JPH049855B2 - - Google Patents
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- JPH049855B2 JPH049855B2 JP4210887A JP4210887A JPH049855B2 JP H049855 B2 JPH049855 B2 JP H049855B2 JP 4210887 A JP4210887 A JP 4210887A JP 4210887 A JP4210887 A JP 4210887A JP H049855 B2 JPH049855 B2 JP H049855B2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は蒸着用コバルト基合金に係り、特に磁
気記録材料として用いられる薄膜の製造に好適な
蒸着用コバルト基合金に関する。 ［従来の技術］ 非磁性基板上に磁性合金薄膜を形成した磁気記
録材料は周知である。 この磁気記録材料の薄膜を製造する方法として
は、スパツタリングや真空蒸着、イオンプレーテ
イング等の蒸着法が広く用いられている。 特にスパツタリング法は、均一な内部組成で一
定の合金元素を含んだターゲツト材が得られさえ
すれば、スパツタリング装置内の圧力をコントロ
ールしながら組成的に均一な薄膜を得ることがで
きる点で有利である。 磁性合金薄膜を形成する強磁性合金としては、
鉄合金、ニツケル合金、コバルト合金などが従来
より用いられている。しかして、コバルト合金の
うち、Ti，Zr，Hfの第Ａ族元素及びTa、Nb
の第VA族元素を含有するコバルト基合金は、優
れた高透磁率材料として開発がすすめられてい
る。 ［発明が解決しようとする問題点］ 従来より用いられている磁性合金について種々
検討を重ねたところ、酸素、窒素、硫黄、炭素、
その他金属酸化物等の介在物が比較的多量に含ま
れており、得られる薄膜の磁気特性に多大な悪影
響をもたらすことが認められた。 しかしながら、第Ａ族元素及び第VA族元素
を含むコバルト基合金は、第IVA族元素が非常
に活性であること及び第VA族元素が非常に高融
点であることから、通常の溶解方法では溶解が困
難であるか、或いは溶解できても均質で不純物含
有量の少ない合金を得ることはできなかつた。 このため、現在、このようなコバルト基合金の
製造方法としては、粉末治金法が主流となつてい
るが、粉末治金法による合金からは、高特性の良
好な非晶質薄膜を得ることはできなかつた。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は上記従来の実情に鑑み、不純物含有量
の少ない高特性磁性薄膜を安定かつ効率的に得る
ことができる蒸着用コバルト基合金を提供するべ
くなされたものであつて、 Co：40〜92重量％、第Ａ族元素よりなる群
から選ばれる１種以上の元素：合計で３〜30重量
％、Nb及び／又はTa：合計で５〜30重量％、
Ca：10〜200ppm以下、不純物たる０：200ppm
以下、不純物たるＮ：50ppm以下よりなる蒸着用
コバルト基合金、 を要旨とするものである。 即ち、本発明者は、蒸着用合金の不純物に起因
する問題を解決し、高特性磁性薄膜を得るべく、
鋭意検討を重ねた結果、第Ａ族元素並びにNb
及び／又はTaを含有する蒸着用コバルト基合金
中に、特定量のCaを含有させることにより、不
純物含有量の少ない合金が得られ、しかもCaと
第Ａ族元素とによるゲツタ作用により、蒸着雰
囲気中のガス成分をも低減し、極めて高純度で高
特性の磁性薄膜を得ることができることを見出
し、本発明を完成させた。 以下、本発明につき詳細に説明する。 なお、本明細書において、「％」は「重量％」
を表すものである。 本発明の蒸着用コバルト基合金は、真空蒸着あ
るいはスパツタリング、イオンプレーテイング等
の蒸着用材料として用いられ、磁性薄膜の製造時
に利用されるものであつて、その組成は、下記の
通りである。 Co：40〜92％ 第Ａ族元素よりなる群から選ばれる１種以上
