JPH0512722A - スタンパー製造方法 - Google Patents
スタンパー製造方法Info
- Publication number
- JPH0512722A JPH0512722A JP3192429A JP19242991A JPH0512722A JP H0512722 A JPH0512722 A JP H0512722A JP 3192429 A JP3192429 A JP 3192429A JP 19242991 A JP19242991 A JP 19242991A JP H0512722 A JPH0512722 A JP H0512722A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- master
- stamper
- film
- silicon
- manufactured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Micromachines (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】光ディスク製造等に必要であるスタンパーの製
造工程において、丈夫で耐久性が良く、取扱いが容易な
スタンパーの原盤を作製する。 【構成】ビットが形成されている原盤部の基板に、堅さ
が堅く、環境の変化に対して安定なシリコンウエハーを
用いる。前記シリコンウエハー１上にＳｉＯ2膜２の形
成、フォトレジスト３のスピンコート、情報信号に同期
したレーザー光の露光、現像、ＳｉＯ2膜２のエッチン
グ、シリコン１の異方性エッチングの工程を順に施すこ
とによりシリコン基板上に直接ビット４が形成された原
盤部を作製する。前記原盤部を基に導通膜５の形成、電
鋳部材６の形成、原盤部と電鋳部材６の剥離を行うこと
によりスタンパーを作製する。 【効果】この方法を使うことにより同じ原盤部から数多
くのスタンパーを作製することができ、その原盤部は丈
夫で耐久性が良く、取扱いが容易である。
造工程において、丈夫で耐久性が良く、取扱いが容易な
スタンパーの原盤を作製する。 【構成】ビットが形成されている原盤部の基板に、堅さ
が堅く、環境の変化に対して安定なシリコンウエハーを
用いる。前記シリコンウエハー１上にＳｉＯ2膜２の形
成、フォトレジスト３のスピンコート、情報信号に同期
したレーザー光の露光、現像、ＳｉＯ2膜２のエッチン
グ、シリコン１の異方性エッチングの工程を順に施すこ
とによりシリコン基板上に直接ビット４が形成された原
盤部を作製する。前記原盤部を基に導通膜５の形成、電
鋳部材６の形成、原盤部と電鋳部材６の剥離を行うこと
によりスタンパーを作製する。 【効果】この方法を使うことにより同じ原盤部から数多
くのスタンパーを作製することができ、その原盤部は丈
夫で耐久性が良く、取扱いが容易である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク用基盤製造に
おいて必要となるスタンパーの製造に関する。
おいて必要となるスタンパーの製造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の一般的なスタンパー作製工程を以
下に示す。ガラス原盤上に感光体であるフォトレジスト
を塗布し、このレジストに情報信号に同期したレーザー
光等で所定形状のトラッキング用案内溝、ビット等を潜
像として感光記録し、これを現像することで所定形状の
案内溝やランドを有するスタンパー電鋳用原盤部を形成
する。その後、この原盤部上にＮｉ薄膜等を形成し、通
電処理を行って、電鋳部材にて電鋳を行ない、その結
果、電鋳部材を原盤部より剥離してスタンパーを作製す
る。
下に示す。ガラス原盤上に感光体であるフォトレジスト
を塗布し、このレジストに情報信号に同期したレーザー
光等で所定形状のトラッキング用案内溝、ビット等を潜
像として感光記録し、これを現像することで所定形状の
案内溝やランドを有するスタンパー電鋳用原盤部を形成
する。その後、この原盤部上にＮｉ薄膜等を形成し、通
電処理を行って、電鋳部材にて電鋳を行ない、その結
果、電鋳部材を原盤部より剥離してスタンパーを作製す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】作製されたスタンパー
は、その後射出成形により製品となる光デスクを大量生
産されるが、通常、１枚のスタンパーから成形されるデ
ィスクの数は１万枚程度であるため同じスタンパーを数
枚用意するのが普通である。従来の技術では、同じ原盤
部から電鋳，剥離を繰り返し行い複数枚のスタンパーを
作製しようとすると、フォトレジストの堅さが弱いため
に、原盤部に形成されているフォトレジストの情報信号
の凹凸が潰れてしまう。また、フォトレジストは温度や
湿度の変化に対して寸法が不安定になりやすいことや、
溶剤に弱い等の耐久性の問題がある。
は、その後射出成形により製品となる光デスクを大量生
産されるが、通常、１枚のスタンパーから成形されるデ
ィスクの数は１万枚程度であるため同じスタンパーを数
枚用意するのが普通である。従来の技術では、同じ原盤
部から電鋳，剥離を繰り返し行い複数枚のスタンパーを
作製しようとすると、フォトレジストの堅さが弱いため
に、原盤部に形成されているフォトレジストの情報信号
の凹凸が潰れてしまう。また、フォトレジストは温度や
湿度の変化に対して寸法が不安定になりやすいことや、
溶剤に弱い等の耐久性の問題がある。
【０００４】通電処理は、スパッタリングによりＮｉ薄
膜を着けるのが普通となっているが、フォトレジストは
スパッタリング中の熱によって変形しやすい等の問題が
ある。
膜を着けるのが普通となっているが、フォトレジストは
