JPH0499303A - 軟磁性薄膜およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、電気めっき法により形成される軟磁性薄膜お
よびその製造方法に関し、詳しくは、Ｃｏ、Ｆｅおよび
Ｐを主成分とし、薄膜磁気ヘッドや薄膜トランス等に用
いられる軟磁性薄膜およびその製造方法に関する。

〈従来の技術〉 薄膜磁気ヘッドや薄膜トランスの軟磁性薄膜には、低保
磁力、高飽和磁束密度、低磁歪等の優れた軟磁気特性が
要求される。

これらの軟磁性薄膜は、スパッタ法等の気相成膜法や電
気めっき法等の液相成膜法により形成されるのが一般的
であるが、電気めっき法には、大面積の成膜が容易で、
しかも均一性の高い膜が得られ、また、工数が少ないと
いう利点がある。

電気めっき法により形成される軟磁性薄膜としては、従
来、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）が知られているが、
パーマロイ薄膜は飽和磁束密度Ｂｓが１ｏｋＧ未満であ
り、高保磁力媒体用の薄膜ヘッドに適用するにはＢｓが
不十分である。

このような事情から、特開平２−７００８５号公報では
、Ｃｏ　（ＩＩ）イオンと、Ｆｅ　（ＩＩ）イオンと、
次亜リン酸および／または次亜リン酸塩を主成分とする
メツキ浴を用いて。

（ＣＯ＋ｏｏ−ｘ　Ｆ　ｅ　ｘ　）　＋ｏｏ−ｙ　Ｐ　
ｙ　　（ただし、ｘ、ｙは組成を原子％で表わし、それ
ぞれ９３≦Ｘ≦９９．１２≦ｙ≦２４の関係を満足する
。〕で表わされるアモルファス軟磁性膜を作製している
。

同公報によれば、この軟磁性膜は、高飽和磁束密度Ｂｓ
、高透磁率μ、および低磁歪を達成できるというもので
ある。

しかし、同公報の実施例では、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐアモルフ
ァス軟磁性膜の飽和磁束密度Ｂｓは最大でも１２．３ｋ
Ｇしか得られておらず、高保磁力の磁気記録媒体に適用
される薄膜磁気ヘッド用としては不十分である。

また、本発明者らの研究によれば、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐ膜は
、自然電極電位がＦｅ程度であって耐食性が不十分であ
り、薄膜磁気ヘッドや薄膜トランスとして十分な信願性
を獲得することが困難である。

なお、Ｉｎｔｅｒ−Ｍａｇ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　’
９０　ＡｂｓｔｒａｃｔＦＰ１４には、電気めっき法に
よるＣｏ−Ｆｅ−５ｎ−Ｐアモルファスフィルムが記載
されている。　同誌のＴＡＢＬＥ　ｌには、Ｓｎ添加に
よりＢｓが向上することが示されているが、Ｂｓの向上
幅が大きいものはＨｅの上昇が著しく、Ｈｅの上昇幅が
低いものはＢｓ向上が不十分であって、低Ｈｅと高Ｂｓ
とを共に実現することはできない。

しかも、Ｓｎ”イオンは酸化されてＳｎ”イオンになり
やす（、Ｓｎ’″″は沈殿となってしまうので、酸化を
防ぐためにめっき浴を２５℃程度以下、通常は２０℃以
下まで冷却しながらめっきを行なわなければならず、Ｃ
ｏ−Ｆｅ−Ｐの析出が困難となってしまう。

また、Ｓｎは、一般にほうふつ化物でめっき浴に添加す
ることが膜形成上は好ましいが、この場合、排水の処理
が困難である。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明はこのような事情からなされたものであり、軟磁
気特性の良好なＣｏ−Ｆｅ−Ｐ軟磁性薄膜において、よ
り高いＢｓを実現することを主要な目的とし、また、耐
食性の向上をはかることも目的とする。

く課題を解決するための手段〉 このような目的は、下記（１，１〜（５）の本発明によ
り達成される。

（１）Ｃｏ、ＦｅおよびＰを主成分とし、ざらにＭ（た
だし１Ｍは、Ｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＨｆから選択される
１種以上の元素を表わす）を含有し、電気めっき法によ
り形成されたことを特徴とする軟磁性薄膜。