（２種以上の場合はそれらの合計量）：３〜30％ Nb及び／又はTa（Nb及びTaの場合はNb及び
Taの合計量）：５〜30％ Ca：10〜200ppm Ｏ ：200ppm以下 Ｎ ：50ppm以下 以下に本発明の合金組成の限定理由について説
明する。 本発明の蒸着用コバルト基合金において、Co
は40〜92％、第Ａ族元素は３〜30％、Nb及
び／又はTaは５〜30％とする。これは、この範
囲において最も優れた高透磁率が得られるためで
あつて、好ましい含有率はCo60〜80％、第Ａ
族元素10〜20％、Nb及び／又はTa5〜20％であ
る。 なお、第Ａ族元素としては、Zr，Hf，Tiの
１種又は２種以上が挙げられる。 本発明においては、合金中のTi等の第Ａ族
元素は、合金の溶製を行なう際に、Caと共に合
金の清浄化に作用し、また蒸着雰囲気中にてガス
成分を捕捉するゲツタ作用を有する。なお、第
Ａ族元素は、固溶Ti等の固溶金属の形態で合金
中に存在することにより、本発明の効果を奏する
ものであるので、第Ａ族元素の存在形態は固溶
状態であることが重要である。 Caは前述の如くTi等の第Ａ族元素と共に合
金の清浄化に作用し、またゲツタ作用を奏する。
Caは、その含有量があまりに多過ぎると合金特
性に影響を及ぼし、また、金属間化合物の析出に
より合金を脆くすることがある。このため、本発
明においてはCa含有量は200ppm以下とする。一
方、Ca含有量は少な過ぎてもCaによる十分な清
浄化作用及びゲツタ作用が現れない。このような
ことから、Ca含有量は10〜200ppm、特に10〜
100ppmの範囲とするのが好ましい。なお、Caは
CaOないしCaO−Al2O3の形態では本発明の効果
は奏し得ないことから、合金中のCaの存在形態
は金属Caであることが重要である。 合金中のＯ、Ｎの量が多いと、蒸着に使用した
際に、蒸着雰囲気の真空度を悪化させたり、また
良好な蒸着が行なえず、高特性の磁性薄膜が得ら
れない。このため、合金中のＯ含有量は200ppm
以下、好ましくは100ppm以下、Ｎ含有量は
50ppm以下、好ましくは30ppm以下とする。 本発明においては、また合金中に必要に応じて
Alを含有させても良い。AlはCaと共に合金の清
浄化に作用し、またゲツタ作用を奏する。ただし
Alは、その量があまりに多過ぎ、合金特性に影
響を及ぼす量であつては好ましくなく、このため
本発明においては、Al2％以下とする。Alもまた
その存在形態は固溶Alであることが重要である。 なお、本発明において、Si、Mn、Ｐ、Ｓ等の
不純物が合金中に不可避的に含有されるのは、特
に問題とはならないが、上述したことと同様の理
由から、本発明において、合金中の他の不純物は
できるだけ少なくするのが良く、例えば、Si含有
量は0.1％以下、Mn含有量は0.05％以下、Ｐ含有
量は50ppm以下、Ｓ含有量は10ppm以下とするの
が好ましい。 このような本発明の蒸着用コバルト基合金は、
例えば、以下に説明する方法に従つて製造するこ
とができる。 即ち、まず、合金化のためのCo、第Ａ族元
素並びにNb及び／又はTa、必要に応じてAl等の
金属又は合金材料を、内面がCaO質耐火材で構成
された容器中で、真空又はアルゴン等の不活性ガ
ス雰囲気等の非酸化性雰囲気にて、常法例えば高
周波あるいは低周波誘導加熱法等で加熱して溶解
することにより、所望の組成の合金溶湯を得る。 本発明において、用いられる容器の内面を構成
するCaO質耐火材としては、カルシア（CaO）、
ラルナイト（安定化2CaO・SiO2）、メルウイナ
イト（3CaO・MgO・2SiO2）、アノルサイト
（CaO・Al2O3・2SiO2）ならびにCaOを富化した
ドロマイト等が挙げられるが、特に、電融カルシ
アが好適である。 このようなカルシア質炉材は、そのCaO含有率
が40％以上、特に60％以上のものが好ましい。 CaOは高融点であると共に、高温で極めて安定
であり、溶製にあたり、金属酸化物を生成して溶
湯を不純物により汚染することがなく、高清浄な
