JPH0513569A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0513569A JPH0513569A JP16126691A JP16126691A JPH0513569A JP H0513569 A JPH0513569 A JP H0513569A JP 16126691 A JP16126691 A JP 16126691A JP 16126691 A JP16126691 A JP 16126691A JP H0513569 A JPH0513569 A JP H0513569A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- semiconductor
- scribe region
- scribe
- semiconductor wafer
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】スクライブ領域（３ｘi ，３ｘj ，３ｙi ，３
ｙj ）の一部を半導体装置（２ａii，２ａji）の平均的
平面と同一の面にし、盛り上げた構造とする。 【効果】フォトレジスト等の回転塗布において、塗布液
がスクライブ領域の溝部よりあふれ出てくるため、半導
体ウェーハの全面にわたって均一に塗布できる。
ｙj ）の一部を半導体装置（２ａii，２ａji）の平均的
平面と同一の面にし、盛り上げた構造とする。 【効果】フォトレジスト等の回転塗布において、塗布液
がスクライブ領域の溝部よりあふれ出てくるため、半導
体ウェーハの全面にわたって均一に塗布できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
半導体ウェーハ上に設けられたスクライブ領域の構造に
関する。
半導体ウェーハ上に設けられたスクライブ領域の構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェーハ上に設けられたス
クライブ領域の構造としては、図３の如く一様にウェー
ハ基板が露出する構造を取るのが一般的である。これは
後工程においてウェーハを各ペレットに分離する場合に
切断が容易な様に、またこの時に入る微小なクラックを
スクライブ領域内に留めておく目的がある。さらに半導
体装置表面を流れるリーク電流をこのスクライブ領域を
通して接地電位に逃す目的もある。
クライブ領域の構造としては、図３の如く一様にウェー
ハ基板が露出する構造を取るのが一般的である。これは
後工程においてウェーハを各ペレットに分離する場合に
切断が容易な様に、またこの時に入る微小なクラックを
スクライブ領域内に留めておく目的がある。さらに半導
体装置表面を流れるリーク電流をこのスクライブ領域を
通して接地電位に逃す目的もある。
【０００３】この様な構造を採るスクライブ領域は半導
体装置上面の平面との間に一般的に数μｍ程度の段差を
形成し、スクライブ領域は一様の溝になるのが常であ
る。
体装置上面の平面との間に一般的に数μｍ程度の段差を
形成し、スクライブ領域は一様の溝になるのが常であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の一様な溝の
構造を採るスクライブ領域のため半導体装置の製造過程
において、特にフォトレジスト等の回転塗布工程にて塗
布液がスクライブ領域である溝に添って半導体ウェーハ
表面を広がって行き、ウェーハ全面に均一に塗布されな
いという欠点がある。特にリニアイメージセンサの様に
非常に細長い半導体装置の場合にはウェーハ上の縦方向
と横方向のスクライブ領域、すなわち溝の本数が極端に
異なり上記の問題が顕著に現われる。
構造を採るスクライブ領域のため半導体装置の製造過程
において、特にフォトレジスト等の回転塗布工程にて塗
布液がスクライブ領域である溝に添って半導体ウェーハ
表面を広がって行き、ウェーハ全面に均一に塗布されな
いという欠点がある。特にリニアイメージセンサの様に
非常に細長い半導体装置の場合にはウェーハ上の縦方向
と横方向のスクライブ領域、すなわち溝の本数が極端に
異なり上記の問題が顕著に現われる。
【０００５】本発明の目的は、従来の欠点を除去し、半
導体装置の形に関係なく、半導体ウェーハの全面にわた
ってフォトレジストが均一に塗布できる半導体装置を提
供することにある。
導体装置の形に関係なく、半導体ウェーハの全面にわた
ってフォトレジストが均一に塗布できる半導体装置を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は半
導体ウェーハ上に設けられた複数の半導体装置と、これ
らの半導体装置を分離するスクライブ領域を有する半導
体装置において、このスクライブ領域の一部を半導体装
置の平均的平面と同一の面にした構造を有している。
導体ウェーハ上に設けられた複数の半導体装置と、これ
らの半導体装置を分離するスクライブ領域を有する半導
体装置において、このスクライブ領域の一部を半導体装
置の平均的平面と同一の面にした構造を有している。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を示す斜視図である。シリ
コンなどの半導体ウェーハ１上に半導体装置２ａii，２
ａjiが配置されている。これらの半導体装置はそれぞれ
を分けるスクライブ領域３ｘi ，３ｘj 及び３ｙi ，３
ｙj により大まかに分割されてはいるが、各半導体装置
の周辺部の複数箇所にて接続されている。この場合、ス
