JPH05101972A

JPH05101972A - セラミツクスへの電極形成方法

Info

Publication number: JPH05101972A
Application number: JP3245598A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Izumi; 泰博泉; Kazunori Takada; 和典高田; Shigeo Kondo; 繁雄近藤; Hiromitsu Tagi; 宏光多木
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1991-09-25
Filing date: 1991-09-25
Publication date: 1993-04-23

Abstract

(57)【要約】【目的】セラミックス基板へ、予め有機金属層を形成
した後、該有機金属を塩化パラジウムによりセラミック
ス表面を活性化し、然る後、無電解メッキ法により電極
を形成する。然る後、これら基板を加熱処理することに
より、電極とセラミックスとの密着性を改良させ、結果
的に優れた電気的特性を有するセラミックス電子部品を
提供する。【構成】セラミックス基板表面に予め有機金属を主体
とする層を設け、その後に無電解メッキ法により電極を
形成した後、該基板全体を加熱処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、誘電体共振器、セラミ
ックスコンデンサ等に電極を形成するセラミックスへの
電極形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般にセラミックスコンデンサや誘電体
共振器素子などセラミックスを用いた電子部品用におけ
るセラミックス上への電極の形成には、無電解メッキ法
により導電性金属をセラミックス表面に化学的に析出さ
せ電極とする技術が広く用いられている。この無電解メ
ッキ法を用いたメッキ法には２つの方法が現在存在す
る。

【０００３】まずその１つの方法について詳細に以下に
述べる。例えば、対象とするセラミックスがチタン酸バ
リウムを主体とした基板の場合、先ず、該セラミックス
誘電体基板をアルカリ洗浄液にてセラミックスの表面を
充分に脱脂洗浄を行い、その後充分水洗した後、フッ酸
でその表面をエッチングを行い粗面化を行う。更に、そ
のエッチング液がセラミックス表面に存在する多孔内に
残らないよう充分に洗浄を行った後、塩化錫によりセン
シタイジング（感受性化）処理を行い、続いて塩化パラ
ジウムによりアクティベーティング（活性化）処理を行
い、その後、無電解メッキ処理を行って、セラミックス
表面に金属を化学的に析出させ電極を形成する。

【０００４】金属の、此の析出機構としては塩化錫によ
るセンシタイジングの工程でセラミックス表面に塩化錫
の層が形成される。そして塩化パラジウムによるアクテ
ィベーティングの工程で、セラミックス表面に付着して
いた２価の錫がパラジウムイオンを還元すると同時に塩
化錫は酸化され４価の錫イオンとなる。即ち、セラミッ
クス表面で２価のパラジウムイオンが還元を受けパラジ
ウム金属となって析出し、これが無電解メッキ時の触媒
として作用すると考えられている。

【０００５】他の方法について以下に詳細に述べる。先
ず、セラミックス基板を酢酸亜鉛／エタノール溶液に浸
漬後、該基板を加熱処理し、その表面に酢酸亜鉛を主体
とした有機金属層を設ける。

【０００６】次に、酢酸亜鉛を主体とする有機金属層を
設けたセラミックス基板を塩化パラジウム溶液溶液中に
浸漬し、パラジウムをセラミックス表面に析出させ、ア
クティベーティング処理を行なう。

【０００７】このようにしてパラジウム置換したセラミ
ックス基板を無電解メッキ液中に浸漬し、その表面に金
属銅を化学的に析出させ、金属銅電極を形成する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】セラミックス表面への
無電解メッキによる銅、ニッケル等の析出状態、特にセ
ラミックス表面への密着強度はセラミックスへの塩化錫
あるいはパラジウムの付着状態により大きく左右され
る。密着強度を増大させる事は、製造される電子部品例
えば、コンデンサや誘電体共振器の電気的特性を均一化
する働きを示し、これら素子の生産工程には欠くことの
できないものとなっている。従って、その強度を上げる
ため一般にセラミックス表面をフッ酸等でエッチングし
粗面化する工程が取られる。

【０００９】此の工程、特にセラミックス表面の粗面化
処理において過剰な処理を行うとセラミックス自体が脆
くなり、またその表面の孔内には処理液が残存し、密着
強度を低下させると共に析出させた電極金属の腐食を発
生させ、製造した電子部品の信頼性を低下させる結果と
なる。また、逆に粗面化処理が足りない場合には、無電
解メッキによって形成された電極金属とセラミックスと
の機械的密着強度が足りず、またそのようにして得られ
た素子の電気的特性も劣るものとなる。