（２）前記Ｍの含有量が５重量％以下である上記（１）
に記載の軟磁性薄膜。

（３）Ｆｅの含有量が２〜１０重量％であり、Ｐの含有
量が３〜２０重量％である上記（１）または（２）に記
載の軟磁性薄膜。

（４）飽和磁束密度Ｂｓが１６ｋＧ以上である上記（１
）ないしく３）のいずれかに記載の軟磁性薄膜。

（５）上記（１）ないしく４）のいずれかに記載の軟磁
性薄膜を製造する方法であって、Ｃｏ　（ＩＩ）イオン
の濃度が０．０１〜０゜２モル／ｉであり、Ｆｅ　（Ｉ
Ｉ）イオンの濃度が０．０００５〜０．０２モル／ｌで
あり、次亜リン酸、次亜リン酸塩、亜リン酸および亜リ
ン酸塩から選択される１種以上の化合物の合計濃度が０
．００５〜０．５モル／Ｌであり、Ｍイオンの濃度がＣ
ｏ　（ＩＩ）イオンとＦｅ　（ＩＩ）イオンとの合計濃
度の１〜７０％であるめっき浴を用いて軟磁性薄膜を形
成することを特徴とする軟磁性薄膜の製造方法。

〈作用〉 本発明の軟磁性薄膜は電気めっき法により形成され、Ｃ
０１ＦｅおよびＰを主成分とするものである。

本発明では、このような軟磁性薄膜が、Ｍ（ただし、Ｍ
は、Ｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＨｆから選択される１種以上
の元素を表わす）を含有する。

Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐ軟磁性めっき膜では、Ｐの含有比率を調
整することにより膜のアモルファス化度を制御している
ため、ＣｏとＦｅとの合計含有比率を増加させてＢｓを
向上させようとすると、Ｐが減少するためめっき膜がア
モルファス化しにく（なり、低いＨｅが得られなくなっ
てしまうが、めっき浴中にＭイオンを含有することによ
りＰとＭの相互作用が生じるため、ＰとＭとの合計量が
少量であってもアモルファス化が起こり、低Ｈｅかつ高
Ｂｓの膜が得られる。

また、Ｍの含有により耐食性も向上する。

〈具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。

本発明の軟磁性薄膜は電気めっき法により形成され、Ｃ
ｏ、ＦｅおよびＰを主成分とする。

そして、この軟磁性薄膜には、さらにＭ（ただし、Ｍは
、Ｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＨｆから選択される１種以上の
元素を表わす）が含有される。

Ｍの含有により飽和磁束密度Ｂｓが向上し、１６ｋＧ以
上のＢｓが容易に得られる。

Ｍの含有量は、５重量％以下、特に３重量％以下である
ことが好ましい。　Ｍの含有量が前記範囲を超えると、
Ｂｓが低下し、また、Ｈｃが低下する傾向にある。　な
お、Ｍの含有量の下限は特にないが、Ｍを０．５重量％
以上含有させればＢｓは著しく向上する。

また、Ｍの含有により耐食性も向上する。

Ｍのうち、最も効果の高い元素はＺｒである。

本発明の軟磁性薄膜は、Ｍに加え、Ｍ’　　（ただし、
Ｍｏは、Ｙ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｕおよ
びＰｄから選択される１種以上の元素を表わす）を含有
してもよい。

Ｍｏは耐食性向上のために含有され、Ｍｏの含有により
一〇、２Ｖ以上の自然１を極電位が容易に得られる。

なお、本明細書における自然電極電位とは。

常温のｌ　Ｎ−Ｈｅ２中におけるＡ　ｇ　／　Ａ　ｇ　
ＣＱ電極との電位差であり、この値が小さいほど責であ
って耐食性が良好である。

また、Ｍｏの含有によりＢｓも向上する。

これは下記の理由による。

Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐ軟磁性めっき膜では、ＣＯとＦｅとの比
を調整することにより飽和磁歪定数えＳの低減をはかり
透磁率を向上させているため、飽和磁束密度Ｂｓ向上に
寄与するＦｅの含有比率を増加させるとλＳが増加して
しまうが、Ｍｏを含有することにより、低λＳを保った
ままＣＯの比率を減らしてＦｅの比率を高めることがで
きるので、Ｂｓが向上する。

また、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｐめっき膜の形成においては、Ｃｏ
中へのＰとＦｅの析出反応が競争反応となっているので
、めっき洛中のＦｅイオンの濃度を増加させても膜中の
Ｆｅ含有量の増加は極めて小さく、Ｂｓ向上が困難であ
る。　　しかし、めっき浴中にＭｏイオンを含有させる
ことにより、めっき浴中のＦｅイオン濃度に応じてめっ
き膜のＦｅ含有量を増加させることができる。

