JPH0497557A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0497557A JPH0497557A JP21608190A JP21608190A JPH0497557A JP H0497557 A JPH0497557 A JP H0497557A JP 21608190 A JP21608190 A JP 21608190A JP 21608190 A JP21608190 A JP 21608190A JP H0497557 A JPH0497557 A JP H0497557A
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- JP
- Japan
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- lead frame
- semiconductor device
- frame
- lead
- burn
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- Pending
Links
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にリードフ
レームを使用して半導体装置を組立てる製造方法に関す
る。
レームを使用して半導体装置を組立てる製造方法に関す
る。
従来、リードフレームを使用した半導体装置の製造方法
は、第２図に示すように、半導体素子が形成されたペレ
ットを、リードフレーム１０（第２図（ａ））、のペレ
ット搭載部１に接着し、ペレットの電極と各リード片２
とをボンディング線で接続した後、樹脂１１でモールド
する（第２図（ｂ））。この後、特性を測定した後、リ
ード片２を切断しく第２図（Ｃ））、第２図（ｄ）に示
すように、個々に切り離してバーン・インテストを行い
、その後の捺印工程も個々に切り離した状態で行ってい
た。なぜならば、リードフレーム状態のままバーン・イ
ンテストを行うと一括処理が出来て良いが、炉内に入れ
て高温度の雰囲気中でバーン・インテストを行なうため
、リードフレームの伸びとソケット部の伸びの量及び方
向が異なり、リードフレーム変形が発生するなめであっ
た。
は、第２図に示すように、半導体素子が形成されたペレ
ットを、リードフレーム１０（第２図（ａ））、のペレ
ット搭載部１に接着し、ペレットの電極と各リード片２
とをボンディング線で接続した後、樹脂１１でモールド
する（第２図（ｂ））。この後、特性を測定した後、リ
ード片２を切断しく第２図（Ｃ））、第２図（ｄ）に示
すように、個々に切り離してバーン・インテストを行い
、その後の捺印工程も個々に切り離した状態で行ってい
た。なぜならば、リードフレーム状態のままバーン・イ
ンテストを行うと一括処理が出来て良いが、炉内に入れ
て高温度の雰囲気中でバーン・インテストを行なうため
、リードフレームの伸びとソケット部の伸びの量及び方
向が異なり、リードフレーム変形が発生するなめであっ
た。
上述した従来の製造方法では、バーン・インテスト後は
半導体装置を個々に取り扱わねばならず、作業工数がか
かり、また処理数も多くなり、それに比例して設備故障
も多く発生していた。
半導体装置を個々に取り扱わねばならず、作業工数がか
かり、また処理数も多くなり、それに比例して設備故障
も多く発生していた。
本発明の半導体装！製造方法は、ペレット搭載部と、こ
のペレット搭載部に近接して設けられるリード片と、リ
ード片を連結するタイバーと、送り穴が設けられている
フレーム枠とからなるリードフレームにペレットを搭載
・間者し、樹脂材にてモールドしてパッケージ成形し、
リード切断し、電気特性を測定後、半導体装置を個々に
切り離して、リード成形を行なう半導体装置製造方法に
おいて、炉内に入れて行なうバーン・インテスト工程の
前に半導体装置をリードフレームから個々り切り離して
バーン・インテストを行ない、そ・の工程後に半導体装
置を前に切り残したリードフレームにスポット溶接等で
再接続して、その後の捺印工程を行うことで達成される
。
のペレット搭載部に近接して設けられるリード片と、リ
ード片を連結するタイバーと、送り穴が設けられている
フレーム枠とからなるリードフレームにペレットを搭載
・間者し、樹脂材にてモールドしてパッケージ成形し、
リード切断し、電気特性を測定後、半導体装置を個々に
切り離して、リード成形を行なう半導体装置製造方法に
おいて、炉内に入れて行なうバーン・インテスト工程の
前に半導体装置をリードフレームから個々り切り離して
バーン・インテストを行ない、そ・の工程後に半導体装
置を前に切り残したリードフレームにスポット溶接等で
再接続して、その後の捺印工程を行うことで達成される
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ａ）〜（ｅ）は本発明の製造方法の一実施例を示す工
程概略図である。第１図（ａ）に示すリードフレームに
おいて、ペレット搭載部１にペレット（図示省略）を搭
載し、リード片２との間にワイヤーにて配線する。リー
ド片２はタイバー３にて連結され、フレーム枠４に設け
られた送り穴５にてリードフレームは搬送される０次に
第１図（ｂ）に示す様に、樹脂材にてパッケージ成形し
た後、数種類の加工工程にかけ、第１図（ｃ）に示す様
に、リード片２及びフレーム枠連結部６を切断し、第１
図（ｄ）に示す様に個々の半導体装置７に切り離す。そ
の後、バーン・インテスト終了後、第１図（ｅ）に示す
様に再度フレーム枠連結部６の部分をスポット溶接等に
て前に切り残されたリードフレームに接続し、その後の
捺印工程を行う。
（ａ）〜（ｅ）は本発明の製造方法の一実施例を示す工
