JPH0511403U - 正特性サーミスタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 ケース１２の側壁１４および１６に、それぞ
れ突起部２２および２４を除いてばね端子１８および２
０をインサート成形によって埋め込む。突起部２２と共
通端子２６とによって正特性サーミスタ素子２８を挟持
し、突起部２４と共通端子２６によって正特性サーミス
タ素子３０を挟持する。ケース１２内において、ばね端
子１８および２０はそれぞれ側壁１４および１６によっ
て遮断され、突起部２２および２４はそれぞれ正特性サ
ーミスタ素子２８および３０によって遮断されるので、
各端子１８，２０および２６が空間のみを介して対向す
ることはない。高電圧を印加してもスパークの発生が低
減する。 【効果】 スパークの発生を低減できるので、信頼性を
向上できる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は正特性サーミスタ装置に関し、特にたとえばケース内蔵タイプの正 特性サーミスタ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

図６および図７に示す従来の正特性サーミスタ装置１では、ケース２の底板３ にスリット４を形成し、スリット４からばね端子５ａ，５ｂおよび共通端子５ｃ の一端がケース２の外部に引き出される。そして、ケース２の側壁６ａおよび６ ｂの内面に形成された凹部７ａおよび７ｂにそれぞればね端子５ａおよび５ｂを はめ込み、突起部８ａと共通端子５ｃとによって正特性サーミスタ素子９ａを、 突起部８ｂと共通端子５ｃとによって正特性サーミスタ９ｂをそれぞれ挟持する 。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

正特性サーミスタ装置１のケース２内では、正特性サーミスタ素子９ａや９ｂ の寸法の関係上、各端子５ａ〜５ｃ間に正特性サーミスタ素子６を介さず空間だ けを介して対向する部分が生じる。したがって、正特性サーミスタ装置１に高電 圧を印加した場合には、各端子５ａ〜５ｃ間でスパークを起こし、正特性サーミ スタ素子９ａや９ｂの側面を破壊したりケース２を炭化させることがあり、正特 性サーミスタ装置１の信頼性の低下を招いていた。

【０００４】 それゆえに、この考案の主たる目的は、信頼性が向上する、正特性サーミスタ 装置を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

この考案は、ケース、ケースに内蔵される正特性サーミスタ素子、および正特 性サーミスタ素子を挟持する突起部を含みかつケースから外部に引き出されるば ね端子を備える正特性サーミスタ装置において、少なくとも突起部を除き、ばね 端子をケースに埋め込んだことを特徴とする、正特性サーミスタ装置である。

【０００６】

【作用】

ばね端子はケースに埋め込まれるので、各端子が空間だけを介して対向するこ とはない。したがって、高電圧を印加しても各端子間にスパークが起こる可能性 が低くなる。

【０００７】

【考案の効果】

この考案によれば、高電圧を印加しても各端子間にスパークが発生する可能性 が低くなるので、従来のように正特性サーミスタ素子の側面を破壊したり、ケー スを炭化させることが少なくなり、信頼性を向上できる。 この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行 う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。

【０００８】

【実施例】

図１および図２を参照して、この実施例の正特性サーミスタ装置１０は、上面 開口のケース１２を含む。ケース１２はたとえばフェノール樹脂などの絶縁性樹 脂によって構成される。ケース１２の対向する側壁１４および１６には、それぞ ればね端子１８および２０がそれぞれの突起部２２および２４を除いて、たとえ ばインサート成形によって埋め込まれる。すなわち、ばね端子１８および２０は 、それぞれの突起部２２および２４がケース１２の内方に臨まされかつばね端子 １８および２０の一端がケース１２の外部に引き出せるように、ケース１２に取 り付けられる。このとき同時に、ケース１２には、ばね端子１８と２０との略中 間に共通端子２６が一体的に取り付けられ、共通端子２６の一端はケース１２の 外部に引き出される。ばね端子１８，２０および共通端子２６は、たとえばステ ンレスに金属メッキを施して形成され、ばね端子１８および２０はたとえば図３ に示す形状に形成され、共通端子２６はたとえば図４に示す形状に形成される。 そして、正特性サーミスタ素子２８および３０が、それぞれ突起部２２と共通端 子２６との間および突起部２４と共通端子２６との間に挟持され、ケース１２に は蓋３２が被せられる。

【０００９】 このような正特性サーミスタ装置１０のケース１２内では、ばね端子１８およ び２０は、それぞれ側壁１４および１６によって遮断されるので、空間だけを介 して共通端子２６と対向することはない。また、突起部２２および２４は、それ ぞれ正特性サーミスタ素子２８および３０によって遮断されるので、空間だけを 介して共通端子２６と対向することはない。また、ばね端子１８と２０について も同様、空間だけを介して対向することはない。したがって、正特性サーミスタ 装置１０に高電圧が印加されても、ばね端子１８，２０および共通端子２６のそ れぞれの間でスパークが起こる可能性が低くなる。

【００１０】 また、従来では正特性サーミスタ素子をケース内に挿入したときにばね端子が 変形しばね圧が安定しないことがあった。特に、ばね圧が小さくなった場合には 、突起部と正特性サーミスタ素子との接点においてスパークが起こり易くなった り、正特性サーミスタ素子が振動によって移動することがあった。しかし、この 考案のように、ケース１２の側壁１４および１６内に、それぞればね端子１８お よび２０を埋め込むことにより、ばね圧が安定するので、上述のような弊害を除 去することができ、ばね端子１８および２０の設計が容易になる。

【００１１】 さらに、ばね端子１８，２０および共通端子２６はインサート成形などによっ てケース１２に一体的に形成され、従来のようにケース１２にスリットを設ける 必要がないので、外部からのフラックス等の侵入を防ぐことができる。 また、この考案は、図５に示す正特性サーミスタ装置１０´のように、ケース １２に１つの正特性サーミスタ素子３４を内蔵する場合にも適用でき、同様の効 果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この考案の一実施例を示し、図２のＡ−Ａに沿
う側断面図である。

【図２】図１の実施例の平面図（蓋をはずした状態）で
ある。

【図３】ばね端子の一例を示す側面図である。

【図４】共通端子の一例を示す側面図である。

【図５】この考案の他の実施例を示す断面図である。

【図６】従来技術を示し、図２のＢ−Ｂに沿う側断面図
である。

【図７】図４の従来技術を示す平面図（蓋をはずした状
態）である。

【符号の説明】

１０，１０´ …正特性サーミスタ装置 １２ …ケース １４，１６ …側壁 １８，２０ …ばね端子 ２２，２４ …突起部 ２６ …共通端子 ２８，３０，３４…正特性サーミスタ素子

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項１】ケース、 前記ケースに内蔵される正特性サーミスタ素子、および
   前記正特性サーミスタ素子を挟持する突起部を含みかつ
   前記ケースから外部に引き出されるばね端子を備える正
   特性サーミスタ装置において、 少なくとも前記突起部を除き、前記ばね端子を前記ケー
   スに埋め込んだことを特徴とする、正特性サーミスタ装
   置。