JPH0364586B2 - - Google Patents
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- JPH0364586B2 JPH0364586B2 JP24435986A JP24435986A JPH0364586B2 JP H0364586 B2 JPH0364586 B2 JP H0364586B2 JP 24435986 A JP24435986 A JP 24435986A JP 24435986 A JP24435986 A JP 24435986A JP H0364586 B2 JPH0364586 B2 JP H0364586B2
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- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 48
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 23
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 24
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 22
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052661 anorthite Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- JHLNERQLKQQLRZ-UHFFFAOYSA-N calcium silicate Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] JHLNERQLKQQLRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N dialuminum;calcium;disilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GWWPLLOVYSCJIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000514 dolomite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010459 dolomite Substances 0.000 description 1
- -1 etc. Substances 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は蒸着用Ni−Fe基合金に係り、特にそ
の高透磁率を利用したヘツド材や磁気記録材料の
下地材料として用いられる薄膜の製造に好適な蒸
着用Ni−Fe基合金に関する。 ［従来の技術］ 非磁性基板上に磁性合金薄膜を形成した磁気記
録材料は周知である。 この磁気記録材料の薄膜を製造する方法として
は、スパツタリングや真空蒸着、イオンプレーテ
イング等の蒸着法が広く用いられている。 特に、スパツタリング法は、均一な内部組成で
一定の合金元素を含んだターゲツト材が得られさ
えすれば、スパツタリング装置内の圧力をコント
ロールしながら組成的に均一な薄膜を得ることが
できる点で有利である。 磁性合金薄膜を形成する強磁性合金としては、
ニツケル合金、コバルト合金、鉄合金などが従来
より用いられているが、これらのうち、Ni−Fe
基合金は、透磁率が大きいことから種々のものが
実用されている。例えばNi−Fe系の35〜90％Ni
合金は高い透磁率を有する合金という意味でパー
マロイ（Pemalloy）と称され、特に70〜80％Ni
合金はパーマロイＡ（PA）と称し、弱磁場で初透
磁率μo、最大透磁率μｍが大きい。特に近年は
薄膜ヘツドと共に、垂直磁気記録材料の下地材と
して注目されている。 ［発明が解決しようとする問題点］ 従来より用いられている磁性合金について種々
検討を重ねたところ、酸素、窒素、硫黄、炭素、
その他金属酸化物等の介在物が比較的多量に含ま
れており、得られる薄膜の磁気特性に多大な悪影