【００１０】此の問題を解決する無電解メッキ法として
前記後者の方法が存在する。此の方法では、フッ酸等強
い腐食性溶液を使用することが無く、セラミックスの微
細孔にこれら酸が残存する危惧が無いため析出させた電
極が経時的に腐食されるといった現象が全く無いため、
作成した素子の信頼性は高いものとなる。

【００１１】しかしながらこれらの無電解鍍金法による
電極形成法でも、析出させた金属のセラミックスへの機
械的密着強度が劣る。即ち、誘電性セラミックス材料と
電極を備えて成るセラミックス電子部品の無電解メッキ
法においてセラミックス基板表面に予め有機金属を主体
とする層を設け、その後に無電解メッキを行い電極を形
成する方法においては、無電解メッキの後に、電極を形
成した際、セラミックスと析出させた電極の接合界面に
は強い応力が掛かり、特にセラミックスと金属電極の間
に介在する有機金属層がセラミックスから剥離し易くな
る。

【００１２】その結果、この方法で作成した電子部品の
電気的特性も安定でないという課題を有していた。

【００１３】本発明は特に、後者の無電解メッキ法にお
けるセラミックスへの電極の機械的密着強度を改善し、
作成した電子部品の電気的特性を優れたものとする電極
形成法を提供しようとするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】誘電性セラミックス材料
と電極を備えて成るセラミックス電子部品の無電解メッ
キ法においてセラミックス基板表面に予め金属酸化物を
主体とする層を設け、その後に無電解メッキを行い電極
を形成する方法において、無電解メッキを後に、電極を
形成した該基板を加熱処理を行う。

【００１５】前記加熱処理は無電解鍍金で析出させる金
属が銅の場合、空気中で１００℃〜１６０℃で行い、非
酸化雰囲気中では１６０℃〜１０８３℃で行う。また、
析出させる金属がニッケルの場合、空気中で１００℃〜
３００℃で行い、銀の場合、非酸化雰囲気中で、３００
℃〜１１００℃で行う。

【００１６】

【作用】誘電性セラミックス材料と電極を備えて成るセ
ラミックス電子部品の無電解メッキ法においてセラミッ
クス基板表面に予め有機金属を主体とする層を設け、そ
の後に無電解メッキを行い電極を形成方法において、無
電解メッキの後に、電極を形成した際、セラミックスと
析出させた電極の接合界面には強い応力が掛かり、特に
セラミックスと金属電極の間に介在する有機金属層がセ
ラミックスから剥離し易くなるが、電極を形成したセラ
ミックス基板を加熱処理を行う事により、有機金属層が
セラミックスへ充分焼鈍されると同時に形成されている
電極金属の持つ応力を緩和させる作用を与える。その結
果、形成した電極のセラミックスへの、密着強度が向上
する。

【００１７】

【実施例】以下、本発明について実施例を用いて以下図
１（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ｅ）を用いて詳細に説明
する。（実施例１）まず図１（ａ）に示すようにＢａＴｉ₄Ｏ₉
系の誘電体基板で厚さ約１ｍｍ、直径１０ｍｍのセラミ
ックスでできた基板１を用意する。基板１を１ｍｏｌ／
ｌの酢酸亜鉛（Ｚｎ（ＣＨ₃ＣＯＯ）₂・２Ｈ₂Ｏ）エタ
ノール溶液に浸漬後、４００℃で１０分間加熱処理を行
い、図１（ｂ）に示す様に基板１表面に有機亜鉛を主体
とした有機金属層２を形成する。

【００１８】以上のようにして有機金属層２を表面に設
けた基板１を塩化パラジウム溶液（３００ｍｇ／ｌ塩化
パラジウム水溶液を塩酸にてｐＨ５に調整）中に１分間
浸漬し、亜鉛層をパラジウムに置換した後、１０％ホル
マリン溶液中に浸漬し析出させたパラジウムを還元する
ことにより、その活性化を行った。