Ｍｏは、Ｍとの合計で５重量％以下、特に３重量％以下
となるように含有されることが好ましい、　ＭｏとＭと
の合計含有量が前記範囲を超えると、Ｂｓが低下する傾
向にある。

Ｍｏのうち、最も効果の高い元素はＹである。

なお、ＭｏをＯ３１重量％以上含有させれば耐食性は著
しく向上し、ＭｏによるＢｓ向上は、０．５重量％以上
の含有量範囲において顕著である。

Ｆｅの含有量は、２〜１０重量％特に２〜７重量％であ
ることが好ましい。　Ｆｅの含有量が前記範囲を外れる
と、飽和磁歪定数λＳが大きくなり、高い透磁率が得ら
れな（なる。

Ｐの含有量は、３〜２０ＭＮ％、特に３〜７重量％であ
ることが好ましい。　Ｐの含有量が前記範囲未満の膜は
アモルファス化が不十分であり、Ｈｃが高（なる傾向に
ある。　また、Ｐの含有量が前記範囲を超える膜はキュ
リー点が低（熱的な安定性が劣る傾向にあり、Ｂｓも低
下する。

ＦｅおよびＰを除いた残部が実質的にＣＯである・ 本発明の軟磁性薄膜は、通常、アモルファス状態の超微
粒子からなる組織構造を有し、超微粒子の粒径ば５０〜
２００人程度であ程度　このような組織構造は、透過型
電子顕微鏡やＸ線回折等により確認することができる。

本発明の軟磁性薄膜は、低いＨｅ、高いＢｓおよび低い
λＳを有する。　具体的には、ＨｃとしてＱ、１０ｅ以
下、特に０．０３０ｅ以下が得られ、λＳとしてｌＸｌ
０−’以下、特にｏ、３ｘｔｏ−’以下が得られる。　
そして、Ｂｓとしては前記したように１６ｋＧ以上が得
られる。

本発明の軟磁性薄膜は、下記のような電気めっき法によ
り形成されることが好ましい。

本発明において好ましく用いられるめっき浴は、Ｃｏ　
（ＩＩ）イオンと、Ｆｅ　（１１）イオンと、次亜リン
酸、次亜リン酸塩、亜リン酸および亜リン酸塩から選択
される１種以上の化合物とを含有するものである。

そして、このようなめつき浴にＭイオンが添加される。

めっき洛中におけるＭイオンの濃度は、通常、主金属イ
オンであるＣｏ　（ＩＩ）イオンとＦｅ　（ＩＩ）イオ
ンの合計に対して１〜７０％程度、特に５〜７０％程度
であることが好ましい、　すなわち、例えばＣｏ　（Ｉ
Ｉ）イオンが０．１モル／ｌ、　Ｆｅ　（ｆｆ）イオン
が０．００１モル／ｊであるめっき浴では、Ｍイオンの
濃度はｌＸｌ０−３〜０．０７モル／ｊ程度であること
が好ましい。　Ｍイオンの濃度が前記範囲未満であると
、Ｍが十分に膜中に取り込まれず、特性改善に寄与しな
い傾向にある。　前記範囲を超えると、膜中のＭ量が多
くなりすぎて低Ｂｓや高Ｈｃとなりやすい。

なお、Ｍの種類により浴中濃度と膜中濃度との関係は大
きく異なることが多いので、浴中への具体的な添加量は
実験的に定めればよい。

Ｍ源となる化合物は、Ｍの塩酸塩や硫酸塩等の塩が好ま
しく、これらのうち、めっき浴に可溶なものを適宜選択
すればよい。

なお、薄膜中にＭｏを含有させる場合、Ｍ源も上記した
Ｍ源と同様に各種の塩から選択すればよい。　また、こ
の場合Ｍ　イオンは、ＭイオンとＭｏイオンとの合計濃
度が前記した範囲内となるようにめっき洛中に含有され
ることが好ましい。