響をもたらすことが認められた。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は上記従来の実情に鑑み、不純物含有量
の少ない高特性磁性薄膜を安定かつ効率的に得る
ことができる蒸着用Ni−Fe基合金を提供するべ
くなされたものであつて、 Ni35〜85重量％、Al1重量％以下、Ca及び／
又はMg300ppm以下、並びに、不純物として
O30ppm以下及びN30ppm以下を含有し、残部が
実質的にFeであることを特徴とする蒸着用Ni−
Fe基合金、及び Ni35〜85重量％、Al1重量％以下、Ti1重量％
以下、Ca及び／又はMg300ppm以下、並びに、
不純物としてO30ppm以下及びN30ppm以下を含
有し、残部が実質的にFeであることを特徴とす
る蒸着用Ni−Fe基合金、 を要旨とするものである。 即ち、本発明者は、蒸着用合金の不純物に起因
する問題を解決し、高特性磁性薄膜を得るべく、
鋭意検討を重ねた結果、蒸着用Ni−Fe基合金中
に、特定量のCa及び／又はMgと、Alあるいは
Al及びTiとを含有させることにより、不純物含
有量の少ない合金が得られ、しかもCa及び／又
はMgとAl及び／又はTiとによるゲツタ作用によ
り、蒸着雰囲気中のガス成分をも低減し、極めて
高純度で高特性の磁性薄膜を得ることができるこ
とを身出し、本発明を完成させた。 以下、本発明につき詳細に説明する。 なお、本明細書において、「％」は「重量％」
を表すものである。 本発明の蒸着用Ni−Fe基合金は、真空蒸着あ
るいはスパツタリング、イオンプレーテイング等
の蒸着用材料として用いられ、磁性薄膜の製造等
に利用されるものであつて、その組成は、下記の
通りである。 Ni：35〜85％ Fe：残部 Al：１％以下 Ti：含有せず（第１の発明）あるいは１％以下
（第２の発明） Ca及び／又はMg：300ppm以下 Ｏ：30ppm以下 Ｎ：30ppm 以下に本発明の合金組成の限定理由について説
明する。 本発明の蒸着用Ni−Fe基合金において、Niは
35〜85％とする。これは、この範囲のNi含有率
にて、極めて高い透磁率が得らるためであつて、
好ましいNi含有率は70〜85％、特に78.5％とする
ことにより、著しく高い透磁率が得られる。 Al及びTiは、合金の溶製を行なう際に、Ca、
Mgと共に合金の清浄化に作用し、また蒸着雰囲
気中にてガス成分を補足するゲツタ作用を有す
る。ただし、Al、Tiはその量があまりに多過ぎ、
合金特性に影響を及ぼす量であつては好ましくな
く、このため本発明においては、各々１％以下と
する。当然のことながら、Al、Tiは、その量が
あまりに少な過ぎると上記清浄化作用及びゲツタ
作用による十分な効果が得られない。本発明にお
いては、Al0.005〜0.5％、あるいは、Al0.005〜
0.5％及びTi0.5％以下、より好ましくはAl0.05〜
0.2％、あるいは、Al0.05〜0.2％及びTi0.2％以下
とするのが望ましい。なお、Al又はTiは、固溶
Al又は固溶Tiの形態で合金中に存在することに
より、本発明の効果を奏するものであるので、
Al又はTiの存在形態は固溶状態であることが重
要である。 Ca、Mgは前述の如くAl及び／又はTiと共に
合金の清浄化に作用し、またゲツタ作用を奏す
る。Ca及びMgは、その含有量があまりに多過ぎ
ると合金特性に影響を及ぼし、また、金属間化合
物の析出により合金を脆くすることがある。この
ため、本発明においてはCa及び／又はMgの含有
量は300ppm以下とする。一方、Ca及び／又は
Mgの含有量は少な過ぎてもCa、Mgによる十分
な清浄化作用及びゲツタ作用が現れない。このよ
うなことから、Ca、Ng含有量は、各々、５〜
100ppmの範囲、好ましくは各々10〜50ppmの範
囲とするのが好ましい。なお、CaはCaOないし
CaO−Al2O3の形態では本発明の効果は奏し得
ず、同様に、MgはMgOの形態では本発明の効果
を奏し得ないことから、合金中のCa、Mgの存在
形態は金属Ca、金属Mgであることが重量であ
る。 合金中の不純物であるＯ、Ｎの量が多いと、蒸
着に使用した際に、蒸着雰囲気の真空度を悪化さ
せたり、また良好な蒸着が行なえず、高特性の磁
性薄膜が得られない。このため、合金中のＯ含有
量は30ppm以下、好ましくは10ppm以下、Ｎ含有