程概略図である。第１図（ａ）に示すリードフレームに
おいて、ペレット搭載部１にペレット（図示省略）を搭
載し、リード片２との間にワイヤーにて配線する。リー
ド片２はタイバー３にて連結され、フレーム枠４に設け
られた送り穴５にてリードフレームは搬送される０次に
第１図（ｂ）に示す様に、樹脂材にてパッケージ成形し
た後、数種類の加工工程にかけ、第１図（ｃ）に示す様
に、リード片２及びフレーム枠連結部６を切断し、第１
図（ｄ）に示す様に個々の半導体装置７に切り離す。そ
の後、バーン・インテスト終了後、第１図（ｅ）に示す
様に再度フレーム枠連結部６の部分をスポット溶接等に
て前に切り残されたリードフレームに接続し、その後の
捺印工程を行う。
以上説明したように本発明は、バーン・インテスト後に
半導体装置を再度リードフレームに接続することにより
、その後の加工工程にり−、ドフレーム状態でかけるこ
とができ、作業工数の低減及び設備故障の低減を図るこ
とが出来る為、製造原価を安く出来るという効果がある
。
半導体装置を再度リードフレームに接続することにより
、その後の加工工程にり−、ドフレーム状態でかけるこ
とができ、作業工数の低減及び設備故障の低減を図るこ
とが出来る為、製造原価を安く出来るという効果がある
。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の製造方法の一実施例を
示す工程概略図であり、その第１図（ａ）はそれに使用
するリードフレームの平面図、第１図（ｂ）はそのリー
ドフレームを樹脂材にてパッケージ成形した状態を示す
平面図、第１図（ｃ）はそれをリード切断した状態−を
示す平面図、第１図（ｄ）はリード切断後の半導体装置
の図、第１図（ｅ）はそれを前に切り残したリードフレ
ームに再接続した状態を示す平面図である。 第２図（ａ）〜（ｄ＞は従来の製造方法を示す図であり
、その第２図（ａ）はそれに使用するリードフレームの
平面図、第２図（ｂ）はそのリードフレームを樹脂材に
てパッケージ成形した平面図、第２図（ｃ）はそれをリ
ード切断した状態を示す平面図、第２図（ｄ）はリード
切断後の半導体装置の図である。 １・・・ペレット搭載部、２・・・リード片、３・・・
タイバー、４・・・フレーム枠、５・・・送り穴、６・
・・フレーム枠連結部、７・・・半導体装置。
示す工程概略図であり、その第１図（ａ）はそれに使用
するリードフレームの平面図、第１図（ｂ）はそのリー
ドフレームを樹脂材にてパッケージ成形した状態を示す
平面図、第１図（ｃ）はそれをリード切断した状態−を
示す平面図、第１図（ｄ）はリード切断後の半導体装置
の図、第１図（ｅ）はそれを前に切り残したリードフレ
ームに再接続した状態を示す平面図である。 第２図（ａ）〜（ｄ＞は従来の製造方法を示す図であり
、その第２図（ａ）はそれに使用するリードフレームの
平面図、第２図（ｂ）はそのリードフレームを樹脂材に
てパッケージ成形した平面図、第２図（ｃ）はそれをリ
ード切断した状態を示す平面図、第２図（ｄ）はリード
切断後の半導体装置の図である。 １・・・ペレット搭載部、２・・・リード片、３・・・
タイバー、４・・・フレーム枠、５・・・送り穴、６・
・・フレーム枠連結部、７・・・半導体装置。
Claims (1)
- ペレット搭載部と、このペレット搭載部に近接して設
けられるリード片と、リード片を連結するタイバーと、
送り穴が設けられているフレーム枠とからなるリードフ
レームにペレットの搭載・固着するマウント工程と、金
線等にてリード１とペレット間とを接続するボンディン
グ工程と、樹脂材にてパッケージ成形する工程と、リー
ド切断し、電気特性を測定後、個々に切り離して、リー
ド成形を行なう工程と、バーン・インテスト工程と、捺
印工程とを備えている半導体装置の製造方法において、
リードフレームから個々に切り離してバーン・インテス
トを行ない、その工程後に半導体装置を前に切り残した
リードフレームにスポット溶接等で接続して、その後の
捺印工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21608190A JPH0497557A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21608190A JPH0497557A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0497557A true JPH0497557A (ja) | 1992-03-30 |
Family
ID=16682958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21608190A Pending JPH0497557A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0497557A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020078769A (ko) * | 2001-04-10 | 2002-10-19 | (주)오토엠아이티 | 반도체 패키지의 제조방법 |
-
1990
- 1990-08-16 JP JP21608190A patent/JPH0497557A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020078769A (ko) * | 2001-04-10 | 2002-10-19 | (주)오토엠아이티 | 반도체 패키지의 제조방법 |
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