溶湯を得ることが可能とされる。 特に、CaO含有量の高いCaO質耐火材で内面が
構成された容器を用いた場合には、脱Ｏ、脱Ｓ、
脱介在物等の精錬作用も奏され、極めて有利であ
る。 しかも、溶湯中にTi等の活性な第Ａ族元素
が存在するため、溶湯中の脱Ｏ、脱Ｓ、脱Ｎが行
なわれ、また、溶湯中へのCaの溶出もおこる。
即ち、例えばTiは溶湯中のＯ及び炉壁のCaOと
溶湯中のＳと反応して CaO＋Ｓ→CaS＋Ｏ となつて生じたＯと反応して、 Ti＋2O→TiO2 となり、TiO2を生じる。生じたTiO2はCaOと反
応してるつぼ壁に吸収される。 CaO＋TiO2→CaO・TiO2 また溶湯中のTiは炉壁のCaOと反応して、 Ti＋2CaO→TiO2＋2Ca となり、これによつてもTiO2が生じる。（この場
合、生じたCaは殆ど溶解せずに、ガスとなつて
系外に抜けるが、一部が合金中に残留して、本発
明の合金のCa含有量を満足させる。） このようにしてTiにより脱Ｏが行われる。 また溶湯中のＮは前述のTiとCaOとの反応に
より生じたCa等の蒸発（沸騰）等に伴つて溶湯
中から離脱し、溶湯中のＮ量も低減される。 Alが加わつた場合、Tiの作用を補完し、更に
Tiと同様の作用により脱Ｏ、脱Ｓ、脱Ｎを行な
う。 従つて、内面がCaO質耐火材で構成された容器
中で溶製を行なうことにより、本発明の低Ｏ、低
Ｎ含有量のコバルト基合金を容易に得ることがで
きる。 ところで、本発明においては、溶製に用いる容
器の内面を、特に電融カルシアよりなるものとす
ることにより、活性な第Ａ族元素の添加により
溶湯中へのCaのコンタミを低減し、得られる合
金中のCa含有量を容易に本発明の範囲即ち10〜
200ppmとすることができる。 このようにして得られた合金溶湯を、常法に従
つて非酸化性雰囲気下で鋳造する。 このような方法によれば、Co40〜92％、第
Ａ族元素３〜30％、Nb及び／又はTa5〜30％、
Ca10〜200ppm、0200ppm以下、N50ppm以下よ
りなる本発明の蒸着用コバルト基合金を極めて容
易に製造することができる。 ［作用］ 本発明の蒸着用コバルト基合金は、Ｏ、Ｎ含有
量が少ないため、高特性の磁性薄膜を得ることが
できる。 また、本発明の蒸着用コバルト基合金に含有さ
れるTi等の第Ａ族元素、Caは、真空蒸着又は
スパツタリング等の蒸着雰囲気中にて、 Ti＋O2→TiO2 Ti＋N2→TiN2 2Ca＋O2→2CaO 3Ca＋N2→Ca3N2 のように反応して、雰囲気中のガス成分を低下さ
せる、いわゆるゲツタ作用を奏する。 このため、蒸着時の薄膜形成安定性及び形成速
度を向上させると共に、得られる薄膜は高純度で
磁気特性が大幅に改善され、高特性薄膜を高生産
効率で製造することを可能とする。 ［実施例］ 以下、実施例について説明する。 実施例１、比較例１、３ CaO98％以上のCaO質耐火材（実施例１）、
MgO質耐火材（比較例１）及びAl2O3質耐火材
（比較例２）で内面が構成された容器を用い、そ
れぞれCo−15Zr−8Nb合金の溶製を行ない、第
１表に示す組成の合金を得た。 また、粉末治金法（比較例１）にて、第１表に
示す組成の合金を得た。
気記録材料として用いられる薄膜の製造に好適な
蒸着用コバルト基合金に関する。 ［従来の技術］ 非磁性基板上に磁性合金薄膜を形成した磁気記
録材料は周知である。 この磁気記録材料の薄膜を製造する方法として
は、スパツタリングや真空蒸着、イオンプレーテ
イング等の蒸着法が広く用いられている。 特にスパツタリング法は、均一な内部組成で一
定の合金元素を含んだターゲツト材が得られさえ
すれば、スパツタリング装置内の圧力をコントロ
ールしながら組成的に均一な薄膜を得ることがで
きる点で有利である。 磁性合金薄膜を形成する強磁性合金としては、
鉄合金、ニツケル合金、コバルト合金などが従来
より用いられている。しかして、コバルト合金の
うち、Ti，Zr，Hfの第Ａ族元素及びTa、Nb
の第VA族元素を含有するコバルト基合金は、優