量は30ppm以下、好ましくは10ppm以下とする。 なお、本発明において、Si、Mn、Ｐ、Ｓ等の
不純物が合金中に不可避的に含有されるのは、特
に問題とはならないが、上述したことと同様の理
由から、本発明において、合金中の他の不純物は
できるだけ少なくするのが良く、例えば、Si含有
量は0.1％以下、Mn含有量は0.05％以下、Ｐ含有
量は50ppm以下、Ｓ含有量は10ppm以下とするの
が好ましい。 このような本発明の蒸着用Ni−Fe基合金は、
例えば、以下に説明する方法に従つて製造するこ
とができる。 即ち、まず、合金化のためのNi、Fe、Al、場
合により更にTiの金属又は合金材料を、内面が
CaO質耐火材で構成された容器中で、真空又はア
ルゴン等の不活性ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気
にて、常法例えば高周波あるいは低周波誘導加熱
法等で加熱して溶解することにより、所望の組成
の合金溶湯を得る。 本発明において、用いられる容器の内面を構成
するCaO質耐火材としては、カルシア（CaO）、
ラルナイト（安定化2CaO・BiO2）、メルウイナ
イト（3CaO・MgO・2BiO2）、アノルサイト
（CaO・Al2O3・2SiO2）ならびにCaOを富化した
ドロマイト等が挙げられるが、特に、電融カルシ
アが好適である。 このようなカルシア質炉材は、そのCaO含有率
が40％以上、特に60％以上のものが好ましい。 CaOは高融点であると共に、高温で極めて安定
であり、溶製にあたり、金属酸化物を生成して溶
湯を不純物により汚染することがなく、高清浄を
溶湯を得ることが可能とされる。 特に、CaO含有量の高いCaO質耐火材で内面が
構成された容器を用いた場合には、脱Ｏ、脱Ｓ、
脱介在物等の精錬作用も奏され、極めて有利であ
る。 しかも、溶湯中にAlあるいはAl及びTiが存在
するため、溶湯中の脱Ｏ、脱Ｓが行なわれ、これ
に伴つて脱Ｎも起こる。また、炉壁材のCaOと
Alとの反応により溶湯中へのCaの溶出もおこる。
即ち、Alは溶湯中のＯ及び炉壁のCaOと溶湯中
のＳと反応して CaO＋Ｓ→CaS＋Ｏ となつて生じたＯと反応して、 2Al＋3O→Al2O3 となり、Al2O3を生じる。また溶湯中のAlは炉壁
のCaOと反応して 2Al＋3CaO→Al2O3＋3Ca（ｇ） となり、これによつてもAl2O3が生じる。（この
場合、生じたCaは、ガスとなつて系外に抜ける
が、一部が合金中に残留して、本発明の合金の
Ca含有量を満足させる。） Al2O3は次式の如く炉壁のCaOと反応して、
3CaO・Al2O3又は12CaO・7Al2O3の活性な層が
炉壁表面に形成される。 Al2O3＋3CaO→3CaO・Al2O3 7Al2O3＋12CaO→12CaO・7Al2O3 この12CaO・7Al2O3及び3CaO・Al2O3、特に
3CaO・Al2O3は溶湯の脱Ｓ能が高く、脱Ｓが良
好に進行する。 このように、Alにより脱Ｏが、またAlの還元
作用により生じた活性な3CaO・Al2O3、
12CaO・7Al2O3やCaOにより脱Ｓが行なわれる。 また、耐火材がCaO−MgO系の容器を用いて
溶製を行なつた場合、Caと共にMgの溶出も見ら
れ、溶湯中に金属態Mgが残留し、Caと同様に蒸
着時にゲツタ作用を奏し、その効果を補完し、更
に強力なものとする。即ち、炉壁のMgOは 3MgO＋CaO＋2Al →CaO・Al2O3＋3Mg(g) となり、生じたMgの一部が合金中に残留する。 また溶湯中のＮは前述のAlとCaOとの反応に
より生じたCa等の蒸発（沸騰）等に伴つて溶湯
中から離脱し、溶湯中のＮ量も低減される。 Tiが加わつた場合、Alの作用を補完し、更に
Alと同様の作用により脱Ｏ、脱Ｓ、脱Ｎを行な
う。 従つて、内面がCaO質耐火材で構成された容器
中で溶製を行なうことにより、本発明の低Ｏ、低
Ｎ含有量のNi−Fe基合金を容易に得ることがで
きる。 ところで、本発明においては、内面がCaO質耐
火材で構成された容器中にて溶製する際に、Al
あるいはAl及びTiを冷却固化後のAlあるいはAl
及びTi残留量が本発明の範囲、即ち、Al1％以下
あるいはAl1％以下及びTi1％以下となるように
添加するのであるが、溶製に用いる容器の内面
を、特にCaO及びMgO（MgO含有率60〜15％）