スパッタリング中の熱によって変形しやすい等の問題が
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、原盤部の基盤
に酸化膜を施したシリコンウエハーを用いる。そのシリ
コンウエハー上に従来の技術同様にフォトレジストをス
ピンコートし、情報信号に同期したレーザー光を照射し
て現像後ビットを形成する。それをフッ酸等で酸化膜を
エッチングして酸化膜のビットを形成する。次に、適当
なアルカリ性の水溶液で異方性エッチングを行うことに
よりシリコン基盤上に直接ビットを形成する。このシリ
コンの湿式の異方性エッチングはマイクロマシーニング
の分野等で一般的に使われている方法で、シリコンの単
結晶を適当なアルカリ性の水溶液を用いて湿式のエッチ
ングを行うと（１００）面や（１１０）面に対して（１
１１）面のエッチング速度が非常に遅いために異方性が
現れる。
に酸化膜を施したシリコンウエハーを用いる。そのシリ
コンウエハー上に従来の技術同様にフォトレジストをス
ピンコートし、情報信号に同期したレーザー光を照射し
て現像後ビットを形成する。それをフッ酸等で酸化膜を
エッチングして酸化膜のビットを形成する。次に、適当
なアルカリ性の水溶液で異方性エッチングを行うことに
よりシリコン基盤上に直接ビットを形成する。このシリ
コンの湿式の異方性エッチングはマイクロマシーニング
の分野等で一般的に使われている方法で、シリコンの単
結晶を適当なアルカリ性の水溶液を用いて湿式のエッチ
ングを行うと（１００）面や（１１０）面に対して（１
１１）面のエッチング速度が非常に遅いために異方性が
現れる。
【０００６】シリコンはレジストと比較して堅く、温度
や湿度の変化に対して安定で、溶剤や酸などの薬品に対
しても安定であるため、形成されたビットは電鋳，剥離
を繰り返してもビットが潰れるということはなく、何枚
もスタンパーを転写できる。更に、基盤であるシリコン
ウエハー上に直接情報信号であるビットを形成するので
非常に扱い安い。また、スパッタリングにより熱変形し
にくい、等の利点がある。
や湿度の変化に対して安定で、溶剤や酸などの薬品に対
しても安定であるため、形成されたビットは電鋳，剥離
を繰り返してもビットが潰れるということはなく、何枚
もスタンパーを転写できる。更に、基盤であるシリコン
ウエハー上に直接情報信号であるビットを形成するので
非常に扱い安い。また、スパッタリングにより熱変形し
にくい、等の利点がある。
【０００７】シリコン基盤の原盤部作製後のスタンパー
作製法は、従来通り通電処理後、電鋳部材により電鋳を
行い、電鋳部材を原盤部から剥離することによりスタン
パーを作製する。
作製法は、従来通り通電処理後、電鋳部材により電鋳を
行い、電鋳部材を原盤部から剥離することによりスタン
パーを作製する。
【０００８】
【実施例】片面が鏡面になっている面方位が（１００）
面の４インチのシリコンウエハー１に熱酸化を施しＳｉ
Ｏ2膜２を０．１μｍ形成する（図１ａ）。その上にフ
ォトレジスト３をスピンコートし、プリベーキング後
（図１ｂ）、情報信号に同期したレーザー光で露光す
る。それを現像しポストベーキングすることによりフォ
トレジストのビットを形成する（図１ｃ）。次に緩衝フ
ッ酸を用いてＳｉＯ2膜をエッチングすることによりＳ
ｉＯ2膜のビットを形成する（図１ｄ）。次にＳｉＯ2膜
をマスクとして水酸化カリウム水溶液を用いて異方性エ
ッチングを行うことにより、シリコン基盤上に深さ０．
３μｍの台形のビット４を形成し、レジストとＳｉＯ2
膜を除去して原盤部を作製する（図１ｅ）。ビットの深
さはエッチング液の温度や濃度，時間などの条件を変え
ることにより制御される。その上に導電膜５としてＮｉ
をスパッタリングにより０．１μｍ付ける（図１ｆ）。
次に電鋳を行うことによりＮｉ６を２８０μｍ堆積させ
（図１ｇ）、原盤部から剥離させることによりＮｉのス
タンパーを作製する（図１ｈ）。
面の４インチのシリコンウエハー１に熱酸化を施しＳｉ
Ｏ2膜２を０．１μｍ形成する（図１ａ）。その上にフ
ォトレジスト３をスピンコートし、プリベーキング後
（図１ｂ）、情報信号に同期したレーザー光で露光す
る。それを現像しポストベーキングすることによりフォ
トレジストのビットを形成する（図１ｃ）。次に緩衝フ
ッ酸を用いてＳｉＯ2膜をエッチングすることによりＳ
ｉＯ2膜のビットを形成する（図１ｄ）。次にＳｉＯ2膜
をマスクとして水酸化カリウム水溶液を用いて異方性エ
ッチングを行うことにより、シリコン基盤上に深さ０．
３μｍの台形のビット４を形成し、レジストとＳｉＯ2
膜を除去して原盤部を作製する（図１ｅ）。ビットの深
さはエッチング液の温度や濃度，時間などの条件を変え
ることにより制御される。その上に導電膜５としてＮｉ
をスパッタリングにより０．１μｍ付ける（図１ｆ）。
次に電鋳を行うことによりＮｉ６を２８０μｍ堆積させ
（図１ｇ）、原盤部から剥離させることによりＮｉのス
タンパーを作製する（図１ｈ）。
【図１】本発明の方法でスタンパーを作製した工程図
で、ａはシリコンウエハー上にＳｉＯ2膜の形成、ｂは
フォトレジストのスピンコート、ｃはレーザー光による
情報信号の露光、ｄは緩衝フッ酸によるＳｉＯ2膜のエ
ッチング、ｅはシリコンの異方性エッチング、ｆは導通
膜としてＮｉをスパッタ、ｇはＮｉの電鋳、ｈは電鋳部
と原盤部の剥離を示している。
で、ａはシリコンウエハー上にＳｉＯ2膜の形成、ｂは
フォトレジストのスピンコート、ｃはレーザー光による
情報信号の露光、ｄは緩衝フッ酸によるＳｉＯ2膜のエ
ッチング、ｅはシリコンの異方性エッチング、ｆは導通
膜としてＮｉをスパッタ、ｇはＮｉの電鋳、ｈは電鋳部
と原盤部の剥離を示している。
１ シリコンウエハー