【００１９】このようにしてパラジウム置換した基板１
を無電解メッキ液中に浸漬し、図１（ｃ）に示すように
有機金属層２の表面に金属銅３を化学的に析出させ形成
する。ここで、用いた無電解メッキ液は、硝酸銅２９ｇ
／ｌ、ロッセル塩４０ｇ／ｌ、カ性ソーダ４０ｇ／ｌ、
ホルムアルデヒド１６６ｇ／ｌとし、ｐＨ＝１１．５と
なるよう調整したものである。その後、銅鍍金層につい
て１６０℃の温度で１時間、非酸化性雰囲気（アルゴ
ン）中で加熱処理を行った。

【００２０】こうして図１（ｄ）に示すように金属銅３
を析出させた基板１の端面４を切削研磨することによ
り、一対の銅電極５を形成する。

【００２１】以上のようにして形成した金属銅のセラミ
ックスへの密着強度を調べるため、析出させた電極を３
ｍｍ角となるよう切削した領域を作成し、その部位に銅
線を半田にて付着し、そのリード線を引っ張ることによ
り調べた。その結果、９ｍｍ²当り３５ｋｇの引っ張り
強度を示すことが判った。

【００２２】本実施例の効果を調べるために、電極形成
後、加熱処理を行わない電子部品について、上記と同様
にして析出させた金属のセラミックスへの密着強度を調
べた。その結果、その密着強度は５．３ｋｇの値を示し
た（比較例１）さらに、従来の無電解メッキ法で金属銅の電極を形成し
た場合の金属の密着強度とを調べるために以下に示した
方法で電子部品を作成した（比較例２）。

【００２３】先ず、ＢａＴｉ₄Ｏ₉系誘電体基板をアルカ
リ（１０％ＮａＯＨ溶液）脱脂を行い、次に、フッ酸溶
液（ＨＦ−ＨＮＯ3混合溶液）でセラミックス表面を粗
面化した。その後、塩化錫を用いシンセタイジング処理
を行い、続いて塩化パラジウムによりアクティベーティ
ング処理を行った。次に、無電解メッキによりその表面
に金属銅を化学的に析出させ金属銅電極を形成した。

【００２４】以上のようにした電極の密着強度は１０ｋ
ｇの値を示した。次に、電気特性を調べるためにコンデ
ンサを作成し、その構造を図１（ｅ）に示した。一対の
銅電極５にそれぞれ錫メッキ引き導線６を半田合金によ
り接合した後、熱硬化型エポキシ樹脂で樹脂カバー７を
用い全体を封止し測定用コンデンサ素子とした。

【００２５】このコンデンサの電気特性としてｔａｎδ
（誘電正接）およびその静電容量について調べた結果、
２５℃、周波数１ｋＨｚにおけるｔａｎδは本実施例で
作成したコンデンサに関して０．４８、比較例１，２に
よるものでそれぞれ０．７８、０．８６となり、また静
電容量に関しては本発明のものについて２３８、比較例
１，２についてはそれぞれ２３６、２３５であった。此
の結果、特に本実施例の電極形成法を用いたコンデンサ
が最も優れた特性（ｔａｎδ）を示す事が判明した。

【００２６】以上のことより本実施例によると、セラミ
ックスと電極との密着強度が改善された状態の電極形成
が可能である事が判明し、しかも、こうして作成した電
子部品の電気的特性を従来の形成法で作成したもの以上
のものとする事が可能である事が判明した。（実施例２）実施例１においてセラミックス表面に形成
した有機金属層を酢酸亜鉛から酢酸錫に代えた以外は実
施例１と同様の方法でセラミックスコンデンサを構成
し、その特性を評価した。

【００２７】その結果、電気的特性および機械的密着強
度は実施例１とほぼ同等の特性を示した。（実施例３）実施例１においてセラミックス表面に形成
した有機金属層を酢酸亜鉛からテトラ−ｉ−プロポキシ
チタンに代えた以外は実施例１と同様の方法でセラミッ
クスコンデンサを構成し、その特性を評価した。

【００２８】その結果、電気的特性および機械的密着強
度は実施例１とほぼ同等の特性を示した。（実施例４）実施例３において行った、セラミックス表
面をテトラ−ｉ−プロポキシチタン溶液に浸漬した後に
行う加熱処理を本実施例では行わずに、該セラミックス
基板を大気中で暴露することにより、テトラ−ｉ−プロ
ポキシチタンを加水分解し、水酸化チタン層を主体とす
る層を形成した以外は実施例１と同様の方法でセラミッ
クスコンデンサを構成し、形成した電極の密着特性およ
び作成したコンデンサの電気的特性を評価した。