れた高透磁率材料として開発がすすめられてい
る。 ［発明が解決しようとする問題点］ 従来より用いられている磁性合金について種々
検討を重ねたところ、酸素、窒素、硫黄、炭素、
その他金属酸化物等の介在物が比較的多量に含ま
れており、得られる薄膜の磁気特性に多大な悪影
響をもたらすことが認められた。 しかしながら、第Ａ族元素及び第VA族元素
を含むコバルト基合金は、第IVA族元素が非常
に活性であること及び第VA族元素が非常に高融
点であることから、通常の溶解方法では溶解が困
難であるか、或いは溶解できても均質で不純物含
有量の少ない合金を得ることはできなかつた。 このため、現在、このようなコバルト基合金の
製造方法としては、粉末治金法が主流となつてい
るが、粉末治金法による合金からは、高特性の良
好な非晶質薄膜を得ることはできなかつた。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は上記従来の実情に鑑み、不純物含有量
の少ない高特性磁性薄膜を安定かつ効率的に得る
ことができる蒸着用コバルト基合金を提供するべ
くなされたものであつて、 Co：40〜92重量％、第Ａ族元素よりなる群
から選ばれる１種以上の元素：合計で３〜30重量
％、Nb及び／又はTa：合計で５〜30重量％、
Ca：10〜200ppm以下、不純物たる０：200ppm
以下、不純物たるＮ：50ppm以下よりなる蒸着用
コバルト基合金、 を要旨とするものである。 即ち、本発明者は、蒸着用合金の不純物に起因
する問題を解決し、高特性磁性薄膜を得るべく、
鋭意検討を重ねた結果、第Ａ族元素並びにNb
及び／又はTaを含有する蒸着用コバルト基合金
中に、特定量のCaを含有させることにより、不
純物含有量の少ない合金が得られ、しかもCaと
第Ａ族元素とによるゲツタ作用により、蒸着雰
囲気中のガス成分をも低減し、極めて高純度で高
特性の磁性薄膜を得ることができることを見出
し、本発明を完成させた。 以下、本発明につき詳細に説明する。 なお、本明細書において、「％」は「重量％」
を表すものである。 本発明の蒸着用コバルト基合金は、真空蒸着あ
るいはスパツタリング、イオンプレーテイング等
の蒸着用材料として用いられ、磁性薄膜の製造時
に利用されるものであつて、その組成は、下記の
通りである。 Co：40〜92％ 第Ａ族元素よりなる群から選ばれる１種以上
（２種以上の場合はそれらの合計量）：３〜30％ Nb及び／又はTa（Nb及びTaの場合はNb及び
Taの合計量）：５〜30％ Ca：10〜200ppm Ｏ ：200ppm以下 Ｎ ：50ppm以下 以下に本発明の合金組成の限定理由について説
明する。 本発明の蒸着用コバルト基合金において、Co
は40〜92％、第Ａ族元素は３〜30％、Nb及
び／又はTaは５〜30％とする。これは、この範
囲において最も優れた高透磁率が得られるためで
あつて、好ましい含有率はCo60〜80％、第Ａ
族元素10〜20％、Nb及び／又はTa5〜20％であ
る。 なお、第Ａ族元素としては、Zr，Hf，Tiの
１種又は２種以上が挙げられる。 本発明においては、合金中のTi等の第Ａ族
元素は、合金の溶製を行なう際に、Caと共に合
金の清浄化に作用し、また蒸着雰囲気中にてガス
成分を捕捉するゲツタ作用を有する。なお、第
Ａ族元素は、固溶Ti等の固溶金属の形態で合金
中に存在することにより、本発明の効果を奏する
ものであるので、第Ａ族元素の存在形態は固溶
状態であることが重要である。 Caは前述の如くTi等の第Ａ族元素と共に合
金の清浄化に作用し、またゲツタ作用を奏する。
Caは、その含有量があまりに多過ぎると合金特
性に影響を及ぼし、また、金属間化合物の析出に
より合金を脆くすることがある。このため、本発
明においてはCa含有量は200ppm以下とする。一
方、Ca含有量は少な過ぎてもCaによる十分な清
浄化作用及びゲツタ作用が現れない。このような
ことから、Ca含有量は10〜200ppm、特に10〜
100ppmの範囲とするのが好ましい。なお、Caは