クライブ領域は７００〜９００μｍ毎に２０〜３０μｍ
の幅にて、半導体装置上面の平均的平面と同一の面を有
する様に部分的に盛り上っている。
る。図１は本発明の一実施例を示す斜視図である。シリ
コンなどの半導体ウェーハ１上に半導体装置２ａii，２
ａjiが配置されている。これらの半導体装置はそれぞれ
を分けるスクライブ領域３ｘi ，３ｘj 及び３ｙi ，３
ｙj により大まかに分割されてはいるが、各半導体装置
の周辺部の複数箇所にて接続されている。この場合、ス
クライブ領域は７００〜９００μｍ毎に２０〜３０μｍ
の幅にて、半導体装置上面の平均的平面と同一の面を有
する様に部分的に盛り上っている。
【０００８】図２は本発明の他の実施例を示す斜視図で
ある。スクライブ領域の一部は第１の実施例と同様に盛
り上った構造を有している。この実施例では、半導体装
置の製造過程において特に問題となる各半導体装置の長
辺部のみにおいて、スクライブ領域を盛り上げた構造を
有している。
ある。スクライブ領域の一部は第１の実施例と同様に盛
り上った構造を有している。この実施例では、半導体装
置の製造過程において特に問題となる各半導体装置の長
辺部のみにおいて、スクライブ領域を盛り上げた構造を
有している。
【０００９】
【発明の効果】以上述べたように本発明は、半導体ウェ
ーハ上の複数の半導体装置を分離するスクライブ領域の
一部を半導体装置の平均的平面と同一の面となる様に盛
り上げたので、フォトレジスト等の回転塗布において塗
布液がスクライブ領域の溝部よりあふれ出てくるため、
半導体ウェーハの全面にわたって均一に塗布できるとい
う効果を有する。
ーハ上の複数の半導体装置を分離するスクライブ領域の
一部を半導体装置の平均的平面と同一の面となる様に盛
り上げたので、フォトレジスト等の回転塗布において塗
布液がスクライブ領域の溝部よりあふれ出てくるため、
半導体ウェーハの全面にわたって均一に塗布できるとい
う効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の斜視図である。
【図２】本発明の他の実施例の斜視図である。
【図３】従来の半導体装置の一例の斜視図である。
１ 半導体ウェーハ ２ａii，２ａji 半導体装置 ３ｘi ，３ｘj ，３ｙi ，３ｙj スクライブ領域
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体ウェーハ上に設けられた複数の半
導体装置とこれらの半導体装置を分離するスクライブ領
域を有する半導体装置において、前記スクライブ領域の
一部を前記半導体装置の平均的平面と同一の面にするこ
とを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16126691A JPH0513569A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16126691A JPH0513569A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513569A true JPH0513569A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15731841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16126691A Pending JPH0513569A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513569A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004077963A1 (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Wakunaga Pharmaceutical Co. Ltd. | 植物加工物及びその製造法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50150366A (ja) * | 1974-05-22 | 1975-12-02 | ||
| JPS61125040A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS61150268A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP16126691A patent/JPH0513569A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50150366A (ja) * | 1974-05-22 | 1975-12-02 | ||
| JPS61125040A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS61150268A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004077963A1 (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-16 | Wakunaga Pharmaceutical Co. Ltd. | 植物加工物及びその製造法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971209 |