のカルシア系耐火物よりなるものとすることによ
り、AlあるいはAl及びTiの添加により、溶湯中
へのCaだけでなくMgの溶出も認められ、得られ
る合金中のCa、Mg含有量を容易に本発明の範囲
即ち300ppm以下とすることができる。 このようにして得られた合金溶湯を、常法に従
つて非酸化性雰囲気下で鋳造する。 このような方法によれば、Ni35〜80％、Al1％
以下、場合により更にTi1％以下、Ca及び／又は
Mg300ppm以下、並びに、不純物として030ppm
以下及びN30ppm以下を含有し、残部が実質的に
Feである本発明の蒸着用Ni−Fe基合金を極めて
容易に製造することができる。 ［作用］ 本発明の蒸着用Ni−Fe基合金は、不純物であ
るＯ、Ｎ含有量が少ないため、高特性の磁性薄膜
を得ることができる。 また、本発明の蒸着用Ni−Fe基合金に含有さ
れるAl及びTi、Ca、Mgは、真空蒸着又はスパ
ツタリング等の蒸着雰囲気中にて、 4Al＋3O2→2Al2O3 2Al＋N2→2AlN 2Ca＋O2→2CaO 3Ca＋N2→Ca3N2 のように反応して、雰囲気中のガス成分を低下さ
せる、いわゆるゲツタ作用を奏する。 Ti、Mgについても同様にそれぞれAl、Caの
作用を下式のように補完して良好なゲツタ作用を
奏する。 Ti＋O2→TiO2 Ti＋N2→TiN2 2Mg＋O2→2MgO 3MgO＋N2→Mg3N2 このため、蒸着時の薄膜形成安定性及び形成速
度を向上させると共に、得られる薄膜は高純度で
磁気特性が大幅に改善され、高特性薄膜を高生産
高率で製造することを可能とする。 ［実施例］ 以下、実施例について説明する。 実施例 １ 第１表に示す組成のNi−Fe基合金を蒸着用材
料として用い、下記仕様のスパツタリング装置に
て、直径10cmのガラス基盤上に各３回づつ薄膜を
形成した。なお、基盤加熱温度は150℃とした。 スパツタリング装置仕様 マグネトロンタイプ高周波スパツタリング装置 最大出力：1KW 到達真空度：10-7torr ターゲツト寸法：100mm（φ）×３mm（ｔ）
の高透磁率を利用したヘツド材や磁気記録材料の
下地材料として用いられる薄膜の製造に好適な蒸
着用Ni−Fe基合金に関する。 ［従来の技術］ 非磁性基板上に磁性合金薄膜を形成した磁気記
録材料は周知である。 この磁気記録材料の薄膜を製造する方法として
は、スパツタリングや真空蒸着、イオンプレーテ
イング等の蒸着法が広く用いられている。 特に、スパツタリング法は、均一な内部組成で
一定の合金元素を含んだターゲツト材が得られさ
えすれば、スパツタリング装置内の圧力をコント
ロールしながら組成的に均一な薄膜を得ることが
できる点で有利である。 磁性合金薄膜を形成する強磁性合金としては、
ニツケル合金、コバルト合金、鉄合金などが従来
より用いられているが、これらのうち、Ni−Fe
基合金は、透磁率が大きいことから種々のものが
実用されている。例えばNi−Fe系の35〜90％Ni
合金は高い透磁率を有する合金という意味でパー
マロイ（Pemalloy）と称され、特に70〜80％Ni
合金はパーマロイＡ（PA）と称し、弱磁場で初透
磁率μo、最大透磁率μｍが大きい。特に近年は
薄膜ヘツドと共に、垂直磁気記録材料の下地材と
して注目されている。 ［発明が解決しようとする問題点］ 従来より用いられている磁性合金について種々
検討を重ねたところ、酸素、窒素、硫黄、炭素、
その他金属酸化物等の介在物が比較的多量に含ま
れており、得られる薄膜の磁気特性に多大な悪影
響をもたらすことが認められた。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は上記従来の実情に鑑み、不純物含有量
の少ない高特性磁性薄膜を安定かつ効率的に得る
ことができる蒸着用Ni−Fe基合金を提供するべ
くなされたものであつて、 Ni35〜85重量％、Al1重量％以下、Ca及び／
又はMg300ppm以下、並びに、不純物として
O30ppm以下及びN30ppm以下を含有し、残部が
実質的にFeであることを特徴とする蒸着用Ni−
Fe基合金、及び Ni35〜85重量％、Al1重量％以下、Ti1重量％
以下、Ca及び／又はMg300ppm以下、並びに、
不純物としてO30ppm以下及びN30ppm以下を含
有し、残部が実質的にFeであることを特徴とす