CaOないしCaO−Al2O3の形態では本発明の効果
は奏し得ないことから、合金中のCaの存在形態
は金属Caであることが重要である。 合金中のＯ、Ｎの量が多いと、蒸着に使用した
際に、蒸着雰囲気の真空度を悪化させたり、また
良好な蒸着が行なえず、高特性の磁性薄膜が得ら
れない。このため、合金中のＯ含有量は200ppm
以下、好ましくは100ppm以下、Ｎ含有量は
50ppm以下、好ましくは30ppm以下とする。 本発明においては、また合金中に必要に応じて
Alを含有させても良い。AlはCaと共に合金の清
浄化に作用し、またゲツタ作用を奏する。ただし
Alは、その量があまりに多過ぎ、合金特性に影
響を及ぼす量であつては好ましくなく、このため
本発明においては、Al2％以下とする。Alもまた
その存在形態は固溶Alであることが重要である。 なお、本発明において、Si、Mn、Ｐ、Ｓ等の
不純物が合金中に不可避的に含有されるのは、特
に問題とはならないが、上述したことと同様の理
由から、本発明において、合金中の他の不純物は
できるだけ少なくするのが良く、例えば、Si含有
量は0.1％以下、Mn含有量は0.05％以下、Ｐ含有
量は50ppm以下、Ｓ含有量は10ppm以下とするの
が好ましい。 このような本発明の蒸着用コバルト基合金は、
例えば、以下に説明する方法に従つて製造するこ
とができる。 即ち、まず、合金化のためのCo、第Ａ族元
素並びにNb及び／又はTa、必要に応じてAl等の
金属又は合金材料を、内面がCaO質耐火材で構成
された容器中で、真空又はアルゴン等の不活性ガ
ス雰囲気等の非酸化性雰囲気にて、常法例えば高
周波あるいは低周波誘導加熱法等で加熱して溶解
することにより、所望の組成の合金溶湯を得る。 本発明において、用いられる容器の内面を構成
するCaO質耐火材としては、カルシア（CaO）、
ラルナイト（安定化2CaO・SiO2）、メルウイナ
イト（3CaO・MgO・2SiO2）、アノルサイト
（CaO・Al2O3・2SiO2）ならびにCaOを富化した
ドロマイト等が挙げられるが、特に、電融カルシ
アが好適である。 このようなカルシア質炉材は、そのCaO含有率
が40％以上、特に60％以上のものが好ましい。 CaOは高融点であると共に、高温で極めて安定
であり、溶製にあたり、金属酸化物を生成して溶
湯を不純物により汚染することがなく、高清浄な
溶湯を得ることが可能とされる。 特に、CaO含有量の高いCaO質耐火材で内面が
構成された容器を用いた場合には、脱Ｏ、脱Ｓ、
脱介在物等の精錬作用も奏され、極めて有利であ
る。 しかも、溶湯中にTi等の活性な第Ａ族元素
が存在するため、溶湯中の脱Ｏ、脱Ｓ、脱Ｎが行
なわれ、また、溶湯中へのCaの溶出もおこる。
即ち、例えばTiは溶湯中のＯ及び炉壁のCaOと
溶湯中のＳと反応して CaO＋Ｓ→CaS＋Ｏ となつて生じたＯと反応して、 Ti＋2O→TiO2 となり、TiO2を生じる。生じたTiO2はCaOと反
応してるつぼ壁に吸収される。 CaO＋TiO2→CaO・TiO2 また溶湯中のTiは炉壁のCaOと反応して、 Ti＋2CaO→TiO2＋2Ca となり、これによつてもTiO2が生じる。（この場
合、生じたCaは殆ど溶解せずに、ガスとなつて
系外に抜けるが、一部が合金中に残留して、本発
明の合金のCa含有量を満足させる。） このようにしてTiにより脱Ｏが行われる。 また溶湯中のＮは前述のTiとCaOとの反応に
より生じたCa等の蒸発（沸騰）等に伴つて溶湯
中から離脱し、溶湯中のＮ量も低減される。 Alが加わつた場合、Tiの作用を補完し、更に
Tiと同様の作用により脱Ｏ、脱Ｓ、脱Ｎを行な
う。 従つて、内面がCaO質耐火材で構成された容器
中で溶製を行なうことにより、本発明の低Ｏ、低
Ｎ含有量のコバルト基合金を容易に得ることがで
きる。 ところで、本発明においては、溶製に用いる容
器の内面を、特に電融カルシアよりなるものとす
ることにより、活性な第Ａ族元素の添加により
溶湯中へのCaのコンタミを低減し、得られる合
金中のCa含有量を容易に本発明の範囲即ち10〜
