JPS593848B2 - リンカインジウムノ キソウエツチングホウホウ - Google Patents
リンカインジウムノ キソウエツチングホウホウInfo
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- JPS593848B2 JPS593848B2 JP12368574A JP12368574A JPS593848B2 JP S593848 B2 JPS593848 B2 JP S593848B2 JP 12368574 A JP12368574 A JP 12368574A JP 12368574 A JP12368574 A JP 12368574A JP S593848 B2 JPS593848 B2 JP S593848B2
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- lincaindium
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
燐化インジウム（Ｉｎｐ）に限らず、一般の■−り族化
合物半導体の気相成長に用いる種結晶ウエー・ 一は、
清浄化の意味とスライスあるいは研磨の際に生じた表面
欠陥層を取除く意味を兼ねて、成長を行う直前にエッチ
ングを行うことが通常である。
合物半導体の気相成長に用いる種結晶ウエー・ 一は、
清浄化の意味とスライスあるいは研磨の際に生じた表面
欠陥層を取除く意味を兼ねて、成長を行う直前にエッチ
ングを行うことが通常である。
このエッチング方法として、エッチング溶液を用いる方
法と、反応炉内でエッチング性ガスによつて気相エッチ
ングする方法との二つがある。Ｉｎｐの場合、前者の方
法に用いるエッチング液としては数体積％の臭素を含む
メチルアルコールが通常用いられる。しかし、一般に、
溶液を用いる方法は、エッチング後も洗浄や乾燥の工程
を経ざるを得ず、ためにその間に汚染や損傷を受け易い
という欠点や、ウエー・ 一の周囲が早〈エッチングさ
れ易＜ウエ・・ 一表面の平坦性が損われるという欠点
がある。このような欠点は後者の気相エツ５ チングの
方法では除かれるが、一方、この後者の方法ではウエー
・ 一の鏡面性を保持したままエッチングすることが前
者の溶液を用いる方法に比較して困難である。したがつ
て、この鏡面性を保持し得る気相エッチング方法を見出
し得れば、これに１０優る気相成長用種結晶ウエー・
一のエッチング方法は無いと言える。本発明は、面方位
（１１０）のＩｎｐウエー・ 一を鏡面性を保持したま
ま気相エッチングする方法を提供するもので、その要旨
は、５５０℃以上１５６３０℃以下の温度に保たれたウ
ェハーを、濃度がｌモル％以下の三塩化燐（ｐｃｔ３）
を含む水素流中で直接反応させてエッチングすることに
ある。
法と、反応炉内でエッチング性ガスによつて気相エッチ
ングする方法との二つがある。Ｉｎｐの場合、前者の方
法に用いるエッチング液としては数体積％の臭素を含む
メチルアルコールが通常用いられる。しかし、一般に、
溶液を用いる方法は、エッチング後も洗浄や乾燥の工程
を経ざるを得ず、ためにその間に汚染や損傷を受け易い
という欠点や、ウエー・ 一の周囲が早〈エッチングさ
れ易＜ウエ・・ 一表面の平坦性が損われるという欠点
がある。このような欠点は後者の気相エツ５ チングの
方法では除かれるが、一方、この後者の方法ではウエー
・ 一の鏡面性を保持したままエッチングすることが前
者の溶液を用いる方法に比較して困難である。したがつ
て、この鏡面性を保持し得る気相エッチング方法を見出
し得れば、これに１０優る気相成長用種結晶ウエー・
一のエッチング方法は無いと言える。本発明は、面方位
（１１０）のＩｎｐウエー・ 一を鏡面性を保持したま
ま気相エッチングする方法を提供するもので、その要旨
は、５５０℃以上１５６３０℃以下の温度に保たれたウ
ェハーを、濃度がｌモル％以下の三塩化燐（ｐｃｔ３）
を含む水素流中で直接反応させてエッチングすることに
ある。
ウェハー温度が５５０℃より低いとエッチング速度が遅
く、実用にはならない。また、６３０℃よ■０ り高い
とエッチング速度は早いがウェハーの鏡面性の保持が困
難となる。更に水素流のｐｃｔ３濃度が１モル％を越え
ると、やはりエッチング速度は早くなるが、ウエ・・
一の鏡面性の保持が困難となる。ウェハー温度を５５０
℃から６３０℃の間にフ５ 保ち、水素流中のｐｃｔ３
濃度を１モル％以下に保つたときには、ウエー・ 一の
鏡面性は保持される。図は、面方位（１１０）のＩｎｐ
ウェハーを温度６００℃に保つたときの水素流中のｐｃ
ｔ３濃度に対するエッチング速度の依存性を示したもの