Ｃｏ　（ＩＴ）イオン源やＦｅ　ＨＩＴ）イオン源とな
る化合物は、通常の電気めっき浴に用いられる各種Ｃｏ
化合物やＦｅ化合物であってよく、特に制限はない。　
例えば、Ｃｏ　（ＩＩ）イオン源としては、硫酸コバル
ト、スルファミン酸コバルト、塩化コバルト等の１種以
上を用いることができ、Ｆｅ　（ＩＩ）イオン源として
は、硫酸第一鉄、スルファミン酸第−鉄、塩化第−鉄等
の１種以上を用いることができる。

めっき浴中におけるＣｏ　（ＩＩ）イオンの濃度は、０
０１〜０．２モル／ｉ、特に０．０５〜０．１０モル／
ｌであることが好ましい。　　Ｃ。

（ＩＴ）イオンの濃度が前記範囲未満であると金属イオ
ン濃度の変動が激しくなって浴管理が難しくなり、また
、析出速度が低下する。　さらに、キュリー点の低い膜
となってしまう。

Ｃｏ　（ＩＩ）イオンの濃度が前記範囲を超えると、粒
子が粗大化しやすくめっき膜をアモルファス状態とする
ことが困難となり、低いＨｃが得られなくなる他、沈殿
が生じることがあり、めっき浴の粘度が上昇し作業性も
悪（なる。　さらに、被めっき物へ付着して洛外へ汲み
出されることによる金属イオンの消費が多くなり、また
、このため排水処理装置への負担が大きくなる。

めっき洛中におけるＦｅ　（Ｉ［）イオンの濃度は、０
．０００５〜０．０２モル／ｌ、特に０．００５〜０．
０１モル／ｅであることが好ましい・　Ｆｅ　（ＩＩ）
イオンの濃度は磁歪定数が小さくなるようにＣｏ　（Ｉ
Ｉ）イオンの含有量に応じて適宜決定すればよいが、一
般に前記範囲未満であると膜中に取り込まれるＦｅが少
なくなり、前記範囲を超えると膜中のＦｅが多くなり、
いずれも磁歪値が大きくなって良好な特性が得られなく
なり、また、Ｈｅも高くなりすぎる。

次亜リン酸、次亜リン酸塩、亜リン酸および亜リン酸塩
から選択される１種以上の化合物の合計含有量は、０．
００５〜０．５モル八、特に０．００５〜０．１モル／
ｌであることが好ましい。　合計含有量が前記範囲未満
となるとアモルファス膜を得ることが困難となり、前記
範囲を超えると析出速度が低下し、また、膜のキュリー
点が低くなってしまう。

次亜リン酸塩としては、例えば次亜リン酸ナトリウムや
次亜リン酸カリウム等が好ましく、亜リン酸塩としては
、亜リン酸ナトリウムや亜ノン酸カリウム等が好ましい
。

めっき浴中には、これらの他、はう酸等のｐＨ緩衝剤、
硫酸アンモニウムや塩化アンモニウム等の導電助剤、ラ
ウリル硫酸ナトリウム等の界面活性剤、グルコン酸ナト
リウムや尿素等の安定剤など、通常の電気めっき浴に含
有される成分が含有されることが好ましい。　これらは
必要に応じて適宜選択されればよ（、また、これらの含
有量も通常の範囲であってよい。

電気めっきの際の電流密度は各種条件に応じて適宜設定
すればよいが、０．５〜３　Ａ／ｄｍ”特に０．５〜２
　Ａ／ｄＩＩｌｉとすることが好ましい。

電流密度が前記範囲未満であると膜形成速度が不十分で
あり、工業的に量産することが困難である。　電流密度
が前記範囲を超えるとＨｅが大きくなり、良好な軟磁気
特性が得られに（（なる。　なお、この場合のＨｅの増
大は、膜の内部応力が増加することに起因すると考えら
れる。

めっき浴の温度は、２５〜６０℃、特に３０〜４０℃で
あることが好ましい。　めっき浴温度が前記範囲未満で
あると導電率が低くなってめっき電圧が高くなったり異
常析出が起こりやすく、前記範囲を超えるとめっき浴が
不安定となりやすい。

めっき〆谷のｐ＋は１，０〜３５、特に１．５〜２．０
であることが好ましい。　めっき浴のｐＨが前記範囲未
満であるとめっき浴中における水素ガスの発生が著しく
なってめっき膜の空孔発生率が増大し、膜の内部応力が
大きくなる傾向にある。　めっき浴のｐ）Ｉが前記範囲
を超えると、Ｐの析出が不十分となってアモルファス化
が困難となる傾向にある。