【００２９】その結果、電気的特性および機械的密着強
度は実施例１とほぼ同等の特性を示した。（実施例５）実施例１において行った加熱処理時の雰囲
気を非酸化性雰囲気から酸化性雰囲気（大気中）とし、
その処理温度を５０℃、１００℃、１３０℃、１６０
℃、１８０℃の温度で行った以外は実施例１と同様の方
法でセラミックスコンデンサを構成し、その電気的特性
と電極のセラミックスへの密着強度を評価した。

【００３０】その結果、１００℃、１３０℃、１６０℃
で熱処理を行ったものは電気的特性および密着強度は実
施例１とほぼ同等の特性を示した。

【００３１】５０℃で熱処理を行ったものは機械的密着
強度が熱処理を行わないものと同等の結果であった。

【００３２】更に１８０℃で熱処理を行ったものは実施
例１とほぼ同等の特性を示したが銅電極表面の酸化が進
み、銅表面が赤褐色となり、コンデンサのリ−ドを半田
付するさいに問題が生じた。従って、この温度で空気中
で加熱処理を行う事は好ましくないことが判った。（実施例６）実施例１において行った加熱処理時の雰囲
気をアルゴンから窒素雰囲気に代え、その加熱処理温度
を１００℃、１６０℃、２００℃、４００℃、８００
℃、１０００℃、１０８３℃の温度で行った以外は実施
例１と同様の方法でセラミックスコンデンサを構成し
た。作成したコンデンサの電気的特性と電極のセラミッ
クスへの密着強度を実施例１と同様に評価した。

【００３３】その結果、１００℃、１６０℃、２００
℃、４００℃、８００℃、１０００℃、１０８３℃で熱
処理を行ったものの電気的特性および機械的密着強度は
実施例１とほぼ同等の特性を示した。

【００３４】但し、１００℃で熱処理を行ったものは電
気的特性および機械的密着強度は空気中１００℃で加熱
処理を行ったものと同等の結果を示した。（実施例７）実施例１にて形成した電極金属として銅の
代わりに無電解ニッケルメッキ液を用いニッケルを析出
させ、かつニッケル電極を形成した基板の加熱処理条件
として、空気中５０℃、１００℃、１５０℃、２００
℃、２５０℃、３００℃、３５０℃の温度で行った以外
は実施例１と同様の方法でセラミックスコンデンサを構
成した。作成したコンデンサの電気的特性および電極の
セラミックスへの密着強度を評価した。

【００３５】その結果、１００℃、１５０℃、２００
℃、２５０℃、３００℃で加熱処理を行ったものは電気
的特性および機械的密着強度は実施例１とほぼ同等の特
性を示した。

【００３６】また、５０℃で加熱処理を行ったものは加
熱処理を行わないものと同等の密着強度を示した。更
に、３５０℃で加熱処理を行ったものは実施例１とほぼ
同等の特性を示したが、ニッケル表面の酸化が進み、電
極の抵抗が増大する傾向を示し、好ましくない結果を与
えた。（実施例８）実施例７において行った加熱処理の条件を
窒素雰囲気中１００℃、３００℃、６００℃、９００
℃、１１００℃、１２００℃の温度で行った以外は実施
例７と同様の方法でセラミックスコンデンサを構成し、
その電気的特性および電極のセラミックスへの密着強度
を評価した。

【００３７】その結果、１００℃、３００℃、６００
℃、９００℃、１０００℃、１１００℃で加熱処理を行
ったものは電気的特性および機械的密着強度は実施例１
とほぼ同等の特性を示した。

【００３８】又、１００℃で加熱処理を行ったものの電
気的特性および密着強度は空気中で１００℃で加熱処理
を行ったものと同等の結果を示した。更に、１２００℃
で行ったものの密着強度は実施例１とほぼ同等の特性を
示したが、電気的特性はかなり悪い結果を与えた。（実施例９）実施例２において使用したセラミックス基
板をＮｂ₂Ｔｉ₂Ｏ7系の誘電体に代えた以外実施例２と
同様に電極を形成し、該セラミックス基板を加熱処理を
行うことでセラミックスコンデンサを構成した。

【００３９】また、比較のために加熱処理をしない状態
のセラミックスコンデンサを作成した。更に、有機錫層
を形成しない従来の方法で、即ち基板表面を予めエッチ
ングする事により粗面化する工程を使った方法でセラミ
ックスコンデンサを構成した。