で３０ある。この図より、例えば、２０ミクロンの厚さ
をエッチングしたい場合、６００℃では水素流中のｐｃ
ｔ３濃度を０．４モル％とすれば約２分間エッチングす
ればよいことが分る。以上、述べた鏡面性保持のための
エッチング条３５件は、ウェハーの面方位の（１１０）
からの角度のずれが４度以内ならば何ら変更する必要は
ない。
く、実用にはならない。また、６３０℃よ■０ り高い
とエッチング速度は早いがウェハーの鏡面性の保持が困
難となる。更に水素流のｐｃｔ３濃度が１モル％を越え
ると、やはりエッチング速度は早くなるが、ウエ・・
一の鏡面性の保持が困難となる。ウェハー温度を５５０
℃から６３０℃の間にフ５ 保ち、水素流中のｐｃｔ３
濃度を１モル％以下に保つたときには、ウエー・ 一の
鏡面性は保持される。図は、面方位（１１０）のＩｎｐ
ウェハーを温度６００℃に保つたときの水素流中のｐｃ
ｔ３濃度に対するエッチング速度の依存性を示したもの
で３０ある。この図より、例えば、２０ミクロンの厚さ
をエッチングしたい場合、６００℃では水素流中のｐｃ
ｔ３濃度を０．４モル％とすれば約２分間エッチングす
ればよいことが分る。以上、述べた鏡面性保持のための
エッチング条３５件は、ウェハーの面方位の（１１０）
からの角度のずれが４度以内ならば何ら変更する必要は
ない。
以上詳述したように、本発明はエッチング性ガスとして
Ｐｃｔ３蒸気を含んだ水素を用いるため、ソース物質に
インジウム、輸送材にＰｃｔ３、輸送ガスに水素を用い
たＩｎｐの気相成長法に適用するときその実用的価値は
特に大となる。
Ｐｃｔ３蒸気を含んだ水素を用いるため、ソース物質に
インジウム、輸送材にＰｃｔ３、輸送ガスに水素を用い
たＩｎｐの気相成長法に適用するときその実用的価値は
特に大となる。
図は面方位｛１１０｝のＩｎｐウエ・・−を温度６００
℃に保つたときの、水素流中のＰｃｔ３濃度に対するウ
エハ一の気相エツチング速度の依存性を示したものであ
る。
℃に保つたときの、水素流中のＰｃｔ３濃度に対するウ
エハ一の気相エツチング速度の依存性を示したものであ
る。
Claims (1)
- １ 三塩化燐を１モル％以下の濃度で含む水素流中にお
いて、エッチングせんとする燐化インジウムを５５０℃
以上６３０℃以下の温度に保持して行うことを特徴とす
る、ウェハー表面の面方位が｛１１０｝面から±４度以
内である燐化インジウムの気相エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12368574A JPS593848B2 (ja) | 1974-10-25 | 1974-10-25 | リンカインジウムノ キソウエツチングホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12368574A JPS593848B2 (ja) | 1974-10-25 | 1974-10-25 | リンカインジウムノ キソウエツチングホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5149687A JPS5149687A (en) | 1976-04-30 |
| JPS593848B2 true JPS593848B2 (ja) | 1984-01-26 |
Family
ID=14866774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12368574A Expired JPS593848B2 (ja) | 1974-10-25 | 1974-10-25 | リンカインジウムノ キソウエツチングホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593848B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6186254U (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-06 |
-
1974
- 1974-10-25 JP JP12368574A patent/JPS593848B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6186254U (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5149687A (en) | 1976-04-30 |
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