200ppmとすることができる。 このようにして得られた合金溶湯を、常法に従
つて非酸化性雰囲気下で鋳造する。 このような方法によれば、Co40〜92％、第
Ａ族元素３〜30％、Nb及び／又はTa5〜30％、
Ca10〜200ppm、0200ppm以下、N50ppm以下よ
りなる本発明の蒸着用コバルト基合金を極めて容
易に製造することができる。 ［作用］ 本発明の蒸着用コバルト基合金は、Ｏ、Ｎ含有
量が少ないため、高特性の磁性薄膜を得ることが
できる。 また、本発明の蒸着用コバルト基合金に含有さ
れるTi等の第Ａ族元素、Caは、真空蒸着又は
スパツタリング等の蒸着雰囲気中にて、 Ti＋O2→TiO2 Ti＋N2→TiN2 2Ca＋O2→2CaO 3Ca＋N2→Ca3N2 のように反応して、雰囲気中のガス成分を低下さ
せる、いわゆるゲツタ作用を奏する。 このため、蒸着時の薄膜形成安定性及び形成速
度を向上させると共に、得られる薄膜は高純度で
磁気特性が大幅に改善され、高特性薄膜を高生産
効率で製造することを可能とする。 ［実施例］ 以下、実施例について説明する。 実施例１、比較例１、３ CaO98％以上のCaO質耐火材（実施例１）、
MgO質耐火材（比較例１）及びAl2O3質耐火材
（比較例２）で内面が構成された容器を用い、そ
れぞれCo−15Zr−8Nb合金の溶製を行ない、第
１表に示す組成の合金を得た。 また、粉末治金法（比較例１）にて、第１表に
示す組成の合金を得た。
【表】
各コバルト基合金を蒸着用材料として用い、下
記仕様のスパツタリング装置にて、直径10cmのガ
ラス基盤上に薄膜を形成した。なお、基盤加熱温
度は100℃とした。 スパツタリング装置仕様 (1) ターゲツトサイズ 直径４インチ (2) 到達圧力 10-7torr (3) スパツタリングレート（基盤固定時）
4000Å／min スパツタ電力を変えて、各蒸着用材料により形
成された薄膜の膜厚を調べた結果を、それぞれ第
１図に示す。 第１図より、本発明の蒸着用コバルト基合金
は、膜形成効率が高いことが認められる。 また、上記スパツタリング装置及び基盤を用
い、第１表の各蒸着用合金にて、Ar圧又は基板
加熱温度を変えて、それぞれ2μｍ厚さの薄膜を
形成して薄膜材料を製造した。なお、スパツタ電
力は300Wで行なつた。 得られた薄膜材料の保磁率Hc及び透磁率μを
調べ、基盤加熱温度又はAr圧との関係をそれぞ
れ第２図、第３図に示す。 第２図及び第３図より、本発明の蒸着用コバル
ト基合金によれば、保磁率が低く高透磁率の磁気
記録材料が得られることが認められる。 ［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明の蒸着用コバルト基
合金は、Ｏ、Ｎ含有量が少ない上に、第Ａ族元
素とCaによるゲツタ作用により、蒸着雰囲気中
のガス成分が大幅に低減される。 このため、蒸着により膜形成安定性及び膜形成
速度が向上されるとともに、得られる薄膜は高純
度で極めて磁気特性に優れたものとなる。 従つて、本発明の蒸着用コバルト基合金によれ
ば、高特性薄膜を高効率で得ることができ、本発
明の蒸着用コバルト基合金は、光磁気記録材料の
薄膜製造用蒸着材料として極めて有用である。
記仕様のスパツタリング装置にて、直径10cmのガ
ラス基盤上に薄膜を形成した。なお、基盤加熱温
度は100℃とした。 スパツタリング装置仕様 (1) ターゲツトサイズ 直径４インチ (2) 到達圧力 10-7torr (3) スパツタリングレート（基盤固定時）
4000Å／min スパツタ電力を変えて、各蒸着用材料により形
成された薄膜の膜厚を調べた結果を、それぞれ第
１図に示す。 第１図より、本発明の蒸着用コバルト基合金
は、膜形成効率が高いことが認められる。 また、上記スパツタリング装置及び基盤を用
い、第１表の各蒸着用合金にて、Ar圧又は基板
加熱温度を変えて、それぞれ2μｍ厚さの薄膜を
形成して薄膜材料を製造した。なお、スパツタ電
力は300Wで行なつた。 得られた薄膜材料の保磁率Hc及び透磁率μを