２ ＳｉＯ2膜
３ フォトレジスト
４ 異方性エッチングで開けられた台形のビット
５ Ｎｉスパッタ膜
６ Ｎｉ電鋳部
Claims (2)
- 【請求項１】 情報信号に対応する微少凹凸を有する原
盤からメッキ技術により作製されるスタンパー製造工程
において、前記原盤部にシリコンウエハーを使用するこ
とを特徴とする。 - 【請求項２】 原盤部の情報信号に対応する微少凹凸を
シリコンや水晶などの単結晶の異方性エッチングを用い
て形成することを特徴とする。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192429A JPH0512722A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | スタンパー製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3192429A JPH0512722A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | スタンパー製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0512722A true JPH0512722A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16291168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3192429A Pending JPH0512722A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | スタンパー製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0512722A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002503556A (ja) * | 1998-02-17 | 2002-02-05 | オーミク アクティエ ボラーグ | 素子製造方法 |
| WO2004103920A1 (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-02 | Japan Science And Technology Agency | ガラスプレス用モールドの作製方法 |
| JP2008013417A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | National Institute For Materials Science | ガラスプレス用モールドの作製方法 |
| KR100815081B1 (ko) * | 2006-09-05 | 2008-03-20 | 삼성전기주식회사 | 스탬퍼 이형처리 방법 |
| JP2008176892A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Fujifilm Corp | 凹凸反転版の製造方法 |
| CN101182100B (zh) | 2006-11-13 | 2011-07-20 | 亚洲光学股份有限公司 | 具有微结构的玻璃模造模仁的制作方法及玻璃模造模仁 |
| JP2021062498A (ja) * | 2019-10-10 | 2021-04-22 | 大日本印刷株式会社 | 金属構造体形成用原版の製造方法、金属構造体の製造方法、金属構造体形成用原版、金属構造体、及び樹脂成形品 |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP3192429A patent/JPH0512722A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002503556A (ja) * | 1998-02-17 | 2002-02-05 | オーミク アクティエ ボラーグ | 素子製造方法 |
| WO2004103920A1 (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-02 | Japan Science And Technology Agency | ガラスプレス用モールドの作製方法 |
| JP2008013417A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | National Institute For Materials Science | ガラスプレス用モールドの作製方法 |
| KR100815081B1 (ko) * | 2006-09-05 | 2008-03-20 | 삼성전기주식회사 | 스탬퍼 이형처리 방법 |
| CN101182100B (zh) | 2006-11-13 | 2011-07-20 | 亚洲光学股份有限公司 | 具有微结构的玻璃模造模仁的制作方法及玻璃模造模仁 |
| JP2008176892A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Fujifilm Corp | 凹凸反転版の製造方法 |
| JP2021062498A (ja) * | 2019-10-10 | 2021-04-22 | 大日本印刷株式会社 | 金属構造体形成用原版の製造方法、金属構造体の製造方法、金属構造体形成用原版、金属構造体、及び樹脂成形品 |
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