【００４０】これらのセラミックスコンデンサの特性は
実施例１と同様の方法で評価した。その結果、本実施例
に基づき作成したもののtanδは０．５２を示し、加熱
しょりをしないもので０．６５、更に、従来の方法で作
成したもののtan δは０．７２を示した。さらに電極の
密着強度は本実施例により作成したもので１５Ｋｇ／９
mm²、加熱処理を行わないもので１１．５Ｋｇ／９mm²を
示し、従来法によるので１１Ｋｇ／９mm²の値を示し
た。

【００４１】この結果、電気的特性ならびに密着強度共
に本実施例によるものが優れている事が判明した。（実施例１０）実施例９にてセラミックス表面に形成し
た有機金属層を有機錫からトリ-n-ブトキシバナジル(VO
(O-n-C₄H₉)₃)に代えた以外実施例９と同様にして銅電極
をセラミックス表面に形成し、該基板をアルゴン雰囲気
中で３５０℃の基、１時間加熱し、ディスク端面の電極
を切削する事によりセラミックスコンデンサを作成し
た。

【００４２】但し、有機金属層の形成は、先ずセラミッ
クス基板をトリ-n-ブトキシバナジル(VO(O-n-C₄H₉)₃)／
エタノール溶液中に浸漬し、その後、該基板を空気中で
４００℃に加熱処理し、誘電体基板上にトリ-n-ブトキ
シバナジル(VO(O-n-C₄H₉)₃)層を形成した。

【００４３】比較の為に電極形成後の加熱処理を行わな
いセラミックスコンデンサを作成した。

【００４４】これらセラミックスコンデンサの電気特性
および密着強度を測定した結果、電気的特性は何れもほ
ぼ同等の特性を示した。しかし、電極の密着強度は本発
明により作成したもので１３．５Ｋｇ／９mm²、加熱処
理をしないもので７．５Ｋｇ／９mm²の値を示した。

【００４５】以上のことより本発明により作成したもの
については、特に密着強度の点で従来以上のものとなる
ことが判った。（実施例１１）セラミックス空洞共振器を本発明の方法
で形成した。以下にその詳細を述べる。

【００４６】使用したセラミックス材料としてはＭｇＴ
ｉＯ₃−ＣａＴｉＯ₃系の誘電率２５のもので、図２に示
した構造の物を用いた。このセラミックス表面の８、
９、１０、１１面に実施例１と同様に有機金属として酢
酸亜鉛を塗布し、空気中で４００℃の加熱を行い、塩化
パラジウムによりセラミックス表面の活性化処理を行っ
た後、無電解メッキ法により金属銅を析出させ、さらに
電解メッキにより銅を厚付けし電極とした。その後、該
セラミックス全体を１６０℃の温度で１時間空気中で加
熱処理を行った。その後、面１１を切削研磨し、該面１
１の銅を除き、チューニングを行うことにより空洞共振
器を組み立てた。

【００４７】こうして組み立てた共振器のＱ値は４１２
（ｆ0＝９３０ＭＨｚ）という高い値を示した。この銅
電極のセラミックスにたいする密着強度は２７ｋｇ／９
mm²の値を示した。

【００４８】比較例として、電極を形成したセラミック
スの加熱処理を行わないで作成した共振器の電気的特性
Ｑ値は３７５（ｆ0＝９２５ＭＨｚ）であった。また電
の極密着強度は１８ｋｇの値を示した。

【００４９】以上の結果、本実施例による所の加熱処理
工程を経た空洞共振器は加熱処理をしないもの以上の優
れた特性を示す事が判明した。（実施例１２）実施例１１でセラミックス表面に形成し
た酢酸亜鉛層を酢酸錫に代えた以外は実施例１１と同様
の方法で誘電体共振器を構成し、その特性を評価した。

【００５０】その結果、電気的特性および機械的密着強
度は実施例１１と同等の特性を示した。

【００５１】以上のことより本発明により形成した共振
器の電気的特性及び電極の密着強度は従来のものと同等
以上の誘電体共振器が得られることが判った。（実施例１３）実施例１１でセラミックス表面に形成し
た酢酸亜鉛層をテトラ−ｉ−プロポキシチタンに代えた
以外は実施例１１と同様の方法で誘電体共振器をを構成
し、その特性を評価した。