なお、めっきの際にパルス電流を使用し、不活性ガス、
Ｎ２ガス、空気等の各種ガスをめっき膜に吹き付けたり
、あるいは超音波中でめっきを行なえば、めっき膜表面
に付着した水素ガスを除去でき、より良好な特性の軟磁
性膜が得られる。

また、目的とする方向に磁化容易軸のある一軸異方性を
得るために、磁界中でめっきを行なってもよい。　印加
する磁界は直流磁界、交流磁界、あるいは直流磁界に交
流磁界を重畳した磁界、さらには、強度および／または
印加時間の相異なる磁界が直交した磁界であってもよい
。　磁界強度は２０〜１５０００ｅ程度とすることが好
ましい。　このような磁界中で軟磁性薄膜を形成するこ
とにより、目的とする方向に磁化容易軸のある一軸異方
性が得られる。

また、めっきの際に、交流磁界を始めとする上記各種磁
界を印加したり、めっき後に回転磁界中熱処理を行なっ
たりすることにより、軟磁性薄膜の磁気異方性を改善す
ることが可能である。　交流磁界の周波数は、例えばＯ
，１〜６０Ｈｚ程度とすることが好ましい。　また、回
転磁界中熱処理の際の条件は、回転数１〜２０　Ｏｒｐ
ｍ程度、温度２００〜３００℃程度、処理時間１０分間
〜１時間程度とすることが好ましく、また、処理は、１
０″’Ｐａ程度以下のほぼ真空や、Ｎ２やＡｒ等の不活
性ガス雰囲気中で行なうことが好ましい。

本発明の軟磁性薄膜は、低Ｈｃ、高Ｂｒ、低λＳが要求
される様々な用途に好適であるが。

特に、薄膜磁気ヘッドの磁極材や薄膜トランスのコア材
に好適である。

薄膜磁気ヘッドでは、セラミック製の基板や、セラミッ
ク、ガラス、金属等からなる下地層上に軟磁性薄膜が形
成される。

軟磁性薄膜を形成する際には、被形成面に導電性を付与
するために、各種導電性金属の下地膜を例えばスパッタ
法等により設けておく。

この際に用いる導電性金属に特に制限はなく、パーマロ
イやＣｕ等の各種導電性金属を用いればよく、より低い
Ｈｃを得るためには結晶粒径の小さい下地膜を用いるこ
とが好ましい。　なお、下地膜の厚さは、通常、５０〜
１０００人程度とすれ程度い。

本発明の軟磁性薄膜の厚さは、目的に応じて適宜決定す
ればよく、特に制限はないが、低いＨｃを得るためには
、通常、０．５〜１０−程度とすることが好ましく、ま
た、薄１１１６ｆｔ気ヘッドに適用する場合は０．５〜
３．５−程度、薄膜トランスに適用する場合は３〜７−
程度とすることが好ましい。

〈実施例〉 以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。

［実施例１コ １０Ｘ２０Ｘ０．７ｍｍのガラス基板（コーニング社製
７０５９ガラス）表面に、スパッタ法により厚さ５００
人のＣｕＴ地膜を形成した。

この下地膜表面を、純水により１０分間超音波水洗した
後、常温の０．２Ｎ−ＨＣｌにより１０秒間酸洗し、さ
らに純水で１分間水洗した。

この基板上に、電気めっき法により下記表２に示される
軟磁性ＩＪＭサンプルを作製した。

各サンプルの作製には、 た。

（めっき浴組成） 塩化コバルト 硫酸コバルト 硫酸第一鉄 はう酸 硫酸アンモニウム ラウリル硫酸ナトリウム グルコン酸ナトリウム 次亜リン酸ナトリウム 硫酸ジルコニウム 下記のめっき浴を用い ０、ｌＯｍｏｆｆｉ／ゑ ０．０５ｍｏｅ−／ｌ ０．０３ｍｏｊ＃ ３０ｇ／ｊ ４０ｇ／ｌ ０．１ｇ／ｌ ５ｇ／！ ０．０１ｍｏｊ／ｊ 表１参照 表１ Ｎ。

（ｍｏｊ／ｌ） ３　　　　　　　　　　　　０、０４ ４　　　　　　　　　　　　０．１０ ５　　　　　　　　　　　　０、１５ めっき浴温度は３０℃、めっき浴のｐＨは１．６、電流
密度はＬ　Ａ／ｄｍ２．めっき時間は１５分間とし、空
気撹拌をしながら電気めっきを行なった。

