散点島状に形成した
ので、放熱のための伝熱面積を著しく増大でき、樹脂モ
ールド９側への放熱量を大ならしめることができる。ま
た、体積的にもアルミニウム電極4,5部分及び銀製厚膜
層42,52部分により相当熱量を吸収できるのであり、モ
ールド用樹脂９として高熱伝導性樹脂を用いたことと相
俟って、放熱量を一段と大きくすることができるのであ
る。
良好なアルミニウム電極部分4,5をＰ層２及びＮ層３の
ほぼ全領域にわたり形成すると共に、銀製厚膜層42,52
をアルミニウム電極層4,5の上部に散点島状に形成した
ので、放熱のための伝熱面積を著しく増大でき、樹脂モ
ールド９側への放熱量を大ならしめることができる。ま
た、体積的にもアルミニウム電極4,5部分及び銀製厚膜
層42,52部分により相当熱量を吸収できるのであり、モ
ールド用樹脂９として高熱伝導性樹脂を用いたことと相
俟って、放熱量を一段と大きくすることができるのであ
る。
従って、半導体装置の消費電力が大きくなり、半導体装
置内に発生する熱量が大きくなったとしても、発熱量に
応じて充分に放熱させることができ、発熱に基づき動作
が不安定になるといったことは起こらず、半導体装置の
発熱が出力アップの障害となることはない。
置内に発生する熱量が大きくなったとしても、発熱量に
応じて充分に放熱させることができ、発熱に基づき動作
が不安定になるといったことは起こらず、半導体装置の
発熱が出力アップの障害となることはない。
尚、上記実施例のものでは、アルミニウム電極としてＰ
層2,N層３のほぼ全領域にアルミニウム薄膜層4,5を形成
したが、何らかかる構成に限られるものではなく、他の
実施例にあっては、ボンディング領域のみをアルミニウ
ム電極として形成し、Ｐ層２及びＮ層３の他の表面領域
には放熱専用の金属膜層を形成してもよいものである。
層2,N層３のほぼ全領域にアルミニウム薄膜層4,5を形成
したが、何らかかる構成に限られるものではなく、他の
実施例にあっては、ボンディング領域のみをアルミニウ
ム電極として形成し、Ｐ層２及びＮ層３の他の表面領域
には放熱専用の金属膜層を形成してもよいものである。
考案の効果 以上の説明により明らかなごとく、本考案に係る樹脂封
止型半導体装置にあっては、たとえ消費電力増大に伴な
い装置内に大きな熱量が発生しても、それに応じて充分
に放熱させることができ、発熱に基づく装置の動作不良
といった問題は生じないものであり、換言すれば、最近
の出力増大傾向に充分に対応し得る装置となすことがで
きるのである。
止型半導体装置にあっては、たとえ消費電力増大に伴な
い装置内に大きな熱量が発生しても、それに応じて充分
に放熱させることができ、発熱に基づく装置の動作不良
といった問題は生じないものであり、換言すれば、最近
の出力増大傾向に充分に対応し得る装置となすことがで
きるのである。
第１図は本考案の一実施例を示す半導体装置の要部斜視
図、第２図は第１図におけるＡ−Ａ線にて切断した断面
図、第３図は従来例を示す半導体装置の要部斜視図、第
４図はその断面図である。 ２……一導電領域（Ｐ層）、３……他導電領域（Ｎ層）
4,5……電極、42,52……厚膜層。
図、第２図は第１図におけるＡ−Ａ線にて切断した断面
図、第３図は従来例を示す半導体装置の要部斜視図、第
４図はその断面図である。 ２……一導電領域（Ｐ層）、３……他導電領域（Ｎ層）
4,5……電極、42,52……厚膜層。
Claims (1)
- 【請求項１】ペレット表面の一の導電領域上及び他の導
電領域上のボンディング領域を除く領域に、散点島状の
放熱用厚膜層を形成し、高熱伝導性樹脂でモールドした
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985045672U JPH0717159Y2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985045672U JPH0717159Y2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61162058U JPS61162058U (ja) | 1986-10-07 |
| JPH0717159Y2 true JPH0717159Y2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=30559381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985045672U Expired - Lifetime JPH0717159Y2 (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717159Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4918598U (ja) * | 1972-05-18 | 1974-02-16 | ||
| JPS5419375A (en) * | 1977-07-14 | 1979-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS55153385A (en) * | 1979-05-18 | 1980-11-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Current squeezing type semiconductor device |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP1985045672U patent/JPH0717159Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61162058U (ja) | 1986-10-07 |
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