る蒸着用Ni−Fe基合金、 を要旨とするものである。 即ち、本発明者は、蒸着用合金の不純物に起因
する問題を解決し、高特性磁性薄膜を得るべく、
鋭意検討を重ねた結果、蒸着用Ni−Fe基合金中
に、特定量のCa及び／又はMgと、Alあるいは
Al及びTiとを含有させることにより、不純物含
有量の少ない合金が得られ、しかもCa及び／又
はMgとAl及び／又はTiとによるゲツタ作用によ
り、蒸着雰囲気中のガス成分をも低減し、極めて
高純度で高特性の磁性薄膜を得ることができるこ
とを身出し、本発明を完成させた。 以下、本発明につき詳細に説明する。 なお、本明細書において、「％」は「重量％」
を表すものである。 本発明の蒸着用Ni−Fe基合金は、真空蒸着あ
るいはスパツタリング、イオンプレーテイング等
の蒸着用材料として用いられ、磁性薄膜の製造等
に利用されるものであつて、その組成は、下記の
通りである。 Ni：35〜85％ Fe：残部 Al：１％以下 Ti：含有せず（第１の発明）あるいは１％以下
（第２の発明） Ca及び／又はMg：300ppm以下 Ｏ：30ppm以下 Ｎ：30ppm 以下に本発明の合金組成の限定理由について説
明する。 本発明の蒸着用Ni−Fe基合金において、Niは
35〜85％とする。これは、この範囲のNi含有率
にて、極めて高い透磁率が得らるためであつて、
好ましいNi含有率は70〜85％、特に78.5％とする
ことにより、著しく高い透磁率が得られる。 Al及びTiは、合金の溶製を行なう際に、Ca、
Mgと共に合金の清浄化に作用し、また蒸着雰囲
気中にてガス成分を補足するゲツタ作用を有す
る。ただし、Al、Tiはその量があまりに多過ぎ、
合金特性に影響を及ぼす量であつては好ましくな
く、このため本発明においては、各々１％以下と
する。当然のことながら、Al、Tiは、その量が
あまりに少な過ぎると上記清浄化作用及びゲツタ
作用による十分な効果が得られない。本発明にお
いては、Al0.005〜0.5％、あるいは、Al0.005〜
0.5％及びTi0.5％以下、より好ましくはAl0.05〜
0.2％、あるいは、Al0.05〜0.2％及びTi0.2％以下
とするのが望ましい。なお、Al又はTiは、固溶
Al又は固溶Tiの形態で合金中に存在することに
より、本発明の効果を奏するものであるので、
Al又はTiの存在形態は固溶状態であることが重
要である。 Ca、Mgは前述の如くAl及び／又はTiと共に
合金の清浄化に作用し、またゲツタ作用を奏す
る。Ca及びMgは、その含有量があまりに多過ぎ
ると合金特性に影響を及ぼし、また、金属間化合
物の析出により合金を脆くすることがある。この
ため、本発明においてはCa及び／又はMgの含有
量は300ppm以下とする。一方、Ca及び／又は
Mgの含有量は少な過ぎてもCa、Mgによる十分
な清浄化作用及びゲツタ作用が現れない。このよ
うなことから、Ca、Ng含有量は、各々、５〜
100ppmの範囲、好ましくは各々10〜50ppmの範
囲とするのが好ましい。なお、CaはCaOないし
CaO−Al2O3の形態では本発明の効果は奏し得
ず、同様に、MgはMgOの形態では本発明の効果
を奏し得ないことから、合金中のCa、Mgの存在
形態は金属Ca、金属Mgであることが重量であ
る。 合金中の不純物であるＯ、Ｎの量が多いと、蒸
着に使用した際に、蒸着雰囲気の真空度を悪化さ
せたり、また良好な蒸着が行なえず、高特性の磁
性薄膜が得られない。このため、合金中のＯ含有
量は30ppm以下、好ましくは10ppm以下、Ｎ含有
量は30ppm以下、好ましくは10ppm以下とする。 なお、本発明において、Si、Mn、Ｐ、Ｓ等の
不純物が合金中に不可避的に含有されるのは、特
に問題とはならないが、上述したことと同様の理
由から、本発明において、合金中の他の不純物は
できるだけ少なくするのが良く、例えば、Si含有
量は0.1％以下、Mn含有量は0.05％以下、Ｐ含有
量は50ppm以下、Ｓ含有量は10ppm以下とするの
が好ましい。 このような本発明の蒸着用Ni−Fe基合金は、
例えば、以下に説明する方法に従つて製造するこ
とができる。 即ち、まず、合金化のためのNi、Fe、Al、場
合により更にTiの金属又は合金材料を、内面が
CaO質耐火材で構成された容器中で、真空又はア