軟磁性薄膜サンプルの厚さは、３−とした。　これらの
サンプルの組成を表２に示す。

なお、表２にはＦｅ、ＰおよびＺｒの含有量を示したが
、残部はＣＯである。　組成の測定は、プラズマ発光分
析（ＩＣＰ）により行なった。

各サンプルに対し、下記の測定を行なった。

結果を表２に示す。

（保磁力Ｈｃ） Ｂ−Ｈトレーサにより６０Ｈｚにて測定した。

（飽和磁束密度Ｂｓ） 振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により測定した。

（自然電極電位） 対極にＡｇ／ＡｇＣｊ２電極を用い、常温のＩＮ−ＨＣ
ρ中で測定した。

表　　２ Ｎｏ、　　　　　（ｗｔ％）　　（ｗｔ％）（ｗ′ｔ％
）　　（Ｏｅ）　　（ｋＧ）■（比較）　　３．０　　
１２．２ ２　　　　　　６．０　　　　Ｂ、２ ３　　　　　　６．１　　　５．２ ４　　　　　　６．３　　　４．３ ６．６　　　　３．６ ０．０４ ０．０２ ０．０３ ０．０３ ０．１５ １２．２ １６．１ １６．２ １６．１ １３．１ （Ｖ） −０，４１ −０，３０ −０，３２ −０，２９ −０，２８ 上記表２に示される結果から本発明の効果が明らかであ
る。

なお、Ｚｒに替え、あるいはＺｒに加え、Ｂ、Ｔｉおよ
びＨｆから選択される１種以上の元素を添加した場合で
も、上記表２に示される効果と同様な効果、すなわち、
低Ｈｃがっ低自然電位で、Ｂｓが１６ｋＧ以上である軟
磁性薄膜が得られた。

また、これらのＭに加え、Ｍ’　　（Ｙ、Ｃｕ、Ｃｒ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＡｕおよびＰｄがら選択される１種
以上の元素）を添加して上記と同様な測定を行なったと
ころ、表２のサンプルと同様に低Ｈｃかっ高Ｂｓで、さ
らに、自然電位が−０，２ｖ以上と極めて耐食性に優れ
た軟磁性薄膜が得られた。

さらに、上記各実施例に準じて、１μ厚の軟磁性薄膜サ
ンプル、２μ厚の軟磁性薄膜サンプルおよび４−の軟磁
性薄膜サンプルを作製し、これらについてそれぞれＨｅ
の測定を行なったところ、３μ厚の軟磁性薄膜に対し、
Ｈｅの変化は２０％以下であった。

〈発明の効果〉 本発明によれば、電気めっきにより形成される軟磁気特
性の良好なＣｏ−Ｆｅ−Ｐアモルファス軟磁性薄膜にお
いて、飽和磁束密度Ｂｓの著しい向上と耐食性の向上と
を実現することができる。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｃｏ、ＦｅおよびＰを主成分とし、さらにＭ（た
   だし、Ｍは、Ｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＨｆから選択される
   １種以上の元素を表わす）を含有し、電気めっき法によ
   り形成されたことを特徴とする軟磁性薄膜。
2. （２）前記Ｍの含有量が５重量％以下である請求項１に
   記載の軟磁性薄膜。
3. （３）Ｆｅの含有量が２〜１０重量％であり、Ｐの含有
   量が３〜２０重量％である請求項１または２に記載の軟
   磁性薄膜。
4. （４）飽和磁束密度Ｂｓが１６ｋＧ以上である請求項１
   ないし３のいずれかに記載の軟磁性薄膜。
5. （５）請求項１ないし４のいずれかに記載の軟磁性薄膜
   を製造する方法であって、 Ｃｏ（II）イオンの濃度が０．０１〜０．２モル／ｌで
   あり、Ｆｅ（II）イオンの濃度が０．０００５〜０．０
   ２モルｌであり、次亜リン酸、次亜リン酸塩、亜リン酸
   および亜リン酸塩から選択される１種以上の化合物の合
   計濃度が０．００５〜０．５モル／ｌであり、Ｍイオン
   の濃度がＣｏ（II）イオンとＦｅ（II）イオンとの合計
   濃度の１〜７０％であるめっき浴を用いて軟磁性薄膜を
   形成することを特徴とする軟磁性薄膜の製造方法。