【００５２】その結果、電気的特性および機械的密着強
度は実施例１１と、全く同等の特性を示した。

【００５３】以上のことより本実施例により形成した共
振器の電気的特性及び電極の密着強度は従来のものと同
等以上の誘電体共振器が得られることが判った。（実施例１４）実施例１１でセラミックス表面に形成し
た酢酸亜鉛層を水酸化チタンを主体とする層に代えた以
外は実施例１１と同様の方法で誘電体共振器を構成し、
その特性を評価した。

【００５４】その結果、電気的特性および機械的密着強
度は実施例１１と、全く同等の特性を示した。

【００５５】以上のことより本実施例により形成した共
振器の電気的特性及び電極の密着強度は従来のものと同
等以上の誘電体共振器が得られることが判った。

【００５６】なお、本実施例においてはセラミックス表
面に設ける有機金属層として有機亜鉛、有機錫、有機チ
タン、水酸化チタンあるいは有機バナジウムを用いた
が、有機珪素、有機ニオブ等の他の有機金属を用いても
同様の効果が得られることはいうまでもなく、これら有
機金属に限定されるものではない。

【００５７】また、本発明は実施例に挙げたような単一
元素の有機金属に限定されるものではなく、これら複数
の有機金属の混合物あるいは化合物にも応用されること
は周知の通りである。

【００５８】又、更に本発明ではセラミックスコンデン
サならびに誘電体共振器について述べたが、その電気的
特性、機械的密着強度より、これら素子に限らず高周波
用回路基板、マイクロ波集積回路用素子などセラミック
ス電子部品一般に等しく適用出来るものである。

【００５９】

【発明の効果】本発明によると、セラミックス材料表面
に予め有機金属層を主体とする層を設け、その後塩化パ
ラジウムによりセラミックス表面の活性化を行い、然る
後、無電解メッキ法によりセラミックスへ電極を形成す
る方法において、電極を形成したセラミックス基板を、
更に加熱処理を行うことにより電極のセラミックスへの
密着強度を向上させる事が出来ると共に、作成した素子
の電気的特性を優れたものにさせる効果がある事が判明
した。

【００６０】

【図表の簡単な説明】

【００６１】

【図１】（ａ）本発明の一実施例におけるセラミックス
への電極形成方法を用いたセラミックスコンデンサの製
造方法を示す側面図（ｂ）本発明の一実施例におけるセラミックスへの電極
形成方法を用いたセラミックスコンデンサの製造方法を
示す側面図（ｃ）本発明の一実施例におけるセラミックスへの電極
形成方法を用いたセラミックスコンデンサの製造方法を
示す側面図（ｄ）本発明の一実施例におけるセラミックスへの電極
形成方法を用いたセラミックスコンデンサの製造方法を
示す側面図（ｅ）本発明の一実施例におけるセラミックスへの電極
形成方法を用いたセラミックスコンデンサの製造方法を
示す側面図

【００６２】

【図２】本発明の一実施例によるセラミックスへの電極
形成方法を用いた誘電体共振器の斜視図

【００６３】

【符号の説明】

１基板２有機金属層３金属銅４端面５銅電極６錫メッキ引き銅線７樹脂カバー

【手続補正書】

【提出日】平成４年１１月１６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５９】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図面の簡単な説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【図面の簡単な説明】

【符号の説明】１基板２有機金属層３金属銅４端面５銅電極６錫メッキ引き銅線７樹脂カバー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者多木宏光大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミックス基板表面に有機金属層を形成
し、前記有機金属層表面を塩化パラジウムによる活性化
処理し、前記有機金属層上に無電解メッキ法により所望
の電極を形成し、その後に加熱処理を行った事を特徴と
するセラミックスへの電極形成方法。
【請求項２】電極を銅で形成し、加熱処理を空気中１０
０℃〜１６０℃で行うことを特徴とする請求項１記載の
セラミックスへの電極形成方法。
【請求項３】電極を銅で形成し、加熱処理を非酸化雰囲
気中１６０℃〜１０８３℃で行うことを特徴とする請求
項１記載のセラミックスへの電極形成方法。
【請求項４】電極をニッケルで形成し、その加熱処理を
空気中１００℃〜３００℃で行うことを特徴とする請求
項１記載のセラミックスへの電極形成方法。
【請求項５】電極をニッケルで形成し、その加熱処理を
非酸化雰囲気中３００℃〜１１００℃で行うことを特徴
とする請求項１記載のセラミックスへの電極形成方法。