ルゴン等の不活性ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気
にて、常法例えば高周波あるいは低周波誘導加熱
法等で加熱して溶解することにより、所望の組成
の合金溶湯を得る。 本発明において、用いられる容器の内面を構成
するCaO質耐火材としては、カルシア（CaO）、
ラルナイト（安定化2CaO・BiO2）、メルウイナ
イト（3CaO・MgO・2BiO2）、アノルサイト
（CaO・Al2O3・2SiO2）ならびにCaOを富化した
ドロマイト等が挙げられるが、特に、電融カルシ
アが好適である。 このようなカルシア質炉材は、そのCaO含有率
が40％以上、特に60％以上のものが好ましい。 CaOは高融点であると共に、高温で極めて安定
であり、溶製にあたり、金属酸化物を生成して溶
湯を不純物により汚染することがなく、高清浄を
溶湯を得ることが可能とされる。 特に、CaO含有量の高いCaO質耐火材で内面が
構成された容器を用いた場合には、脱Ｏ、脱Ｓ、
脱介在物等の精錬作用も奏され、極めて有利であ
る。 しかも、溶湯中にAlあるいはAl及びTiが存在
するため、溶湯中の脱Ｏ、脱Ｓが行なわれ、これ
に伴つて脱Ｎも起こる。また、炉壁材のCaOと
Alとの反応により溶湯中へのCaの溶出もおこる。
即ち、Alは溶湯中のＯ及び炉壁のCaOと溶湯中
のＳと反応して CaO＋Ｓ→CaS＋Ｏ となつて生じたＯと反応して、 2Al＋3O→Al2O3 となり、Al2O3を生じる。また溶湯中のAlは炉壁
のCaOと反応して 2Al＋3CaO→Al2O3＋3Ca（ｇ） となり、これによつてもAl2O3が生じる。（この
場合、生じたCaは、ガスとなつて系外に抜ける
が、一部が合金中に残留して、本発明の合金の
Ca含有量を満足させる。） Al2O3は次式の如く炉壁のCaOと反応して、
3CaO・Al2O3又は12CaO・7Al2O3の活性な層が
炉壁表面に形成される。 Al2O3＋3CaO→3CaO・Al2O3 7Al2O3＋12CaO→12CaO・7Al2O3 この12CaO・7Al2O3及び3CaO・Al2O3、特に
3CaO・Al2O3は溶湯の脱Ｓ能が高く、脱Ｓが良
好に進行する。 このように、Alにより脱Ｏが、またAlの還元
作用により生じた活性な3CaO・Al2O3、
12CaO・7Al2O3やCaOにより脱Ｓが行なわれる。 また、耐火材がCaO−MgO系の容器を用いて
溶製を行なつた場合、Caと共にMgの溶出も見ら
れ、溶湯中に金属態Mgが残留し、Caと同様に蒸
着時にゲツタ作用を奏し、その効果を補完し、更
に強力なものとする。即ち、炉壁のMgOは 3MgO＋CaO＋2Al →CaO・Al2O3＋3Mg(g) となり、生じたMgの一部が合金中に残留する。 また溶湯中のＮは前述のAlとCaOとの反応に
より生じたCa等の蒸発（沸騰）等に伴つて溶湯
中から離脱し、溶湯中のＮ量も低減される。 Tiが加わつた場合、Alの作用を補完し、更に
Alと同様の作用により脱Ｏ、脱Ｓ、脱Ｎを行な
う。 従つて、内面がCaO質耐火材で構成された容器
中で溶製を行なうことにより、本発明の低Ｏ、低
Ｎ含有量のNi−Fe基合金を容易に得ることがで
きる。 ところで、本発明においては、内面がCaO質耐
火材で構成された容器中にて溶製する際に、Al
あるいはAl及びTiを冷却固化後のAlあるいはAl
及びTi残留量が本発明の範囲、即ち、Al1％以下
あるいはAl1％以下及びTi1％以下となるように
添加するのであるが、溶製に用いる容器の内面
を、特にCaO及びMgO（MgO含有率60〜15％）
のカルシア系耐火物よりなるものとすることによ
り、AlあるいはAl及びTiの添加により、溶湯中
へのCaだけでなくMgの溶出も認められ、得られ
る合金中のCa、Mg含有量を容易に本発明の範囲
即ち300ppm以下とすることができる。 このようにして得られた合金溶湯を、常法に従
つて非酸化性雰囲気下で鋳造する。 このような方法によれば、Ni35〜80％、Al1％
以下、場合により更にTi1％以下、Ca及び／又は
Mg300ppm以下、並びに、不純物として030ppm
以下及びN30ppm以下を含有し、残部が実質的に
Feである本発明の蒸着用Ni−Fe基合金を極めて
容易に製造することができる。 ［作用］ 本発明の蒸着用Ni−Fe基合金は、不純物であ