調べ、基盤加熱温度又はAr圧との関係をそれぞ
れ第２図、第３図に示す。 第２図及び第３図より、本発明の蒸着用コバル
ト基合金によれば、保磁率が低く高透磁率の磁気
記録材料が得られることが認められる。 ［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明の蒸着用コバルト基
合金は、Ｏ、Ｎ含有量が少ない上に、第Ａ族元
素とCaによるゲツタ作用により、蒸着雰囲気中
のガス成分が大幅に低減される。 このため、蒸着により膜形成安定性及び膜形成
速度が向上されるとともに、得られる薄膜は高純
度で極めて磁気特性に優れたものとなる。 従つて、本発明の蒸着用コバルト基合金によれ
ば、高特性薄膜を高効率で得ることができ、本発
明の蒸着用コバルト基合金は、光磁気記録材料の
薄膜製造用蒸着材料として極めて有用である。
第１図ないし第３図の各図は実施例１で得られ
た結果を示すグラフであつて、第１図は、スパツ
タ電圧と得られる膜厚との関係を示し、第２図及
び第３図は、それぞれ、基盤加熱温度、アルゴン
圧と保磁率、透磁率との関係を示す。
た結果を示すグラフであつて、第１図は、スパツ
タ電圧と得られる膜厚との関係を示し、第２図及
び第３図は、それぞれ、基盤加熱温度、アルゴン
圧と保磁率、透磁率との関係を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Co：40〜92重量％、 第Ａ族元素よりなる群から選ばれる１種以上
の元素：合計で３〜30重量％、 Nb及び／又はTa：合計で５〜30重量％、 Ca：10〜200ppm以下、 不純物たるＯ：200ppm以下、 不純物たるＮ：50ppm以下よりなる蒸着用コバ
ルト基合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4210887A JPS63210269A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 蒸着用コバルト基合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4210887A JPS63210269A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 蒸着用コバルト基合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210269A JPS63210269A (ja) | 1988-08-31 |
| JPH049855B2 true JPH049855B2 (ja) | 1992-02-21 |
Family
ID=12626764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4210887A Granted JPS63210269A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | 蒸着用コバルト基合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63210269A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02301531A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 水素吸蔵合金の製造方法 |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP4210887A patent/JPS63210269A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63210269A (ja) | 1988-08-31 |
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