るＯ、Ｎ含有量が少ないため、高特性の磁性薄膜
を得ることができる。 また、本発明の蒸着用Ni−Fe基合金に含有さ
れるAl及びTi、Ca、Mgは、真空蒸着又はスパ
ツタリング等の蒸着雰囲気中にて、 4Al＋3O2→2Al2O3 2Al＋N2→2AlN 2Ca＋O2→2CaO 3Ca＋N2→Ca3N2 のように反応して、雰囲気中のガス成分を低下さ
せる、いわゆるゲツタ作用を奏する。 Ti、Mgについても同様にそれぞれAl、Caの
作用を下式のように補完して良好なゲツタ作用を
奏する。 Ti＋O2→TiO2 Ti＋N2→TiN2 2Mg＋O2→2MgO 3MgO＋N2→Mg3N2 このため、蒸着時の薄膜形成安定性及び形成速
度を向上させると共に、得られる薄膜は高純度で
磁気特性が大幅に改善され、高特性薄膜を高生産
高率で製造することを可能とする。 ［実施例］ 以下、実施例について説明する。 実施例 １ 第１表に示す組成のNi−Fe基合金を蒸着用材
料として用い、下記仕様のスパツタリング装置に
て、直径10cmのガラス基盤上に各３回づつ薄膜を
形成した。なお、基盤加熱温度は150℃とした。 スパツタリング装置仕様 マグネトロンタイプ高周波スパツタリング装置 最大出力：1KW 到達真空度：10-7torr ターゲツト寸法：100mm（φ）×３mm（ｔ）
【表】
スパツタ電力、アルゴンガス圧、スパツタ時間
を変えて、各蒸着用材料により形成された薄膜の
膜厚を調べた結果を、それぞれ第１図〜第３図に
示す。 第１図〜第３図より、本発明の蒸着用Ni−Fe
基合金は、バツチごとのバラツキが少なく、均質
な上に膜形成功率が高いことが認められる。 実施例 ２ 実施例１で用いたスツパリング装置及び基盤を
用い、第１表のNo.１、No.２、No.３の蒸着用合金に
て、Ar圧又は基板加熱温度を変えて、それぞれ
3μｍ厚さの薄膜を３回づつ形成して高透磁率薄
膜を作成した。なお、スパツタ電圧は500Wで行
なつた。 得られた高透磁率材料の薄膜保磁率Hcを調べ、
基盤加熱温度又はAr圧との関係をそれぞれ第４
図、第５図に示す。 第４図及び第５図より、本発明の蒸着用Ni−
Fe基合金によれば、極めて保持率の低い高透磁
率な磁性材料がバラツキなく安定して得られるこ
とが認められる。また、基盤加熱等の生産上手数
がかかる工程も省略することができ、工業上極め
て有利となる。 実施例 ３ 実施例２において、基盤加熱温度200℃、Ar圧
４×10-2torrにて得らえた高透磁率材料につい
て、その磁気特性を調べた結果を第２表に示す。
を変えて、各蒸着用材料により形成された薄膜の
膜厚を調べた結果を、それぞれ第１図〜第３図に
示す。 第１図〜第３図より、本発明の蒸着用Ni−Fe
基合金は、バツチごとのバラツキが少なく、均質
な上に膜形成功率が高いことが認められる。 実施例 ２ 実施例１で用いたスツパリング装置及び基盤を
用い、第１表のNo.１、No.２、No.３の蒸着用合金に
て、Ar圧又は基板加熱温度を変えて、それぞれ
3μｍ厚さの薄膜を３回づつ形成して高透磁率薄
膜を作成した。なお、スパツタ電圧は500Wで行
なつた。 得られた高透磁率材料の薄膜保磁率Hcを調べ、
基盤加熱温度又はAr圧との関係をそれぞれ第４
図、第５図に示す。 第４図及び第５図より、本発明の蒸着用Ni−
Fe基合金によれば、極めて保持率の低い高透磁
率な磁性材料がバラツキなく安定して得られるこ
とが認められる。また、基盤加熱等の生産上手数
がかかる工程も省略することができ、工業上極め
て有利となる。 実施例 ３ 実施例２において、基盤加熱温度200℃、Ar圧
４×10-2torrにて得らえた高透磁率材料につい
て、その磁気特性を調べた結果を第２表に示す。
【表】
第２表より、本発明の蒸着用Ni−Fe基合金に
より得られる高透磁率材料はヒステリシス特性に
優れ、透磁率が高く、極めて高特性のものである
ことが認められる。 ［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明の蒸着用Ni−Fe基
合金は、不純物であるＯ、Ｈ含有量が少ない上
に、AlあるいはAl及びTiとCa及び／又はMgに
よるゲツタ作用により、蒸着雰囲気中のガス成分
が大幅に低減される。 このため、蒸着による膜形成安定性及び膜形成
速度が向上されるとともに、得られる薄膜は高純
度で極めて磁気特性に優れたものとなる。 従つて、本発明の蒸着用Ni−Fe基合金によれ
ば、高特性薄膜を高効率で得ることができ、本発
明の蒸着用Ni−Fe基合金は、高透磁率材料の薄
膜製造用蒸着材料として極めて有用である。
より得られる高透磁率材料はヒステリシス特性に
優れ、透磁率が高く、極めて高特性のものである
ことが認められる。 ［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明の蒸着用Ni−Fe基
合金は、不純物であるＯ、Ｈ含有量が少ない上
に、AlあるいはAl及びTiとCa及び／又はMgに
よるゲツタ作用により、蒸着雰囲気中のガス成分
が大幅に低減される。 このため、蒸着による膜形成安定性及び膜形成
速度が向上されるとともに、得られる薄膜は高純
度で極めて磁気特性に優れたものとなる。 従つて、本発明の蒸着用Ni−Fe基合金によれ
ば、高特性薄膜を高効率で得ることができ、本発
明の蒸着用Ni−Fe基合金は、高透磁率材料の薄
膜製造用蒸着材料として極めて有用である。
第１図〜第３図の各図は実施例１で得られた結
果を示すグラフであつて、それぞれ、スパツタ電
圧、アルゴン圧、スパツタ時間と得られる膜厚と
の関係を示す。第４図及び第５図は実施例２で得
られた結果を示すグラフであつて、それぞれ、基
盤加熱温度、アルゴン圧と磁気記録材料の保磁率
との関係を示す。
果を示すグラフであつて、それぞれ、スパツタ電
圧、アルゴン圧、スパツタ時間と得られる膜厚と
の関係を示す。第４図及び第５図は実施例２で得
られた結果を示すグラフであつて、それぞれ、基
盤加熱温度、アルゴン圧と磁気記録材料の保磁率
との関係を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ni35〜85重量％、Al1重量％以下、Ca及
び／又はMg300ppm以下、並びに、不純物とし
てO30ppm以下及びN30ppm以下を含有し、残部
が実質的にFeであることを特徴とする蒸着用Ni
−Fe基合金。 ２ Ni35〜85重量％、Al1重量％以下、Ti1重量
％以下、Ca及び／又はMg300ppm以下、並びに、
不純物としてO30ppm以下及びN30ppm以下を含
有し、残部が実質的にFeであることを特徴とす
る蒸着用Ni−Fe基合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24435986A JPS63100147A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 蒸着用Ｎｉ−Ｆｅ基合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24435986A JPS63100147A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 蒸着用Ｎｉ−Ｆｅ基合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100147A JPS63100147A (ja) | 1988-05-02 |
| JPH0364586B2 true JPH0364586B2 (ja) | 1991-10-07 |
Family
ID=17117521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24435986A Granted JPS63100147A (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 蒸着用Ｎｉ−Ｆｅ基合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63100147A (ja) |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP24435986A patent/JPS63100147A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63100147A (ja) | 1988-05-02 |
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